JPS61219839A - Wavelength modulating sepectroscope - Google Patents

Wavelength modulating sepectroscope

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JPS61219839A
JPS61219839A JP6234185A JP6234185A JPS61219839A JP S61219839 A JPS61219839 A JP S61219839A JP 6234185 A JP6234185 A JP 6234185A JP 6234185 A JP6234185 A JP 6234185A JP S61219839 A JPS61219839 A JP S61219839A
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泉 卓佑
Akihiko Nagai
永井 昭彦
Masayuki Kanai
金井 誠之
Tsuneo Suzuki
鈴木 常男
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/42Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
    • G01J3/433Modulation spectrometry; Derivative spectrometry

Abstract

PURPOSE:To measure minute spectral change with good accuracy, by vibrating luminous flux to be measured at predetermined frequency in a predetermined modulation width by using the flat mirror provided to a tuning fork oscillator. CONSTITUTION:The luminous flux 2 to be measured emitted from a plasma generation source 1 is incident on the flat mirror 8 provided to a tuning fork 7 through a lens 4 and a slit 5 and receives the modulation of a wavelength at predetermined frequency by said flat mirror 8. The luminous flux 2 is further spectrally diffracted to a spectrum B with an objective wavelength lambda0 by a blaze type diffraction grating 11 through a collimator 9 to be incident to a photoelectric converter 14 through a collector 12 and a slit 13. The output (f) of the converter 14 is amplified by a DC amplifier 15 to output whole intensity (c) to a terminal 16. The output (f) passed through a high pass filter 17 and synchronously detected at frequency two times tuning fork frequency F by a synchronous detection circuit 18 and the variation intensity (a) of the spectrum B is outputted to a terminal 19. Because the tuning fork 7 is vibrated at definite amplitude by using a light emitting apparatus 13, an amplitude detection apparatus 25 and a reflective mirror 21, detection can be performed with good accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野〕 本発明は音叉発振器を用いて光スペクトルにおける輝線
または吸収ピークの測定感度を上昇させた波長変調分光
器に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a wavelength modulation spectrometer that uses a tuning fork oscillator to increase the measurement sensitivity of emission lines or absorption peaks in an optical spectrum.

[発明の技術的背景] 例えば半導体のIC素子等の製造工程におけるプラズマ
エツチング、プラズマア、ツシング、リアクティブイオ
ンエツチング等において、エツチング処理が終了したこ
とを検出する手段として、エツチング処理期間中に微量
に放出されるエツチングされる物質のプラズマスペクト
ルの変化を検出する方法がある。
[Technical Background of the Invention] For example, in plasma etching, plasma aeration, etching, reactive ion etching, etc. in the manufacturing process of semiconductor IC devices, etc., a trace amount of etching is used as a means of detecting the completion of the etching process. There is a method of detecting changes in the plasma spectrum of the etched material emitted during etching.

例えばIC素子のアルミ配線パターンをプラズマエツチ
ング処理する場合、第8図(a)に示すように、エツチ
ング処理中に放出されるプラズマスペクトルにおける顕
著な例えば3082人の輝線スペクトルAの強度を、検
出波長をこの輝線スペクトルAの波長3082人に固定
した分光器でもって連続測定する。そして、第8図(b
)に示すようにこの波長3082人の輝線スペクトルA
の強度が大きく変化した時刻をエツチング終了時刻とし
てエツチング処理を停止する。
For example, when performing plasma etching on an aluminum wiring pattern of an IC element, as shown in FIG. is continuously measured using a spectrometer fixed at the wavelength of this emission line spectrum A of 3082. And Fig. 8 (b
), this wavelength 3082 people's emission line spectrum A
The etching process is stopped at the time when the intensity of the etching changes significantly.

しかしなかがら、一般に上記プラズマスペクトルには目
的物質以外の物質からの種々の波長を有するスペクトル
が含まれるので、これ等の物質による妨害スペクトルが
目標スペクトルに重畳している。その結果、目標スペク
トルの強度が正しく測定されない場合がある。これ等の
妨害スペクトルは広帯域状のブロードスペクトルと線状
の輝線スペクトルが混在している。従って、エツチング
時とエツチング終了時とで強度に明瞭な差が生じる輝線
スペクトルを全体のスペクトル特性から捜す必要がある
。このような考えでもって第8図(a)のエツチング時
のスペクトル特性と同図(b)のエツチング終了時のス
ペクトル特性を比較すると、4000人近傍の波長λ0
の輝線スペクトルBが発見される。したがって、この輝
線スペクトルBの変化を検出することによって、エツチ
ング処理終了を検出できる。
However, since the plasma spectrum generally includes spectra having various wavelengths from substances other than the target substance, interference spectra due to these substances are superimposed on the target spectrum. As a result, the intensity of the target spectrum may not be measured correctly. These interference spectra are a mixture of broadband broad spectra and linear bright line spectra. Therefore, it is necessary to search for a bright line spectrum that shows a clear difference in intensity between the time of etching and the end of etching from the overall spectral characteristics. Based on this idea, when we compare the spectral characteristics during etching in Figure 8(a) and the spectral characteristics at the end of etching in Figure 8(b), we find that the wavelength λ0 near 4000
An emission line spectrum B is discovered. Therefore, by detecting a change in the bright line spectrum B, it is possible to detect the end of the etching process.

[背景技術の問題点] しかしながら、上記のように測定波長をλ0に固定した
分光器でもって輝線スペクトルBの強度変化を連続測定
することによって、プラズマエツチング処理の終了を検
出する場合においても、まだ次のような問題がある。す
なわち、波長λDの輝線スペクトルBは図示するように
広いバックグラウンドスペクトルに重畳している場合が
多い。
[Problems with the Background Art] However, even when detecting the end of the plasma etching process by continuously measuring the intensity change of the bright line spectrum B using a spectrometer with the measurement wavelength fixed at λ0 as described above, it is still difficult to detect the end of the plasma etching process. There are the following problems. That is, the bright line spectrum B of wavelength λD is often superimposed on a wide background spectrum as shown in the figure.

例えば第8図(a)において輝線スペクトルB全体の強
度をC、バックグラウンドスペクトルの強度をbとし、
バックグラウンドスペクトルから突出している変動部分
の強度をaとすると、エツチング終了検出においては最
終的に変動強度aの変化量を測定する必要がある。しか
し、実際の分光器においてはバックグラウンドスペクト
ル強度すを含んだ全体のスペクトル強度Cが測定される
For example, in FIG. 8(a), the intensity of the entire bright line spectrum B is C, the intensity of the background spectrum is b,
Assuming that the intensity of the fluctuating portion that sticks out from the background spectrum is a, it is necessary to finally measure the amount of change in the fluctuating intensity a in detecting the end of etching. However, in an actual spectrometer, the entire spectral intensity C including the background spectral intensity S is measured.

一般に、従来の分光器における光スペクトル強度の測定
精度は高々0.1%のオーダである。したがって、検出
すべきスペクトルの変動強度aがバックグラウンドスペ
クトルの強度すに対してa/b<10−3である場合は
、変動強度aの変化を測定することは不可能である。ま
た、たとえデータ上測定できたとしてもその測定値は信
頼性に欠ける。また、バックグラウンドスペクトルの強
度すが大きい程、たとえ測定すべき変動強度aの値が大
きくてもこの変動強度aの測定は困難である。
Generally, the measurement accuracy of optical spectrum intensity in a conventional spectrometer is on the order of 0.1% at most. Therefore, if the fluctuation intensity a of the spectrum to be detected is a/b<10-3 with respect to the intensity of the background spectrum, it is impossible to measure the change in the fluctuation strength a. Moreover, even if it can be measured based on data, the measured value lacks reliability. Furthermore, the greater the intensity of the background spectrum, the more difficult it is to measure the variation intensity a even if the value of the variation intensity a to be measured is large.

前述したように、半導体のプラズマエツチング工程にお
いては上記変動強度aの値が第8図(b)に示すように
検出できなくなるとエツチング終了と判断するので、上
記したように変動強度aの値が正確に測定できない場合
は、エツチング処理が終了していないのに変動強度aI
fi零になったと判断してエツチング処理動作を中止し
てしまう場合がある。この場合、半導体表面にエツチン
グ処理が完全に実行されていない部分が残り、IC製品
の歩留りが低下する懸念があった。
As mentioned above, in the semiconductor plasma etching process, when the value of the fluctuation intensity a becomes undetectable as shown in FIG. 8(b), it is determined that etching has ended. If accurate measurement is not possible, the fluctuation intensity aI may be measured even though the etching process is not completed.
There are cases where it is determined that fi has become zero and the etching processing operation is stopped. In this case, there remains a portion on the semiconductor surface where the etching process has not been completely performed, and there is a concern that the yield of IC products will decrease.

[発明の目的] 本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり
、その目的とするところは、音叉発振器を用いることに
よって、たとえバックグラウンドスペクトルの強度が大
きくとも、目標輝線スペクトル又は吸収ピーク等の微少
なスペクトル変化を精度よく測定できる波長変調分光器
を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made based on the above circumstances, and its purpose is to eliminate the target emission line spectrum or absorption spectrum even if the intensity of the background spectrum is large by using a tuning fork oscillator. The object of the present invention is to provide a wavelength modulation spectrometer that can accurately measure minute spectral changes such as peaks.

[発明の概要] 本発明の波長変調分光器は、測定すべき光の光束を反射
させるための平面鏡を有し、該平面鏡より反射された反
射光束を所定の周波数で振動させるとともに該所定の周
波数で撮動させた前記反射光束の振動振幅を検出する振
動振幅検出装置を有する音叉発振器と、該音叉発振器に
より得られる変調された反射光束を分散させて回折スペ
クトルを出力させるための回折格子と、該回折格子より
出力された回折スペクトルを受光して前記回折スペクト
ルに含まれる光変調信号を電気信号に変換する光電変換
器と、該光電変換器から出力された前記電気信号を前記
音叉発振器の振動周波数の2倍の周波数で同期検波する
同期検波回路とを備えた波長変調分光器具備であって、
スペクトル強度を検出するものである。
[Summary of the Invention] The wavelength modulation spectrometer of the present invention has a plane mirror for reflecting a beam of light to be measured, vibrates the reflected beam reflected from the plane mirror at a predetermined frequency, and also vibrates the reflected beam at a predetermined frequency. a tuning fork oscillator having a vibration amplitude detection device for detecting the vibration amplitude of the reflected light beam captured by the tuning fork oscillator; a diffraction grating for dispersing the modulated reflected light beam obtained by the tuning fork oscillator and outputting a diffraction spectrum; a photoelectric converter that receives a diffraction spectrum output from the diffraction grating and converts an optical modulation signal included in the diffraction spectrum into an electrical signal; A wavelength modulation spectrometer equipped with a synchronous detection circuit that performs synchronous detection at a frequency twice the frequency,
It detects spectral intensity.

[発明の実施例] 以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。[Embodiments of the invention] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は実施例の波長変調分光器の概略構成を示す模式
図である。図中1は半導体IC素子等におけるエツチン
グ処理部等のプラズマ発生源であり、このプラズマ発生
源1から放射された被測定光の光束2はケース3の入射
窓に嵌込まれたコンデンサレンズ4にて入口スリット5
を介して音叉発振器6を構成するU字形音叉7の一方の
自由端に取付けられた第1の平面鏡8に集光される。そ
してこの第1の平面鏡8にて反射されてコリメータ9へ
入射される。なお、U字形音叉7は音叉の内側に配設さ
れた電磁コイル10により音叉の形状1重量等で定まる
一定周波数Fおよび一定振幅Wで撮動されている。した
がって、第1の平面鏡8にて反射された光束2は一定周
波数、一定振幅の振動光となる。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a wavelength modulation spectrometer according to an embodiment. In the figure, reference numeral 1 indicates a plasma generation source such as an etching processing section in a semiconductor IC device, etc., and a luminous flux 2 of the light to be measured emitted from this plasma generation source 1 enters a condenser lens 4 fitted into an entrance window of a case 3. Inlet slit 5
The light is focused on a first plane mirror 8 attached to one free end of a U-shaped tuning fork 7 constituting a tuning fork oscillator 6. Then, it is reflected by this first plane mirror 8 and enters the collimator 9. Note that the U-shaped tuning fork 7 is imaged by an electromagnetic coil 10 disposed inside the tuning fork at a constant frequency F and a constant amplitude W determined by the shape, weight, etc. of the tuning fork. Therefore, the light beam 2 reflected by the first plane mirror 8 becomes oscillating light with a constant frequency and constant amplitude.

コリメータ9にて反射された振動光はブレーズ型の回折
格子11へ入射される。この回折格子11にて、格子寸
法等にて定まる波長のスペクトルが分光されコレクタ1
2へ入射される。このコレクタ12にて反射された振動
スペクトルが結像する位置に出口スリット13が配設さ
れており、この出口スリット13の裏面に隣接して、前
記コレクタ12にて反射され出口スリット13上に結像
した振動スペクトルを受光してこのスペクトルの強度を
電気信号に変換する光電変換器14が設けられている。
The oscillating light reflected by the collimator 9 is incident on a blazed diffraction grating 11. This diffraction grating 11 separates the spectrum of wavelengths determined by the grating dimensions, etc., and the collector 1
2. An exit slit 13 is disposed at a position where the vibration spectrum reflected by the collector 12 forms an image, and adjacent to the back surface of the exit slit 13, the vibration spectrum reflected by the collector 12 is focused on the exit slit 13. A photoelectric converter 14 is provided which receives the imaged vibration spectrum and converts the intensity of this spectrum into an electrical signal.

この光電変換器14から出力された直流成分および交流
成分を含んだ電気信号fは、直流増幅器15で増幅され
た後、測定スペクトルの第8図における全強度Cを出力
する出力端子16へ出力される。また、前記光電変換器
14の電気信号fはコンデンサ17からなるバイパスフ
ィルタでもって直流成分が除去された後、同期検波回路
18へ入力される。前記電気信号での交流成分は、この
同期検波回路18でもって前記音叉発振器6の振動周波
数Fの2倍の周波数2Fで同期検波されて、測定ス°ベ
クトルの変動強度aを出力する出力端子19へ出力され
る。
The electrical signal f containing a DC component and an AC component output from the photoelectric converter 14 is amplified by a DC amplifier 15 and then output to an output terminal 16 that outputs the total intensity C in FIG. 8 of the measurement spectrum. Ru. Further, the electric signal f from the photoelectric converter 14 is inputted to a synchronous detection circuit 18 after a DC component is removed by a bypass filter consisting of a capacitor 17 . The alternating current component of the electric signal is synchronously detected by this synchronous detection circuit 18 at a frequency 2F, which is twice the vibration frequency F of the tuning fork oscillator 6, and an output terminal 19 outputs the fluctuation strength a of the measured speed vector. Output to.

前記音叉発振器6においては、図示するように前記U字
形音叉7の他方の自由端に第2の平面鏡21が取付けら
れており、この第2の平面鏡21にコンデンサレンズ2
2を介してLED等の発光素子で構成された発光装置2
3から出力される検出光24が入射される。そして、こ
の第2の平面alt21で反射された検出光シ4は一定
周波数Fの振動光となり、この検出光24の振動振幅を
測定するポジションセンサ等で構成された振幅測定器2
5へ入力される。この振幅測定器26にて測定された検
出光24の振動振幅信号は、U字形音叉7の内側に組込
まれた電磁コイル10を駆動する音叉駆動回路26へ入
力される。この音叉駆動回路26は前記同期検波回路1
8へ周波数2Fの同期信号を送出するとともに前記発光
袋!23を点灯制御する。
In the tuning fork oscillator 6, as shown in the figure, a second plane mirror 21 is attached to the other free end of the U-shaped tuning fork 7, and a condenser lens 2 is attached to the second plane mirror 21.
2, a light emitting device 2 composed of a light emitting element such as an LED.
Detection light 24 output from 3 is incident. Then, the detection light beam 4 reflected by the second plane alt21 becomes vibration light of a constant frequency F, and an amplitude measuring device 2 composed of a position sensor or the like measures the vibration amplitude of this detection light 24.
5. The vibration amplitude signal of the detection light 24 measured by the amplitude measuring device 26 is input to a tuning fork drive circuit 26 that drives an electromagnetic coil 10 incorporated inside the U-shaped tuning fork 7. This tuning fork drive circuit 26 is the synchronous detection circuit 1
8 and sends a synchronization signal with a frequency of 2F to the luminescent bag! Controls the lighting of 23.

第2図は前記U字形音叉7の概略構成を示す斜視図であ
り、0字部31は一例として、外径がほぼ2IIIRの
ピアノ線であり、このU字形音叉7の脚部32も同一ピ
アノ線を使用している。そして、0字部31の長さはほ
ぼ30jlIIIであり、幅はほぼ10amである。こ
の0字部31の各自由端に7m×5Jll+形状の前記
第1および第2の平面鏡8.21が取付けられている。
FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the U-shaped tuning fork 7, in which the 0-shaped portion 31 is, for example, a piano wire with an outer diameter of approximately 2IIIR, and the leg portions 32 of this U-shaped tuning fork 7 are also the same as the piano wire. using lines. The length of the 0-character portion 31 is approximately 30jlIII, and the width is approximately 10am. The first and second plane mirrors 8.21 each having a shape of 7 m x 5 Jll+ are attached to each free end of this 0-shaped portion 31.

この0字部31の内側に配置されたコア33に電磁コイ
ル10が巻回されている。このU字形音叉7の振動周波
数Fは0字部31の形状、材質等にて定まるが前述の寸
法を採用することによって、振動周波数Fをほぼ2kH
zに設定することができる。
The electromagnetic coil 10 is wound around a core 33 arranged inside this 0-shaped portion 31. The vibration frequency F of this U-shaped tuning fork 7 is determined by the shape, material, etc. of the 0-shaped part 31, but by adopting the above-mentioned dimensions, the vibration frequency F can be increased to approximately 2kHz.
It can be set to z.

第3図は前記U字形音叉7を振動駆動する音叉駆動回路
26を示すブロック図である。図中34は発光装置f2
3のLED等の発光素子へ駆動電流を供給する発光素子
駆動回路である。図中35は振幅測定器25を構成する
ポジションセンサであり、このポジションセンサ35は
、素子上の照射スポットの変位に比例した信号を出力す
る一種の光電変換素子であり、検出光24の振幅、すな
わち第2の平面&1t21の振幅を直接照射スポット移
動によって検出するものである。ポジションセンサ35
の出力信号は変化検出回路36へ入力され、第2の平面
121の振動に伴なって変化する振動擾幅信号としての
交流信号elに変換される。交流信号elは検波回路3
7にて直流の出力電圧Elへ変換される。検波回路37
から出力される出力電圧E1は、振幅設定器38から出
力される設定電圧E2とともに偏差検出回路39へ入力
される。偏差検出回路39は直流信号E1と設定電圧E
2との偏差電圧E3を出力する。偏差検出回路39から
出力された偏差電圧E3は積分回路40で積分され、ゲ
イン制御増幅器41の制御信号電圧E4になる。
FIG. 3 is a block diagram showing a tuning fork drive circuit 26 that drives the U-shaped tuning fork 7 in vibration. 34 in the figure is a light emitting device f2
This is a light emitting element drive circuit that supplies a drive current to the light emitting elements such as LEDs of No. 3. In the figure, 35 is a position sensor that constitutes the amplitude measuring device 25. This position sensor 35 is a type of photoelectric conversion element that outputs a signal proportional to the displacement of the irradiation spot on the element, and the amplitude of the detected light 24, That is, the amplitude of the second plane &1t21 is detected by directly moving the irradiation spot. Position sensor 35
The output signal is input to the change detection circuit 36 and converted into an alternating current signal el as a vibration amplitude signal that changes as the second plane 121 vibrates. The AC signal el is sent to the detection circuit 3
7, it is converted into a DC output voltage El. Detection circuit 37
The output voltage E1 output from the amplitude setter 38 is input to the deviation detection circuit 39 together with the set voltage E2 output from the amplitude setter 38. The deviation detection circuit 39 receives the DC signal E1 and the set voltage E.
A deviation voltage E3 from 2 is output. The deviation voltage E3 outputted from the deviation detection circuit 39 is integrated by the integrating circuit 40, and becomes the control signal voltage E4 of the gain control amplifier 41.

一方、変化検出回路36から出力された交流信号elは
移相回路42へ入力され、この移相回路42にてU字形
音叉7の振動位相に整合される。
On the other hand, the alternating current signal el outputted from the change detection circuit 36 is input to a phase shift circuit 42, where it is matched to the vibration phase of the U-shaped tuning fork 7.

移相回路42から出力された整合信号e2は前記ゲイン
制御増幅器41へ入力されると共に、波形整形回路43
へ入力されて波形整形される。そして、この波形整形回
路43から同期信号e3とし前記同期検波回路18へ送
出される。また、ゲイン制御増幅器41は入力した整合
信号e2を前記制御信号電圧E4で定まる増幅率で増幅
して、前記U字形音叉7の電磁コイル10の駆動電流■
として出力する。
The matching signal e2 output from the phase shift circuit 42 is input to the gain control amplifier 41, and is also input to the waveform shaping circuit 43.
The signal is input to and waveform shaped. Then, this waveform shaping circuit 43 sends out the synchronous signal e3 to the synchronous detection circuit 18. Further, the gain control amplifier 41 amplifies the input matching signal e2 with an amplification factor determined by the control signal voltage E4, and generates a driving current of the electromagnetic coil 10 of the U-shaped tuning fork 7.
Output as .

このような一種のサーボ系構成の音叉駆動回路26にお
いて、第2の平面&I21の振幅、すなわち検波回路3
7の出力電圧Elが振幅設定器38の設定電圧E2に等
しくなると、偏差検出回路39から出力される偏差電圧
E3が0となる。したがって、積分回路40から出力さ
れる制御信号電圧E4の値は変化しない。その結果、U
字形音叉7の振動振幅は変化することはない。また、検
出回路37の出力電圧E2が振11ifl定器38の設
定電圧E3に等しくない場合は、その差に相当する偏差
電圧E3が積分回路40へ入力される。そして、積分回
路4oから出力される制御信号電圧E4は偏差電圧E3
に対応して変化する。その結果、U字形音叉7の振動振
幅は検波回路37の出力電圧E1が振幅設定器38の設
定電圧E2に等しくなるように変化する。したがって、
逆に振幅設定器38の設定電圧E2を変更することによ
りU字型音叉7の振幅Wを任意に変更できる。
In the tuning fork drive circuit 26 having such a kind of servo system configuration, the amplitude of the second plane &I21, that is, the detection circuit 3
When the output voltage El of No. 7 becomes equal to the set voltage E2 of the amplitude setter 38, the deviation voltage E3 output from the deviation detection circuit 39 becomes zero. Therefore, the value of the control signal voltage E4 output from the integrating circuit 40 does not change. As a result, U
The vibration amplitude of the shaped tuning fork 7 does not change. Further, when the output voltage E2 of the detection circuit 37 is not equal to the set voltage E3 of the swing 11ifl regulator 38, a deviation voltage E3 corresponding to the difference is input to the integrating circuit 40. The control signal voltage E4 output from the integrating circuit 4o is the deviation voltage E3.
changes in response to. As a result, the vibration amplitude of the U-shaped tuning fork 7 changes so that the output voltage E1 of the detection circuit 37 becomes equal to the set voltage E2 of the amplitude setter 38. therefore,
Conversely, by changing the set voltage E2 of the amplitude setter 38, the amplitude W of the U-shaped tuning fork 7 can be changed arbitrarily.

このように構成された波長変調分光器の動作原理を第4
図(a)、(b)を用いて説明する。すなわち、測定す
べき輝線スペクトルBの中心波長2口を中心としてこの
周辺(λ0±Δλ)で波長λを変調しながらスペクトル
強度を測定する。このとき測定されるスペクトル強度波
形は図示するように平均直流成分eに振幅dの交流成分
(リップル成分)が1畳した波形りとなる。この波形り
の交流成分dの周波数は波長変調周波数Fの2倍の周波
数2Fとなる。したがって、この波形りを周波数2Fで
、波長変調に同期させて検波すればちとのスペクトル強
度が得られる。実際には測定輝線スペクトルBには第4
図(a)に示すように強度すの広帯域のバックグラウン
ドスペクトルが重畳されているので、同図(b)に示す
直流成分eをバイパスフィルタで除去した後、同期検波
すれば、輝線スペクトルBの変化分の変動強度aに対応
する強度dが得られる。
The operating principle of the wavelength modulation spectrometer configured in this way is described in the fourth section.
This will be explained using Figures (a) and (b). That is, the spectral intensity is measured while modulating the wavelength λ around two central wavelengths (λ0±Δλ) of the bright line spectrum B to be measured. As shown in the figure, the spectral intensity waveform measured at this time has a waveform in which an AC component (ripple component) with an amplitude d is added to the average DC component e by 1 sigma. The frequency of the AC component d having this waveform is a frequency 2F, which is twice the wavelength modulation frequency F. Therefore, if this waveform is detected at a frequency of 2F in synchronization with the wavelength modulation, the corresponding spectral intensity can be obtained. In reality, the measured emission line spectrum B includes the fourth
As shown in Figure (a), the broadband background spectrum of intensity S is superimposed, so if the direct current component e shown in Figure (b) is removed with a bypass filter and synchronous detection is performed, the bright line spectrum B can be obtained. An intensity d corresponding to the variation intensity a of the change is obtained.

この原理を第1図の波長変調分光器について説明すると
、入口スリット5から入力した光束2はU字形音叉7の
一方の自由端に取付けられた第1の平面18で反射され
、さらにコリメータ9にて反射されて回折格子11へ入
力される。前記U字形音叉7が一定振幅W9周波数Fで
振動しているので、この回折格子11へ入射される光束
2の入射角θも一定の角度範囲(θ±Δθ)で振動する
To explain this principle with respect to the wavelength modulation spectrometer shown in FIG. is reflected and input to the diffraction grating 11. Since the U-shaped tuning fork 7 vibrates at a constant amplitude W9 and a frequency F, the incident angle θ of the light beam 2 incident on the diffraction grating 11 also vibrates within a constant angular range (θ±Δθ).

その結果、出口スリット13上には波長λ0±Δλの撮
動スペクトルが結像する。したがって、その振動スペク
トルの中心位置に形成された出口スリット13から漏出
るスペクトルは第4図(b)の波形りに示すように、直
流成分eに交流成分dが重畳した波形となる。この波形
りは光電変換器14にて電気信号fに変換される。した
がって、コンデンサ17で直流成分e除去され、同期検
波回路18にて前記2Fの周波数を有する前記音叉駆動
回路26からの同期信号e3によって同期検波された信
号は、第4図(a)の輝線スペクトルBの変動強度aに
対応する直流信号となる。
As a result, an imaging spectrum of wavelength λ0±Δλ is imaged on the exit slit 13. Therefore, the spectrum leaking from the exit slit 13 formed at the center of the vibration spectrum has a waveform in which the AC component d is superimposed on the DC component e, as shown in the waveform of FIG. 4(b). This waveform is converted into an electrical signal f by a photoelectric converter 14. Therefore, the signal whose direct current component e is removed by the capacitor 17 and which is synchronously detected by the synchronous detection circuit 18 using the synchronous signal e3 from the tuning fork drive circuit 26 having the frequency of 2F has the bright line spectrum shown in FIG. 4(a). This becomes a DC signal corresponding to the fluctuation intensity a of B.

なお、電気信号tを直接層幅する直流増幅器15の出力
信号は輝線スペクトルBのバックグラウンド強度すおよ
び変動強度aを加えた全強度Cに対応した値となる。
The output signal of the DC amplifier 15, which directly converts the electrical signal t, has a value corresponding to the total intensity C, which is the sum of the background intensity of the bright line spectrum B and the fluctuation intensity a.

このように、直流成分eを除去して変動成分dのみを分
離して検出することが可能であるので、輝線スペクトル
Bにおけるバックグラウンドの強度すを除去して変動強
度aのみを精度よく測定できる。また、この測定方法で
あるとバックグラウンドの強度すが変動しても、この変
動がI1g!スペクトルBの変動強度aの測定精度に影
響を及ぼすことはない。したがって、従来分光器のよう
に測定する波長の値を2口に固定してスペクトル強度を
直接測定する場合に比較して、測定精度を格段に向上す
ることが可能である。
In this way, since it is possible to remove the DC component e and separate and detect only the fluctuation component d, it is possible to remove the background intensity in the bright line spectrum B and measure only the fluctuation intensity a with high accuracy. . Also, with this measurement method, even if the background intensity fluctuates, this fluctuation will be I1g! This does not affect the measurement accuracy of the fluctuation intensity a of the spectrum B. Therefore, it is possible to significantly improve the measurement accuracy compared to the case where the wavelength values to be measured are fixed to two and the spectral intensity is directly measured as in the case of a conventional spectrometer.

また、輝線スペクトルBの変動強度aを直流電圧で得る
ためには、同期検波回路18内において、同期検波後の
信号をローパスフィルタに印加する必要がある。発明者
等の実験によると、測定された変動強度aのS/N比を
一定水準以上に保つためには、このローパスフィルタの
時定数τの値を、同期検波周波数2Fに対して最低、τ
>200/2F以上の関係になるように大きく設定する
必要がある。前述した半導体IC素子のプラズマエツチ
ングの終了点を素早く検出する為には、上記時定数τを
できるかぎり小さくする必要があるので、波長変調周波
数Fを高くする必要がある。すなわち、U字形音叉7に
取付けられた第1の平面1118の振動周波数Fを高く
すればよい。
Furthermore, in order to obtain the fluctuation intensity a of the bright line spectrum B as a DC voltage, it is necessary to apply the signal after synchronous detection to a low-pass filter in the synchronous detection circuit 18. According to experiments conducted by the inventors, in order to maintain the S/N ratio of the measured fluctuation intensity a above a certain level, the value of the time constant τ of this low-pass filter should be set to the minimum value, τ, with respect to the synchronous detection frequency 2F.
It is necessary to set it large so that the relationship is >200/2F or more. In order to quickly detect the end point of plasma etching of the semiconductor IC device mentioned above, it is necessary to make the above-mentioned time constant τ as small as possible, and therefore it is necessary to make the wavelength modulation frequency F high. That is, the vibration frequency F of the first plane 1118 attached to the U-shaped tuning fork 7 may be increased.

従来、高い周波数で平面鏡を振動させる装置としてガル
バノメータ型のものがあるが、この装置には回転軸と軸
受が存在するために長時間連続運転した場合に耐久性等
に問題があり、また振動振幅を自由に制御することは困
難である。
Conventionally, there is a galvanometer-type device that vibrates a plane mirror at a high frequency, but since this device has a rotating shaft and bearings, there are problems with durability when operating continuously for a long time, and the vibration amplitude It is difficult to control freely.

これに対して実施例の波長変調分光器に使用した音叉発
振器6は、第2図に示すような形状および寸法のU字形
音叉7を振動源として用いているので、前述したように
2KHz程度の高い振動周波数を得ることが可能である
。また、その振動の振幅を第2の平面!!21および振
幅測定器25で測定して音叉駆動回路26にてU字形音
叉7の振動振幅Wを常に一定になるように制御できると
ともに、必要に応じてその振幅値Wを任意の値に変更す
ることも可能である。また、機械的可動部品を採用して
いないので耐久性劣化に起因する信頼性低下をきたすこ
ともない。
On the other hand, the tuning fork oscillator 6 used in the wavelength modulation spectrometer of the embodiment uses a U-shaped tuning fork 7 having the shape and dimensions as shown in FIG. It is possible to obtain high vibration frequencies. Also, the amplitude of that vibration is measured on the second plane! ! 21 and an amplitude measuring device 25, and the tuning fork drive circuit 26 can control the vibration amplitude W of the U-shaped tuning fork 7 to always be constant, and change the amplitude value W to an arbitrary value as necessary. It is also possible. Furthermore, since no mechanically movable parts are employed, reliability does not deteriorate due to durability deterioration.

なお、U字形音叉を用いた音叉発振器の振動振幅を検出
する手段としてピッアップ用の磁気ヘッドを使用したも
のが提案されているが(特開昭56−14124号)、
この提案では、磁気ヘッドの出力が温度変化に大ぎく影
響されやすく、振動振幅値と磁気ヘッドの出力値が非直
線である等の欠点がある。
Note that a method using a magnetic head for pickup has been proposed as a means for detecting the vibration amplitude of a tuning fork oscillator using a U-shaped tuning fork (Japanese Patent Laid-Open No. 14124/1983).
This proposal has drawbacks such as the output of the magnetic head being greatly affected by temperature changes and the vibration amplitude value and the output value of the magnetic head being non-linear.

さらに、発明者等は微量ガス分析を目的とした分光器に
、音叉を利用した振動スリット(特許第1247126
号)又は音叉を利用した振動鏡(特開昭56−1412
4号)を使用した。しかしながらこれ等の分光器では、
スリット幅を任意に変更できない、また波長変調幅を精
度よく制御することが困難である等の問題があった。
Furthermore, the inventors have developed a spectrometer for trace gas analysis using a vibrating slit using a tuning fork (Patent No. 1247126).
) or a vibrating mirror using a tuning fork (Japanese Patent Laid-Open No. 56-1412
No. 4) was used. However, with these spectrometers,
There have been problems such as the inability to arbitrarily change the slit width and the difficulty in precisely controlling the wavelength modulation width.

実施例の波長変調分光器は上述したように、振動振幅を
制御する手段として第2の平面1I21゜振幅測定器2
5および音叉駆動回路26を用いることによって上記欠
点を解消することができた。
As described above, the wavelength modulation spectrometer of the embodiment uses the second plane 1I21° amplitude measuring device 2 as a means for controlling the vibration amplitude.
5 and the tuning fork drive circuit 26, the above drawbacks could be overcome.

第5図は本発明の他の実施例に係わる波長変調分光器の
音叉発振器の振動振幅を制御する機構を示したものであ
る。発光装置23から出力された検出光24はU字形音
叉7の第2の平面121で反射されて光電変換素子及び
増幅器よりなる光量検出器54に入力され。第2の平面
鏡21と光量検出器54との間に図示するようにナイフ
ェツジ51を置き、検出光24の光路の一部を遮断する
ことにより、U字形音叉7の振動に伴って検出される光
量の交流成分は第2の平面、鏡21の振幅により変化す
る。この交流成分は第2の平面鏡21の振幅と対応して
変化するため、前述の実施例と同様にU字形音叉7の振
動振幅Wを制御することが可能である。
FIG. 5 shows a mechanism for controlling the vibration amplitude of a tuning fork oscillator of a wavelength modulation spectrometer according to another embodiment of the present invention. The detection light 24 outputted from the light emitting device 23 is reflected by the second plane 121 of the U-shaped tuning fork 7 and input to the light amount detector 54 which is composed of a photoelectric conversion element and an amplifier. By placing a knife 51 as shown in the figure between the second plane mirror 21 and the light amount detector 54 and blocking a part of the optical path of the detection light 24, the amount of light detected as the U-shaped tuning fork 7 vibrates. The alternating current component changes depending on the amplitude of the second plane, the mirror 21. Since this alternating current component changes in accordance with the amplitude of the second plane mirror 21, it is possible to control the vibration amplitude W of the U-shaped tuning fork 7 in the same manner as in the previous embodiment.

第6図はさらに別の実施例の波長変調分光器における音
叉発振器6の振動振幅制御I11構を示す図である。こ
の実施例においては、第2の平面鏡21の代わりにU字
形音叉7の他方自由端にナイフェツジ52を取付け、こ
のナイフェツジ52にて発光装置23から出力されて光
量検出器54へ入射される検出光24の一部を遮光する
ようにしている。このような構成であっても、U字形音
叉7の撮動振幅Wに対応した信号を光量検出器54から
取出すことができる。
FIG. 6 is a diagram showing a vibration amplitude control I11 structure of the tuning fork oscillator 6 in a wavelength modulation spectrometer of still another embodiment. In this embodiment, a knife 52 is attached to the other free end of the U-shaped tuning fork 7 instead of the second plane mirror 21, and the knife 52 allows detection light to be output from the light emitting device 23 and incident on the light amount detector 54. A part of 24 is shielded from light. Even with such a configuration, a signal corresponding to the imaging amplitude W of the U-shaped tuning fork 7 can be extracted from the light amount detector 54.

第7図(a)(b)は本発明のさらに別の実施例におけ
る波長変調分光器の音叉発振器の振動振幅制御ltl構
を示す図である。この実施例においては、第2の平面1
j121の代わりに、U字形音叉7の一方の0字部31
によって発光装置123から出力されて光量検出器54
へ入射される検出光24の一部を遮光するようにしてい
る。なお、第2の平面鏡の代わりに重量のバランスを取
るためのダミーの鏡53が取付けられている。このよう
な構成であっても、U字形音叉7の撮動振幅Wに対応し
た信号を光量検出器54から取出すことが可能である。
FIGS. 7(a) and 7(b) are diagrams showing a vibration amplitude control ltl structure of a tuning fork oscillator of a wavelength modulation spectrometer in still another embodiment of the present invention. In this example, the second plane 1
Instead of j121, one 0-shaped part 31 of the U-shaped tuning fork 7
is output from the light emitting device 123 and sent to the light amount detector 54.
A part of the detection light 24 incident on the sensor is blocked. Note that a dummy mirror 53 is attached in place of the second plane mirror to balance the weight. Even with such a configuration, it is possible to extract a signal corresponding to the imaging amplitude W of the U-shaped tuning fork 7 from the light amount detector 54.

特に、本発明の波長変調分光器を波長変調幅の高い安定
性を要求されるアンモニア分析器(例え苦 ば特公昭56−4349合)等に応用すると、その効果
を最大限に発揮することが可能である。
In particular, when the wavelength modulation spectrometer of the present invention is applied to an ammonia analyzer that requires high stability of the wavelength modulation width (for example, the Bitter Tokko Publication No. 56-4349), its effects can be maximized. It is possible.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、音叉発振器を用い
ることによって、たとえパックグラウンドスペクトルの
強度が大きくとも、目標輝線スペクトル又は吸収ピーク
等の微少なスペクトル変化を精度よく測定できる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by using a tuning fork oscillator, minute spectral changes such as the target emission line spectrum or absorption peak can be accurately measured even if the intensity of the background spectrum is large. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第4図は本発明の一実施例に係わる波長変調
分光器を示すものであり、第1図は全体の概略構成を示
す模式図、第2図はU字形音叉を示す斜視図、第3図は
音叉駆動回路を記すブロック図、第4図は動作原理を説
明するための図であり、第5図乃至第7図はそれぞれ本
発明の他の実施例に係わる波長変調分光器の音叉発振器
における撮動振幅制御機構を示す図であり、第8図はプ
ラズマスペクトル図である。 1・・・プラズマ発生源、2・・・光束、3・・・ケー
ス、4.22・・・コンデンサレンズ、5・・・入口ス
リット、6・・・音叉発振器、7・・・U字形音叉、8
・・・第1の平面鏡、9・・・コリメータ、10・・・
電磁コイル、11・・・回折格子、12・・・コレクタ
、13・・・出口スリット、14・・・光電変換器、1
5・・・直流増幅器、17・・・コンデンサ、18・・
・同期検波回路、21・・・第2の平面鏡、23・・・
発光装置、24・・・検出光、25・・・振幅測定器、
26・・・音叉駆動回路、31・・・0字部、32・・
・脚部、34・・・発光素子駆動回路、35・・・ポジ
ションセンサ、36・・・変化検出回路、37・・・検
波回路、38・・・振幅設定器、39・・・偏差検出回
路、40・・・積分回路、41・・・ゲイン制御増幅器
、42・・・移相回路、43・・・波形整形回路、51
゜52・・・ナイフェツジ、53・・・ダミー鏡、54
・・・光量検出器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第4図 (a)      (1)) 液長λ             、波長λ第5図  
   第6図 第7v!J (a)(b) フ3
1 to 4 show a wavelength modulation spectrometer according to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall configuration, and FIG. 2 is a perspective view showing a U-shaped tuning fork. , FIG. 3 is a block diagram showing the tuning fork driving circuit, FIG. 4 is a diagram for explaining the operating principle, and FIGS. 5 to 7 are wavelength modulation spectrometers according to other embodiments of the present invention. FIG. 8 is a diagram showing an imaging amplitude control mechanism in a tuning fork oscillator, and FIG. 8 is a plasma spectrum diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Plasma generation source, 2... Luminous flux, 3... Case, 4.22... Condenser lens, 5... Entrance slit, 6... Tuning fork oscillator, 7... U-shaped tuning fork , 8
...first plane mirror, 9...collimator, 10...
Electromagnetic coil, 11... Diffraction grating, 12... Collector, 13... Exit slit, 14... Photoelectric converter, 1
5... DC amplifier, 17... Capacitor, 18...
- Synchronous detection circuit, 21... second plane mirror, 23...
Light emitting device, 24...detection light, 25...amplitude measuring device,
26...Tuning fork drive circuit, 31...0 character part, 32...
- Legs, 34... Light emitting element drive circuit, 35... Position sensor, 36... Change detection circuit, 37... Detection circuit, 38... Amplitude setting device, 39... Deviation detection circuit , 40... Integrating circuit, 41... Gain control amplifier, 42... Phase shifting circuit, 43... Waveform shaping circuit, 51
゜52... Naifetsuji, 53... Dummy mirror, 54
...Light level detector. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 4 (a) (1)) Liquid length λ, wavelength λ Figure 5
Figure 6 7v! J (a) (b) F3

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)測定すべき光の光束を反射させるための平面鏡を
有し、該平面鏡により反射された反射光束を所定の周波
数で振動させるとともに該所定の周波数で振動させた前
記反射光束の振動振幅を検出する振動振幅検出装置を有
する音叉発振器と;該音叉発振器により得られる変調さ
れた反射光束を分散させて回折スペクトルを出力させる
ための回折格子と; 該回折格子より出力された回折スペクトルを受光して前
記回折スペクトルに含まれる光変調信号を電気信号に変
換する光電変換器と; 該光電変換器から出力された前記電気信号を前記音叉発
振器の振動周波数の2倍の周波数で同期検波する同期検
波回路とを備えたことを特徴とする波長変調分光器。
(1) It has a plane mirror for reflecting the beam of light to be measured, vibrates the reflected beam reflected by the plane mirror at a predetermined frequency, and calculates the vibration amplitude of the reflected beam that is vibrated at the predetermined frequency. a tuning fork oscillator having a vibration amplitude detection device for detection; a diffraction grating for dispersing the modulated reflected light beam obtained by the tuning fork oscillator and outputting a diffraction spectrum; and receiving the diffraction spectrum output from the diffraction grating. a photoelectric converter that converts the optical modulation signal included in the diffraction spectrum into an electrical signal; and synchronous detection that synchronously detects the electrical signal output from the photoelectric converter at a frequency twice the vibration frequency of the tuning fork oscillator. A wavelength modulation spectrometer characterized by comprising a circuit.
(2)音叉発振器は、U字形音叉と; 該U字形音叉を駆動するための電磁コイルと;前記U字
形音叉の一方の自由端に装着され前記測定すべき光の光
束を反射させるための第1の平面鏡と; 前記U字形音叉の他方の自由端に装着され前記反射光束
の振動振幅を検出するための第2の平面鏡と; 該第2の平面鏡へ前記反射光束の振動振幅検出用の検出
光を照射する発光装置と; 前記第2の平面鏡にて反射された前記検出光を受光し、
該反射された検出光の振動振幅を測定する振幅測定器と
; 該振幅測定器にて測定された振動振幅値が常に一定値に
なるように前記電磁コイルの励磁を制御する駆動回路と
を具備することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
記載の波長変調分光器。
(2) The tuning fork oscillator includes a U-shaped tuning fork; an electromagnetic coil for driving the U-shaped tuning fork; and a coil attached to one free end of the U-shaped tuning fork for reflecting the luminous flux of the light to be measured. a second plane mirror attached to the other free end of the U-shaped tuning fork for detecting the vibration amplitude of the reflected light beam; a detection device for detecting the vibration amplitude of the reflected light beam to the second plane mirror; a light emitting device that irradiates light; and a light emitting device that receives the detection light reflected by the second plane mirror;
An amplitude measuring device that measures the vibration amplitude of the reflected detection light; and a drive circuit that controls excitation of the electromagnetic coil so that the vibration amplitude value measured by the amplitude measuring device is always a constant value. A wavelength modulation spectrometer according to claim (1), characterized in that:
(3)振幅測定器は、前記第2の平面鏡にて反射された
前記検出光を受光し、該反射された検出光の振動振幅に
対応した光量を検出する光量検出器で構成され、 該光量検出器で検出された光量値が常に一定値になるよ
うに前記電磁コイルの励磁を制御するようになっている
ことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の波長
変調分光器。
(3) The amplitude measuring device includes a light amount detector that receives the detection light reflected by the second plane mirror and detects a light amount corresponding to the vibration amplitude of the reflected detection light, and the light amount 2. The wavelength modulation spectrometer according to claim 2, wherein the excitation of the electromagnetic coil is controlled so that the amount of light detected by the detector is always a constant value.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5614124A (en) * 1979-07-14 1981-02-10 Agency Of Ind Science & Technol Spectrometer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5614124A (en) * 1979-07-14 1981-02-10 Agency Of Ind Science & Technol Spectrometer

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