JPS61222024A - Magnetic disk - Google Patents
Magnetic diskInfo
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- JPS61222024A JPS61222024A JP6483485A JP6483485A JPS61222024A JP S61222024 A JPS61222024 A JP S61222024A JP 6483485 A JP6483485 A JP 6483485A JP 6483485 A JP6483485 A JP 6483485A JP S61222024 A JPS61222024 A JP S61222024A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置の如き磁気的記憶装置の記
憶媒体として用いられる磁気ディスクに関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic disk used as a storage medium in a magnetic storage device such as a magnetic disk device.
例えばコンピュータ等の記憶媒体としては、ランダムア
クセスが可能な円板状の磁気デ・イスクが広く用いられ
ており、なかでも、応答性に優れること、記憶容量が大
きいこと、保存性が良好で信頼性が高いこと等から、基
板にA1合金板やガラス板、プラスチック板等の硬質材
料を用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスクが固
定ディスク、あるいは外部ディスクとして使用されるよ
うになっている。For example, disc-shaped magnetic disks that can be randomly accessed are widely used as storage media in computers, etc., and are particularly reliable due to their excellent responsiveness, large storage capacity, good storage stability, and reliability. Because of their high performance, magnetic disks whose substrates are made of hard materials such as A1 alloy plates, glass plates, plastic plates, etc., so-called hard disks, have come to be used as fixed disks or external disks.
上記ハードディスクは、例えばA4合金基板上に記録再
生に関与する磁性層を形成したものであって、高速で回
転して同心円状の多数のトラックに情報の記録再生を行
うものである。The hard disk has, for example, an A4 alloy substrate on which a magnetic layer involved in recording and reproduction is formed, and rotates at high speed to record and reproduce information on a large number of concentric tracks.
ところで、上述のハードディスクに対して記録再生を行
う場合には、操作開始時に磁気ヘッドと磁性層面とを接
触状態で装着した後、上記ハードディスクに所定の回転
を与えることによりヘッドと磁性層面との間に微小な空
気層を形成し、この状態で記録再生を行うCSS方式(
コンタクト・スタート・ストップ方式)によるのが一般
的である。By the way, when performing recording and reproduction on the above-mentioned hard disk, after the magnetic head and the magnetic layer surface are mounted in contact with each other at the start of operation, the distance between the head and the magnetic layer surface is established by applying a predetermined rotation to the hard disk. The CSS method (which forms a minute air layer in the air and performs recording and playback in this state)
The contact start/stop method is generally used.
このようなC8S方式では、磁気ヘッドは、操作開始時
や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態にあり、ヘッ
ドと磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、これら磁気ヘ
ッドや磁気ディスクを摩耗させる原因となる。あるいは
、磁気ヘッドに塵埃や磁性層の剥離物の付着があると、
ヘッドクラッシュ(磁気ヘッドの落下)が発生し易くな
り、またヘッドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁
気ヘッドが磁気ディスクに接触する等、磁気ディスクに
大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気ディスクや
磁気ヘッドを破損する原因ともなっている。In such a C8S system, the magnetic head is in frictional contact with the magnetic layer surface at the start and end of operation, and the frictional force generated between the head and the magnetic disk causes wear on the magnetic head and magnetic disk. Become. Or, if there is dust or peeled matter from the magnetic layer on the magnetic head,
Head crashes (falling of the magnetic head) are more likely to occur, and the magnetic head may suddenly come into contact with the magnetic disk during recording and playback due to head jumping, etc., which can cause large shocks to be applied to the magnetic disk. It also causes damage to disks and magnetic heads.
特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着やスパッ
タリング等の真空薄膜形成技術により薄膜化する方法や
、Co−N1−P等の合金を無電解メッキ等の湿式法に
より薄膜化する方法等によって形成される連続薄膜であ
る場合には、この傾向が顕著である。In particular, a method in which the magnetic layer is formed by thinning an alloy such as Co-Ni using a vacuum thin film forming technique such as vacuum evaporation or sputtering, or a method in which an alloy such as Co-N1-P is formed into a thin film by a wet method such as electroless plating. This tendency is remarkable in the case of a continuous thin film formed by et al.
このような磁気ディスクと磁気ヘッドの接触摺動から発
生する耐久性の劣化はノイズの発生を招くので好ましい
ものではなく、また、磁気ディスクに対する衝撃は、磁
気ヘッドやディスク面の傷つき等をもたらし、良好な記
録再生の妨げとなる。Deterioration of durability caused by such sliding contact between the magnetic disk and the magnetic head is not desirable because it causes noise, and an impact on the magnetic disk can cause damage to the magnetic head or disk surface. This impedes good recording and playback.
また、上述の強磁性金属の連続薄膜を磁性層とする磁気
ディスクは、磁性層が金属であるため、保存中、特に高
温ないし高湿下に放置された場合、磁性層表面に腐食を
生じやすく、このため磁気特性が経日的に劣化する問題
がある。In addition, since the magnetic layer of the above-mentioned magnetic disk is made of a continuous thin film of ferromagnetic metal, the surface of the magnetic layer tends to corrode during storage, especially if it is left in high temperature or high humidity conditions. Therefore, there is a problem that the magnetic properties deteriorate over time.
そこで従来、上述の磁気ディスクの金属磁性薄膜の表面
にカーボン保護膜を形成し、この磁気ディスクの耐久性
を向上することが検討されているが、単にカーボン保護
膜を形成しただけでは耐蝕性の改善は充分なものとはい
えず、より一層の改良が要望されている。Conventionally, therefore, it has been considered to form a carbon protective film on the surface of the metal magnetic thin film of the above-mentioned magnetic disk to improve the durability of this magnetic disk, but simply forming a carbon protective film will not improve the corrosion resistance. The improvement cannot be said to be sufficient, and further improvement is desired.
かかる状況から、本発明は、走行性や耐久性に優れると
ともに、併せて耐蝕性にも優れた磁気ディスクを提供す
ることを目的とする。In view of this situation, an object of the present invention is to provide a magnetic disk that has excellent runnability and durability as well as excellent corrosion resistance.
本発明者等は、上述のような目的を達成せんものと鋭意
研究の結果、カーボン保護膜の表面の水に対する接触角
を所定の範囲内に設定することにより、金属磁性薄膜の
耐蝕性を大幅に改善することができ、またこのカーボン
保護膜の形成により走行性や耐久性を向上することが可
能であることを見出し本発明を完成するに至ったもので
あって、基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁性
薄膜上に表面の水に対する接触角が75°以上であるカ
ーボン保護膜を形成したことを特徴とするものである。As a result of intensive research to achieve the above-mentioned objectives, the present inventors have found that by setting the contact angle of the surface of the carbon protective film to water within a predetermined range, the corrosion resistance of the metal magnetic thin film can be greatly improved. The present invention was completed by discovering that it is possible to improve running performance and durability by forming this carbon protective film. The present invention is characterized in that a carbon protective film having a surface contact angle with water of 75° or more is formed on the metal magnetic thin film.
本発明が適用される磁気ディスクは、ディスク基板上に
磁性層として強磁性金属の連続膜を設けたものであるが
、ここでディスク基板の素材としては、アルミニウム合
金、チタン合金等の軽合金、ポリスチレン、ABS樹脂
等の熱可塑性樹脂、アルミナガラス等のセラミックス、
単結晶シリコン等が使用可能である。The magnetic disk to which the present invention is applied has a continuous film of ferromagnetic metal as a magnetic layer on a disk substrate, and the material of the disk substrate may be a light alloy such as an aluminum alloy or a titanium alloy, Thermoplastic resins such as polystyrene and ABS resin, ceramics such as alumina glass,
Single crystal silicon etc. can be used.
ここで、上記ディスク基板として比較的軟らかい材質の
ものを使用する場合には、表面を硬くする非磁性金属下
地層を形成しておくことが好ましい。上記非磁性金属下
地層の材質としては、N1−P合金+ Cu +
Cr t Z n 、ステンレス等が好ましい。これ
らをメッキ、スパッタリング、蒸着等の手法により基板
表面に4〜20μm程度の膜厚で被着する。例えば、A
l−Mg合金基板の表面にN1−Pメッキを施すと、そ
の硬度は400程度になり、この基板上に形成した磁性
層の磁気特性が優れたものとなる。Here, when a relatively soft material is used as the disk substrate, it is preferable to form a nonmagnetic metal underlayer to harden the surface. The material of the non-magnetic metal underlayer is N1-P alloy + Cu +
Cr t Z n , stainless steel, etc. are preferable. These are deposited on the surface of the substrate by methods such as plating, sputtering, and vapor deposition to a film thickness of about 4 to 20 μm. For example, A
When N1-P plating is applied to the surface of a l-Mg alloy substrate, its hardness becomes approximately 400, and the magnetic layer formed on this substrate has excellent magnetic properties.
また、上記磁性層は、メッキやスパッタリング。In addition, the above magnetic layer can be formed by plating or sputtering.
真空蒸着等の手法により連続膜として形成される。It is formed as a continuous film using techniques such as vacuum evaporation.
例えばGo−P、 Go−Ni−P等をメッキすること
により金属磁性薄膜が磁性層として形成される。For example, a metal magnetic thin film is formed as a magnetic layer by plating Go-P, Go-Ni-P, or the like.
あるいは、真空蒸着法やイオンブレーティング法、スパ
ッタリング法等の真空薄膜形成技術によってもよい。Alternatively, a vacuum thin film forming technique such as a vacuum evaporation method, an ion blating method, or a sputtering method may be used.
上記真空蒸着法は、10−’〜10−’Torrの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、斜方蒸
着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方蒸着法は、
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着するものであって、より高い抗磁力を得る
ために酸素雰囲気中で上記蒸着を行うものも含まれる。In the vacuum evaporation method described above, a ferromagnetic metal material is evaporated by resistance heating, high frequency heating, electron beam heating, etc. under a vacuum of 10-' to 10-' Torr, and the evaporated metal (
ferromagnetic metal material), and is roughly divided into oblique deposition method and vertical deposition method. The above oblique evaporation method is
In order to obtain a high coercive force, the above-mentioned ferromagnetic metal material is deposited obliquely on the substrate, and in order to obtain a higher coercive force, the above-mentioned ferromagnetic metal material is deposited in an oxygen atmosphere.
上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向上し、かつ高
い抗磁力を得るために基板上にあらかじめBt、sb、
pb、 Sn、Ga、In、Cd、Ge。In the above-mentioned vertical deposition method, Bt, sb,
pb, Sn, Ga, In, Cd, Ge.
St、Tj!等の下地金属層上に上記強磁性金属材料を
垂直に蒸着するというものである。St,Tj! The above-mentioned ferromagnetic metal material is vertically deposited on the underlying metal layer.
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、10−4〜10−Torrの不活性ガス雰囲気中でD
Cグロー放電、 RF グロー放電を起こして、放電
中ディスク上記強磁性金属材料を蒸発させるというもの
である。The above ion blating method is also a type of vacuum evaporation method, and D
C glow discharge, RF Glow discharge is caused to evaporate the ferromagnetic metal material on the disk during discharge.
上記スパッタリング法は、101〜10−’Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起
こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原
子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法に
より直流2極、3極スパツタ法や、高周波スパッタ法、
またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパン
タ法等がある。The above sputtering method involves causing glow discharge in an atmosphere mainly composed of argon gas at 101 to 10 Torr, and using the generated argon gas ions to knock out atoms on the target surface. 2-pole, 3-pole sputtering method, high frequency sputtering method,
Alternatively, there is a magnetron spunter method using magnetron discharge.
このスパッタリング法による場合には、CrやW。In the case of this sputtering method, Cr or W is used.
V等の下地膜を形成しておいてもよい。A base film such as V may be formed in advance.
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。In any of the above methods, Bi, Sb, Pb, Sn, Ga, and In are preliminarily deposited on the substrate.
Cd、Ge、St、T1等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁気ディ
スクとすることができる。By pre-depositing a base metal layer such as Cd, Ge, St, T1, etc., and depositing the film in a direction perpendicular to the substrate surface, excellent magnetic properties can be obtained in an in-plane manner without magnetic anisotropy orientation. It can be a disc.
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe、
Co、Ni等の金属の他に、C。When forming a metal magnetic thin film using such vacuum thin film forming technology, the ferromagnetic metal materials used include Fe,
In addition to metals such as Co and Ni, C.
−Ni合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金+
Fe Co合金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni
金合金 F e Co−B合金、Co−N1−Fe
−B合金、Co−Cr合金あるいはこれらにCr、A1
等の金属が含有されたもの等が挙げられる。特に、Co
−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形成され
る。-Ni alloy, Co-Pt alloy, Co-Ni-Pt alloy +
Fe-Co alloy, Fe-Ni alloy, Fe-Co-Ni
Gold alloy Fe Co-B alloy, Co-N1-Fe
-B alloy, Co-Cr alloy, or these with Cr, A1
Examples include those containing metals such as. In particular, Co
When a -Cr alloy is used, a perpendicularly magnetized film is formed.
このような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.
04〜1μm程度゛である。The thickness of the magnetic layer formed by such a method is 0.
It is about 0.04 to 1 μm.
上記金属磁性薄膜上にはカーボン保護膜が形成されてい
る。A carbon protective film is formed on the metal magnetic thin film.
上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優れたもの
であり、通常、真空蒸着法やスパッタリング法等の手法
により形成される。The carbon protective film has excellent lubricity, corrosion resistance, etc., and is usually formed by a method such as a vacuum deposition method or a sputtering method.
例えば、真空蒸着法による場合には、圧力5×10−5
Torr以下の真空度、基板温度50〜250℃の条件
であればよく、加熱方法としては電子ビーム加熱法、抵
抗加熱法、誘導加熱法やアーク放電法等の手法が用いら
れる。ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板面上
に下地膜として形成されるN i −Pメッキ層が結晶
化する等の不具合が生ずる虞れがある。For example, in the case of vacuum evaporation, the pressure is 5 x 10-5
The conditions may be as long as the degree of vacuum is Torr or less and the substrate temperature is 50 to 250° C., and the heating method may be an electron beam heating method, a resistance heating method, an induction heating method, an arc discharge method, or the like. Here, if the substrate temperature is too high, problems such as crystallization of the Ni--P plating layer formed as a base film on the substrate surface may occur.
また、スパッタリング法による場合には、Ar等の不活
性ガスを導入し、圧力lXl0−”〜1×10−”To
rrの真空度、基板温度50〜250℃の条件で、ター
ゲットとしてカーボン板(厚さ1〜4fi程度)を用い
、RF電力1〜10KwあるいはDC電力500w−1
0Kwを印加すればよい。In addition, when using the sputtering method, an inert gas such as Ar is introduced and the pressure is
Under the conditions of vacuum degree of RR and substrate temperature of 50 to 250°C, using a carbon plate (thickness of about 1 to 4 fi) as a target, RF power of 1 to 10 Kw or DC power of 500 w-1
It is sufficient to apply 0Kw.
上記カーボン保護膜の構造としては、グラファイト状あ
るいはダイアモ、ラド状等、如何なるものであってもよ
く、また、これらの混合層であってもよい。The carbon protective film may have any structure such as graphite, diamond, or rad, or may be a mixed layer of these.
なお、このカーボン保護膜の膜厚は、100〜800人
の範囲内であることが好ましい。In addition, it is preferable that the film thickness of this carbon protective film falls within the range of 100 to 800 people.
そして、本発明において重要なことは、上述のカーボン
保護膜の表面の水に対する接触角が75゜以上に設定さ
れていることである。What is important in the present invention is that the contact angle of the surface of the carbon protective film with water is set to 75° or more.
この水に対する接触角は、カーボン保護膜の水に対する
親和性の指標になるものであって、上記接触角が大きい
ほど水に対する親和性が小さいといえる。本発明等の実
験によれば、上記カーボン保護膜の水に対する接触角が
75°以上であれば金属磁性薄膜/4食防止に効果的で
あることがわかった。This contact angle with water is an index of the affinity of the carbon protective film with water, and it can be said that the larger the contact angle, the lower the affinity with water. According to experiments conducted in the present invention, it has been found that if the contact angle of the carbon protective film with water is 75° or more, it is effective in preventing metal magnetic thin films/four meals.
このカーボン保護膜の表面の水に対する接触角をコント
ロールする手法としては、例えばボンバード処理が挙げ
られる。An example of a method for controlling the contact angle of the surface of the carbon protective film with respect to water is bombardment treatment.
上記ボンバード処理は、カーボン保護膜表面に気体イオ
ンを照射してドライエツチングを施すというように、上
記カーボン保護膜面に対して物理化学的な表面処理を加
えるものであって、これにより上記カーボン保護膜面の
水に対する接触角を高めることができる。The above-mentioned bombardment treatment is a process in which a physicochemical surface treatment is applied to the surface of the carbon protective film, such as dry etching by irradiating the surface of the carbon protective film with gas ions. The contact angle of the membrane surface to water can be increased.
このように、カーボン保護膜表面の水に対する接触角を
75″以上に設定することにより、このカーボン保護膜
の水に対する親和性が小さくなり、金属磁性薄膜の腐食
が防止される。By setting the contact angle of the surface of the carbon protective film to water at 75'' or more in this way, the affinity of the carbon protective film to water is reduced, and corrosion of the metal magnetic thin film is prevented.
実施例
先ず、Al−Mg基板(厚さ約1.5鶴、外径95wm
、内径25mm、表面平均粗さ20人)を用意し、この
基板上に圧力I X 10−’Torr、基板温度15
0℃の条件でBiを真空蒸着して膜厚200人の低融点
金属下地膜を形成した。Example First, an Al-Mg substrate (thickness about 1.5 mm, outer diameter 95 wm) was prepared.
, inner diameter 25 mm, average surface roughness 20), and on this substrate, a pressure I x 10-'Torr and a substrate temperature 15
Bi was vacuum-deposited at 0° C. to form a low melting point metal base film with a thickness of 200 μm.
次いでこの下地膜上に、同様に圧力1xlO−’70
r r +基板温度150℃の条件で、COを電子ビー
ム蒸着し、膜厚1000人の金属磁性薄膜を形成した。Next, a pressure of 1xlO-'70 was applied on this base film in the same manner.
CO was deposited by electron beam under the conditions of r r +substrate temperature of 150° C. to form a metal magnetic thin film with a thickness of 1000 μm.
さらに、上記金属磁性薄膜上に、次表に示すように、電
子ビーム蒸着法(加速電圧7KeV)でカーボン保護膜
を膜厚200人程度になるように形成した。Furthermore, a carbon protective film was formed on the metal magnetic thin film to a thickness of about 200 by electron beam evaporation (acceleration voltage: 7 KeV) as shown in the following table.
さらに、このカーボン保護膜に対し、窒素ガスを導入し
0.05 Torrの圧力下で直流ボンバード処理を施
した。Further, this carbon protective film was subjected to direct current bombardment treatment under a pressure of 0.05 Torr by introducing nitrogen gas.
その後、大気中に取り出し、温度20℃、湿度50%の
条件で12時間以上保存した。Thereafter, it was taken out into the atmosphere and stored at a temperature of 20° C. and a humidity of 50% for 12 hours or more.
比較例1゜
先の実施例と同様に、先ず、Al−Mg基板(厚さ約1
.5m、外径95鶴、内径25fl2表面平均粗さ20
人)を用意し、この基板上に圧力IX 10−’Tor
r、基板温度150℃の条件でBiを真空蒸着して膜厚
200人の低融点金属下地膜を形成した。Comparative Example 1 As in the previous example, first, an Al-Mg substrate (thickness approximately 1°
.. 5m, outer diameter 95mm, inner diameter 25fl2, average surface roughness 20
(person) and apply pressure IX 10-'Tor on this substrate.
A low melting point metal undercoat film having a thickness of 200 μm was formed by vacuum evaporating Bi under the conditions of 150° C. and a substrate temperature of 150° C.
次いでこの下地膜上に、同様に圧力lXl0−’Tor
r、基板温度150℃の条件で、COを電子ビーム蒸着
し、膜厚1000人の金属磁性薄膜を形成した。Then, a pressure of lXl0-'Tor
A metal magnetic thin film having a thickness of 1000 nm was formed by electron beam evaporation of CO under conditions of 150° C. and a substrate temperature of 150° C.
さらに、上記金属磁性薄膜上に、次表に示すように、電
子ビーム蒸着法(加速電圧7KeV)でカーボン保護膜
を膜厚200人程度になる。ように形成した。Furthermore, as shown in the following table, a carbon protective film was formed on the metal magnetic thin film to a thickness of about 200 by electron beam evaporation (acceleration voltage: 7 KeV). It was formed like this.
その後、大気中に取り出し、温度20℃、湿度50%の
条件で12時間以上保存した。Thereafter, it was taken out into the atmosphere and stored at a temperature of 20° C. and a humidity of 50% for 12 hours or more.
比較例2゜
先の実施例と同様に、先ず、Al−Mg基板(厚さ約1
.5 ms 、外径95N、内径25鶴1表面平均粗さ
20人)を用意し、この基板上に圧力IX 10−’T
orr、基板温度150℃の条件でBiを真空蒸着して
膜厚200人の低融点金属下地膜を形成した。Comparative Example 2 As in the previous example, first, an Al-Mg substrate (thickness of about 1
.. 5 ms, outer diameter 95 N, inner diameter 25 Tsuru 1 surface average roughness 20) was prepared, and a pressure of IX 10-'T was applied on this substrate.
Bi was vacuum-deposited at a substrate temperature of 150° C. to form a low melting point metal base film with a thickness of 200 μm.
次いでこの下地膜上に、同様に圧力lXl0−’Tor
r、基板温度150℃の条件で、COを電子ビーム蒸着
し、膜厚1000人の金属磁性薄膜を形成した。Then, a pressure of lXl0-'Tor
A metal magnetic thin film having a thickness of 1000 nm was formed by electron beam evaporation of CO under conditions of 150° C. and a substrate temperature of 150° C.
その後、大気中に取り出し、温度20℃、湿度50%の
条件で12時間以上保存した。Thereafter, it was taken out into the atmosphere and stored at a temperature of 20° C. and a humidity of 50% for 12 hours or more.
上述の実施例および比較例で得られたサンプルディスク
について、腐食試験を行った。なお、この腐食試験は、
温度60℃、相対湿度90%の環境下での96時間加速
腐食試験とし、試験後の単位面積当たりの孔食の敗を光
学顕微鏡により測定した。結果を次表に示す。A corrosion test was conducted on the sample disks obtained in the above examples and comparative examples. In addition, this corrosion test
A 96-hour accelerated corrosion test was conducted in an environment with a temperature of 60° C. and a relative humidity of 90%, and pitting corrosion loss per unit area after the test was measured using an optical microscope. The results are shown in the table below.
表
この表より、カーボン保護膜表面にボンバード処理を施
し、水に対する接触角を756以上とすることにより、
腐食が大幅に減少し、耐蝕性が向上することがわかる。Table From this table, by bombarding the surface of the carbon protective film and making the contact angle with water 756 or more,
It can be seen that corrosion is significantly reduced and corrosion resistance is improved.
以上、本発明の具体的な実施例について説明したが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。Although specific embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments.
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ディス
クにおいては、カーボン保護膜表面の水に対する接触角
を75″以上としているので、このカーボン保護膜の水
に対する親和性が小さくなり、金属磁性薄膜の腐食が防
止され、耐蝕性が大幅に向上する。また、カーボン保護
膜を形成しているので、走行性や耐久性も確保される。As is clear from the above description, in the magnetic disk of the present invention, the contact angle of the surface of the carbon protective film with water is set to 75" or more, so the affinity of this carbon protective film to water is small, and the metal magnetic Corrosion of the thin film is prevented, greatly improving corrosion resistance.Also, since a carbon protective film is formed, running performance and durability are ensured.
Claims (1)
表面の水に対する接触角が75°以上であるカーボン保
護膜を形成したことを特徴とする磁気ディスク。1. A magnetic disk characterized in that a metal magnetic thin film is formed on a substrate, and a carbon protective film having a surface contact angle with water of 75° or more is formed on the metal magnetic thin film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6483485A JPS61222024A (en) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | Magnetic disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6483485A JPS61222024A (en) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | Magnetic disk |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61222024A true JPS61222024A (en) | 1986-10-02 |
Family
ID=13269669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6483485A Pending JPS61222024A (en) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | Magnetic disk |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61222024A (en) |
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