JPS61216384A - Apparatus for driving semiconductor light emitting element - Google Patents

Apparatus for driving semiconductor light emitting element

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JPS61216384A
JPS61216384A JP60058026A JP5802685A JPS61216384A JP S61216384 A JPS61216384 A JP S61216384A JP 60058026 A JP60058026 A JP 60058026A JP 5802685 A JP5802685 A JP 5802685A JP S61216384 A JPS61216384 A JP S61216384A
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JP
Japan
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connector
light emitting
semiconductor light
laser diode
emitting element
Prior art date
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Pending
Application number
JP60058026A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsugi Sakai
酒井 貢
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Priority to US06/835,697 priority patent/US4721850A/en
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To avoid breakdown of a semiconductor light emitting element caused by an excessive current by a method wherein respective electrodes of the semiconductor light emitting element and a photoelectric conversion element are connected to an integrated connector and this integrated connector is mated with a connector receptacle provided on the side of a control means. CONSTITUTION:A connector receptacle 29 with which a connector 25 is mated is provided in a driving circuit 22. Respective electrodes of a laser diode 26 and a P-I-N photodiode 27 are connected to the driving circuit 22 by an integrated connector 25 which is so designed as to make all terminals 24a, 24b and 24c connected or disconnected together in accordance with mating and unmating of the connector 25 with the receptacle 29. Therefore, such a situation hardly occurs that the terminal of the laser diode 26 is connected while the terminals of the P-I-N photodiode 27 are disconnected. Therefore, breakdown of the laser diode 26 caused by an excessive current can be avoided.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は半導体レーザ等が着脱の際に過電流で破壊され
るのを防止する半導体発光素子の駆動装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a driving device for a semiconductor light emitting device that prevents a semiconductor laser or the like from being destroyed by overcurrent during attachment and detachment.

[発明の技術的背景とその問題点] 近年、磁気ヘッドを用いないで、光ビームによって円盤
状の記録媒体に記録したり、再生したりする光学的情報
記録再生装置が注目されるようになった。
[Technical background of the invention and its problems] In recent years, optical information recording and reproducing devices that use a light beam to record on and reproduce information from a disc-shaped recording medium without using a magnetic head have attracted attention. Ta.

この光学的情報記録再生装置によれば、高密度で記録で
きるので、径の小さい記録媒体(ディスク)で多山の情
報を収めることができると共に、高速度の読み出しが行
える利点も有し、益々増大しつつある情報に対しても対
応し得る可能性を有するものである。又、高密度に記録
された情報を光ビームを用いて読み出す再生専用の光学
的情報    −再生装置もある。。
According to this optical information recording/reproducing device, since it is possible to record at high density, it is possible to store a large amount of information on a small-diameter recording medium (disk), and it also has the advantage of being able to read out at high speed. It has the potential to respond to increasing amounts of information. There is also an optical information reproducing device exclusively for reproducing information that uses a light beam to read out information recorded at high density. .

上記光学式の記録又は再生装置においては、光源として
小型にでき、且つ長寿命の半導体レーザが広く用いられ
る。
In the above-mentioned optical recording or reproducing apparatus, semiconductor lasers, which can be made compact and have a long life, are widely used as light sources.

上記半導体レーザは、該半導体レーザに流れる電流とか
温度によってその発光強度が変化するため、一般的には
自動出力&lJ御(APC)回路により、その発光出力
をモニタするために一体化されたビンフォトダイオード
で検出した信号によって半導体レーザに供給される電流
を制御し、適切な発光出力に保持して使用される。
The emission intensity of the semiconductor laser changes depending on the current flowing through the semiconductor laser and the temperature, so generally an automatic output & control (APC) circuit is used to monitor the emission output using an integrated bin photo. The current supplied to the semiconductor laser is controlled based on the signal detected by the diode, and the laser is maintained at an appropriate light output level.

第5図は従来の半導体発光素子の駆動装置1を示す。FIG. 5 shows a conventional driving device 1 for a semiconductor light emitting device.

即ち、半導体レーザ2は、半導体発光素子としてのレー
ザダイオード3と該レーザダイオード3の発光出力を受
光する半導体光電変換素子としてのピンフォトダイオー
ド4とからなる。
That is, the semiconductor laser 2 includes a laser diode 3 as a semiconductor light emitting element and a pin photodiode 4 as a semiconductor photoelectric conversion element that receives the light emission output of the laser diode 3.

上記レーザダイオード3は該レーザダイオード3の各電
極が接続されたコネクタ3Aをコネクタ受け3Bに装着
することによってレーザ駆動回路を形成する定電流回路
5から電流が供給される様にしである。
The laser diode 3 is configured to be supplied with current from a constant current circuit 5 forming a laser drive circuit by attaching a connector 3A to which each electrode of the laser diode 3 is connected to a connector receiver 3B.

一方、上記レーザダイオード3の発光出力を受光するピ
ンフォトダイオード4はコネクタ4Aをコネクタ受け4
Bに装着することによって、この光電変換出力は一端が
負の電圧端−Eに接続された抵抗R1の他方の端子と、
接地された端子とに印加され、この出力は比較器(CM
P)7の一方の入力端A(例えば非反転入力端)の電位
をシフトする。
On the other hand, the pin photodiode 4 that receives the light emission output of the laser diode 3 connects the connector 4A to the connector receiver 4.
By attaching it to B, this photoelectric conversion output is connected to the other terminal of the resistor R1, one end of which is connected to the negative voltage terminal -E,
This output is applied to the grounded terminal and the output of the comparator (CM
P) Shift the potential of one input terminal A (eg, non-inverting input terminal) of 7.

この比較器7の他方の入力端B(例えば反転入力端)に
は接地されたO電位と負の電位−Eとを抵抗R2、Ra
で分圧した基準の電位レベルに保持されており、前記光
電変換がこの基準レベルと比較され、この基準レベルか
らのずれに相当する誤差電圧が増幅器(AMP)8で増
幅された後、定電流回路5に入力される。
The other input terminal B (for example, inverting input terminal) of this comparator 7 is connected to a grounded O potential and a negative potential -E through a resistor R2, Ra
The photoelectric conversion is compared with this reference level, and an error voltage corresponding to the deviation from this reference level is amplified by an amplifier (AMP) 8. It is input to circuit 5.

上記定電流回路5は差動増幅器5Aとこの出力端に接続
された出力用トランジスタ5Bとを有し、増幅器8の出
力を差動増幅器5Aの反転入力端に印加している。しか
して、差動増幅器5Bの非反転入力端は接地され、一方
非反転入力端は抵抗R斗を介して出力用トランジスタ5
Bのエミッタに接続され、増幅器8から入力される信号
を反転増幅して負荷側の電流制御を行う様にしている。
The constant current circuit 5 has a differential amplifier 5A and an output transistor 5B connected to its output terminal, and applies the output of the amplifier 8 to the inverting input terminal of the differential amplifier 5A. Therefore, the non-inverting input terminal of the differential amplifier 5B is grounded, and the non-inverting input terminal is connected to the output transistor 5 via the resistor R.
It is connected to the emitter of the amplifier 8 and inverts and amplifies the signal input from the amplifier 8 to control the current on the load side.

つまり、入力される電圧が零レベルから零レベル以下(
負側)にずれる程、(つまり比較器7の一方の入力端に
入力される光電変換出力が基準レベルより低い程)コネ
クタ受け3Bに接続されたレーザダイオード3に大きな
電流を流し、上記光電変換出力レベルが殆んど基準レベ
ルに保持される様に負帰還回路が形成されている。
In other words, the input voltage is between zero level and below zero level (
The more the photoelectric conversion output shifts to the negative side (that is, the lower the photoelectric conversion output input to one input terminal of the comparator 7 is than the reference level), the larger the current is applied to the laser diode 3 connected to the connector receiver 3B, and the photoelectric conversion A negative feedback circuit is formed so that the output level is maintained almost at the reference level.

ところで上記半導体レーザ2は、駆動回路側のコネクタ
受け38.48にそれぞれ着脱自在となるコネクタ3A
、4Aを正しく装着して使用すれば、上述のAPC機能
を有する負帰還回路によって、レーザダイオード3は適
正な発光出力となる様に制御されている。
By the way, the semiconductor laser 2 has connectors 3A that can be attached and detached from the connector receivers 38 and 48 on the drive circuit side.
, 4A are properly installed and used, the laser diode 3 is controlled to provide an appropriate light emission output by the negative feedback circuit having the above-mentioned APC function.

しかしながら、上記従来例においては、コネクタ3A、
4Aが別体でそれぞれコネクタ受け3B。
However, in the above conventional example, the connector 3A,
4A is a separate connector receiver 3B.

4Bに装着される様にしであるため、例えばコネクタ3
Aはコネクタ受け3Bに装着されているが、コネクタ4
Aがコネクタ受け4Bに装着されてないという事態も起
こり得る。この状況において電源を投入すると、比較器
7の両入力端A、Bにおける基準電位レベル側が高いレ
ベルとなるため、この比較器7の出力によって、定電流
回路5はレーザダイオード3に流れる電流を増大する。
4B, so for example connector 3
A is attached to connector receiver 3B, but connector 4
A situation may also occur in which connector A is not attached to connector receiver 4B. When the power is turned on in this situation, the reference potential level side at both input terminals A and B of the comparator 7 becomes a high level, so the constant current circuit 5 increases the current flowing to the laser diode 3 by the output of the comparator 7. do.

しかし、増大して、レーザダイオード3の発光出力が規
定値に達しても、比較器7の入力状態は変化せず、従っ
て、レーザダイオード3にはさらに大きな電流が流れる
という具合にしてレーザダイオード3に過大な電流が流
れる暴走状態となり、レーザダイオード3を過大な電流
で破壊してしまうことになる。
However, even if the light emitting output of the laser diode 3 increases and reaches the specified value, the input state of the comparator 7 does not change, and therefore, an even larger current flows through the laser diode 3. A runaway state occurs in which an excessive current flows, and the laser diode 3 is destroyed by the excessive current.

[発明の目的] 本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、過大
な電流による半導体発光素子の破壊を防止できる様にし
た半導体発光素子の駆動装置を提供することを目的とす
る。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a driving device for a semiconductor light emitting device that can prevent the semiconductor light emitting device from being destroyed by excessive current.

[発明の概要] 本発明は半導体発光素子の電極と、該発光素子の発振光
量を受光する光電変換素子の電極とを一体的なコネクタ
に接続して、該コネクタを発振光量を制御する駆動回路
側に設けたコネクタ受けに装着することによって、画素
子を同時に着脱する構成とすることによって、半導体発
光素子の過電流による破壊を防止できる様にしている。
[Summary of the Invention] The present invention provides a drive circuit that connects an electrode of a semiconductor light emitting element and an electrode of a photoelectric conversion element that receives the amount of oscillated light of the light emitting element to an integrated connector, and controls the amount of oscillated light of the connector. By attaching the pixel elements to the connector receiver provided on the side, the pixel elements can be attached and detached at the same time, thereby making it possible to prevent the semiconductor light emitting elements from being destroyed by overcurrent.

[発明の実施例] 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。[Embodiments of the invention] Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to the drawings.

第1図及び第2図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は第1実施例の駆動装置の回路構成を示し、第2図は第
1実施例における半導体レーザ装置の外観を示す。
1 and 2 relate to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 shows the circuit configuration of the driving device of the first embodiment, and FIG. 2 shows the external appearance of the semiconductor laser device in the first embodiment. show.

第1実施例の(半導体レーザ)駆動装置21は、(半導
体レーザ)駆動回路22と、該駆動回路22に着脱自在
に装着される半導体レーザ装置部23とから構成されて
いる。
The (semiconductor laser) driving device 21 of the first embodiment includes a (semiconductor laser) driving circuit 22 and a semiconductor laser device section 23 that is detachably attached to the driving circuit 22.

この半導体レーザ装置部23は半導体レーザ24と、該
半導体レーザ24の電極に接続されたリード線を介して
半導体レーザ24を駆動回路3に接続するためのコネク
タ25とからなる。
This semiconductor laser device section 23 includes a semiconductor laser 24 and a connector 25 for connecting the semiconductor laser 24 to the drive circuit 3 via a lead wire connected to an electrode of the semiconductor laser 24.

第1実施例に用いられる半導体レーザ24は、一般に広
く市販されているもので、第2図に示す様な外形をして
いる。
The semiconductor laser 24 used in the first embodiment is generally widely available on the market, and has an external shape as shown in FIG.

この半導体レーザ24は、半導体発光素子としてのレー
ザダイオード26とモニタ用の半導体光電変換素子とし
てのビンフォトダイオード27とが同一パッケージ内に
収納され、第1図の等何回路に示す様にレーザダイオー
ド26のアノードとビンフォトダイオード27のカソー
ドとの両電極を共通にした第1の端子24a、レーザダ
イオード26のカソードに接続された第2の端子24b
In this semiconductor laser 24, a laser diode 26 as a semiconductor light emitting element and a bin photodiode 27 as a semiconductor photoelectric conversion element for monitoring are housed in the same package, and as shown in the circuit of FIG. A first terminal 24a that has both the anode of the laser diode 26 and the cathode of the bin photodiode 27 in common, and a second terminal 24b that is connected to the cathode of the laser diode 26.
.

ビンフォトダイオード27のアノードに接続された第3
の端子24Cの計3つの端子が引き出されている。
The third one connected to the anode of the bin photodiode 27
A total of three terminals, terminal 24C, are pulled out.

上記3つの端子24a、24b、24cは、それぞれリ
ード線を介して3つの端子25a、25b、25Gを有
するコネクタ25の各端子25a。
The three terminals 24a, 24b, and 24c are each terminal 25a of the connector 25, which has three terminals 25a, 25b, and 25G via lead wires, respectively.

25b、25Cにそれぞれ接続されている。尚、これら
リード線は編線にしてあり、混入するノイズを軽減でき
る様にしである。
25b and 25C, respectively. It should be noted that these lead wires are braided wires so as to reduce noise mixed in.

一方、駆動回路22は、第1図に示す様な構成であり、
上記コネクタ25が装着されるコネクタ受け29が設け
である。
On the other hand, the drive circuit 22 has a configuration as shown in FIG.
A connector receiver 29 to which the connector 25 is mounted is provided.

上記コネクタ受け29の各端子29a、29b。Each terminal 29a, 29b of the connector receiver 29.

29Cは、コネクタ25の各端子25a、25b。29C is each terminal 25a, 25b of the connector 25.

25cが接続できる様にしである。25c can be connected.

上記コネクタ受け29の第1の端子29aは接地され、
第2の端子29bは定電流回路5の出力トランジスタ5
Bのコレクタに接続され、第3の端子29cは比較器7
の一方の入力端Aに接続されている。
The first terminal 29a of the connector receiver 29 is grounded,
The second terminal 29b is the output transistor 5 of the constant current circuit 5.
The third terminal 29c is connected to the collector of the comparator 7.
is connected to one input terminal A of the.

上記半導体レーザ24側のコネクタ25が着脱自在で装
着されるコネクタ受け29を除く部分の駆動回路22の
回路構成は上述した従来例と同様である。
The circuit configuration of the drive circuit 22 except for the connector receiver 29 to which the connector 25 on the semiconductor laser 24 side is detachably attached is the same as that of the conventional example described above.

つまり、上記コネクタ25がコネクタ29に装着された
状態では、ビンフォトダイオード27の出力は比較器7
の一方の入力端Aに印加され、該比較器7の他方の入力
端Bの基準電位レベルと比較される。しかして、これら
再入力電位レベルの差が比較器7で検出され、その出力
は増幅器8を経て定電流回路5に入力され、この定電流
回路5の負荷側に接続されたレーザダイオード26に流
れるlflを制御し、このレーザダイオード26の発光
出力が一定値になる様に負帰還して制御する自動出力制
御が行われる。
That is, when the connector 25 is attached to the connector 29, the output of the bin photodiode 27 is output to the comparator 7.
is applied to one input terminal A of the comparator 7, and compared with the reference potential level of the other input terminal B of the comparator 7. The difference between these re-input potential levels is detected by the comparator 7, and its output is input to the constant current circuit 5 via the amplifier 8, and flows to the laser diode 26 connected to the load side of the constant current circuit 5. Automatic output control is performed by controlling lfl and performing negative feedback so that the light emission output of the laser diode 26 becomes a constant value.

上記第1実施例によれば、レーザダイオード26とビン
フォトダイオード27の各電極とは一体化されたコネク
タ受け25を用いて、対応するコネクタ受け29に着脱
した場合、端子24a、24b、24Gが(個別的では
なく)全体として接続された状態又は(個別的でなく)
全体として接続されない状態に設定される。従って、レ
ーザダイオード26側は接続されているがビンフォトダ
イオード27側は接続されてないという(従来例で生じ
得る)事態が生じることが殆んどなく、レーザダイオー
ド26に過大な電流による破壊を防止できる。
According to the first embodiment, when the electrodes of the laser diode 26 and the bin photodiode 27 are connected to and removed from the corresponding connector receivers 29 by using the integrated connector receiver 25, the terminals 24a, 24b, 24G are connected as a whole (rather than individually) or (rather than individually)
It is set to a state where it is not connected as a whole. Therefore, the situation where the laser diode 26 side is connected but the bin photodiode 27 side is not connected (which can occur in the conventional example) hardly occurs, and the laser diode 26 is not damaged by excessive current. It can be prevented.

又、上記第1実施例によれば、1回の着脱操作で済むと
いう利点がある。
Further, according to the first embodiment, there is an advantage that only one attachment/detachment operation is required.

第3図は本発明の第2実施例を示す。この第2実施例の
駆動装置31は上記第1実施例のコネクタ25.コネク
タ受け29を5個の端子からなるコネクタ32.コネク
タ受け33にしである。
FIG. 3 shows a second embodiment of the invention. The drive device 31 of this second embodiment is the connector 25 of the first embodiment. The connector receiver 29 is connected to a connector 32 consisting of five terminals. Next to the connector receiver 33.

しかして、上記コネクタ32の第1ないし第3端子32
a、32b、32cは上記第1実施例と同様に半導体レ
ーザ24に接続され、第4及び第5端子32d、32e
は互いに接続されている。
Therefore, the first to third terminals 32 of the connector 32
a, 32b, 32c are connected to the semiconductor laser 24 as in the first embodiment, and fourth and fifth terminals 32d, 32e
are connected to each other.

一方、コネクタ受け33においては第1.第3端子33
a、33cは上記第1実施例の場合と同様であり、第2
端子33bは第4端子33dに接続され、第5端子33
eが出力用トランジスタ5Bに接続されている。
On the other hand, in the connector receiver 33, the first. Third terminal 33
a, 33c are the same as in the first embodiment, and the second
The terminal 33b is connected to the fourth terminal 33d, and the fifth terminal 33
e is connected to the output transistor 5B.

従ってコネクタ32をコネクタ受け33に装着した場合
、ビンフォトダイオード27は第1.第3端子328.
32Cが対応する端子33a、33Cに接続されれば動
作状態に設定されるが、レーザダイオード26は、第1
端子32aの他に、第2.第4.第5端子が接続されな
いと、電流が流れないので、接続が不十分の場合等にレ
ーザダイオード26側だけが電気的に接続されることが
生じるのをより確実に防止できる。
Therefore, when the connector 32 is attached to the connector receiver 33, the bin photodiode 27 is attached to the first. Third terminal 328.
32C is connected to the corresponding terminals 33a and 33C, the operating state is set, but the laser diode 26 is connected to the corresponding terminal 33a, 33C.
In addition to the terminal 32a, the second. 4th. If the fifth terminal is not connected, no current will flow, so it is possible to more reliably prevent only the laser diode 26 side from being electrically connected, such as when the connection is insufficient.

第4図は本発明の第3実施例を示す。この第3実施例は
第1実施例における比較器7がウィンド型比較器7′に
しである。しかして、この比較器、7−の第3の入力端
には抵抗R6,R7を介して第2の基準電位■2が印加
され、この電位■2は前述の基準電位(Vzとする)よ
りかなり低いレベルに設定しである。
FIG. 4 shows a third embodiment of the invention. In this third embodiment, the comparator 7 in the first embodiment is replaced by a window type comparator 7'. Therefore, the second reference potential ■2 is applied to the third input terminal of this comparator 7- via resistors R6 and R7, and this potential ■2 is higher than the reference potential (denoted as Vz) mentioned above. It's set at a fairly low level.

しかして、この比較器7′は、入力端Aに印加されるレ
ベルが基準電位V2より大きい場合において、上記第1
実施例の動作をするが、上記入力端Aのレベルが基準電
位’V2より低いと比較器7′の出力は例えばハイレベ
ル状態になり、増幅器8を経て定電流回路5の反転入力
端には零レベル以上に保持され、レーザダイオード26
には電流が流れないようにしである。
Therefore, when the level applied to the input terminal A is higher than the reference potential V2, this comparator 7'
The operation of the embodiment is performed, but when the level of the input terminal A is lower than the reference potential 'V2, the output of the comparator 7' becomes, for example, a high level state, and the inverting input terminal of the constant current circuit 5 passes through the amplifier 8. The laser diode 26 is held above the zero level.
This is to prevent current from flowing.

従って、コネクタ25が接続された場合、たとえビンフ
ォトダイオード27の7ノードに接続された端子25G
がコネクタ受け29の端子29Gに接触不良状態になる
と、レーザダイオード26には1N流が流れないで、該
レーザダイオード26を保護できる様にしである。
Therefore, when the connector 25 is connected, even if the terminal 25G connected to the 7th node of the bin photodiode 27
When the terminal 29G of the connector receiver 29 has a poor contact, the 1N current will not flow through the laser diode 26, so that the laser diode 26 can be protected.

尚、本発明は半導体レーザ24が第1図又は第2図に示
す構造のものに限られるものでなく、図示のものと異る
ものでも、レーザダイオードとビンフォトダイオード又
はアバランシュダイオード等の半導体光電変換素子との
各電極が一体化されたコネクタを介して駆動回路側のコ
ネクタ受けに接続されるものに広く適用できる。
Note that the present invention is not limited to the structure of the semiconductor laser 24 shown in FIG. 1 or FIG. It can be widely applied to devices that are connected to a connector receiver on the drive circuit side through a connector in which each electrode with a conversion element is integrated.

又、半導体発光素子としてはレーザダイオードに限らず
、例えば再生の場合のように弱い発光出力でも十分の場
合に用いられる発光ダイオード等でも同様に適用できる
。又、発光出力を制御する駆動回路の構成は図示のもの
に限定されるものでなく、他の回路構成でも広く適用で
きる。
Further, the semiconductor light emitting device is not limited to a laser diode, but can be similarly applied to a light emitting diode used in cases where a weak light emission output is sufficient, such as in the case of reproduction, for example. Further, the configuration of the drive circuit that controls the light emission output is not limited to that shown in the drawings, and other circuit configurations can be widely applied.

[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、半導体発光素子と、
該半導体発光素子の発光出力をモニタする受光素子とを
1体化された接続手段を介して発光素子の発振光量を制
御する駆動回路に接続する様にしであるので、半導体発
光素子側だけが電気的に接続されることを確実に防止で
きる。従って、半導体発光素子に過大な電流が流れて破
壊されることを防止できる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a semiconductor light emitting device;
Since the light receiving element that monitors the light emitting output of the semiconductor light emitting element is connected to the drive circuit that controls the amount of oscillated light of the light emitting element through an integrated connection means, only the semiconductor light emitting element side is electrically connected. It is possible to reliably prevent connections from occurring. Therefore, it is possible to prevent the semiconductor light emitting device from being destroyed by excessive current flowing through it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は第1実施例の構成を示す回路図、第2図は半導体レー
ザ装置部を示す斜視図、第3図は本発明め第2実施例を
示す回路図、第4図は本発明の第3実施例を示す回路図
、第5図は従来例を示す回路図である。 5・・・定電流回路 7・・・比較器    8・・・増幅器21・・・半導
体レーザ駆動装置 22・・・駆動回路  23・・・半導体レーザ装置部
24・・・半導体レーザ 25・・・コネクタ  26・・・レーザダイオード2
7・・・ビンフォトダイオード 29・・・コネクタ受け 第1図 2I 第2図 第3図
1 and 2 relate to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the first embodiment, FIG. 2 is a perspective view showing a semiconductor laser device section, and FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the first embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention, and FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example. 5... Constant current circuit 7... Comparator 8... Amplifier 21... Semiconductor laser drive device 22... Drive circuit 23... Semiconductor laser device section 24... Semiconductor laser 25... Connector 26...Laser diode 2
7...Bin photodiode 29...Connector receiver Fig. 1 2I Fig. 2 Fig. 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体発光素子と、該半導体発光素子からの光の一部を
電気信号に変換する光電変換素子と、該光電変換素子の
電気信号により前記半導体発光素子の発振光量を適量に
制御する制御手段とを有する半導体発光素子の駆動装置
において、前記半導体発光素子の電極及び光電変換素子
の各電極が接続される一体的なコネクタを設け、該コネ
クタを前記制御手段側に設けたコネクタ受けに装着する
ようにしたことを特徴とする半導体発光素子の駆動装置
A semiconductor light emitting element, a photoelectric conversion element that converts a part of light from the semiconductor light emitting element into an electrical signal, and a control means that controls the amount of oscillated light of the semiconductor light emitting element to an appropriate amount using the electrical signal of the photoelectric conversion element. In the driving device for a semiconductor light emitting element, an integrated connector is provided to which the electrode of the semiconductor light emitting element and each electrode of the photoelectric conversion element are connected, and the connector is mounted on a connector receiver provided on the control means side. A driving device for a semiconductor light emitting device, characterized in that:
JP60058026A 1985-03-06 1985-03-20 Apparatus for driving semiconductor light emitting element Pending JPS61216384A (en)

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US06/835,697 US4721850A (en) 1985-03-06 1986-03-03 Optical pickup device having a detector for detecting the light emitting intensity variation of a semiconductor light emitting element

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