JPS61218602A - 配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法 - Google Patents
配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法Info
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- JPS61218602A JPS61218602A JP6272185A JP6272185A JPS61218602A JP S61218602 A JPS61218602 A JP S61218602A JP 6272185 A JP6272185 A JP 6272185A JP 6272185 A JP6272185 A JP 6272185A JP S61218602 A JPS61218602 A JP S61218602A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子材料等に用いられる高性能なπ−共役系高
分子材料を製造する方法に関するものである。
分子材料を製造する方法に関するものである。
π−共役系高分子は電子材料（特に導電性材料）として
注目され、その製造方法としては従来種々のものが開発
されている。例えば、チーグラー触媒を用いたポリアセ
チレンの製造方法（特公昭第グざ一３２ｇｔ ７号公報
）、六塩化タングステン等を触媒として用いたポリ（置
換７ルン）の製造方法ＣＩ！＃公昭第３−ｕ−ｕＪＯＪ
ｔ号公報、特開昭第５７−３１９１１号公報等）、ベン
ゼンの酸を 化カチオン重合により、ポリ−ｐ−フェニレン１造する
方法（Ｊ 、Ａｍｅｒ 、Ｃｈｅｗ、Ｓｏｃ 、、コブ
巻、１００頁−ｔＯａ頁。／９Ａ’１年）等が知られて
いる。更に、電気化学的重合法（電解重合法）による方
法も広く使用されており、この方法によってポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリピレン、ポリアズレン、ポリ
カルバゾール、ポリフラン、ポリ−ルーフ二二しン等の
π−共役系高分子が合成されている。
注目され、その製造方法としては従来種々のものが開発
されている。例えば、チーグラー触媒を用いたポリアセ
チレンの製造方法（特公昭第グざ一３２ｇｔ ７号公報
）、六塩化タングステン等を触媒として用いたポリ（置
換７ルン）の製造方法ＣＩ！＃公昭第３−ｕ−ｕＪＯＪ
ｔ号公報、特開昭第５７−３１９１１号公報等）、ベン
ゼンの酸を 化カチオン重合により、ポリ−ｐ−フェニレン１造する
方法（Ｊ 、Ａｍｅｒ 、Ｃｈｅｗ、Ｓｏｃ 、、コブ
巻、１００頁−ｔＯａ頁。／９Ａ’１年）等が知られて
いる。更に、電気化学的重合法（電解重合法）による方
法も広く使用されており、この方法によってポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリピレン、ポリアズレン、ポリ
カルバゾール、ポリフラン、ポリ−ルーフ二二しン等の
π−共役系高分子が合成されている。
しかし、いずれの方法も得られたπ−共役系高分子材料
は非晶質で立体規則性がなくそれらの機能を高度に引き
出すには到っていないのが現状である。
は非晶質で立体規則性がなくそれらの機能を高度に引き
出すには到っていないのが現状である。
π−共役系高分子材料の応用例としては、導電材料や半
導体材料としての利用が考えられている。
導体材料としての利用が考えられている。
すなわち、π−共役系高分子材料を化学的または電気化
学的方法等によって酸化または還元することによって、
その電導度を絶縁体領域から半導体領域を経て金属的領
域にまでの広い範囲にわたって自由に制剖できる長所を
もっている。この性質を利用して、π−共役系高分子を
配線材料や各種半導体素子として利用すべく活発に開発
が行なわれている（特開昭第よＡ−／グ７グｆｆＡ号公
報。
学的方法等によって酸化または還元することによって、
その電導度を絶縁体領域から半導体領域を経て金属的領
域にまでの広い範囲にわたって自由に制剖できる長所を
もっている。この性質を利用して、π−共役系高分子を
配線材料や各種半導体素子として利用すべく活発に開発
が行なわれている（特開昭第よＡ−／グ７グｆｆＡ号公
報。
特開昭第５９−４３７４０号公報、特開昭第３６−ｇ１
２０１号公報等）。
２０１号公報等）。
しかし、従来方法で得られるπ−共役系高分子材料は非
晶質であるが故Ｋ、その機能を十分に発揮しているとは
言い難い。このような背景から最近では、配向させたπ
−共役系高分子材料を得ようとする試みがなされている
。例えば液晶中でチーグラー触媒を用いたポリアセチレ
ンの合成があり、液晶分子が容易に配向することを利用
して、直接に配向したポリアセチレンを得ようとしてい
る（ Ｃｈｅｍ、Ｌｅｔｔ、 ｔ ｔ ｅ を頁、ｔ９
ｔｒａ年）。現在、この方法はポリアセチレンの合成に
限られており、また、ボＩＪ ７０レンは空気中で容易
に劣化するため実用的価値は乏しい。
晶質であるが故Ｋ、その機能を十分に発揮しているとは
言い難い。このような背景から最近では、配向させたπ
−共役系高分子材料を得ようとする試みがなされている
。例えば液晶中でチーグラー触媒を用いたポリアセチレ
ンの合成があり、液晶分子が容易に配向することを利用
して、直接に配向したポリアセチレンを得ようとしてい
る（ Ｃｈｅｍ、Ｌｅｔｔ、 ｔ ｔ ｅ を頁、ｔ９
ｔｒａ年）。現在、この方法はポリアセチレンの合成に
限られており、また、ボＩＪ ７０レンは空気中で容易
に劣化するため実用的価値は乏しい。
これに対し、π−共役系高分子単結晶を用いる方法があ
り、現在までにポリジアセチレン系のＰＴＳ（ボリーコ
、ｔｌ−ヘキサジイン−／、Ａ−ジオールビス−ｐ−ト
ルエンスルホネート）おヨヒＤＣＨ（ポリー／、Ａ−ジ
ーＮ−カルバゾールコ、ｔＩ−ヘキサジイン）が良好な
単結晶として得られている（ポリジアセチレン（Ｐｏｊ
、ｙｄｉａｃｅｔｙ−ｔｅｎｅ） Ｈ，−Ｊ 。
り、現在までにポリジアセチレン系のＰＴＳ（ボリーコ
、ｔｌ−ヘキサジイン−／、Ａ−ジオールビス−ｐ−ト
ルエンスルホネート）おヨヒＤＣＨ（ポリー／、Ａ−ジ
ーＮ−カルバゾールコ、ｔＩ−ヘキサジイン）が良好な
単結晶として得られている（ポリジアセチレン（Ｐｏｊ
、ｙｄｉａｃｅｔｙ−ｔｅｎｅ） Ｈ，−Ｊ 。
Ｃａｎｔｏｗ ｋＨ，スプリンガーバーラグ（８ｐｒｉ
ｎ７ｅｒ −ｖｅｒｆａｐ ） 、東京、／９ｇｕ年）
。
ｎ７ｅｒ −ｖｅｒｆａｐ ） 、東京、／９ｇｕ年）
。
しかし、π−共役系高分子単結晶は製造方法が難しく、
製造コストの観点からは問題が多い。
製造コストの観点からは問題が多い。
以上のように従来法によって得られるπ−共役系高分子
材料には性能的またはコスト的に問題があった。
材料には性能的またはコスト的に問題があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、高配向性（立体規則性）を有するπ−共役系高
分子材料を容易に製造する方法を提供する事を目的とす
る。
もので、高配向性（立体規則性）を有するπ−共役系高
分子材料を容易に製造する方法を提供する事を目的とす
る。
すなわち本発明は、ホスト材料が形成するトンネル状の
空間（カナル）忙ゲスト材料としてモノマー分子を取り
込んで包接化合物を形成させた後。
空間（カナル）忙ゲスト材料としてモノマー分子を取り
込んで包接化合物を形成させた後。
モノマー分子をカナル内で重合（包接重合）させる操作
を含むπ−共役系高分子材料の製造方法である。
を含むπ−共役系高分子材料の製造方法である。
こうして本発明は、ホスト材料から形成するトンネル状
の空間（カナル）にゲスト材料としてπ−共役系高分子
材料形成用モノマー分子材料形成モモツマ分子を取り込
んで包接化合物を形成し、該モノマー分子をホスト材料
の鋳型（上記空間）内で包接重合させｊることからなる
、立体規則性すなわち配向性を有するπ−共役系高分子
材料とするか、包接重合したポリマーがπ−共役系高分
子材料でない場合忙は１，コー脱離反応により配向性を
有するπ−共役系高分子材料となす。
の空間（カナル）にゲスト材料としてπ−共役系高分子
材料形成用モノマー分子材料形成モモツマ分子を取り込
んで包接化合物を形成し、該モノマー分子をホスト材料
の鋳型（上記空間）内で包接重合させｊることからなる
、立体規則性すなわち配向性を有するπ−共役系高分子
材料とするか、包接重合したポリマーがπ−共役系高分
子材料でない場合忙は１，コー脱離反応により配向性を
有するπ−共役系高分子材料となす。
以下１本発明を第１図忙基づき詳細に説明する。
第１図は本発明による重合体の製造方法の製造工程の概
略図である。結晶性ホスト材料にはカナル（ｃａｎａｌ
）と呼ばれるトンネル状の空間があり（図中（イ））
、この空間にゲスト材料としての七ツマー分子を取り込
み（図中（ａｌ ） 、モノマー包接化合物（図中（ロ
））を得る。この時カナルの大きさに合ったモノマー分
子だけが取り込まれる。この様にして取り込まれたモノ
マー分子は、互いに運動が規制されしかも、規則正しく
配列している。この様な状態でモノマー分子を重合（包
接重合、図中（ｂ））させると、運動が規制されている
結果、得られた高分子材料も立体規則性を有するように
なる（図中ｅ→）。この後、使用目的に応じてホスト材
料を溶媒にて溶解除去（図中（Ｃ））することによって
配向性ポリマーを単離することもできる（図中に））。
略図である。結晶性ホスト材料にはカナル（ｃａｎａｌ
）と呼ばれるトンネル状の空間があり（図中（イ））
、この空間にゲスト材料としての七ツマー分子を取り込
み（図中（ａｌ ） 、モノマー包接化合物（図中（ロ
））を得る。この時カナルの大きさに合ったモノマー分
子だけが取り込まれる。この様にして取り込まれたモノ
マー分子は、互いに運動が規制されしかも、規則正しく
配列している。この様な状態でモノマー分子を重合（包
接重合、図中（ｂ））させると、運動が規制されている
結果、得られた高分子材料も立体規則性を有するように
なる（図中ｅ→）。この後、使用目的に応じてホスト材
料を溶媒にて溶解除去（図中（Ｃ））することによって
配向性ポリマーを単離することもできる（図中に））。
この包接重合自身は以前から知られていたが（Ｊ ０Ｍ
ａｃｒｏｍｏＪ 、Ｓｃｉ 、Ｒｅｖ６Ｍａｃｒｏｍｏ
ｊ、Ｃｈｅｍ 、Ｃｔ を巻。
ａｃｒｏｍｏＪ 、Ｓｃｉ 、Ｒｅｖ６Ｍａｃｒｏｍｏ
ｊ、Ｃｈｅｍ 、Ｃｔ を巻。
ｔ３頁、１９１０年）、この包接重合をπ−共役系高分
子材料の製造方法として用いた例は無く、本発明者等が
初めて見出したものである。
子材料の製造方法として用いた例は無く、本発明者等が
初めて見出したものである。
本発明におけるホスト材料としては尿素、チオ尿素、下
記（１）式で示すデオキシコール酸、シクロトリホスフ
ァゼン。
記（１）式で示すデオキシコール酸、シクロトリホスフ
ァゼン。
Ｏ
下記（コ）式で示すアポコール酸、ベルヒドロトリフェ
ニレン等 Ｏ カナルな形成する材料であればいずれも使用可能である
が、デオキシコール酸およびアポコール酸が取扱い上好
んで用いられる。ゲスト材料としてはビニル系モノマー
、ジエン系モノマー、アセチレン系モノマー、およびジ
アセチレン系モノマーが使用可能であり、カナルの大き
さに応じてモノマー分子な擁々選択できる。ゲスト材料
とし【上記七ツマー中、ハロゲン化モノマー−ｆｆｉＪ
ｔハ、α−クロロアクリロニトリル、α−ブロモアクリ
ロニトリル、塩化ビニル、臭化ビニルが好ましく用いら
れる。
ニレン等 Ｏ カナルな形成する材料であればいずれも使用可能である
が、デオキシコール酸およびアポコール酸が取扱い上好
んで用いられる。ゲスト材料としてはビニル系モノマー
、ジエン系モノマー、アセチレン系モノマー、およびジ
アセチレン系モノマーが使用可能であり、カナルの大き
さに応じてモノマー分子な擁々選択できる。ゲスト材料
とし【上記七ツマー中、ハロゲン化モノマー−ｆｆｉＪ
ｔハ、α−クロロアクリロニトリル、α−ブロモアクリ
ロニトリル、塩化ビニル、臭化ビニルが好ましく用いら
れる。
包接重合して得られたポリマーがπ−共役系高分子でな
い場合、例えばビニル系モノマーやジエン系モノマーを
用いる時は１重合後、カナル内にポリマーを取り込んだ
状態で加熱し／、−一説離反応を行なわせしめ目的のπ
−共役系高分子材料を得ることができる。脱離反応によ
り目的のπ−共役系高分子材料を得る時には、α−ハロ
ゲン化モノマーが好んで用いられる。また、アセチレン
系モノマーやジアセチレン系モノマーを包接重合して得
られるπ−共役系高分子材料の場合、このπ−共役系高
分子材料をカナル内で取り込んだ状態で加熱し、脱離反
応を行なわせることによって。
い場合、例えばビニル系モノマーやジエン系モノマーを
用いる時は１重合後、カナル内にポリマーを取り込んだ
状態で加熱し／、−一説離反応を行なわせしめ目的のπ
−共役系高分子材料を得ることができる。脱離反応によ
り目的のπ−共役系高分子材料を得る時には、α−ハロ
ゲン化モノマーが好んで用いられる。また、アセチレン
系モノマーやジアセチレン系モノマーを包接重合して得
られるπ−共役系高分子材料の場合、このπ−共役系高
分子材料をカナル内で取り込んだ状態で加熱し、脱離反
応を行なわせることによって。
高度に共役したπ−共役系高分子材料を得ることも可能
である。
である。
なお、カナル内でモノマー分子を重合させる方法として
は、ｒｇＪ照射、ＵＶ照射、または加熱処理が特に有効
である。触媒を用いての重合は生成高分子の純度を低下
させたり１通常カナル内に触媒分子が入りにくいことか
らあまり用いられない。
は、ｒｇＪ照射、ＵＶ照射、または加熱処理が特に有効
である。触媒を用いての重合は生成高分子の純度を低下
させたり１通常カナル内に触媒分子が入りにくいことか
らあまり用いられない。
ｒ線照射またはＵＶ照射だけで重合が進行しにくい場合
には、ｒ線照射またはＵＶ照射中またはその後加熱処理
によって重合を促進させる手段がとられる。
には、ｒ線照射またはＵＶ照射中またはその後加熱処理
によって重合を促進させる手段がとられる。
以上のように、モノマー分子をカナルという立体的に規
制された状態で重合（包接重合）させるために、高度な
立体規制性（配向性）を有するポリマーが得られること
になり、本発明におげろ様にπ−共役系高分子材料を与
える七ツマ−を用いれば、高度に配向したπ−共役系高
分子材料が容易に得られる。更に、最終的に得られるπ
−共役系高分子材料が空気中で不安定であるような材料
であればホスト材料がπ−共役系高分子材料を外界から
遮蔽する役目を果たし、π−共役系高分子包接化合物は
極めて安定であるという長所を有するＯ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例をもって説明するが、勿論本発明
がこれら実施例によって制限されるものではない。
制された状態で重合（包接重合）させるために、高度な
立体規制性（配向性）を有するポリマーが得られること
になり、本発明におげろ様にπ−共役系高分子材料を与
える七ツマ−を用いれば、高度に配向したπ−共役系高
分子材料が容易に得られる。更に、最終的に得られるπ
−共役系高分子材料が空気中で不安定であるような材料
であればホスト材料がπ−共役系高分子材料を外界から
遮蔽する役目を果たし、π−共役系高分子包接化合物は
極めて安定であるという長所を有するＯ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例をもって説明するが、勿論本発明
がこれら実施例によって制限されるものではない。
実施例 ！
デオキシコール酸をアセトンにて再結晶する。
畢
ｒ別したデオキシコール酸結晶を１００℃で約−２Ｏ時
間加熱して、一時的なゲスト分子であるアセトンを除去
する。この様にして得られたデオキシコール酸単結晶を
以下ＤＣＡと略す。／、ＯｐのＤＣ’Ａと蒸留にて精製
したα−クロロアクリロニトリル（０，２，２ｇ ）と
を直径１０ｍのガラス管に入れ、液体窒素を用いて凍結
−融解を３回繰り返して脱気処理を施した後 １Ｏ−Ｊ
）ルの減圧下で封管する。
間加熱して、一時的なゲスト分子であるアセトンを除去
する。この様にして得られたデオキシコール酸単結晶を
以下ＤＣＡと略す。／、ＯｐのＤＣ’Ａと蒸留にて精製
したα−クロロアクリロニトリル（０，２，２ｇ ）と
を直径１０ｍのガラス管に入れ、液体窒素を用いて凍結
−融解を３回繰り返して脱気処理を施した後 １Ｏ−Ｊ
）ルの減圧下で封管する。
この後、室温にて約−ｑ時間保存させてモノマーモノマ
ー包接化合物を封管中で扛―鉤からのｒ線を０℃で１時
間照射する。照射１は／、ＯＭｒａｄ（メガラド）であ
った。その後、所定の温度で所定時間加熱を行ない後重
合させポリマー包接化合物を得た。この時の反応温度、
反応日数および得られるポリマー包接化合物の収率の関
係を第２図に示す。図中、曲ｆｌ／＃、２１．？及びμ
は反応温度がそれぞれ夕θ℃、６０℃、７０℃、ｔ０℃
の場合に対応する。このようにして得られたポリマー包
接化合物を走査型電子顕微鏡で観察したところ、外見上
はモノマー包接化合物と全く変わらず、モノマーがカナ
ル内で反応していることが判った。
ー包接化合物を封管中で扛―鉤からのｒ線を０℃で１時
間照射する。照射１は／、ＯＭｒａｄ（メガラド）であ
った。その後、所定の温度で所定時間加熱を行ない後重
合させポリマー包接化合物を得た。この時の反応温度、
反応日数および得られるポリマー包接化合物の収率の関
係を第２図に示す。図中、曲ｆｌ／＃、２１．？及びμ
は反応温度がそれぞれ夕θ℃、６０℃、７０℃、ｔ０℃
の場合に対応する。このようにして得られたポリマー包
接化合物を走査型電子顕微鏡で観察したところ、外見上
はモノマー包接化合物と全く変わらず、モノマーがカナ
ル内で反応していることが判った。
以上の様にして得られたＤＣＡ−ポリ（α−クロロアク
リロニトリル）包接化合物のＩｎスペクトルには２２３
ｒｃｍ’にニトリル基に基づく吸収が観測された。この
ＤＣＡ−ポリ（α−クロロアクリロニトリル）を／ｕＱ
℃で２０時間加熱処理を行ない、脱塩化水素反応を行な
わせ、Ｄ Ｃ、Ａ−ポリシアノアセチレン包接化合物を
５０％の高収率で得た。
リロニトリル）包接化合物のＩｎスペクトルには２２３
ｒｃｍ’にニトリル基に基づく吸収が観測された。この
ＤＣＡ−ポリ（α−クロロアクリロニトリル）を／ｕＱ
℃で２０時間加熱処理を行ない、脱塩化水素反応を行な
わせ、Ｄ Ｃ、Ａ−ポリシアノアセチレン包接化合物を
５０％の高収率で得た。
この収率は元素分析におけるＣ１の残存量から求めた０
脱塩化水素反応によって得られたＤＣＡ−ポリシアノア
セチレン包接化合物のＩｎスペクトルには２：１２！ｍ
’にニトリル基に基づく吸収が観られ、共役系の長さに
より多少ずれるが報告されているポリシアノアセチレン
の直に近い直であった。
脱塩化水素反応によって得られたＤＣＡ−ポリシアノア
セチレン包接化合物のＩｎスペクトルには２：１２！ｍ
’にニトリル基に基づく吸収が観られ、共役系の長さに
より多少ずれるが報告されているポリシアノアセチレン
の直に近い直であった。
実施例 コ
コール□□□をアセトン中で塩化亜鉛を用いて脱水反応
を行なわせアポコール酸を得た。このアポコール酸をア
セトン、から再結晶後、Ｆ別してアポコール酸結晶を得
た。このアポコール酸結晶なｉｏ。
を行なわせアポコール酸を得た。このアポコール酸をア
セトン、から再結晶後、Ｆ別してアポコール酸結晶を得
た。このアポコール酸結晶なｉｏ。
℃で約−０時間加熱してゲスト分子であるアセトンを除
去した。この様にして得られたアポコール酸結晶を以下
Ａ。ＯＣＡと略す。／、０７７のＡｐＯＣＡと蒸留にて
精製したα−クロロアクリロニトリル（東コｔ）とを直
径１０ｔａのガラス管に入れ、液体窒素を用いて凍結−
融解を３回繰り返し脱気処理を施した後、１ｏ−１トル
の減圧下で封管した。この後、室温にて約コ弘時間保存
することによってモノマー包接化合物を得た。
去した。この様にして得られたアポコール酸結晶を以下
Ａ。ＯＣＡと略す。／、０７７のＡｐＯＣＡと蒸留にて
精製したα−クロロアクリロニトリル（東コｔ）とを直
径１０ｔａのガラス管に入れ、液体窒素を用いて凍結−
融解を３回繰り返し脱気処理を施した後、１ｏ−１トル
の減圧下で封管した。この後、室温にて約コ弘時間保存
することによってモノマー包接化合物を得た。
モノマー包接化合物を実施例１と同様にｒ線照射を０℃
で１時間行ない（全照射量／ Ｍｒａｄ ） ｔｏ℃で
弘日間後重合を行ないポリ（α−クロロアクリロニトリ
ル）包接化合物を収率３Ｑ％で得た。このようにして得
られたポリ（α−クロロアクリロニトリル）包接化合物
を走査型電子顕微鏡で観察したところ１重合前のα−ク
ロロアクリロニトリル包接化合物と外見上は全く変わら
ず、モノマーがカナル内で反応したことが判った。
で１時間行ない（全照射量／ Ｍｒａｄ ） ｔｏ℃で
弘日間後重合を行ないポリ（α−クロロアクリロニトリ
ル）包接化合物を収率３Ｑ％で得た。このようにして得
られたポリ（α−クロロアクリロニトリル）包接化合物
を走査型電子顕微鏡で観察したところ１重合前のα−ク
ロロアクリロニトリル包接化合物と外見上は全く変わら
ず、モノマーがカナル内で反応したことが判った。
以下、実施例１と同様の条件で脱塩化水素反応を行なわ
せＡｐｏＣＡ−ポリシアノアセチレン包接化合物を７に
％の高収率で得た。ＡｐｏＣＡ−ポリシアノアセチレン
の生成は、工Ｒスペクトルにより確認した。
せＡｐｏＣＡ−ポリシアノアセチレン包接化合物を７に
％の高収率で得た。ＡｐｏＣＡ−ポリシアノアセチレン
の生成は、工Ｒスペクトルにより確認した。
比較例 ｌ
久コ２ｔのα−クロロアクリロニトリルだけを実施例１
と同様の方法でｒ線照射、およびこれに続く後重合処理
を施したところポリ（α−クロロアクリロニトリル）が
２１１９ Ｌか得られなかった。
と同様の方法でｒ線照射、およびこれに続く後重合処理
を施したところポリ（α−クロロアクリロニトリル）が
２１１９ Ｌか得られなかった。
比較例 コ
実施例１と同様にしてＤＣＡ−ポリ（α−クロロアクリ
ロニトリル）包接化合物を沸騰メタン・−ルに入れてＤ
ＣＡだけを溶解させポリ（α−クロロアクリロニトリル
）を単離した。この後、このポリ（α−クロロアクリロ
ニトリル）を／’ＩＱ℃で２０時間加熱処理して脱塩化
水素反応を行なわせようとし矛協ポリ（α−クロロアク
リロニトリル）は分解してしまった。
ロニトリル）包接化合物を沸騰メタン・−ルに入れてＤ
ＣＡだけを溶解させポリ（α−クロロアクリロニトリル
）を単離した。この後、このポリ（α−クロロアクリロ
ニトリル）を／’ＩＱ℃で２０時間加熱処理して脱塩化
水素反応を行なわせようとし矛協ポリ（α−クロロアク
リロニトリル）は分解してしまった。
以上のように本発明によれば、高度忙配向した高い立体
規則性を有するπ−共役系高分子材料力ｆり得られる。
規則性を有するπ−共役系高分子材料力ｆり得られる。
また５重合して得られたポリマーがπ−共役系高分子で
ない場合にもカナル内でπ−共役系高分子材料を得るこ
とができ、ポリマーがπ−共役系高分子の場合、さらに
高度に共役したπ−共役系高分子材料を得ることが可能
である。
ない場合にもカナル内でπ−共役系高分子材料を得るこ
とができ、ポリマーがπ−共役系高分子の場合、さらに
高度に共役したπ−共役系高分子材料を得ることが可能
である。
更に、得られたπ−共役系高分子材料が空気中で不安定
な場合、ホスト材料がこれを外界から遮蔽する極めて安
定なπ−共役系高分子包接化合物が得られる。
な場合、ホスト材料がこれを外界から遮蔽する極めて安
定なπ−共役系高分子包接化合物が得られる。
第１図は本発明による重合体の製造方法の製造工程の概
略図、第２図は本発明の実施例１における後重合反応条
件とポリマー包接化合物の収率との関係を示す線図であ
る。図中。 （イ）・串カナルを有する単結晶ホスト材料、（ロ）・
・モノマー包接化合物、（ハ）・・ポリマー包接化合物
、に）・・配向性ポリマー、（ａ）・・モノマー取り込
み、（ｂ）・・重合、（ｃ）・・ホスト材料除去。
略図、第２図は本発明の実施例１における後重合反応条
件とポリマー包接化合物の収率との関係を示す線図であ
る。図中。 （イ）・串カナルを有する単結晶ホスト材料、（ロ）・
・モノマー包接化合物、（ハ）・・ポリマー包接化合物
、に）・・配向性ポリマー、（ａ）・・モノマー取り込
み、（ｂ）・・重合、（ｃ）・・ホスト材料除去。
Claims (13)
- （１）ホスト材料から形成するカナルにゲスト材料とし
てπ−共役系高分子材料形成用モノマー分子を取り込ん
で包接化合物を形成し、該モノマー分子を上記カナル内
で包接重合させてポリマー包接化合物を造り、該モノマ
ー分子に依存してさらに１，２−脱離反応を行なうこと
からなる、配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造
方法。 - （２）ホスト材料が単結晶である特許請求の範囲第１項
記載の配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法
。 - （３）ホスト材料がデオキシコール酸である特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の配向性を有するπ−共役系
高分子材料の製造方法。 - （４）ホスト材料がアポコール酸である特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の配向性を有するπ−共役系高分
子材料の製造方法。 - （５）ゲスト材料のモノマー分子がアセチレン系モノマ
ーである特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
に記載の配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方
法。 - （６）ゲスト材料のモノマー分子がジアセチレン系モノ
マーである特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
かに記載の配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造
方法。 - （７）ゲスト材料のモノマー分子がビニル系モノマーで
ある特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法。 - （８）ゲスト材料のビニル系モノマー分子がα−クロロ
アクリロニトリルまたはα−ブロモアクリロニトリルで
ある特許請求の範囲第７項記載の配向性を有するπ−共
役系高分子材料の製造方法。 - （９）ゲスト材料のモノマー分子がジエン系モノマーで
ある特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法。 - （１０）モノマー分子の重合をγ線照射によつて行なう
特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の
配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法。 - （１１）モノマー分子の重合をＵＶ照射によつて行なう
特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の
配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法。 - （１２）モノマー分子の重合を加熱処理によつて行なう
特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の
配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法。 - （１３）モノマー分子の重合においてγ線照射またはＵ
Ｖ照射中にまたは照射後に加熱処理を施す特許請求の範
囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の配向性を有す
るπ−共役系高分子材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272185A JPH07641B2 (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272185A JPH07641B2 (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218602A true JPS61218602A (ja) | 1986-09-29 |
| JPH07641B2 JPH07641B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=13208495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272185A Expired - Lifetime JPH07641B2 (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 配向性を有するπ−共役系高分子材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07641B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160702A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | 表示素子 |
| US7781020B2 (en) | 2003-07-23 | 2010-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Structured material and producing method thereof |
| JP2017043650A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 国立大学法人静岡大学 | シンジオタクチックポリスチレンを含む成形体を製造する方法、及び複合成形体を製造する方法。 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP6272185A patent/JPH07641B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160702A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | 表示素子 |
| US7781020B2 (en) | 2003-07-23 | 2010-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Structured material and producing method thereof |
| JP2017043650A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 国立大学法人静岡大学 | シンジオタクチックポリスチレンを含む成形体を製造する方法、及び複合成形体を製造する方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07641B2 (ja) | 1995-01-11 |
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