JPS61216110A - Formation of metallic pattern - Google Patents
Formation of metallic patternInfo
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- JPS61216110A JPS61216110A JP5750185A JP5750185A JPS61216110A JP S61216110 A JPS61216110 A JP S61216110A JP 5750185 A JP5750185 A JP 5750185A JP 5750185 A JP5750185 A JP 5750185A JP S61216110 A JPS61216110 A JP S61216110A
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- photoresist
- film
- pattern
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は微細金属パターンの形成方法に関し、特に薄膜
磁気ヘッドにおける巻線のための金属パターン形成方法
に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a fine metal pattern, and more particularly to a method for forming a metal pattern for a winding in a thin film magnetic head.
従来技術
薄膜磁気ヘッドにおいては、書込み時に比較的大電流(
数10mA)を流す必要がある。そこで磁気回路の抵抗
を小さくすることが要求され、そのためには巻線を形成
する金属パターンの幅を数ミクロン程度に抑える必要が
あり、書込み時の発熱を防ぐためには金属パターンの縦
横比は大きくなければならない。縦横比を大きくするた
めに、従来ではフォトレジストマスクを用いて金属パタ
ーンを電気メッキする方法がある(特公昭57−337
03)。In conventional thin-film magnetic heads, a relatively large current (
It is necessary to flow several tens of mA). Therefore, it is necessary to reduce the resistance of the magnetic circuit, and to do this, it is necessary to suppress the width of the metal pattern that forms the winding to about a few microns, and to prevent heat generation during writing, the aspect ratio of the metal pattern must be large. There must be. In order to increase the aspect ratio, there is a conventional method of electroplating a metal pattern using a photoresist mask (Japanese Patent Publication No. 57-337).
03).
厚い金属パターンを得るためにはフォトレジストマスク
を厚くする必要がある。ところがフォトレジストマスク
が厚くなると露光に用いる紫外線がフォトレジスト自身
により吸収・散乱される度合が大きくなり、基板付近と
フォトレジスト表面付近ではフォトレジストマスクのパ
ターン幅に大きな差が現れる。したがって上述した従来
の金属パターン形成方法では金属パターンの縦横比を1
:1以上にすることは困難であり、巻線数の多い薄膜磁
気ヘッドを製造する際の障害になっていた。To obtain thick metal patterns, it is necessary to thicken the photoresist mask. However, as the photoresist mask becomes thicker, the degree to which the ultraviolet rays used for exposure is absorbed and scattered by the photoresist itself increases, and a large difference appears in the pattern width of the photoresist mask near the substrate and near the photoresist surface. Therefore, in the conventional metal pattern forming method described above, the aspect ratio of the metal pattern is set to 1.
: It is difficult to increase the number of windings to 1 or more, which poses an obstacle when manufacturing a thin film magnetic head with a large number of windings.
泣週J月土仰
本発明はかかる従来の問題点を解決すべくなされたもの
であり、その目的とηるところは、微細金属パターンの
縦横比を容易に大どすることが可能な微細金属パターン
の形成方法を提供することにある。The present invention has been made to solve the problems of the conventional art, and its purpose is to provide a fine metal pattern that can easily increase the aspect ratio of a fine metal pattern. The object of the present invention is to provide a method for forming a pattern.
発明の構成
本発明によれば、所定基板−hに金属膜をイ」着してこ
の金属膜上に第1層のフ、t l−レジス1ヘマスクを
選択的に被着する工程と、この金属膜の露出部分上に第
1の金属メッキ層を被着形成する工程と、選択的に形成
された第1層のフォトレジストマスク上に更に第2層の
フォトレジストマスクを被着する工程と、第1の金属メ
ッキ層−にに更に第2の金属層を被着する■稈どを含む
ことを特徴とする金属パターン形成方法が得られる。Structure of the Invention According to the present invention, a step of depositing a metal film on a predetermined substrate-h and selectively applying a mask to the first layer resist 1 on the metal film; a step of depositing a first metal plating layer on the exposed portion of the metal film; and a step of further depositing a second layer photoresist mask on the selectively formed first layer photoresist mask. 2. A method for forming a metal pattern is obtained, which comprises: (1) depositing a second metal layer on the first metal plating layer.
実施例 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。Example Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第1図(A)〜(1」)は本発明の第一の実施例を示す
製造■程順の各断面図であり、第1図(△)に示す如<
Al2O3などの無機絶縁物テトたはハードベークした
フA!〜レジメ1〜などの無機絶縁物からなる基板1上
に電気メッキをでるだめの金属膜3おにびこの金属膜3
ど基板1の密着膜2をスパッタリング等にJ:って付着
する。電気メッキをづる金属がCLJの場合には金属膜
3もCuであることが好ましい。またこの場合密着膜2
はCrが好ましい。Figures 1 (A) to (1'') are cross-sectional views showing the first embodiment of the present invention in the order of manufacturing steps, and as shown in Figure 1 (△).
Inorganic insulators such as Al2O3 or hard-baked fu A! A metal film 3 for electroplating on a substrate 1 made of an inorganic insulator such as ~Regime 1~
The adhesive film 2 on the substrate 1 is attached by sputtering or the like. When the metal used for electroplating is CLJ, it is preferable that the metal film 3 is also Cu. In this case, the adhesive film 2
is preferably Cr.
更に、金属膜3上の全面にフA1−レジス1へ4を塗布
する。フAトレジス1−としては、シブレイン1マイク
ロボジツ1〜1300−37を用いた場合、スピンコー
ド回転数を250Orpmにすれば容易に3μm以上の
膜厚が4りられる。したがって、次に続く第1図(B)
に示す様な選択的に除去された露光現像後のフォトレジ
ストマスク4はボストベークによる若干の膜厚減少があ
っても約3μmになる。Furthermore, 4 is applied to the entire surface of the metal film 3 on the surface A1-resist 1. When SiBrain 1 Microbodies 1 to 1300-37 are used as the photoresist 1-, a film thickness of 3 μm or more can be easily obtained by setting the spin code rotation speed to 250 rpm. Therefore, the following figure 1 (B)
The photoresist mask 4 after exposure and development that has been selectively removed as shown in FIG.
第1図(C)はフォトレジストマスク4以外の金属膜3
の露出部分上に約2μm厚の第1メッキ層5を付着した
状態である。本実施例ではCuメッキを行う場合である
。FIG. 1(C) shows the metal film 3 other than the photoresist mask 4.
A first plating layer 5 having a thickness of approximately 2 μm is deposited on the exposed portion of the substrate. In this embodiment, Cu plating is performed.
第1図(D)は第1メッキ層5の上に更に第2層のフA
1〜レジス1−〇を塗布した状態である。露光現象によ
り第1メッキ層5の上のフォ1〜レジストを除去すると
、第1図(F)に示すように第1回目のメッキ用のフォ
トレジストマスク4の上にさらに約3μm厚の第2層の
フォトレジストマスク6が形成される。FIG. 1(D) shows a second layer of film A on top of the first plating layer 5.
1 to Resis 1-0 are coated. When the photoresist on the first plating layer 5 is removed by the exposure phenomenon, a second photoresist mask 4 with a thickness of about 3 μm is further formed on the photoresist mask 4 for the first plating, as shown in FIG. 1(F). A layer photoresist mask 6 is formed.
第1図(F)は、第1メッキ層5の上に第2メッキ層7
を付着した状態である。第1図(G)は有機溶剤あるい
は専用の77t1〜レジスト除去剤を用いてフA1〜レ
ジスト4.6を除去した状態である。FIG. 1(F) shows a second plating layer 7 on the first plating layer 5.
is attached. FIG. 1(G) shows the state in which resists A1 to 4.6 have been removed using an organic solvent or a dedicated resist remover 77t1 to resist.
第1図(1」)はウエツ1〜エツヂングあるいはドライ
エツヂングによりメッキ層間の密着膜2おにび金属膜3
を除去した状態を示す。フォトレジストマスクのパター
ン間隔を4μmにすれば以上の製造方法にJ:り縦横比
1:1の微細金属パターンが得られる。尚、図では縦方
向をより拡大して描いている。Figure 1 (1'') shows the adhesive film 2 between the plating layers and the metal film 3 formed by etching or dry etching.
Shows the state with removed. If the pattern spacing of the photoresist mask is set to 4 μm, a fine metal pattern with an aspect ratio of 1:1 can be obtained using the above manufacturing method. In addition, in the figure, the vertical direction is further enlarged.
第2図は本発明の第2の実施例を示す。本実施例では、
第1図(1」)の状態にひきつづきフォ1〜レジス1〜
の塗布、露光現象、メッキを繰返して、第3メッキ層8
および第4メッキ層9を夫々イ4@することにより縦横
比2:1の微細金属パターンが得られる。尚、本図でも
縦方向を拡大して示している。FIG. 2 shows a second embodiment of the invention. In this example,
Continuing from the state shown in Figure 1 (1''), Fo 1~Regis 1~
By repeating the coating, exposure phenomenon, and plating, the third plating layer 8 is formed.
A fine metal pattern with an aspect ratio of 2:1 is obtained by forming the fourth plating layer 9. Note that this figure is also shown enlarged in the vertical direction.
以上のプロセスを繰返せばさらに縦横比の大きい微細金
属パターンを得ることも可能である。By repeating the above process, it is possible to obtain a fine metal pattern with an even larger aspect ratio.
発明の効果
以上の如く、本発明によれば、金属メッキ層を多層化す
ることにより、微細金属パターンの縦横比を大とするこ
とができるようになり、磁気回路の抵抗を小として発熱
を防止し得ることになる。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, by multilayering the metal plating layer, the aspect ratio of the fine metal pattern can be increased, and the resistance of the magnetic circuit can be reduced to prevent heat generation. It will be possible.
よって、薄膜磁気ヘッドに用いて効果的となるものであ
る。Therefore, it can be effectively used in thin film magnetic heads.
第1図は本発明の一実施例の製造工程順の各断面図、第
2図は本発明の他の実施例を示す図である。
主要部分の符号の説明FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention in the order of manufacturing steps, and FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention. Explanation of symbols of main parts
Claims (1)
フォトレジストマスクを選択的に被着する工程と、前記
金属膜の露出部分上に第1の金属メッキ層を被着形成す
る工程と、選択的に形成された前記第1層のフォトレジ
ストマスク上に更に第2層のフォトレジストマスクを被
着する工程と、前記第1の金属メッキ層上に更に第2の
金属層を被着する工程とを含むことを特徴とする金属パ
ターン形成方法。A step of depositing a metal film on a predetermined substrate and selectively depositing a first layer of photoresist mask on the metal film, and depositing a first metal plating layer on the exposed portion of the metal film. further depositing a second layer of photoresist mask on the selectively formed first layer of photoresist mask, and further forming a second metal layer on the first metal plating layer. A method for forming a metal pattern, comprising the step of depositing a metal pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5750185A JPS61216110A (en) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | Formation of metallic pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5750185A JPS61216110A (en) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | Formation of metallic pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61216110A true JPS61216110A (en) | 1986-09-25 |
Family
ID=13057470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5750185A Pending JPS61216110A (en) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | Formation of metallic pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61216110A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110193510A1 (en) * | 2008-10-09 | 2011-08-11 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5750185A patent/JPS61216110A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110193510A1 (en) * | 2008-10-09 | 2011-08-11 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
US8610332B2 (en) * | 2008-10-09 | 2013-12-17 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
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