JPS6118857B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6118857B2
JPS6118857B2 JP52064527A JP6452777A JPS6118857B2 JP S6118857 B2 JPS6118857 B2 JP S6118857B2 JP 52064527 A JP52064527 A JP 52064527A JP 6452777 A JP6452777 A JP 6452777A JP S6118857 B2 JPS6118857 B2 JP S6118857B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
wafer
counter
mask
pulses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52064527A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS53148981A (en
Inventor
Yasuo Ogino
Ryozo Hiraga
Juzo Kato
Ichiro Kano
Akyoshi Suzuki
Hideki Yoshinari
Masao Totsuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP6452777A priority Critical patent/JPS53148981A/en
Publication of JPS53148981A publication Critical patent/JPS53148981A/en
Publication of JPS6118857B2 publication Critical patent/JPS6118857B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマスクとウエハーの位置合せを行なう
装置に関し、特にマスクやウエハーに設けられた
位置合せ用パターンを、走査線に沿つて得られた
走査信号の検出パルスのスライスレベルを自動的
に設定する位置合せ装置に関する。例えばマスク
に設けられた位置合せ用パターンMP1〜MP4や
ウエハーに設けられた位置合せ用パターンWP1
〜WP2が第1図及び第2図aのように位置して
おり、実線A乃至Bで示すように、レーザー走査
が行なわれると、ホトデイテクターPDで検出さ
れる信号は、第2図bの形状を示し、振幅弁別後
のデイジタルパルス信号は同図cのようになる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for aligning a mask and a wafer, and more particularly, the present invention relates to an apparatus for aligning a mask and a wafer, and in particular, an alignment pattern provided on a mask or a wafer is sliced by detection pulses of a scanning signal obtained along a scanning line. The present invention relates to an alignment device that automatically sets a level. For example, alignment patterns MP1 to MP4 provided on a mask or alignment pattern WP1 provided on a wafer.
~WP2 is located as shown in Figures 1 and 2a, and when laser scanning is performed as shown by solid lines A to B, the signal detected by the photodetector PD is as shown in Figure 2b. The digital pulse signal after amplitude discrimination is as shown in c in the same figure.

第2図bの信号は、レーザー走査領域(Aから
Bで示される実線上)からの反射光によるペデス
タル信号PS(b図において、a図A乃至Bの範
囲に相当する台形状の信号)とマスク信号M1,
M2,M3,M4及びウエハー信号W1,W2か
ら成る。これらの信号の振幅及び形状は、ウエハ
ーに塗布するレジストの厚さ、ウエハーの材質、
ウエハーに刻んだパターンの幅やエツチングの段
差及びマスクのパターン幅や材質更にはマスクと
ウエハー間の干渉などの諸条件により、大幅に変
化する。またペデスタル信号PSの直流レベルも
ウエハー毎に変化する。更に第2図aのNS1,
NS2,NS3,NS4で示すようにレーザー走査線
上に塵埃がのると、第2図bのN1,N2,N
3,N4の偽信号が加わり複雑な形状を示す。
The signal in Fig. 2b is a pedestal signal PS (in Fig. b, a trapezoidal signal corresponding to the range from A to B in Fig. a) caused by the reflected light from the laser scanning area (on the solid line indicated by A to B). Mask signal M1,
It consists of M2, M3, M4 and wafer signals W1, W2. The amplitude and shape of these signals depend on the thickness of the resist applied to the wafer, the material of the wafer,
It varies considerably depending on various conditions such as the width of the pattern carved on the wafer, the step difference in etching, the pattern width and material of the mask, and the interference between the mask and the wafer. Furthermore, the DC level of the pedestal signal PS also changes from wafer to wafer. Furthermore, NS1 in Figure 2 a,
If dust is deposited on the laser scanning line as shown by NS2, NS3, NS4, N1, N2, N in Figure 2b
3, N4 false signals are added to show a complicated shape.

安定な振幅をもつパルス信号の検出には、従来
の振幅弁別の方法で問題はないが、前記のような
信号を振幅弁別し所望する信号のみを、自動的に
取り出すことは、困難である。
Conventional amplitude discrimination methods have no problem in detecting pulse signals with stable amplitudes, but it is difficult to perform amplitude discrimination on such signals and automatically extract only desired signals.

本発明は、前記のような信号であつても、自動
的に目的の信号を可変可能な電圧レベルでスライ
スする方式を提供するものである。
The present invention provides a method for automatically slicing a target signal at a variable voltage level even if the signal is as described above.

本発明を適用して好便な装置の一実施例の全体
のブロツク図を第3図に示す。
FIG. 3 shows an overall block diagram of an embodiment of a convenient device to which the present invention is applied.

ホトデイテクタPDはマスク及びウエハーから
の反射光を電気信号に変え、増幅器AMに加え
る。AMの出力は本発明に係る振幅弁別回路LC
に入力され、所定のパルス数だけ通過させるよう
に振幅弁別を行ない、それにより得られた所定数
のパルスをCに印加する。Cはパルス間隔計数回
路でLCからの各パルスの間隔P1,P2,P
3,P4,P5を計数しそれらの各出力を、マイ
クロプロセツサMに送る。マイクロプロセツサM
は各計数値P1〜P5の値を参照してマスクとウ
エハの位置を確認し、その後正しい位置に合わせ
るように所要の計算を行なつて、マスク、ウエハ
ー間のずれを補正するような信号をX,Y,θ方
向の駆動モーター制御部MCに与える。このよう
にしてマスクとウエハの位置合せが正しく行なわ
れる。
The photodetector PD converts the reflected light from the mask and wafer into an electrical signal and applies it to the amplifier AM. The output of AM is the amplitude discrimination circuit LC according to the present invention.
Amplitude discrimination is performed so that only a predetermined number of pulses are passed, and the predetermined number of pulses obtained thereby are applied to C. C is a pulse interval counting circuit that calculates the intervals P1, P2, P of each pulse from LC.
3, P4, and P5 and send their respective outputs to the microprocessor M. Microprocessor M
confirms the position of the mask and wafer by referring to the values of each count P1 to P5, then performs the necessary calculations to align them to the correct position, and generates a signal to correct the misalignment between the mask and wafer. Provided to the drive motor control unit MC in the X, Y, and θ directions. In this way, the mask and wafer are properly aligned.

本発明に係る振幅弁別回路の詳細な構成を第4
図にその動作を第5図に示す。第4図において、
CO1,CO2はコンパレータ、CC1,CC2は16
進カウンタ、DAはデジタルアナログコンバー
タ、IHはサンプルホールド機能を有する積分
器、TCは積分器の作動を制御するタイミング回
路、ADはアナログデジタルコンバータ、Lはデ
ータ・ラツチ、B1,B2,B3,B4はスリー
ステートのバスバツフアを示し、DCはデコー
ダ、C1〜C5はパルス間隔計数回路である。ま
たl1,l2,l3,l4,l5,l6は回路各
部を結合するラインで第5図にそれらの上に乗る
信号のタイミングが関係を示している。
The detailed configuration of the amplitude discrimination circuit according to the present invention is explained in the fourth section.
The operation is shown in FIG. 5. In Figure 4,
CO1 and CO2 are comparators, CC1 and CC2 are 16
DA is a digital-to-analog converter, IH is an integrator with sample and hold function, TC is a timing circuit that controls the operation of the integrator, AD is an analog-to-digital converter, L is a data latch, B1, B2, B3, B4 indicates a three-state bus buffer, DC is a decoder, and C1 to C5 are pulse interval counting circuits. Further, 11, 12, 13, 14, 15, and 16 are lines that connect various parts of the circuit, and FIG. 5 shows the relationship between the timings of signals placed on these lines.

次にその概略の作動を以下に説明する。 Next, the outline of its operation will be explained below.

第2図例の場合、検出すべきパルスの数は6本
で、それ以上多いと振幅弁別のレベルが低すぎて
ノイズ等も計数していることになるからレベルア
ツプをしなければならない。また6本より少ない
ときはいくぶんレベルを下げなければならない。
このようにして正確に6本を検出するためのレベ
ルを探し、発見されれば以後そのレベルを固定
し、次に6本のパルスの各間隔の計数を始めてウ
エハとマスクの位置合せを行なわせる。
In the case of the example in FIG. 2, the number of pulses to be detected is six; if there are more than that, the amplitude discrimination level is too low and noise etc. are also being counted, so the level must be increased. Also, if there are fewer than six, the level must be lowered somewhat.
In this way, we search for a level to accurately detect 6 pulses, and if found, we fix that level from now on, and then we start counting each interval of the 6 pulses to align the wafer and mask. .

したがつて第4図においてまずレーザビームの
第1回の走査期間T1の時間中にマイクロプロセ
ツサーMから所定パルス数6の16に対する補数
10がバツフアB1に取り込まれ、同時に16進カ
ウンタCC1に格納される。またバツフアB2及
びラツチLにも格納され、ラツチLに記憶され
る。またカウンタCC2にも取り込まれる。この
T1の時間内にコンパレータCO2が接置電位近
傍の電圧レベルS0でスライス動作を始め、タイミ
ング制御回路TCがこれに応答して積分器IHを駆
動するので積分器IHはラインl1上のマスク及
びウエハからの検出信号の積分を始め第5図l5
に示すような積分信号を出力し、飽和に達つした
ときそのサンプル値がホールドされる。このホー
ルド値はウエハのペデスタル値に近い例えばS1
の電圧レベルを有する。このホールド値はコンパ
レータCO2の出力が立ち下つた時点でタイミン
グ制御回路TCの制御によりコンバータADに取り
込まれてデイジタル値に変換される。このS1レ
ベルのデジタル値はマイクロプロセツサMに取り
込まれてそれよりもカウンタ値で2〜3多い値に
設定され、この値がバツフアB1を通つてカウン
タCC1に格納される。またこのときバツフアB
2の出力ゲートはMの制御により閉じられている
のでラツチLの値は変らない。またこのT1の時
間中はMの制御によりコンバータDAの出力ゲー
トも閉じているのでコンパレータCO1の出力は
出ない。このようにまず1回目のレーザビーム走
査期間T1においては、ラツチLへの所望パルス
数の補数値の設定とウエハのペデスタル値を測定
してそれをAD変換し、それよりも幾分高い値を
カウンタCC1に設定する作業を行なう。
Therefore, in FIG. 4, first, during the first scanning period T1 of the laser beam, the complement 10 of the predetermined number of pulses 6 to 16 is taken into the buffer B1 from the microprocessor M, and at the same time, it is taken into the hexadecimal counter CC1. Stored. It is also stored in buffer B2 and latch L, and stored in latch L. It is also taken into counter CC2. During this time T1, the comparator CO2 starts slicing operation at a voltage level S0 near the ground potential, and the timing control circuit TC responds to this by driving the integrator IH, so the integrator IH is a mask on the line l1. and the integration of the detection signal from the wafer, as shown in Figure 5 l5.
It outputs an integral signal as shown in , and when it reaches saturation, its sample value is held. This hold value is close to the pedestal value of the wafer, for example S1.
voltage level. When the output of the comparator CO2 falls, this hold value is taken into the converter AD under the control of the timing control circuit TC and converted into a digital value. This S1 level digital value is taken into the microprocessor M and set to a counter value 2 to 3 higher than it, and this value is stored in the counter CC1 through the buffer B1. At this time, Batsuhua B
Since the output gate of 2 is closed under the control of M, the value of latch L does not change. Also, during the time T1, the output gate of the converter DA is also closed under the control of M, so no output is produced from the comparator CO1. In this way, during the first laser beam scanning period T1, the complementary value of the desired number of pulses is set to the latch L, the pedestal value of the wafer is measured, it is AD converted, and a value somewhat higher than that is set. Perform the work to set the counter CC1.

この状態設定完了の後、第5図のタイミングに
示すようにレーザビームの第2回の走査T2が始
まると前述同様にラインl1にマスク及びウエハ
からの反射光が電気信号として再び検出され始め
る。MからカウンタCC1に格納されたS1より
2〜3多い値のデータはコンバータDAでアナロ
グ値例えばS1+Δの電圧レベルに変換されコン
パレータCO1にラインl6を介して印加される
ので検出信号はレベルS1+Δでスライスされ、
その出力信号をラインl3を介してカウンタCC
2に印加する。したがつてカウンタCC2は現在
の内容10から逐次+1され始め第5図のパルスM
3(始めから7個目)を計数したとき16進カウン
タCC2は計数値17となるので桁あふれを起
し、ゲートGが開いてキヤリ信号CRをマイクロ
プロセツサーMとカウンタCC1に送り出しこれ
を知らせる。Mはこれを検知してコンパレータ
CO1のレベル設定が不適であつたことを判別す
る。したがつてこのときデコーダDCに取り込ま
れ、各パルスの間隔をC1〜C5で計数した値は
無効であるとして次に必要なパルス間隔の計数に
は使用しない。またこのキヤリ信号CRはカウン
タCC1にも印加されるので、それまでの内容S
1+Δの値にさらに+1される。またT2以後は
ウエハのペデスタル値は測定する必要がないので
バツフアB3の出力ゲートを閉じておく。またカ
ウンタCC2はコンパレータCO2の立下り信号で
リセツトされ、次に再びラツチLの値10を格納
し直す。T3の時間になるとカウンタCC1の内
容が前の内容より+1された値(S1+Δ+1)
がコンバータDAで変換されるので、T2のとき
のスライスレベルよりも少し高いレベルでライン
l1上の検出信号をスライスする。このレベルで
も検出するパルスの数が6本より多いときはT2
のときと同様にカウンタCC2からキヤリ信号CR
が出てカウンタCC1をさらに+1してスライス
レベルをさらに上げる。他の動作はT2のときと
同様である。このような動作を繰り返し少しづつ
コンパレータCO1のスライスレベルを上げて行
き、例えば第5図に示すようにT5の時間になつ
たとき、その時間内にキヤリ信号CRが発生しな
かつたことをマイクロプロセツサーMが検知した
とする。そのときのコンバータDAの出力レベル
は例えばS2であり、そのときのカウンタCC1
の格納内容をバツフアB4の出力ゲートを開けて
Mに取り込みそれを記憶させておく。この記憶内
容(レベルS2のデジタル化された値)が所望パ
ルス数6本を正確に取り出し得る最下限のレベル
である。またこのキヤリ信号CRが発生しなかつ
たことのMの検知によりデコーダDCが各パルス
の区切りをデコードし、各パルスの間隔を計数し
ていたC1〜C5のカウンタの各内容はMに取り
込まれる。この部分の作動をさらに詳説すれば、
最初のパルスM1がデコーダDCに印加されると
カウンタC1の入力ゲートが開き、基準クロツパ
ルスCLKがカウンタC1に取り込まれ計数動作
を行なう。次にパルスM2がデコーダDCに印加
されるとカウンタC1の入力ゲートを閉じ、カウ
ンタC2の入力ゲートが開いて今度はカウンタC
2がCLKを計数し始める。このようにして順次
カウンタC1,C2,C3,C4,C5にCLK
を計数させると、第2図cに示す各パルスの間隔
P1,P2,P3,P4,P5がデジタル値とし
て各カウンタC1〜C5に設定することができ
る。この各値をMが取り込み、マスクとウエハが
正確に一致しているときの各パルス間隔の値と比
較、照合、演算を行ないそのずれを補正する方向
にマスクやウエハに連結されたモータX,Y,θ
を駆動してやれば位置合せが正しく行なわれる。
After this state setting is completed, when the second scan T2 of the laser beam begins as shown in the timing chart of FIG. 5, the reflected light from the mask and wafer starts to be detected again as an electric signal on the line l1 as described above. Data with a value 2 to 3 more than S1 stored in counter CC1 from M is converted to an analog value, for example, a voltage level of S1 + Δ, by converter DA and is applied to comparator CO1 via line l6, so the detection signal is sliced at level S1 + Δ. is,
The output signal is sent to the counter CC via line l3.
2. Therefore, the counter CC2 starts to be incremented by 1 sequentially from the current content 10, and the pulse M in FIG.
When counting 3 (seventh from the beginning), the hexadecimal counter CC2 has a count value of 17, which causes an overflow, and the gate G opens and sends a carry signal CR to the microprocessor M and the counter CC1. Inform. M detects this and uses a comparator
Determine that the CO1 level setting was inappropriate. Therefore, at this time, the values taken into the decoder DC and counted by C1 to C5 for each pulse interval are considered invalid and are not used for counting the next necessary pulse interval. This carry signal CR is also applied to the counter CC1, so the previous content S
The value of 1+Δ is further increased by +1. Further, since it is not necessary to measure the pedestal value of the wafer after T2, the output gate of buffer B3 is closed. Further, the counter CC2 is reset by the falling signal of the comparator CO2, and then stores the value 10 of the latch L again. At time T3, the contents of counter CC1 are increased by 1 from the previous contents (S1+Δ+1)
is converted by the converter DA, so the detection signal on line l1 is sliced at a level slightly higher than the slice level at T2. Even at this level, if the number of pulses detected is more than 6, T2
As in the case of , the carry signal CR is sent from the counter CC2.
appears and further increases the counter CC1 by 1 to further raise the slice level. Other operations are the same as at T2. Repeating this operation and gradually increasing the slice level of comparator CO1, for example, when time T5 comes as shown in Figure 5, the microprogram will indicate that the carry signal CR has not been generated within that time. Assume that the setter M has detected it. The output level of converter DA at that time is, for example, S2, and the output level of counter CC1 at that time is S2.
Open the output gate of buffer B4 to take the stored contents into M and store it. This stored content (digitized value of level S2) is the lowest level from which the desired number of pulses, 6, can be extracted accurately. Further, when M detects that the carry signal CR is not generated, the decoder DC decodes the division of each pulse, and the contents of the counters C1 to C5, which were counting the intervals of each pulse, are taken into M. If we explain the operation of this part in more detail,
When the first pulse M1 is applied to the decoder DC, the input gate of the counter C1 is opened, and the reference clock pulse CLK is taken into the counter C1 to perform a counting operation. Next, when the pulse M2 is applied to the decoder DC, the input gate of the counter C1 is closed, the input gate of the counter C2 is opened, and this time the input gate of the counter C1 is opened.
2 starts counting CLK. In this way, CLK is sent to the counters C1, C2, C3, C4, and C5 sequentially.
, the pulse intervals P1, P2, P3, P4, and P5 shown in FIG. 2c can be set as digital values in each of the counters C1 to C5. M takes in each value and compares, collates, and calculates each pulse interval value with the value of each pulse interval when the mask and wafer match exactly, and a motor Y, θ
By driving , the alignment will be performed correctly.

本発明は上述の如く最初ウエハのペデスタル値
を測定し、それより幾分上のレベルからスライス
動作を始めて除々に上げて行き、所望のレベルを
検出するようにしたから極めて高速にかつ容易に
マスクとウエハの位置合せが可能となるものであ
る。第6図は前述の動作のフローチヤートを示す
ものである。
In the present invention, as described above, the pedestal value of the wafer is first measured, and the slicing operation is started from a level slightly above the pedestal value and gradually raised to detect the desired level. This makes it possible to align the wafer. FIG. 6 shows a flowchart of the aforementioned operation.

また一般にパルス信号は第7図aに示すような
形状をしており、図中A点又はB点にノイズがの
つた場合、同図のA又はBを切るような電圧レベ
ルV1又はV2で振幅弁別をすると、第7図b,
第7図cに拡大して示すように、各々、振幅弁別
の出力にQ1,Q2の誤差を生じるが、パルスの
傾斜が急なレベル、第7図の例でいえば、B点で
振幅弁別する方が誤差も少なく、有利である。
Generally, a pulse signal has a shape as shown in Figure 7a, and if noise appears at point A or B in the figure, the amplitude will be at a voltage level V1 or V2 that cuts A or B in the figure. After discrimination, Figure 7b,
As shown enlarged in Figure 7c, errors of Q1 and Q2 occur in the output of amplitude discrimination, respectively, but the amplitude discrimination occurs at a level where the slope of the pulse is steep, in the example of Figure 7, at point B. It is more advantageous to do so because there are fewer errors.

そこで、更に所望のパルス数より、1パルス少
ないパルス数が得られる電圧レベルS4を検出
し、その中間値レベルS3=S+S/2を設定すれば
、 安定で高精度のパルス間隔計測が可能な振幅弁別
方式を提供できる。
Therefore, by detecting the voltage level S4 at which the number of pulses that is one pulse less than the desired number of pulses is detected, and setting the intermediate value level S 3 = S 2 + S 4 /2, stable and highly accurate pulse interval measurement can be achieved. It is possible to provide an amplitude discrimination method that allows for

すなわち今度はラツチL及びカウンタCC2に
前述の正しいパルス数6本より1本少ない数5を
やはり16に対する補数11の値で格納する。またカ
ウンタCC1には前記動作によつてレベルS2の
値が格納されており、同様なレーザービームの走
査によりS2のレベルでCO1はスライスする。
したがつてパルス数は6本検出されカウンタCC
2に印加される。カウンタCC2は前より1だけ
少ない数で設定されているため先の場合には生成
されなかつたキヤリ信号CRが発生するようにな
り、前記同様の作動でカウンタCC1が1つカウ
ントアツプしてスライスレベルをS2よりも少し
だけ上げる。同様な動作を何度か行なうとついに
はパルス数が5となり、カウンタCC2からキヤ
リ信号CRが発生しなくなるのでこのときのスラ
イスレベル値S4を前回同様の手法でMに取り込
む。MはS2+S/2の演算を行ないS3を求める。
That is, this time, the number 5, which is one less than the above-mentioned correct number of pulses of 6, is stored in the latch L and counter CC2 as a value of 11, which is the complement of 16. Further, the value of level S2 is stored in counter CC1 by the above operation, and CO1 is sliced at level S2 by scanning with a similar laser beam.
Therefore, the number of pulses is 6 and the counter CC
2. Since the counter CC2 is set to a number that is 1 less than before, a carry signal CR that was not generated in the previous case is generated, and in the same manner as above, the counter CC1 counts up by 1 and the slice level increases. is slightly higher than S2. After repeating the same operation several times, the number of pulses finally reaches 5, and the counter CC2 no longer generates the carry signal CR, so the slice level value S4 at this time is taken into M using the same method as last time. M performs the calculation S2+S 4 /2 to obtain S3.

このレベルS3が最も安全かつ精確にパルス数6
を検出するレベルとなる。
This level S3 is the safest and most accurate with 6 pulses.
This is the level at which it is detected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明方式を用いて好便な位置合せ装
置のマスクとウエハを説明する図、第2図はその
マスクとウエハの各パターンから検出される信号
を説明する図、第3図は位置合せ装置の基本ブロ
ツク図、第4図はその一部詳細図、第5図はその
作動説明図、第6図はそのフローチヤートを示す
図、第7図は検出パルスの拡大図である。 CO1,CO2……コンパレータ、IH……積分
器、AD,DA……コンバータ、CC1,CC2,C
1〜C5……カウンタ、L……ラツチ。
FIG. 1 is a diagram explaining the mask and wafer of a convenient alignment device using the method of the present invention, FIG. 2 is a diagram explaining the signals detected from each pattern of the mask and wafer, and FIG. FIG. 4 is a basic block diagram of the alignment device, FIG. 4 is a partially detailed diagram thereof, FIG. 5 is an explanatory diagram of its operation, FIG. 6 is a diagram showing its flowchart, and FIG. 7 is an enlarged diagram of detected pulses. CO1, CO2...Comparator, IH...Integrator, AD, DA...Converter, CC1, CC2, C
1-C5...Counter, L...Latch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マスク、ウエハーに設けられた位置合せ用パ
ターンを走査線に沿つて走査し、この走査によつ
て得られた走査信号に基づきマスクとウエハーの
位置合せを行なう装置において、所望のパルス数
と前記走査信号の検出パルス数とを比較するパル
ス数比較手段と前記比較手段の制御に応答して検
出パルスのスライスレベルを設定するレベル設定
手段とを有し、前記レベル設定手段により所望の
パルス数を検出してマスクとウエハーの位置合せ
を行なうことを特徴とする位置合せ装置。 2 前記レベル設定手段は所望レベルの上限と下
限の平均レベルを算出する手段を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の位置合せ装
置。
[Claims] 1. In an apparatus that scans an alignment pattern provided on a mask or a wafer along a scanning line, and aligns the mask and the wafer based on a scanning signal obtained by this scanning, The pulse number comparing means compares a desired number of pulses with the number of detected pulses of the scanning signal, and a level setting means sets a slice level of the detected pulse in response to control of the comparing means, the level setting means 1. An alignment device that aligns a mask and a wafer by detecting a desired number of pulses. 2. The alignment apparatus according to claim 1, wherein the level setting means includes means for calculating an average level of an upper limit and a lower limit of a desired level.
JP6452777A 1977-05-31 1977-05-31 Level setting device Granted JPS53148981A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6452777A JPS53148981A (en) 1977-05-31 1977-05-31 Level setting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6452777A JPS53148981A (en) 1977-05-31 1977-05-31 Level setting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53148981A JPS53148981A (en) 1978-12-26
JPS6118857B2 true JPS6118857B2 (en) 1986-05-14

Family

ID=13260772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6452777A Granted JPS53148981A (en) 1977-05-31 1977-05-31 Level setting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS53148981A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53148981A (en) 1978-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1258517A (en) Noise rejection in a sonic transducer
US3893036A (en) Precision function generator
US20050280454A1 (en) Signal processing circuit
US3553579A (en) Apparatus for measuring the difference in phase between two signals of the same frequency, one having noise associated therewith
JPS6118857B2 (en)
JP2641100B2 (en) Wave height analyzer and wave height analysis method
JP3830366B2 (en) Data collection method and apparatus for time-of-flight mass spectrometer
JPH09166630A (en) Frequency measuring apparatus
KR100299247B1 (en) Pulse signal analysis apparatus
JP2862297B2 (en) Logic level comparison circuit
JP3089643B2 (en) Partial discharge detection device for electrical equipment
US4236067A (en) Automatic sweep circuit
JPH055514Y2 (en)
JPS5615040A (en) Mark detector
SU511162A1 (en) Photoelectric method of controlling the position of the working body of the machine
JPH04269674A (en) Apparatus for measuring length of transmission line
JPH08313566A (en) Frequency detector
JPS6349014Y2 (en)
SU453643A1 (en) METHOD OF MEASURING THE FREQUENCY OF ELECTRIC JETS
JP2545959B2 (en) Integrated circuit test equipment
JPS5950307A (en) Laser type surface inspecting device
JPS6073469A (en) Decision making system for analog signal
JPS62272380A (en) Signal detector
JPH01270677A (en) Measuring apparatus of noise
JPH0252242A (en) Disk defect detecting circuit