JPS61210956A - クロマトグラフイ−用薄層棒 - Google Patents
クロマトグラフイ−用薄層棒Info
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- JPS61210956A JPS61210956A JP60052696A JP5269685A JPS61210956A JP S61210956 A JPS61210956 A JP S61210956A JP 60052696 A JP60052696 A JP 60052696A JP 5269685 A JP5269685 A JP 5269685A JP S61210956 A JPS61210956 A JP S61210956A
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- thin
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- B01D—SEPARATION
- B01D15/00—Separating processes involving the treatment of liquids with solid sorbents; Apparatus therefor
- B01D15/08—Selective adsorption, e.g. chromatography
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/90—Plate chromatography, e.g. thin layer or paper chromatography
- G01N30/92—Construction of the plate
- G01N30/93—Application of the sorbent layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/84—Preparation of the fraction to be distributed
- G01N2030/8411—Intermediate storage of effluent, including condensation on surface
- G01N2030/8417—Intermediate storage of effluent, including condensation on surface the store moving as a whole, e.g. moving wire
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はクロマトグラフィー用薄層棒に係り、さらに詳
細には、水素炎イオン化検出器を用いる薄層クロマトグ
ラフィー用の高性能の薄層棒に関する。本発明の薄層棒
は固定相の一部に化学修飾されたシリカゲルを用いてい
るので、アフィニティークロマトグラフィーが行なわれ
、従来の薄層棒に比べて高い分離度が得られ、しかも定
量の精度は化学修飾により【もいささかも低下していな
い。
細には、水素炎イオン化検出器を用いる薄層クロマトグ
ラフィー用の高性能の薄層棒に関する。本発明の薄層棒
は固定相の一部に化学修飾されたシリカゲルを用いてい
るので、アフィニティークロマトグラフィーが行なわれ
、従来の薄層棒に比べて高い分離度が得られ、しかも定
量の精度は化学修飾により【もいささかも低下していな
い。
り四マドグラフィーは多方面の分析に広く応用されてい
る有用な手段であり、それは例えばガスクロマトグラフ
ィー、力２ムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフ
ィー（ＴＬＣ）、ペーパークロマトグラフィーと言った
各種のグループに大別される。ＴＬＣはさらに石英ガラ
ス板上に固定相を薄層として塗布した板を用いる通常の
ＴＬＣと、石英ガラス棒上に固定相を焼付けた薄層棒を
用いるＴＬＣとに分けることができる。本発明はこの最
後に記したＴＬＣに用いる薄層棒に関するものである。
る有用な手段であり、それは例えばガスクロマトグラフ
ィー、力２ムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフ
ィー（ＴＬＣ）、ペーパークロマトグラフィーと言った
各種のグループに大別される。ＴＬＣはさらに石英ガラ
ス板上に固定相を薄層として塗布した板を用いる通常の
ＴＬＣと、石英ガラス棒上に固定相を焼付けた薄層棒を
用いるＴＬＣとに分けることができる。本発明はこの最
後に記したＴＬＣに用いる薄層棒に関するものである。
（従来の技術）
クロマトグラフィーは試料中の各成分が固定相に対して
示す親和性と展開剤に対して示す親和性との比によって
決定される展開剤の移動速度と各成分の移動速度との比
Ｒｆの差を利用して各成分を分離、検出、定量する方法
であるから、各成分の固定相に対する親和性の差が大き
い程Ｒｆの差が大きくなり、分離が容易Ｋかっ十分に行
なわれることになる。しかし、良好な分離を得るために
は、単に親和性の差、Ｒｆの差、が大きいだけでは不十
分であってクロマトグラムの像がボケない、すなわち鮮
明で拡散しない、ことも必要である。像がボケると親和
性の差によってせっかく分離された各成分の像がかさな
ってしまい分離、検出、定量の目的を達成し得ないこと
になる。
示す親和性と展開剤に対して示す親和性との比によって
決定される展開剤の移動速度と各成分の移動速度との比
Ｒｆの差を利用して各成分を分離、検出、定量する方法
であるから、各成分の固定相に対する親和性の差が大き
い程Ｒｆの差が大きくなり、分離が容易Ｋかっ十分に行
なわれることになる。しかし、良好な分離を得るために
は、単に親和性の差、Ｒｆの差、が大きいだけでは不十
分であってクロマトグラムの像がボケない、すなわち鮮
明で拡散しない、ことも必要である。像がボケると親和
性の差によってせっかく分離された各成分の像がかさな
ってしまい分離、検出、定量の目的を達成し得ないこと
になる。
各成分の固定相に対する親和性の差を明瞭にし、かつク
ロマトグラムの像をボケさせないための一つの手段とし
て、カラムクロマトグラフィーや薄層板を用いる普通の
ＴＬＣにおいては、固定相を種々の化学物質で処理して
化学修飾する技法が既に採用されている。
ロマトグラムの像をボケさせないための一つの手段とし
て、カラムクロマトグラフィーや薄層板を用いる普通の
ＴＬＣにおいては、固定相を種々の化学物質で処理して
化学修飾する技法が既に採用されている。
薄層板を用いる普通のＴＬＣでは各成分の検出ならびに
定量を紫外線の吸収量で測定するのが一般的であるが、
この方法は定性分析では適当であつ【も、定量分析とし
ては満足のいく方法ではない。なぜならば、試料中の各
成分の紫外線に対する吸光度はそれぞれ相違しているの
で、吸光量が同一であるからと言って直に濃度が等しい
ということにはならず、従ってクロマトグラムの面積が
直に定量と結びつかないという欠点がある。
定量を紫外線の吸収量で測定するのが一般的であるが、
この方法は定性分析では適当であつ【も、定量分析とし
ては満足のいく方法ではない。なぜならば、試料中の各
成分の紫外線に対する吸光度はそれぞれ相違しているの
で、吸光量が同一であるからと言って直に濃度が等しい
ということにはならず、従ってクロマトグラムの面積が
直に定量と結びつかないという欠点がある。
上記に反し、水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）を用いる
ＴＬＣでは、炭化水素を分析する際測定器の応答が重量
濃度に良く比例するので、クロマドグ２ムの面積から直
接定量を行なうことができるという利点がある。ことに
高級な炭化水素の分離においても、測定器の応答と重量
濃度とが良く比例することが確かめられている。
ＴＬＣでは、炭化水素を分析する際測定器の応答が重量
濃度に良く比例するので、クロマドグ２ムの面積から直
接定量を行なうことができるという利点がある。ことに
高級な炭化水素の分離においても、測定器の応答と重量
濃度とが良く比例することが確かめられている。
従って高級な炭化水素の定量分析には、水素炎イオン化
検出器を用いる薄層クロマトグラフィー（ＦＩＤ−ＴＬ
Ｃ）が極めて好ましい手段である。しかしながら、ＦＩ
Ｄには通常の薄層板は使用できず、薄層棒のみが使用さ
れる。この薄層棒としては、薄層板とは異なり化学修飾
されたものは提案されておらず、単に石英ガラス棒上に
シリカゲルまたはアルミナを焼付けた薄層棒のみが知ら
れており、これらの薄層棒は分離性において必ずしも満
足のいくものではなく、殊に像がティリングを起こしボ
ケるという欠点を有していたため、多環芳香族の如き高
級炭化水素の分離には不十分であった。
検出器を用いる薄層クロマトグラフィー（ＦＩＤ−ＴＬ
Ｃ）が極めて好ましい手段である。しかしながら、ＦＩ
Ｄには通常の薄層板は使用できず、薄層棒のみが使用さ
れる。この薄層棒としては、薄層板とは異なり化学修飾
されたものは提案されておらず、単に石英ガラス棒上に
シリカゲルまたはアルミナを焼付けた薄層棒のみが知ら
れており、これらの薄層棒は分離性において必ずしも満
足のいくものではなく、殊に像がティリングを起こしボ
ケるという欠点を有していたため、多環芳香族の如き高
級炭化水素の分離には不十分であった。
（解決しようとする問題点）
本発明者はＦＩＤ−ＴＬＣの分離度をさらに改善すべく
研究を続けた結果、薄層棒の改良に成功し本発明を完成
するに至った。
研究を続けた結果、薄層棒の改良に成功し本発明を完成
するに至った。
従つ【本発明の目的はＦＩＤ−ＴＬＣに使用するための
高性能で分離度に優れ、しかも定量性がいささかも阻害
されていない薄層棒を与えることである。
高性能で分離度に優れ、しかも定量性がいささかも阻害
されていない薄層棒を与えることである。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明の要旨は、水素炎イオン化検出器を用
いる薄層クロマトグラフィー用薄層棒であって、固定相
の展開開始側が化学修飾されたシリカゲルで構成されて
いることを特徴とする該クロマトグラフィー用薄層棒に
存する。
いる薄層クロマトグラフィー用薄層棒であって、固定相
の展開開始側が化学修飾されたシリカゲルで構成されて
いることを特徴とする該クロマトグラフィー用薄層棒に
存する。
クロマトグラフィーでの分析において各成分の分離を十
分に行なわすための一つの手段は容易に理解される如く
、長い固定相を使用することである。しかしながら、Ｔ
ＬＣにおい【は、装置上の制限から用い５る固定相の長
さは一定に制限されている。従っである限られた長さの
固定相を用いて各成分の像をボケさせないで明瞭に分離
することが必要となる。クロマトグラムの像がボケる最
大の原因は、像が尾を引くこと、ティリングを起こすこ
とである。このティリングを有効に防ぐことができるな
らば、近接した像であっても明瞭に区別することができ
、一定の限られた長さの固定相を用いて多くの成分の分
離、検出、定量を行なうことが可能となる。
分に行なわすための一つの手段は容易に理解される如く
、長い固定相を使用することである。しかしながら、Ｔ
ＬＣにおい【は、装置上の制限から用い５る固定相の長
さは一定に制限されている。従っである限られた長さの
固定相を用いて各成分の像をボケさせないで明瞭に分離
することが必要となる。クロマトグラムの像がボケる最
大の原因は、像が尾を引くこと、ティリングを起こすこ
とである。このティリングを有効に防ぐことができるな
らば、近接した像であっても明瞭に区別することができ
、一定の限られた長さの固定相を用いて多くの成分の分
離、検出、定量を行なうことが可能となる。
極めて分離しにくい成分間の分離においては、Ｒｆの差
を増大させる手段も重要であるが、一般の分析にあって
はティリングを起こさせないで明瞭な像を得る工夫がさ
らに重要である。
を増大させる手段も重要であるが、一般の分析にあって
はティリングを起こさせないで明瞭な像を得る工夫がさ
らに重要である。
シリカゲルの表面にはシラノールと呼ばれるケイ素原子
に結合した水酸基があり、このシラノール基は各種の化
合物に対しそれぞれの親和性を示すので、クロマトグラ
フィーによる各種化合物の分ＭＫそれなりの効果を有し
ているものであるが、−万シラノール基の存在は像のテ
ィリングを助長することも知られている。従つて、ティ
リングを防止するためには、シラノール基を各凍化合物
と反応させて化学修飾することが考えられ、この試みは
事実カラムクロマトグラフィーや薄層板を用いる普通の
ＴＬＣにおいては実用化されている。
に結合した水酸基があり、このシラノール基は各種の化
合物に対しそれぞれの親和性を示すので、クロマトグラ
フィーによる各種化合物の分ＭＫそれなりの効果を有し
ているものであるが、−万シラノール基の存在は像のテ
ィリングを助長することも知られている。従つて、ティ
リングを防止するためには、シラノール基を各凍化合物
と反応させて化学修飾することが考えられ、この試みは
事実カラムクロマトグラフィーや薄層板を用いる普通の
ＴＬＣにおいては実用化されている。
しかしながら、ＦＩＤ−ＴＬＣでは、この方法の利用は
試みられていない。その理由はＦＩＤ−ＴＬＣ用の薄層
棒では石英棒に固定相を単に塗布しただけでは測定の際
の水素炎の加熱によって固定相が棒から剥離、脱落して
しまう危険があり、焼付けられた固定相である必要があ
り化学修飾されたシリカゲルはこの焼付は操作に耐え得
ないこと、そしてさらに重要なことは、ＦＩＤでは化学
修飾に用いた化合物それ自体がイオンを形成し測定誤差
の原因となるためと考えられる。
試みられていない。その理由はＦＩＤ−ＴＬＣ用の薄層
棒では石英棒に固定相を単に塗布しただけでは測定の際
の水素炎の加熱によって固定相が棒から剥離、脱落して
しまう危険があり、焼付けられた固定相である必要があ
り化学修飾されたシリカゲルはこの焼付は操作に耐え得
ないこと、そしてさらに重要なことは、ＦＩＤでは化学
修飾に用いた化合物それ自体がイオンを形成し測定誤差
の原因となるためと考えられる。
従って、ＦＩＤ−ＴＬＣ用の薄層棒の改良には、ＦＩＤ
での加熱によっても剥離しない化学修飾された固定相を
有し、しかもその化学修飾がＦＩＤの分析における測定
誤差の原因とならないようにする必要がある。
での加熱によっても剥離しない化学修飾された固定相を
有し、しかもその化学修飾がＦＩＤの分析における測定
誤差の原因とならないようにする必要がある。
本発明者はこの困難を解決する一つの手段として薄層棒
の展開開始側を化学修飾したシリカゲルの固定相とし、
残りを従来の薄層棒の固定相のままとした薄層棒を用い
れば良いことを思いついた。すなわち、薄層禅を明瞭な
分離を行なわすだめの化学修飾された分離部と、このよ
うに分離された像を受入れさらＫある視度の分離を進め
検出するための検出部とに分けたものである。
の展開開始側を化学修飾したシリカゲルの固定相とし、
残りを従来の薄層棒の固定相のままとした薄層棒を用い
れば良いことを思いついた。すなわち、薄層禅を明瞭な
分離を行なわすだめの化学修飾された分離部と、このよ
うに分離された像を受入れさらＫある視度の分離を進め
検出するための検出部とに分けたものである。
本発明の薄層棒の検出部は従来の薄層棒そのままである
から測定誤差の問題は起こらず、そして分離部であらか
じめ明瞭に分離された像を受入れ、またシラノール基を
有するシリカゲルの部分が短いのでそれだけティリング
が起こりにくく、本発明の薄層棒によれば明瞭なりロマ
トグラムが得られる。
から測定誤差の問題は起こらず、そして分離部であらか
じめ明瞭に分離された像を受入れ、またシラノール基を
有するシリカゲルの部分が短いのでそれだけティリング
が起こりにくく、本発明の薄層棒によれば明瞭なりロマ
トグラムが得られる。
本発明の薄層禅の構造を第１図に示した。第１図は理解
の便のため本発明の薄層棒の縦断面を模式的に示した図
であり、１は石英ガラス棒、２は化学修飾されたシリカ
ゲルからなる分離部であり、３は従来慣用の固定相から
なる検出部である。図の下側が展開開始側である。
の便のため本発明の薄層棒の縦断面を模式的に示した図
であり、１は石英ガラス棒、２は化学修飾されたシリカ
ゲルからなる分離部であり、３は従来慣用の固定相から
なる検出部である。図の下側が展開開始側である。
本発明の薄層棒の分離部のシリカゲルの修飾は有機シラ
ンを用いて行なうのが良く、ことに一般式（１） Ｘｙ
）−８ｉＲ３−ｎＲで表わされる有機モノクランを用い
るのが良い。ここでＸはハロゲンまたはアルコキシル基
であり、ｎは１，２または３、Ｒ′はメチル基またはエ
チル基等のアルキル基、モしてＲは１価の炭化水素基、
極性基置換アルキル基（例えばアミノアルキル基、シア
゛ノアルキル基、ニトロアルキル基、スルホン化アル中
ル基、カルボキシアルキル基）または１価のニトロ芳香
族基である。化学修飾はシリカゲルのシラノール基の水
素が上記一般式（「）のＸと反応してハロゲン化水素ま
たはアルコールを生成することにより行なわれる。Ｘと
しては塩素、メトキシ基またはエトキシ基が、Ｒ′とし
てはメチル基等炭素数１〜６の低級アルキル基が、Ｒと
しては炭素数１〜２０の１価の炭化水素基（例えばアル
キル基、アルケニル基、芳香族基置換アルキル基、芳香
族基）、極性基置換アルキル基（例えばアミノアルキル
基、シアノアル中ル基、ニトロアルキル基、スルホン化
アルキル基およびカルボキシアルキル基）のアルキル基
としては炭素数２〜１０．そい０価の工）ａ芳香族基と
しては炭素ａ６〜１２のものが好ましい。凡の具体例は
３−７ミノブロビル、３−シアノプロピル、３−ニトロ
プロピル、ニトロフェニル、３−スルホン化プロピル、
３−カルボキシプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−オクタデシ
ル、メチル、エチル、ｎ−オクチル、フェニル、フェネ
チル等である。ｎが２または３である場合には化学修飾
後未反応のＸを加水分解しＣＯＨに変え、さらにトリメ
チルモノクロロクランと反りさせてＯＨ基を処理（トリ
メチルシリル化）しておく。さらにシリカゲルに未反応
のシラノール基が残こらないように、ｎが１の場合でも
トリメチルモノクロロクランで処理する。この加水分解
およびトリメチルシリル化は必ずしも行なわなくてもよ
い。
ンを用いて行なうのが良く、ことに一般式（１） Ｘｙ
）−８ｉＲ３−ｎＲで表わされる有機モノクランを用い
るのが良い。ここでＸはハロゲンまたはアルコキシル基
であり、ｎは１，２または３、Ｒ′はメチル基またはエ
チル基等のアルキル基、モしてＲは１価の炭化水素基、
極性基置換アルキル基（例えばアミノアルキル基、シア
゛ノアルキル基、ニトロアルキル基、スルホン化アル中
ル基、カルボキシアルキル基）または１価のニトロ芳香
族基である。化学修飾はシリカゲルのシラノール基の水
素が上記一般式（「）のＸと反応してハロゲン化水素ま
たはアルコールを生成することにより行なわれる。Ｘと
しては塩素、メトキシ基またはエトキシ基が、Ｒ′とし
てはメチル基等炭素数１〜６の低級アルキル基が、Ｒと
しては炭素数１〜２０の１価の炭化水素基（例えばアル
キル基、アルケニル基、芳香族基置換アルキル基、芳香
族基）、極性基置換アルキル基（例えばアミノアルキル
基、シアノアル中ル基、ニトロアルキル基、スルホン化
アルキル基およびカルボキシアルキル基）のアルキル基
としては炭素数２〜１０．そい０価の工）ａ芳香族基と
しては炭素ａ６〜１２のものが好ましい。凡の具体例は
３−７ミノブロビル、３−シアノプロピル、３−ニトロ
プロピル、ニトロフェニル、３−スルホン化プロピル、
３−カルボキシプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−オクタデシ
ル、メチル、エチル、ｎ−オクチル、フェニル、フェネ
チル等である。ｎが２または３である場合には化学修飾
後未反応のＸを加水分解しＣＯＨに変え、さらにトリメ
チルモノクロロクランと反りさせてＯＨ基を処理（トリ
メチルシリル化）しておく。さらにシリカゲルに未反応
のシラノール基が残こらないように、ｎが１の場合でも
トリメチルモノクロロクランで処理する。この加水分解
およびトリメチルシリル化は必ずしも行なわなくてもよ
い。
本発明による薄層棒の分離部のシリカゲルの化学修飾の
他の方法は、先ずシリカゲル薄層棒を塩化チオニル、塩
化けい素、塩化チタンのようなハロゲン化剤で処理して
シリカゲルの持つシラノール基のＯＲ基をハロゲン基に
変換し、次に生成物を式ＲＭｇ（Ｊ で示されるグリ
ニヤール試薬（式中Ｒは一般式（１）のＲに同じ。）、
式ＲＬｉで示される有機リチウム（式中Ｒは一般式（１
）のＲＫ同じ。）、または式ＲＮＨ２で示される有機ア
ミン（式中Ｒは一般式（Ｉ）のＲに同じ。）で処理して
薄層棒のハロゲン基をＲ基またはＮＨＲ基に変換する方
法であり、この方法によっても有機シラン化合物で化学
修飾したものと同種の薄層棒を製造することができる。
他の方法は、先ずシリカゲル薄層棒を塩化チオニル、塩
化けい素、塩化チタンのようなハロゲン化剤で処理して
シリカゲルの持つシラノール基のＯＲ基をハロゲン基に
変換し、次に生成物を式ＲＭｇ（Ｊ で示されるグリ
ニヤール試薬（式中Ｒは一般式（１）のＲに同じ。）、
式ＲＬｉで示される有機リチウム（式中Ｒは一般式（１
）のＲＫ同じ。）、または式ＲＮＨ２で示される有機ア
ミン（式中Ｒは一般式（Ｉ）のＲに同じ。）で処理して
薄層棒のハロゲン基をＲ基またはＮＨＲ基に変換する方
法であり、この方法によっても有機シラン化合物で化学
修飾したものと同種の薄層棒を製造することができる。
検出部の固定相は従来の固定相と同様でありアルミナで
もシリカゲルでも良いが、分離部と検出部との接続が円
滑に行なわれていることが不可欠であり、また薄層棒上
の固定相の厚さは本質的に一定であることが要求される
ので一般にはシリカゲルが検出部に採用される。
もシリカゲルでも良いが、分離部と検出部との接続が円
滑に行なわれていることが不可欠であり、また薄層棒上
の固定相の厚さは本質的に一定であることが要求される
ので一般にはシリカゲルが検出部に採用される。
本発明の薄層棒において分離部の割合は固定相の全長の
約１０〜７０％とするのが好ましく、通常は約３０〜６
０％の範囲内が採用される。
約１０〜７０％とするのが好ましく、通常は約３０〜６
０％の範囲内が採用される。
分離部の割合が１０％以下では従来の薄層棒と比べて分
離の程度はあまり改善されず、一方分離部を７０％以上
とすると分離の程度は極めて改善されるが、検出部が短
くなってＲ４が１．０〜０．７の化合物しか分析できな
くなり、用途面で制約を受ける。
離の程度はあまり改善されず、一方分離部を７０％以上
とすると分離の程度は極めて改善されるが、検出部が短
くなってＲ４が１．０〜０．７の化合物しか分析できな
くなり、用途面で制約を受ける。
なお本発明の薄層棒によれば、炭化水素の分析に際し、
従来の薄層棒において認められてきたＲｆ値よりも大き
いＲ，ｆ値を示す場合が多いので、分離部の割合を３０
％とした薄層棒でも、従来の薄層棒で０．２程度のＲｆ
値を示す化合物を十分に分析することができる。
従来の薄層棒において認められてきたＲｆ値よりも大き
いＲ，ｆ値を示す場合が多いので、分離部の割合を３０
％とした薄層棒でも、従来の薄層棒で０．２程度のＲｆ
値を示す化合物を十分に分析することができる。
次に本発明の薄層棒の製造法を説明するが、本発明の薄
層棒はその製法によっては制限されない。
層棒はその製法によっては制限されない。
シリカゲルを焼付けた市販の薄層棒を前記した一般式（
１）で示される有機シランを溶解した無水の有機溶媒、
例えばジオキサン、トルエン等、中に浸漬し、必要な時
間還流するなどして十分に反応させる。反［Ｋ必要な時
間は用いる温度、化学修飾剤等の反応条件によって一定
でないが、一般には１２時間もみれば十分である。
１）で示される有機シランを溶解した無水の有機溶媒、
例えばジオキサン、トルエン等、中に浸漬し、必要な時
間還流するなどして十分に反応させる。反［Ｋ必要な時
間は用いる温度、化学修飾剤等の反応条件によって一定
でないが、一般には１２時間もみれば十分である。
灰石終了後ジオキサン、トルエン等で十分洗浄を行なう
。用いた化学修飾剤のｎが２または３である場合には未
反応のＸを加水分解し生じたＯＨ基を）リメチルモノク
ロロシランで処理する。この反応でシリカゲルの未反応
のシラノール基も同時にトリメチルシリル化される。ｎ
が１の時も未反応のシラノール基をトリメチルシリル化
しておくためにトリメチルモノクロロシランで逃埋して
お（のが好ましい。この反応は急速に進行し、例えばト
リメチルモノクロロシランを１０％溶解したトルエン、
ジオキサン等の無水溶液中に上記で得られた薄層棒を浸
漬して約２時間程度還流すれば十分に進行する。また上
記の加水分解は稀酸または稀アルカリな用いても勿論可
能であるが、一般には単に水で処理するだけで十分に進
行する。次いで、得られた薄層棒をトルエン、ジオキサ
ン等で洗浄し、その後水分および用いた溶媒の除去を容
易にするためさらにメタノール、アセトン等の溶剤で洗
浄するのが良い。その後、例えば１３０℃で数時間に亘
って十分に乾燥を行なう。このようにして得られた薄層
棒は固定相の全長に亘って化学修飾が行なわれているの
で、このままではＦ’ＩＤ−ＴＬＣ用の薄層棒としては
使用しにくい。そこで検出部に相当する部分のみを、例
えば高温で焼成するなどして元のシリカゲルの薄層に戻
すことによって本発明の薄層棒が得られる。上記の反応
においてｎが２または３である時には、１分子の化学修
飾剤である有機シランがシリカゲルの複数のシラノール
基と反応することもあるし、また場合によっては未反応
のＸが有機シランの他の分子と反応して複雑な構造を与
えることもある。
。用いた化学修飾剤のｎが２または３である場合には未
反応のＸを加水分解し生じたＯＨ基を）リメチルモノク
ロロシランで処理する。この反応でシリカゲルの未反応
のシラノール基も同時にトリメチルシリル化される。ｎ
が１の時も未反応のシラノール基をトリメチルシリル化
しておくためにトリメチルモノクロロシランで逃埋して
お（のが好ましい。この反応は急速に進行し、例えばト
リメチルモノクロロシランを１０％溶解したトルエン、
ジオキサン等の無水溶液中に上記で得られた薄層棒を浸
漬して約２時間程度還流すれば十分に進行する。また上
記の加水分解は稀酸または稀アルカリな用いても勿論可
能であるが、一般には単に水で処理するだけで十分に進
行する。次いで、得られた薄層棒をトルエン、ジオキサ
ン等で洗浄し、その後水分および用いた溶媒の除去を容
易にするためさらにメタノール、アセトン等の溶剤で洗
浄するのが良い。その後、例えば１３０℃で数時間に亘
って十分に乾燥を行なう。このようにして得られた薄層
棒は固定相の全長に亘って化学修飾が行なわれているの
で、このままではＦ’ＩＤ−ＴＬＣ用の薄層棒としては
使用しにくい。そこで検出部に相当する部分のみを、例
えば高温で焼成するなどして元のシリカゲルの薄層に戻
すことによって本発明の薄層棒が得られる。上記の反応
においてｎが２または３である時には、１分子の化学修
飾剤である有機シランがシリカゲルの複数のシラノール
基と反応することもあるし、また場合によっては未反応
のＸが有機シランの他の分子と反応して複雑な構造を与
えることもある。
またシリカゲル薄層棒なハロゲン化剤で処理した後グリ
ニヤール試薬、有機リチウムまたは有機アミンで処理す
る化学修飾は、例えば次のよ５Ｋして行なうことができ
る。すなわち薄層捧を塩化チオニル、塩化ケイ素、ある
いは塩化チタンを溶解した無水の有機溶媒、例えばペン
タン中に浸漬し、１時間程度還流して塩素化した後、さ
らにＲＭｇ Ｃｊの一般式で示されるグリニヤール試薬
、あるいはＲＬｉの一般式で示される有機リチウム、あ
るいはＲＮＨ２の一般式で示される有機アミンを加え、
十分に反応させる。
ニヤール試薬、有機リチウムまたは有機アミンで処理す
る化学修飾は、例えば次のよ５Ｋして行なうことができ
る。すなわち薄層捧を塩化チオニル、塩化ケイ素、ある
いは塩化チタンを溶解した無水の有機溶媒、例えばペン
タン中に浸漬し、１時間程度還流して塩素化した後、さ
らにＲＭｇ Ｃｊの一般式で示されるグリニヤール試薬
、あるいはＲＬｉの一般式で示される有機リチウム、あ
るいはＲＮＨ２の一般式で示される有機アミンを加え、
十分に反応させる。
反応後、水、エーテル、クロロホルム、アセトンで順次
十分に洗浄を行なう。最後に薄層禅の検出部に相当する
部分のみを高温で焼成するなどして元のシリカゲルに戻
す。
十分に洗浄を行なう。最後に薄層禅の検出部に相当する
部分のみを高温で焼成するなどして元のシリカゲルに戻
す。
（実施例）
以下本発明の薄層禅を用いて芳香族炭化水素の分離を行
ない従来品と比較して本発明の薄層棒の効果を示す。
ない従来品と比較して本発明の薄層棒の効果を示す。
以下の例における薄層クロマトグツフィーの操作手順は
下記のとおりである。
下記のとおりである。
薄層棒の原点に所定の濃度（１０ｗｔ％）に調製した試
料のトルエン溶液を１．０μ！スポツテイングする。所
定の溶媒を入れた展開槽に１０分間吊した後、先端点ま
で展開する。室温で風乾後、薄層禅をＦＩＤＫかけ検出
を行ないクロマトグラムを得てＲｆ値と半値幅ならびに
分離度を求めた。同一試料を同−量用いた実験において
は、半値幅は小さい程ボケが少ないことを示している。
料のトルエン溶液を１．０μ！スポツテイングする。所
定の溶媒を入れた展開槽に１０分間吊した後、先端点ま
で展開する。室温で風乾後、薄層禅をＦＩＤＫかけ検出
を行ないクロマトグラムを得てＲｆ値と半値幅ならびに
分離度を求めた。同一試料を同−量用いた実験において
は、半値幅は小さい程ボケが少ないことを示している。
また分離度（Ｒｓ）は下式により算出した。
ここで（Ｚｚ ）１、（Ｚｒ）２は原点から成分１およ
び成分２のピーク極大までの距離で、ｂよ、ｂ２は各成
分の半値幅で、各ピークの最大値の５０％に相当する値
におけるピークの幅である。
び成分２のピーク極大までの距離で、ｂよ、ｂ２は各成
分の半値幅で、各ピークの最大値の５０％に相当する値
におけるピークの幅である。
分離度（Ｒ３）が大きい程２成分間の分離が明瞭に行な
われていることを示す。
われていることを示す。
なおＦＩＤによる検出は本発明品については薄層棒の検
出部についてのみ行ない、従来品については薄層棒の全
長に亘って行なった。
出部についてのみ行ない、従来品については薄層棒の全
長に亘って行なった。
実施例１、比較例１．２
３−アミノプロピルトリエトキシシランを化学修飾剤と
して使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびト
リメチルシリル化は行なわない。）で得られた分離部：
検出部の割合が４＝６の薄層棒（実施例１）、化学修飾
されていない市販のシリカゲル薄層棒（比較例１）およ
び化学修飾されていない市販のアルミナ薄層禅（比較例
２）を用いて、上記した手順により第１表に示す単環、
２環および３環芳香族炭化水素のクロマトグラフィーを
、ｎ−ヘキサンを展開溶媒として行ない、Ｒ４値、半値
幅および分離度を求めた。結果を８１表に示す。
して使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびト
リメチルシリル化は行なわない。）で得られた分離部：
検出部の割合が４＝６の薄層棒（実施例１）、化学修飾
されていない市販のシリカゲル薄層棒（比較例１）およ
び化学修飾されていない市販のアルミナ薄層禅（比較例
２）を用いて、上記した手順により第１表に示す単環、
２環および３環芳香族炭化水素のクロマトグラフィーを
、ｎ−ヘキサンを展開溶媒として行ない、Ｒ４値、半値
幅および分離度を求めた。結果を８１表に示す。
ここでＲ５１ｊ’；単環芳香族と２環芳香族の分離度を
、Ｒ８２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす。
、Ｒ８２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす。
第１表
化合物Ａ：ｎ−ドデシルベンゼン、化合物Ｂ：２．６−
シメチルナフタレン、化合物Ｃ：アントラセン上表より
明らかなように、実施例１では比軟例１，２におけるよ
りも単環および２環芳香族の分離ならびに２環および３
環芳香族の分離が良好に行なわれている。
シメチルナフタレン、化合物Ｃ：アントラセン上表より
明らかなように、実施例１では比軟例１，２におけるよ
りも単環および２環芳香族の分離ならびに２環および３
環芳香族の分離が良好に行なわれている。
実施例２、比較例３，４
３−アミノプロピルトリエトキシシランを化学修飾剤と
して使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびト
リメチルシリル化は行なわない。）で得られた分離部：
検出部の割合が４二６の薄層棒（実施例２）、化学修飾
されていない市販のシリカゲル薄層棒（比較例３）およ
び化学修飾されていない市販のアルミナ薄層棒（比較例
４）を用いて、上記した手順により第２表に示す単環、
２環および３環芳香族炭化水素のクロマトグラフィーを
、ｎ−ヘキサンを展開溶媒として行ない、Ｒｆ値、半値
幅および分離度を求めた。結果を第２表に示す。
して使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびト
リメチルシリル化は行なわない。）で得られた分離部：
検出部の割合が４二６の薄層棒（実施例２）、化学修飾
されていない市販のシリカゲル薄層棒（比較例３）およ
び化学修飾されていない市販のアルミナ薄層棒（比較例
４）を用いて、上記した手順により第２表に示す単環、
２環および３環芳香族炭化水素のクロマトグラフィーを
、ｎ−ヘキサンを展開溶媒として行ない、Ｒｆ値、半値
幅および分離度を求めた。結果を第２表に示す。
ここでＲｓｌは単環芳香族と２環芳香族の分離度を、モ
してＲｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす
。
してＲｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす
。
第２表
化合物Ｄ：ｎ−オクタデシルベンゼン、化合物Ｅ：アセ
ナフテン、化合物Ｆ：９，１０−ジメチルアントラセン
上表から明らかなように１本発明の薄層棒（実施例２）
は公知の薄層棒（比較例３．４）に比べて単環と２環芳
香族の分離ならびに２環と３環芳香族の分離において優
れた性能を示す。
ナフテン、化合物Ｆ：９，１０−ジメチルアントラセン
上表から明らかなように１本発明の薄層棒（実施例２）
は公知の薄層棒（比較例３．４）に比べて単環と２環芳
香族の分離ならびに２環と３環芳香族の分離において優
れた性能を示す。
実施例３
３−シアノプロビルトリクロクシ２ンを化学修飾剤とし
て使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびトリ
メチルシリル化は行ｔＬ−わない。）で得られた分離部
：検出部の割合が４：６０薄層棒な用いて、上記した手
順により実施例１および２で用いたと同じ試料溶液を使
って第３および４表に示す単環、２環および３環芳香族
炭化水素のクロマトグラフィーを、ｎ−ヘキサンを展開
溶媒として行ないＲ４値、半値幅および分離度を求め、
結果を第３お上−び４表に示したが、実施例１と同様に
単環、２環および３環芳香族炭化水素の明瞭な分離が達
成された。
て使用し、本文中に記載した方法（加水分解およびトリ
メチルシリル化は行ｔＬ−わない。）で得られた分離部
：検出部の割合が４：６０薄層棒な用いて、上記した手
順により実施例１および２で用いたと同じ試料溶液を使
って第３および４表に示す単環、２環および３環芳香族
炭化水素のクロマトグラフィーを、ｎ−ヘキサンを展開
溶媒として行ないＲ４値、半値幅および分離度を求め、
結果を第３お上−び４表に示したが、実施例１と同様に
単環、２環および３環芳香族炭化水素の明瞭な分離が達
成された。
ここでＲｓｌは単環芳香族と２環芳香族の分離度を、モ
してＲｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす
。
してＲｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす
。
第３表
第４表
−Ｎｏ□、−８ｏ３Ｈ，−ＣＯＯＨ基を含む一般式（＋
）で示されるシラン化合物を化学修飾剤として用いて製
造した薄層棒を用いて行なった冥験でも実施例１〜３と
同様に単環、２環および３環芳香族炭化水素の明瞭な分
離が得られた。
）で示されるシラン化合物を化学修飾剤として用いて製
造した薄層棒を用いて行なった冥験でも実施例１〜３と
同様に単環、２環および３環芳香族炭化水素の明瞭な分
離が得られた。
実施例４
ｎ−オクチルジメチルモノクロロシランを化学修飾剤と
して使用し、本文中に記載した方法で得られた分離部：
検出部の割合が４＝６の薄層禅を用いて、上記した手順
により第５表に示す２環、３環および４環芳香族炭化水
素のりａマドグラフィーを、メタノール／水（７０：３
０）混合物を展開溶媒として行ないＲ４値、半値幅およ
び分離度を求め結果を第５表に示したが、２環、３環お
よび４環芳香族炭化水素の明瞭な分離が得られ、さらに
４環化合物同志の分離もかなりの程度達成されている。
して使用し、本文中に記載した方法で得られた分離部：
検出部の割合が４＝６の薄層禅を用いて、上記した手順
により第５表に示す２環、３環および４環芳香族炭化水
素のりａマドグラフィーを、メタノール／水（７０：３
０）混合物を展開溶媒として行ないＲ４値、半値幅およ
び分離度を求め結果を第５表に示したが、２環、３環お
よび４環芳香族炭化水素の明瞭な分離が得られ、さらに
４環化合物同志の分離もかなりの程度達成されている。
なお、ここでＲ３ｌはナフタレンと７エナンスレンの分
離度を、Ｒｓ２は７エナンスレ／とピレンの分離度を、
そしてＲ８３はピレンとクリセンの分離度を示す。
離度を、Ｒｓ２は７エナンスレ／とピレンの分離度を、
そしてＲ８３はピレンとクリセンの分離度を示す。
第５表
その他各攬のｎ−アルキル基またはフェニル基を含む一
般式（１）で示されるシラン化合物を化学修飾剤として
用い製造した薄層禅を用いて行なった実験でも、実施例
４と同様に多環芳香族炭化水素の明瞭な分離が得られた
。
般式（１）で示されるシラン化合物を化学修飾剤として
用い製造した薄層禅を用いて行なった実験でも、実施例
４と同様に多環芳香族炭化水素の明瞭な分離が得られた
。
実施例５，６および比較例５，６
単環芳香族、２環芳香族および３環芳香族の代表として
ｎ−オクタデシルベンゼン、２．６−シメチルナフタレ
ンおよび９，１０−ジメチルアント２センを選び、これ
らの標準混合試料を調製し、この標準混合試料を用いて
、各種薄層棒について隣接する２組の成分間の分離度Ｒ
３□およびＲｓ２を調べた。結果を第６表に示した。
ｎ−オクタデシルベンゼン、２．６−シメチルナフタレ
ンおよび９，１０−ジメチルアント２センを選び、これ
らの標準混合試料を調製し、この標準混合試料を用いて
、各種薄層棒について隣接する２組の成分間の分離度Ｒ
３□およびＲｓ２を調べた。結果を第６表に示した。
比較例５は市販のシリカゲル薄層棒、比較例６は市販の
アルミナ薄層棒、実施例５は実施例１で用いたと同じ薄
層棒そして実施例６は実施例３で用いたと同じ薄層棒に
よる実験であり、展開溶媒はｎ−ヘキサンでアル。
アルミナ薄層棒、実施例５は実施例１で用いたと同じ薄
層棒そして実施例６は実施例３で用いたと同じ薄層棒に
よる実験であり、展開溶媒はｎ−ヘキサンでアル。
第６表から明らかなように、Ｒ５１およびＲｓ２ともに
市販のシリカゲルやアルミナ薄層棒では低いが１本発明
の薄層棒では高い値を示し、分離性に優れていることが
わかる。
市販のシリカゲルやアルミナ薄層棒では低いが１本発明
の薄層棒では高い値を示し、分離性に優れていることが
わかる。
ここでＲｓ□は単環芳香族と２環芳香族の分離度を、Ｒ
ｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす。
ｓ２は２環芳香族と３環芳香族の分離度を表わす。
第６表
比較例５で得られたクロマトグラムを第２図の曲ＭＡで
、比較例６のそれを第２図の曲＃ＩＢで示し、実施例５
のそれを第３図に、そして実施例６のそれを第４図に示
した。図中ａはｎ −オクタデシルベンゼン、ｂは２，
６−シメチルナフタレンセしてＣは９．ｌＯ−ジメチル
アントラセンのピークである。
、比較例６のそれを第２図の曲＃ＩＢで示し、実施例５
のそれを第３図に、そして実施例６のそれを第４図に示
した。図中ａはｎ −オクタデシルベンゼン、ｂは２，
６−シメチルナフタレンセしてＣは９．ｌＯ−ジメチル
アントラセンのピークである。
（発明の効果）
本発明の薄層棒は簡単な構造で容易ＫＨ１造できるもの
でありながら分離性に優れ、しかも定量分析の精度がそ
こなわれていないという利点を有する。特に従来の薄層
棒においては分離、定量が困難であった炭化水素、殊に
高沸点の多環芳香族炭化水素の分離、定量を容易かつ正
確に行ない得るという効果を有する。
でありながら分離性に優れ、しかも定量分析の精度がそ
こなわれていないという利点を有する。特に従来の薄層
棒においては分離、定量が困難であった炭化水素、殊に
高沸点の多環芳香族炭化水素の分離、定量を容易かつ正
確に行ない得るという効果を有する。
第１図は本発明の薄層棒の構造を示す説明用縦断面図、
第２図は比較例５および６で得られたクロマトグラムで
Ａは比較例５のもの、モしてＢは比較例６のもの、第３
図は実施例５で得られたクロマトグラムモして第４図は
実施例６で得られたクロマトグラムである。 １・・・石英ガラス棒、 ２・・・分離部、 ３・・・
検出部、 ０・・・原点、 Ｆ・・・先端点。 朱３凹 暴４図 α Ｈ（、ｌ Ｆ
０手 続 補 正 書 昭和６０年 ９月 ６目
第２図は比較例５および６で得られたクロマトグラムで
Ａは比較例５のもの、モしてＢは比較例６のもの、第３
図は実施例５で得られたクロマトグラムモして第４図は
実施例６で得られたクロマトグラムである。 １・・・石英ガラス棒、 ２・・・分離部、 ３・・・
検出部、 ０・・・原点、 Ｆ・・・先端点。 朱３凹 暴４図 α Ｈ（、ｌ Ｆ
０手 続 補 正 書 昭和６０年 ９月 ６目
Claims (5)
- （１）水素炎イオン化検出器を用いる薄層クロマトグラ
フィー用薄層棒であって、固定相の展開開始側が化学修
飾されたシリカゲルで構成されていることを特徴とする
該クロマトグラフィー用薄層棒。 - （２）該化学修飾が有機シランで行なわれている特許請
求の範囲第１項に記載の薄層棒。 - （３）該有機シランがハロゲン化有機シランまたはアル
コキシ有機シランである特許請求の範囲第２項に記載の
薄層棒。 - （４）該有機シランが一般式（ I ）Ｘ＿ｎ−ＳｉＲ′
＿３＿−＿ｎＲ（ここでＸはハロゲンまたはアルコキシ
ル基、ｎは１、２または３、Ｒはメチル基またはエチル
基そしてＲは１価の炭化水素基、アミノアルキル基、シ
アノアルキル基、ニトロアルキル基、スルホン化アルキ
ル基、カルボキシアルキル基または１価のニトロ芳香族
基である。）で表わされる特許請求の範囲第３項に記載
の薄層棒。 - （５）該化学修飾された部分が固定相の全長の１０〜７
０％を占める特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
れかに記載の薄層棒。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052696A JPS61210956A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | クロマトグラフイ−用薄層棒 |
| EP86301819A EP0198593A1 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-13 | Thin-layer rod for chromatography |
| CA000504032A CA1286611C (en) | 1985-03-15 | 1986-03-13 | Thin-layer rod for chromatography |
| KR1019860001845A KR930001594B1 (ko) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | 크로마토 그라피용 박층 로드 |
| AU54750/86A AU599900B2 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Thin-layer rod for chromatography |
| US07/132,223 US4828704A (en) | 1985-03-15 | 1987-12-14 | Thin-layer rod for chromatography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052696A JPS61210956A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | クロマトグラフイ−用薄層棒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210956A true JPS61210956A (ja) | 1986-09-19 |
Family
ID=12922047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60052696A Pending JPS61210956A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | クロマトグラフイ−用薄層棒 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4828704A (ja) |
| EP (1) | EP0198593A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61210956A (ja) |
| KR (1) | KR930001594B1 (ja) |
| AU (1) | AU599900B2 (ja) |
| CA (1) | CA1286611C (ja) |
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255656A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Yatoron:Kk | 薄層クロマトグラフ用水素炎イオン化検出装置 |
| US5302351A (en) * | 1992-11-16 | 1994-04-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Length of stain dosimeter |
| US5811665A (en) * | 1996-09-11 | 1998-09-22 | Alanex Corporation | Large scale sorption-driven solid state chromatography |
| US7223704B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-05-29 | Infineon Technologies Ag | Repair of carbon depletion in low-k dielectric films |
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| CN112748212A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种原油中蜡含量分析法 |
| CN114878734B (zh) * | 2022-03-28 | 2023-12-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法 |
Family Cites Families (10)
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1985
- 1985-03-15 JP JP60052696A patent/JPS61210956A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-13 EP EP86301819A patent/EP0198593A1/en active Pending
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1987
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Cited By (1)
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