JPS61187140A - Photomagnetic disk - Google Patents

Photomagnetic disk

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Publication number
JPS61187140A
JPS61187140A JP60026741A JP2674185A JPS61187140A JP S61187140 A JPS61187140 A JP S61187140A JP 60026741 A JP60026741 A JP 60026741A JP 2674185 A JP2674185 A JP 2674185A JP S61187140 A JPS61187140 A JP S61187140A
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JP
Japan
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film
recording
recording layer
magneto
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60026741A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsutaro Ichihara
勝太郎 市原
Noburo Yasuda
安田 修朗
Kozo Taira
平 浩三
Hiromichi Kobori
小堀 博道
Yoshiaki Terajima
喜昭 寺島
Senji Shimanuki
島貫 専治
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to EP85307958A priority patent/EP0191226B1/en
Priority to DE8585307958T priority patent/DE3581924D1/en
Priority to KR1019850009131A priority patent/KR890004262B1/en
Publication of JPS61187140A publication Critical patent/JPS61187140A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the title photomagnetic disk having excellent oxidation resistance, a long service life and excellent characteristics by specifying the composition ratio of the rare earth element Tb to the transition metal Co in a recording layer consisting of a rare earth element-transition metal amorphous alloy thin film. CONSTITUTION:An interference film 2, a TbCo film as a recording layer 3 and a protective layer 6 consisting of an interference film 4 and a light reflecting layer 5 are successively formed on a resinous substrate 1 having guide groove for tracking to constitute a photomagnetic disk. The composition ratio of Tb to Co in the recording layer 3 is regulated to 21-30(at%). Consequently, a photomagnetic disk having excellent oxidation resistance, a long service life and excellent characteristics can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、基板面に対し垂直な方向に磁化容易軸を有す
る希土類−遷移金属非晶質合金WIIIIIを記録層と
する書き換え可能型の光磁気ディスクに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a rewritable type magneto-optical device whose recording layer is a rare earth-transition metal amorphous alloy WIII having an axis of easy magnetization perpendicular to the substrate surface. Regarding discs.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

希土類−遷移金属非晶質合金薄膜(RE−7M膜と略記
する)は、(a)安価な基板上にスパッタリング法・真
空蒸着法等の工業的応用が容易な成膜法によって垂直磁
化膜を形成できる。
A rare earth-transition metal amorphous alloy thin film (abbreviated as RE-7M film) is produced by (a) forming a perpendicularly magnetized film on an inexpensive substrate by a film-forming method that is easy to apply industrially, such as sputtering or vacuum evaporation; Can be formed.

(b)システム的に有利な半導体レーザ等からの低パワ
ー光ビームの照射により記録・消去ができる。(C)非
晶質であるので粒界雑音のない記録用レーザビームのス
ポット形状と同一形状の記録ビットが形成できる9等の
利点を有するため、書き換え可能型の光磁気ディスクの
記録層材料として最も実用化が有望視され、各所で開発
が試みられている。
(b) Recording and erasing can be performed by irradiation with a low-power light beam from a semiconductor laser or the like, which is advantageous from a system perspective. (C) Since it is amorphous, it has the advantage of being able to form recording bits with the same shape as the spot shape of the recording laser beam without grain boundary noise, so it can be used as a recording layer material for rewritable magneto-optical disks. It is considered to be the most promising for practical application, and development efforts are being made in various places.

上述した(a)〜(C)の特徴は、希土類元素(RE)
としてGd、Tb、Dy、Hoを、また遷移金属元素(
TM)としてFe、Coを各々使用し、それらの組合せ
からなるRE−7M膜に対して一般的に有する特性であ
るが、より具体的なメモリ特性はREとTMとの組合せ
に大きく依存して異なる。これらのうち、希土類元素と
してDy、Hoを主成分とするRE−7M膜は、再生信
号に寄与するカー回転角が不十分であり、光磁気ディス
クの記録層としては実用的な優位性がないため、以下、
希土類元素としてGd、Tb、遷移金属元素としてFe
、Goに元素の種類を絞って論することとする。
The characteristics of (a) to (C) above are rare earth elements (RE)
as Gd, Tb, Dy, Ho, and transition metal elements (
This is a characteristic generally possessed by an RE-7M film made of a combination of Fe and Co used as TM), but the more specific memory characteristics largely depend on the combination of RE and TM. different. Among these, the RE-7M film, whose main components are Dy and Ho as rare earth elements, has an insufficient Kerr rotation angle that contributes to the reproduced signal, and has no practical advantage as a recording layer for magneto-optical disks. Therefore, below,
Gd, Tb as rare earth elements, Fe as transition metal element
, Go will be narrowed down to the types of elements discussed.

これまでに書き換え可能型光磁気ディスクにおける記録
層として開発された主なRE−7M膜材料には、GdC
o、GdTbCo (GdTb中に占めるTbの組成成
分比が30at0%以下)。
The main RE-7M film materials developed so far as recording layers in rewritable magneto-optical disks include GdC.
o, GdTbCo (composition ratio of Tb in GdTb is 30at0% or less).

TbFe、TbFeCo (FeCo中に占めるCoの
組成成分比が15at0%以下)。
TbFe, TbFeCo (compositional component ratio of Co in FeCo is 15at0% or less).

GdTbFe等があるが、これらの材料を用いた場合に
は以下の問題点がある。例えばTbFe。
There are GdTbFe and the like, but when these materials are used, there are the following problems. For example, TbFe.

TbFeCo、GdTbFeを記録層とした場合、キュ
ーリ一温度が高々250℃程度であるので記録・消去特
性上はかなり有利となる反面、Feを主成分としている
ためにメモリとして基本的に重要な長期保存性の確立が
本来的に困難となる。
When TbFeCo or GdTbFe is used as a recording layer, the Curie temperature is at most about 250°C, so it is quite advantageous in terms of recording and erasing characteristics, but since Fe is the main component, long-term storage is fundamentally important for memory. Establishing sexuality is inherently difficult.

光デイスクメモリの場合、記録・再生用光ビームの焦点
近傍に存在するゴミがエラーレイトを著しく増大させる
ことから、光ビームは基板面側から入射するのが有利で
あることが一般に知られている。上記したFeを遷移金
属元素の主成分とする材料を記録層に使用した光磁気デ
ィスクにおいても、記録層の基板面側と反対側の面に実
用上十分なメモリ寿命を実現する酸化防止膜を保護層と
して形成することは可能であるが、ディスク製造プロセ
スが複雑化する。すなわち、RE−7M膜の利点の一つ
がスパッタ法、真空蒸着法といった工業的応用の容易な
手段で形成できる点にある既に述べた通りであるが、こ
の利点を活かす上ではRE−TM膜形成後に成膜する酸
化防止膜の形成もドライプロセスではスパッタ法、真空
蒸着法を適用できなければ価値が乏しいものとなり、ま
たRE−TMII!+7)形成後は基板温度をRE−T
MIIの結晶化温度より低い温度に抑えながら酸化防止
膜を形成しなければならない。しかしながら、基板を低
温に保持してスパッタ法、真空蒸着法によりピンホール
の無い良質の酸化防止膜を形成するのはもともと困難で
あるので、ウェットプロセスによるモールド材の形成等
が必要となり、酸化防止膜形成プロセスは複雑化を回避
し得ない。さらに、このような酸化防止膜の形成は、デ
ィスクのコスト上昇を招くという欠点がある他、実用上
不可決とされる光ヘツドガイドのためのトラッキング用
案内溝を容易に形成し易いアクリル、ポリカーボネイト
等の透明樹脂材料を基板として使用する場合に、基板を
透過する外気による酸化が問題となり、かつ基板とRE
−7M膜との間は記録・再生用光ビームの入射側となる
ことから光学的機能を有する酸化防止膜以外は形成でき
ない。従って、前記したl”eを主成分とするRE−7
M膜を記録層とする光磁気ディスクにおいては長期保存
性の確立は極めて困難であるという問題点がある。
In the case of optical disk memories, it is generally known that it is advantageous for the light beam to enter from the substrate surface side, as dust present near the focal point of the recording/reproducing light beam significantly increases the error rate. . Even in magneto-optical disks in which the recording layer is made of a material containing Fe as the main component of the transition metal element mentioned above, an oxidation-preventing film is provided on the surface of the recording layer opposite to the substrate surface to achieve a practically sufficient memory life. Although it is possible to form it as a protective layer, it complicates the disc manufacturing process. In other words, as mentioned above, one of the advantages of the RE-7M film is that it can be formed by easy industrial methods such as sputtering and vacuum evaporation. The formation of the anti-oxidation film that will be formed later will be of little value in dry processes unless sputtering or vacuum evaporation can be applied, and RE-TMII! +7) After formation, set the substrate temperature to RE-T.
The anti-oxidation film must be formed while keeping the temperature lower than the crystallization temperature of MII. However, it is inherently difficult to maintain the substrate at a low temperature and form a high-quality anti-oxidation film without pinholes by sputtering or vacuum evaporation, so it is necessary to form a molding material using a wet process, which prevents oxidation. Membrane formation processes cannot avoid complications. Furthermore, the formation of such an oxidation-preventing film has the disadvantage of increasing the cost of the disc, and it is also difficult to use acrylic or polycarbonate, in which it is easy to form a tracking guide groove for an optical head guide, which is impractical in practice. When transparent resin materials such as
Since the space between the -7M film and the recording/reproducing light beam is on the incident side, it is impossible to form anything other than an antioxidant film having an optical function. Therefore, RE-7 whose main component is the above-mentioned l''e
A magneto-optical disk having an M film as a recording layer has a problem in that it is extremely difficult to establish long-term storage stability.

これらの問題点については、後述する実施例の中で説明
する発明者等の行なった実験結果からも明らかとなろう
These problems will become clear from the results of experiments conducted by the inventors, which will be explained in the Examples described below.

さらに、前記した従来の光磁気ディスクにおける記録層
に用いられるRE−7M膜のうち、GdCo、GdTb
Coに対しては遷移金属元素としてFeを使用していな
いので、低温スパッタリング法によって形成した酸化防
止膜を被覆する程度の酸化防止対策によって、実用上の
寿命は達成され得る。しかし反面、記録層を成膜する際
に真空蒸着法では垂直磁化膜が得られず、またスパッタ
リング法では基板への熱負荷が過大となるバイアス・ス
パッタリング法でなければ垂直磁化膜が得られないため
、実用上有利な樹脂基板を用いた際、基板への熱負荷が
問題となる。さらに、これらのRE−7M膜は材料の本
来持っている常温近傍における保磁力の大きさが、補償
組成付近の極めて限定された組成範囲以外は記録ビット
を安定に保持する上で不十分であり、大面積の基板に均
一な特性の記録層が形成しにくいという問題点がある。
Furthermore, among the RE-7M films used in the recording layer of the conventional magneto-optical disk described above, GdCo, GdTb
Since Fe is not used as a transition metal element for Co, a practical life span can be achieved by taking anti-oxidation measures such as coating with an anti-oxidation film formed by low-temperature sputtering. However, on the other hand, when forming the recording layer, a perpendicularly magnetized film cannot be obtained using the vacuum evaporation method, and a perpendicularly magnetized film cannot be obtained unless the sputtering method places an excessive heat load on the substrate using bias sputtering. Therefore, when a practically advantageous resin substrate is used, heat load on the substrate becomes a problem. Furthermore, the coercive force inherent in these RE-7M films near room temperature is insufficient to stably hold recorded bits except in a very limited composition range near the compensation composition. However, there is a problem in that it is difficult to form a recording layer with uniform characteristics on a large-area substrate.

このように、従来より書き換え可能型光磁気ディスクの
記録層として開発が進められているRE−7M膜は、■
 長期保存性、■ 樹脂基板を使用できる。■ 大面積
の基板上に均一な特性の記録層を形成できる。といった
要求を同時に満たすことは難しく、いずれも実用に供し
得るには大きな問題を抱えている。
In this way, the RE-7M film, which has been developed as a recording layer for rewritable magneto-optical disks, has the following characteristics:
Long-term shelf life, ■ Resin substrate can be used. ■ A recording layer with uniform characteristics can be formed on a large-area substrate. It is difficult to satisfy these requirements at the same time, and there are major problems in putting any of them into practical use.

発明者らは上述した従来のRE−7M膜の問題を解決す
べく、遷移金属元素にそれ自体で耐酸化性に優れるCo
を用い、これに希土類元素としてTbを組合わせ、基板
への熱負荷の小さい無バイアス・スパッタリング法また
は真空蒸着法によって常温近傍の保磁力が十分大きな垂
直磁化膜となり得るRE−7M膜であるTbCo膜を記
録層とする光磁気ディスクについて既に提案している(
第8回日本応用磁気学会学術講演要旨集148B−11
1984年11月)。この報告においては、TbCo膜
の組成成分比、膜厚、および最適なディスク構造等につ
いての詳細な検討はなされていない。また、例えば特公
昭54−41179号公報においても記録層に使用し得
るRE−7M膜の一つとしてTbCo膜が例示されてい
るが、やはり好ましい組成条件等については開示されて
いない。しかし、これらは実用に供し得る光磁気ディス
クを実際に提供しようとする場合、無視することのでき
ない重要な要素であり、特に組成成分比については、記
録層の保磁力、記録感度等に直接大きな影響を与えると
考えられ、その最適化は極めて重要である。
In order to solve the problems of the conventional RE-7M film mentioned above, the inventors added Co, which itself has excellent oxidation resistance, to the transition metal element.
TbCo is an RE-7M film that can be made into a perpendicular magnetization film with a sufficiently large coercive force near room temperature by combining this with Tb as a rare earth element and using a non-bias sputtering method or a vacuum evaporation method that places a small heat load on the substrate. We have already proposed a magneto-optical disk with a film as the recording layer (
8th Japanese Society of Applied Magnetics Academic Lecture Abstracts 148B-11
November 1984). In this report, there is no detailed study of the composition ratio, film thickness, optimal disk structure, etc. of the TbCo film. Further, for example, Japanese Patent Publication No. 54-41179 also exemplifies a TbCo film as one of the RE-7M films that can be used for the recording layer, but it does not disclose preferable composition conditions. However, these are important factors that cannot be ignored when trying to actually provide a magneto-optical disk that can be put to practical use.In particular, the composition ratio has a direct effect on the coercive force, recording sensitivity, etc. of the recording layer. This is thought to have a significant impact, and its optimization is extremely important.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、耐酸化性に優れ長寿命であり、さらに
特性の良好な光磁気ディスクを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magneto-optical disk with excellent oxidation resistance, long life, and good characteristics.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明はこの目的を達成するため、基板と、この基板上
に形成され、該基板面に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する希土類−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録
層と、この記録層の前記基板面側と反対側の面上に形成
された保護層とを備えた光磁気ディスクにおいて、記録
層中の希土類元素をTb、遷移金属元素をCoとし、さ
らに該記録層中に占めるTbの組成成分比を 21[at、%]〜30[at0%]の範囲に選定する
ことを特徴とする。
In order to achieve this object, the present invention includes a substrate, a recording layer formed on the substrate and made of a rare earth-transition metal amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the surface of the substrate; In this magneto-optical disk including a protective layer formed on the surface of the recording layer opposite to the substrate surface, the rare earth element in the recording layer is Tb, the transition metal element is Co; It is characterized in that the compositional component ratio of Tb in the composition is selected in the range of 21 [at, %] to 30 [at 0%].

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、記録層を構成するRE−7M膜として
のTbC0膜が遷移金属元素としてそれ自体が耐酸化性
に富むGoを用いているため、Fe等を使用したものに
比べて格段に長寿命である。また、TbCo膜は遷移金
属元素にCoを用いた他のRE−7M膜、例えばGdC
o膜等と異なり、基板への熱負荷の小さい無バイアス・
スパッタリング法や真空蒸着法によって容易に垂直磁化
膜を得ることができるため、種々の面で実用上好ましい
樹脂基板を問題なく使用することが可能である。しかも
、遷移金属元素であるTbの組成成分比の非常に広い範
囲にわたって、十分な保磁力を持つ垂直磁化膜が得られ
るため、実際に使用される大面積の基板上に記録層を成
膜する場合でも、容易に均一な特性が得られる。
According to the present invention, the TbC0 film as the RE-7M film constituting the recording layer uses Go, which itself has high oxidation resistance, as a transition metal element, so it has a much higher performance than a film using Fe or the like. It has a long lifespan. In addition, the TbCo film can be used with other RE-7M films using Co as the transition metal element, such as GdC.
Unlike O films, etc., it is a non-bias film with a small heat load on the substrate.
Since a perpendicular magnetization film can be easily obtained by a sputtering method or a vacuum evaporation method, it is possible to use a resin substrate which is practically preferable in various aspects without any problems. Moreover, since a perpendicularly magnetized film with sufficient coercive force can be obtained over a very wide range of compositional ratios of Tb, which is a transition metal element, it is possible to form a recording layer on a large-area substrate that is actually used. Uniform characteristics can be easily obtained even in cases where

さらに、本発明においてはこのようなTbC。Furthermore, in the present invention, such TbC.

膜の本質的な特徴に加え、特にTbCo膜におけるTb
の組成成分比を上述の範囲に選ぶことによって、低パワ
ー光ビームの照射と比較的低い補助磁界の印加とによっ
て、光ビームのスポットサイズと同等の記録ビットを安
定に得ることが可能となる。すなわち、記録の安定性お
よび記録感度が高く、優れた動特性が得られるという利
点がある。
In addition to the essential characteristics of the film, especially Tb in the TbCo film
By selecting the composition ratio within the above-mentioned range, it becomes possible to stably obtain recording bits equivalent to the spot size of the light beam by irradiating the low power light beam and applying a relatively low auxiliary magnetic field. That is, there are advantages in that recording stability and recording sensitivity are high, and excellent dynamic characteristics can be obtained.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第1図は本発明の一実施例に係る光磁気ディスクの構
造を示す断面図である。この図において、基板1は記録
・再生のための光学ヘッドをガイドするためのトラッキ
ング用案内溝を有するアクリル板等の樹脂基板である。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a magneto-optical disk according to an embodiment of the present invention. In this figure, a substrate 1 is a resin substrate such as an acrylic plate having a tracking guide groove for guiding an optical head for recording and reproducing.

この基板1上に第1の干渉層2が形成され、この干渉層
2上に記録層3としてのTbCo膜が形成されている。
A first interference layer 2 is formed on this substrate 1, and a TbCo film as a recording layer 3 is formed on this interference layer 2.

また、この記録層3の上に第2の干渉層4および光反射
層5が順次形成されている。これら第2の干渉層4およ
び光反射層5は、記録層3に対する保護層6を構成する
Further, a second interference layer 4 and a light reflection layer 5 are sequentially formed on this recording layer 3. These second interference layer 4 and light reflection layer 5 constitute a protective layer 6 for the recording layer 3.

第1および第2の干渉層2,4は、例えばSigN+の
スパッタ膜からなり、また光反射層5はA℃蒸着膜から
なる。
The first and second interference layers 2 and 4 are made of, for example, SigN+ sputtered films, and the light reflection layer 5 is made of an A.degree. C. vapor-deposited film.

以下、この構造の本発明に基く光磁気ディスクの有用性
を調べるために行なったいくつかの実験例について説明
する。
Below, several experimental examples conducted to investigate the usefulness of the magneto-optical disk based on the present invention having this structure will be described.

LLL二 実験例1においては、種々のRE−TMI!l材料自体
の耐酸化性を評価する目的で行なった実験の結果につい
て述べる。既に、RE−7M膜の中では遷移金属元素と
してCoを主成分とするものの方が、Feを主成分とす
るものに比べて耐酸化性に優れるという定性的な報告例
はあるので、発明者等は遷移金属としてFe、Fe、。
In LLL2 Experimental Example 1, various RE-TMI! The following describes the results of an experiment conducted for the purpose of evaluating the oxidation resistance of the material itself. There have already been qualitative reports that RE-7M films containing Co as the main component as a transition metal element have better oxidation resistance than those containing Fe as the main component. etc. are Fe, Fe, etc. as transition metals.

−Co2゜。-Co2°.

Fe、。−Co5゜、Co(添字は遷移金属中に占める
FeまたはCoの原子比)を用いた TbFeCo垂直磁化膜ト、 (Gd、。Tb、。)Co垂直磁化膜について定量的な
寿命評価を行ない、次いでTbFe。
Fe,. A quantitative lifetime evaluation was performed on a TbFeCo perpendicularly magnetized film using -Co5°, Co (the subscript is the atomic ratio of Fe or Co in the transition metal), (Gd, .Tb, .)Co perpendicularly magnetized film, Then TbFe.

Tb (Fe8.Go、。>、TbCoについてスパッ
タリング法で酸化防止層を設けた媒体について寿命評価
を行なったので、それらについて述べる。
Life evaluations were performed on media with anti-oxidation layers formed by sputtering for Tb (Fe8.Go, .>, TbCo), and these will be described below.

第2図は、%]角、1.5履厚のガラス基板上に各々1
000人のRE−7M膜をスパッタリング法によって成
膜したサンプルを70℃、85%R,H,に維持した恒
温恒湿槽中に放置し、随時、恒温恒湿槽から取り出して
サンプルの反射率をRE−TMM面側から830 nm
の波長に対する鏡面反射率(A℃蒸着膜に対する相対値
)をキャリー−12を用いて測定した寿命評価結果であ
る。
In Figure 2, 1.5% square and 1.5mm thick glass substrate are each
A sample of 000 RE-7M film formed by sputtering method was left in a constant temperature and humidity chamber maintained at 70°C and 85% R and H, and was taken out from the constant temperature and humidity chamber at any time to measure the reflectance of the sample. 830 nm from the RE-TMM surface side
These are the life evaluation results obtained by measuring the specular reflectance (relative value to the A.degree. C. vapor deposited film) with respect to the wavelength using Carry-12.

RE−7M膜を記録層とする光磁気記録媒体においては
反射光を利用して再生を行なうので、光反射率は重要な
数値であり、成膜後、長期に亘り反射率の変化の少ない
RE−7M膜のみが実用上の寿命を有するとみなすこと
ができる。
In a magneto-optical recording medium with an RE-7M film as a recording layer, reflected light is used for reproduction, so optical reflectance is an important value. Only the -7M membrane can be considered to have a practical lifetime.

この第2図から明らかなように、本発明に係るTbCo
膜は寿命評価したRE−7M膜の中で最も光反射率の低
下が少なく、次いで (Gdao T bzo ) Co膜およびTb (F
e、o C05o)膜が続き、Tb(FeSoCo2゜
)膜およびTbFe膜の光反射率の低下は著しい。これ
らのうち Tb (Feao C02o)膜と丁bFellについ
ては、各々40時間及び10時間の70℃、85%R0
H6の雰囲気放置後は膜面に一目瞭然の腐蝕部が露呈し
、IC)00人の膜厚方向に亘り基板面側にまで酸化が
進行することがわかった。第3図は70℃、85%R,
H,雰囲気に10時間放置した後のTbFe躾表面の金
属組織を示す写真であり、この写真で枝状の黒化部はオ
ージェ電子分光法による分析の結果、膜厚方向全域に亘
って酸化されていることが確認されている。
As is clear from FIG. 2, TbCo according to the present invention
The film showed the least decrease in light reflectance among the RE-7M films whose lifetime was evaluated, followed by the (Gdao T bzo ) Co film and the Tb (F
e, o C05o) films followed, and the light reflectance of the Tb (FeSoCo2°) film and TbFe film decreased significantly. Among these, Tb (Feao CO2o) membrane and TbFell were treated at 70°C and 85% R0 for 40 hours and 10 hours, respectively.
After being left in the H6 atmosphere, obvious corroded areas were exposed on the film surface, and it was found that oxidation progressed in the thickness direction of the IC)00 film to the substrate surface side. Figure 3 shows 70℃, 85%R,
This is a photograph showing the metallographic structure of the TbFe film surface after being left in an atmosphere for 10 hours. In this photograph, the branch-like blackened parts were oxidized throughout the film thickness direction as a result of analysis by Auger electron spectroscopy. It has been confirmed that

このように、RE−7M膜の中では本発明に係るTbC
o膜と、遷移金属元素中に占めるCoの組成成分比が5
0[at、%1以上のTbFeC。
In this way, in the RE-7M film, TbC according to the present invention
The composition ratio of Co in the O film and the transition metal element is 5.
TbFeC of 0 [at, %1 or more.

膜と、QC1下bco!14がRE−TM膜膜層層の寿
命がFe系の膜に比べて格段に長いことが理解されよう
Membrane and QC1 lower bco! It will be understood that the lifetime of the RE-TM film layer 14 is much longer than that of the Fe-based film.

第4図の写真は、%]角、1.5l厚のガラス基板上に
各々i ooo人のTbCo膜。
The photographs in FIG. 4 are of a TbCo film of 100% square and 1.5L thick on a glass substrate.

TE) (F e a 6 Cot。)膜、TbFe1
lをスパッタリング法により成膜し、それらの上に10
00人の3i3N+!I化防止膜をスパッタリング法に
よりオーバーコートしたサンプルを70℃、85%R,
H,の恒温恒湿槽中に100時間放置した後の各サンプ
ルの表面の金属組織を示したものである。第4図で(a
)がTbCo膜、(b)がTb (Fe、oCo、。)
!、(c)がTbFe膜である。TbCo膜を使用した
サンプルでは何ら変質がみられないのに対し、Tb (
FesoCoto)膜およびTbFe膜を使用したサン
プルでは、Si3N+オーバーコート膜の付着が不十分
となっているエツジ部から、膜の酸化が著しく進行する
ことが明瞭である。従って、Feを遷移金属元素の主成
分としたRE−7M膜を用いて大面積の基板上に長寿命
の記録層を実現するためには、ピンホールのない強固な
酸化防止膜を形成しなければならないものと判断できる
。このことは前述したように、基板面側から記録・再生
用光ビームを入射し、さらに基板として樹脂材料を使用
するという実用上望ましい態様を実施しようとする場合
には、遷移金属元素の主成分としてFeを用いたR E
 −TMIIIと基板との間に、光学的特性が良好でピ
ンホールのない強固な酸化防止層を介在させなければな
らないということであり、その実現性が困難になること
が推測される。
TE) (F e a 6 Cot.) membrane, TbFe1
1 by sputtering method, and 10
00 people's 3i3N+! A sample overcoated with an anti-I film by sputtering was heated at 70°C, 85% R,
This figure shows the metal structure of the surface of each sample after being left in a constant temperature and humidity chamber for 100 hours. In Figure 4 (a
) is a TbCo film, (b) is a Tb (Fe, oCo,.)
! , (c) is a TbFe film. While no deterioration was observed in the sample using TbCo film, Tb (
In the samples using the FesoCoto and TbFe films, it is clear that the oxidation of the films significantly progresses from the edges where the Si3N+ overcoat film is insufficiently adhered. Therefore, in order to realize a long-life recording layer on a large-area substrate using an RE-7M film containing Fe as the main transition metal element, it is necessary to form a strong anti-oxidation film without pinholes. It can be determined that it is necessary. As mentioned above, when attempting to implement a practically desirable embodiment in which the recording/reproducing light beam is incident from the substrate surface side and furthermore, a resin material is used as the substrate, it is necessary to R E using Fe as
- It is necessary to interpose a strong anti-oxidation layer with good optical properties and no pinholes between the TMIII and the substrate, and it is assumed that this will be difficult to realize.

11L 実験例2においては、上記した実験例1から実用的寿命
を達成し得るR E −TMIIIとの結論が得られた
本発明に係るTbCo膜と、 Tb(Fe<、。Co>、。)膜とを挙げ、寿命以外の
観点から見た本発明に係るTbCo11のTb(Fe<
g。Co> *・)躾に対する優位性を明らかにする。
11L In Experimental Example 2, the TbCo film according to the present invention, which was concluded from Experimental Example 1 described above to be RE-TMIII that can achieve a practical life, and Tb(Fe<,.Co>,.) Tb(Fe<
g. Co> *・) Clarify the superiority over discipline.

第5図は酸化膜付きのSi基板上に、各々1000人厚
のTbCo、Tb (Fes。Co、。)。
FIG. 5 shows TbCo and Tb (Fes.Co, .) each having a thickness of 1000 mm on a Si substrate with an oxide film.

Tb(Fe、。Go、、)各膜をスパッタリング法によ
り形成し、それに続いてSi3N<酸化防止膜を保護層
としてスパッタリング法によりオーバーコートしたサン
プルを、発生最大磁界強度10[kOe]の電磁石中に
、350℃まで加熱可能なサンプルホルダに保持した状
態で設置し、He−Neレーザからのレーザビームを偏
光子(グラントムソン・プリズムを使用)により直線偏
光にしてサンプル膜面側から照射し、反射光のカーヒス
テリシスループを検光子(グラントムソン・プリズムを
使用)を通して測定し、その結果がら導き出した前記3
種類のRE−TMIIの保持力が1[kOe]以下とな
る膜温度を示した図である。
A sample in which a Tb (Fe, . The sample was placed in a sample holder that can be heated up to 350°C, and the laser beam from the He-Ne laser was converted into linearly polarized light using a polarizer (using a Glan-Thompson prism) and irradiated from the sample film side. The Kerr hysteresis loop of the reflected light was measured through an analyzer (using a Glan-Thompson prism), and the above 3 was derived from the results.
FIG. 3 is a diagram showing the film temperature at which the retention force of RE-TMII of the type becomes 1 [kOe] or less.

半導体レーザによる記録・消去を高感度で実現するため
には、RE−7M膜の保磁力の大きさが、数100℃で
小さな記録・消去用補助磁石により供給できる数100
[Oe]以下となることが必要である。例えば保磁力が
1 [kOe]以下に低下する膜温度は記録感度の1つ
の目安となり、この温度が低いほど感度が良好とみなす
ことができる。第5図から明らかなように、 Tb (FesoCo5o)とTb (Fezo C0
ao> ハ、本発明に係るTbCo膜に比較して記録・
消去温度が高く、TbCo膜の有用性が明らかである。
In order to realize highly sensitive recording and erasing using a semiconductor laser, the coercive force of the RE-7M film must be several hundred degrees, which can be supplied by a small recording and erasing auxiliary magnet at several hundred degrees Celsius.
It is necessary that it be below [Oe]. For example, the film temperature at which the coercive force decreases to 1 [kOe] or less is a measure of recording sensitivity, and it can be considered that the lower this temperature is, the better the sensitivity is. As is clear from Fig. 5, Tb (FesoCo5o) and Tb (FezoC0
ao> C. Compared to the TbCo film according to the present invention, recording and
The erase temperature is high, and the usefulness of the TbCo film is clear.

さらに、2元系合金と3元系合金では3元系合金の方が
製造しにくいという点からも、RE−7M膜における遷
移金属元素としてcoを用いた本発明に係るTbCo膜
が有利なのである。
Furthermore, the TbCo film according to the present invention, which uses co as the transition metal element in the RE-7M film, is advantageous because ternary alloys are more difficult to manufacture than binary alloys and ternary alloys. .

実験例3においては遷移金属としてcoを用い、長寿命
でかつ記録感度の良いRE −TMIIIについて、本
発明に係るTbCo1!Iと、従来技術に基くGdCo
膜および(GdBTl)to)Co膜との比較を行ない
、本発明に係るTbCo膜の優位性を明らかにする。
In Experimental Example 3, co is used as the transition metal, and RE-TMIII, which has a long life and good recording sensitivity, is used for TbCo1! according to the present invention. I and GdCo based on conventional technology
The superiority of the TbCo film according to the present invention will be clarified by comparing the film and the (GdBTl)to)Co film.

第6図は、81基板上に各々1000人のTbCo膜、
GdCo膜および (GdsoTbz。)Co膜をスパッタリング法によっ
て成膜し、ICPC光発光分光法る組成分析の結果と、
常温下におけるカーヒステリシス・ループの測定結果か
ら導出した膜組成と常温保磁力Hcとの関係を示す図で
ある。但し、TbCo膜は無バイアス・スパッタリング
法で、またGdCo膜および(Gd8゜Tb、o)Co
膜については基板に一150■のバイアスを印加するバ
イアス・スパッタリング法を適用した。これはGdCo
膜と(Gd8゜Tb、。)Co膜にライては、無バイア
ス・スパッタリング法によっては垂直磁化膜の作成が困
難なためである。
Figure 6 shows 1000 TbCo films on 81 substrates,
Results of compositional analysis of GdCo film and (GdsoTbz.)Co film formed by sputtering method and ICPC optical emission spectroscopy,
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between film composition and room temperature coercive force Hc derived from the measurement results of Kerr hysteresis loops at room temperature. However, the TbCo film was prepared using a non-bias sputtering method, and the GdCo film and (Gd8°Tb,o)Co
For the film, a bias sputtering method was applied in which a bias of -150 μm was applied to the substrate. This is GdCo
This is because it is difficult to create a perpendicularly magnetized film on the (Gd8°Tb, .)Co film using the non-bias sputtering method.

RE −TMIIIの常温下における保磁力の大きさは
、微小ビットの安定性の上から数[kOe]以上の大き
な値を有することが必要とされているが、第6図から明
らかなように、本発明に係るTbC0躾の場合は躾に占
めるTbの組成成分比の幅広い領域13[at、%]〜
30[at、%]に亘り、保磁力が2 [kOe]以上
の垂直磁化膜を得られる。これに対し、(Gd、。Tb
、。)Co膜では(Gds。Tbt。)の組成成分比が
補償組成の約23.5 [at9%]を中心に±1.5
[at、%]の狭い組成領域においてのみ保磁力が2 
[kOe]以上の垂直磁化膜が得られ、さらにGdCo
躾に至ってはGdの組成成分比が補償組成の約25[a
t、%コずれると、実用上不十分な保磁力しか有し得な
いことがわかる。従って、従来のGdC0膜、  (G
d、。Tb、。)Co膜では、微小記録ビットが安定し
て存在し得るような希土類元素の組成成分比の許容領域
が極めて狭く、大面積に亘る組成の均一性を含めた組成
制御を厳格に行なわなければならないという問題がある
The magnitude of the coercive force of RE-TMIII at room temperature is required to have a large value of several [kOe] or more in order to ensure the stability of minute bits, but as is clear from Fig. 6, In the case of TbC0 discipline according to the present invention, the composition ratio of Tb in the discipline ranges from 13 [at, %] to
A perpendicularly magnetized film having a coercive force of 2 [kOe] or more can be obtained over a range of 30 [at, %]. On the other hand, (Gd, .Tb
,. ) In the Co film, the composition ratio of (Gds.Tbt.) is ±1.5 around the compensation composition of about 23.5 [at9%].
Only in a narrow compositional region of [at,%], the coercive force is 2
A perpendicular magnetization film of [kOe] or more can be obtained, and GdCo
When it comes to discipline, the compositional ratio of Gd is about 25[a] of the compensation composition.
It can be seen that if t and % deviate, the coercive force is insufficient for practical use. Therefore, the conventional GdC0 film, (G
d. Tb,. ) In Co films, the allowable range of rare earth element composition ratios in which minute recording bits can stably exist is extremely narrow, and the composition must be strictly controlled, including composition uniformity over a large area. There is a problem.

G d Co IIと(GdTb)Co膜(RE中に占
めるTbの組成成分比が30at0%以下)に対するそ
の他の問題は、上述したようにバイアス・スパッタリン
グ法(基板バイアス電圧は−100V〜−200Vが通
常である)を適用しなければ垂直磁化膜が得られにくい
という点にあり、光磁気ディスクとしてコスト面および
トラッキング用案内溝の形成のし易さから有利なアクリ
ル等の樹脂基板を使用した場合、基板がバイアス・スパ
ッタリングによる成膜工程中の熱負荷に耐えられないと
いうところにある。
Other problems with G d Co II and (GdTb)Co films (component ratio of Tb in RE is 30at0% or less) can be solved by bias sputtering method (substrate bias voltage is -100V to -200V), as mentioned above. However, it is difficult to obtain a perpendicularly magnetized film unless the magneto-optical disk is used (which is usually the case).However, when using a resin substrate such as acrylic, which is advantageous in terms of cost and ease of forming tracking guide grooves, as a magneto-optical disk. The problem is that the substrate cannot withstand the heat load during the film formation process by bias sputtering.

これらから、RE−7M膜における希土類元素としては
、2元系の3元系に比べた作り易さも考慮して本発明の
ごと<Tbを使用することが望ましい。
From these considerations, it is desirable to use <Tb as the rare earth element in the RE-7M film, as in the present invention, taking into consideration the ease of manufacturing compared to the binary system and the ternary system.

以上、実験例1.2.3において本発明に係るTbC0
IIと、従来より開発が進められているR E −TM
IIとの比較実験結果について詳述し、結論として本発
明のTbCo膜は、(a)Feを遷移金属元素の主成分
とするRE−7M膜を記録層とする光磁気ディスクの持
っているメモリー寿命の問題点を解決する。(b)Co
を遷移金属元素の主成分としcoの他にl”eを遷移金
属元素として含有するTb (FeGO)膜を記録層と
する従来の光磁気ディスクに対して高感度である。
As described above, in Experimental Example 1.2.3, TbC0 according to the present invention
II and R E-TM, which has been under development for some time.
The results of a comparative experiment with II are detailed, and the conclusion is that the TbCo film of the present invention has the following advantages: Solve the problem of lifespan. (b) Co
It has high sensitivity compared to a conventional magneto-optical disk whose recording layer is a Tb (FeGO) film containing Co as a main component as a transition metal element and l''e as a transition metal element in addition to Co.

(C)遷移金属元素にcoを用いた従来のRE−7M膜
であるGdCo111.GdTbCo膜を記録層とする
光磁気ディスクの持っている大面積にわたる均一化が困
難という問題を解決する2等の有用性のある記録層であ
ることを明確にし、特に光磁気デ、rスクの基板材料と
してコスト面等から有利な樹脂材料を使用した光磁気デ
ィスクにおいて特にその効果が顕著であることを明らか
にした。
(C) GdCo111, which is a conventional RE-7M film using co as the transition metal element. It has been clarified that GdTbCo film is a highly useful recording layer that solves the problem of difficulty in achieving uniformity over a large area of magneto-optical disks, and is particularly useful for magneto-optical disks and R disks. It has been revealed that this effect is particularly remarkable in magneto-optical disks that use resin materials, which are advantageous in terms of cost, as the substrate material.

そこで、以下の実験例においては本発明に基くT b 
Co 11を記録層とする光磁気ディスクに焦点を絞り
、特に記録層の組成、膜厚およびディスク構造の最適化
について発明者らが行なった実験結果について詳述する
Therefore, in the following experimental examples, T b based on the present invention
Focusing on a magneto-optical disk with a Co 11 recording layer, the inventors will specifically explain in detail the results of experiments conducted by the inventors regarding optimization of the composition, film thickness, and disk structure of the recording layer.

11艶先 第7図は本発明に係るTbCo膜について、Tbの組成
成分比が補償組成である約21[a【6%]に対して多
い膜(以下、Tbリッチ膜という)と、少ないIII<
以下、GOリッチ躾という)とを各々1000人の厚さ
に酸化膜付きSi基板上にスパッタリング法によって形
成し、その上にSi3N+酸化防止膜を1000人スパ
ッタリング法によってオーバーコートしたサンプルにつ
いて、カーヒステリシス・ループの膜温度特性測定結果
から導出した膜保磁力と膜温度との関係を示したもので
ある。但し、カーヒステリシス・ループの測定法は、実
験例2で行なったのと同様である。第7図中には各11
1度でのカーヒステリシス・ループの概略図も併せて示
した。図に示されるように、Tbリッチ膜の場合には膜
温度が300℃以上に増加してもループは良好な角形を
有し、外部印加磁界(カーヒステリシス・ループの横軸
)に対して磁化反転が急峻に起こる。これに対し、Co
リッチ膜の場合には膜温度が100℃以上の領域でルー
プの角形が悪くなり、外部印加磁界に対して磁化反転が
緩慢に起り、さらに200’C以上の領域では垂直異方
性を失なう。この様子を明らかにするために、第7図で
はカーヒステリシス・ループにおいてカー回転角θにが
Oとなる点の外部磁界を保磁力HCとし、またカー回転
角θKが一定の値に至るに必要な外部磁界をHRとした
。理想的にはどの温度でもHC’=HRとなるべきとこ
ろ、Tbリッチ膜では理想的なのに対し、Coリッチ膜
では温度上昇時において著しくHC<HRとなっており
、磁化反転機構に不安定性があることが理解されよう。
11 Gloss Figure 7 shows the TbCo film according to the present invention, in which the compositional ratio of Tb is higher than the compensation composition of about 21 [a [6%]] (hereinafter referred to as Tb-rich film), and in the film with a lower Tb content <
The Kerr hysteretic・This shows the relationship between film coercive force and film temperature derived from the results of measuring the film temperature characteristics of the loop. However, the method for measuring the Kerr hysteresis loop was the same as that used in Experimental Example 2. In Figure 7, each 11
A schematic diagram of the Kerr hysteresis loop at 1 degree is also shown. As shown in the figure, in the case of the Tb-rich film, the loop has a good square shape even when the film temperature increases above 300°C, and the magnetization increases with respect to the externally applied magnetic field (horizontal axis of the Kerr hysteresis loop). The reversal occurs sharply. On the other hand, Co
In the case of a rich film, the squareness of the loop becomes poor in the region where the film temperature is 100°C or higher, magnetization reversal occurs slowly in response to an externally applied magnetic field, and the perpendicular anisotropy is lost in the region where the film temperature is 200°C or higher. cormorant. In order to clarify this situation, in Fig. 7, the external magnetic field at the point where the Kerr rotation angle θ becomes O in the Kerr hysteresis loop is defined as the coercive force HC, and the coercive force HC is required for the Kerr rotation angle θK to reach a constant value. The external magnetic field was defined as HR. Ideally, HC' = HR should hold at any temperature, but while this is ideal in a Tb-rich film, in a Co-rich film, HC < HR significantly when the temperature rises, and the magnetization reversal mechanism is unstable. That will be understood.

第8図はTbリッチ膜について組成を種々変化させたサ
ンプルのHC(4HR)と、膜温度との関係を示したも
のである。Tbの組成成分比の増加に従って、Hc≦1
 [kOlとなる膜温度が上昇することがわかる。すな
わち、Tbの組成成分比が大の膜はど記録感度は悪くな
ると判断できる。
FIG. 8 shows the relationship between HC (4HR) and film temperature for samples with various compositions of Tb-rich films. As the composition ratio of Tb increases, Hc≦1
[It can be seen that the film temperature at kOl increases. In other words, it can be determined that a film with a large Tb composition ratio has poor recording sensitivity.

以上は静的評価についてであるが、次に動的特性を調べ
るために、直径200 pm 、厚さ1.5amのアク
リル基板上に種々の組成のTbCo膜を形成した。具体
的には組成式をTbxCot−xと表わしたときのX、
すなわちTbCo膜に占めるCrt)の組成成分比をx
=15[at、%〕、17[at、  %]、19[a
t、  %]、21[at0%]。
The above was about static evaluation, but next, in order to examine dynamic characteristics, TbCo films with various compositions were formed on acrylic substrates with a diameter of 200 pm and a thickness of 1.5 am. Specifically, X when the compositional formula is expressed as TbxCot-x,
In other words, the composition ratio of Crt) in the TbCo film is x
=15[at, %], 17[at, %], 19[a
t,%], 21[at0%].

23[at、  %]、25[at、  %]、27[
at0%]、29[at、%]、31[at0%]の9
種類の組成の膜を、いずれも1000人の厚さにスパッ
タリング法で形成し、その上にSiiNsM化防止膜を
スパッタリング法によりオーバーコートした。
23[at, %], 25[at, %], 27[at, %]
at0%], 29[at,%], 31[at0%] 9
Films with different compositions were formed by sputtering to a thickness of 1000 mm, and a SiiNsM prevention film was overcoated thereon by sputtering.

これらの光磁気ディスクを波長830n層の半導体レー
ザを光源とするディスク評価装置にセットし、膜面上の
レーザパワー3mW〜5mW、 記9・消去用補助磁界
の膜面における強さ300[Oe]〜900[Oe]、
ディスク回転速度 4Crrt/seaコ、記録周波数1[M)−IZ]、
レーザビームスポットサイズ#1.5μ罷φの条件で記
録ビットの形成を試み、ビット形成後、ビット形状を偏
光顕微鏡を用いて観察した。
These magneto-optical disks were set in a disk evaluation device using a semiconductor laser with a wavelength of 830n layer as a light source, and the laser power on the film surface was 3 mW to 5 mW, and the strength of the auxiliary magnetic field for erasing on the film surface was 300 [Oe]. ~900 [Oe],
Disc rotation speed 4Crrt/sea, recording frequency 1[M)-IZ],
An attempt was made to form a recording bit under the conditions of a laser beam spot size of #1.5 μm and a diameter of 1.5 μm, and after the bit formation, the bit shape was observed using a polarizing microscope.

その結果、x−15[at、%]、17[at、%]、
19[at、%]の3種類のディスクについては、レー
ザビームのスポットサイズに比べてがなり大きく、しか
もビット周辺形状のにじんだ磁化反転ビットが不安定に
配列されている(レーザビーム照射部にも関わらず反転
していない部分も存在した状態)のが観察され、Coリ
ッチ膜では良好な磁化反転ビットが得られないことが、
この動的評価によって明らかとなった。一方、 X−23[at0%]、25[at、%]。
As a result, x-15[at,%], 17[at,%],
Regarding the three types of disks with 19 [at, %], the spot size of the laser beam is much larger than that of the laser beam, and magnetization-reversed bits with blurred bit periphery are arranged unstablely (in the laser beam irradiation area). Despite this, it was observed that some parts were not reversed), indicating that a good magnetization reversal bit could not be obtained with a Co-rich film.
This was clarified by this dynamic evaluation. On the other hand, X-23 [at0%], 25 [at,%].

27[at、%] 、 29 [at0%1の4種類の
ディスクについては、レーザビームのスポットサイズに
ほぼ等しい円形状の磁化反転ビットが安定よく配列して
いるのがl!察された。これら4種類の中ではx=23
[at、%]の膜のビット形状が最もレーザビームのス
ポットサイズに近く(スポットサイズよりやや小さい)
、Xの増加に従って磁化反転ビットが小さくなる傾向を
呈し、Xの増加に従って記録感度が悪くなる事が動的評
価によっても明らかとなった。また、X=21[at、
%]のディスクについては常温保磁力が発明者等の使用
した着磁装置の発生できる最大磁場物12[kOlより
大きいため着磁不能ではあったが、迷路状磁区パターン
の残存する上に記録ビットを形成したところ、ビット形
状そのものは良好であり、着磁装置の発生磁場さえ十分
であれば実用に適すことが明らかとなった。
For the four types of disks, 27[at,%] and 29[at0%1, l! It was noticed. Among these four types, x=23
The bit shape of the film [at,%] is closest to the laser beam spot size (slightly smaller than the spot size)
, dynamic evaluation also revealed that as X increases, the magnetization reversal bit tends to become smaller, and as X increases, recording sensitivity deteriorates. Also, X=21[at,
%], the room-temperature coercive force was larger than the maximum magnetic field of 12 [kOl] that can be generated by the magnetizing device used by the inventors, so it was impossible to magnetize the disk. It was found that the bit shape itself was good and that it was suitable for practical use as long as the magnetic field generated by the magnetizing device was sufficient.

残るX”’31[at、%]のディスクについては、レ
ーザパワー5mW、記録用磁界900 [Oe]の条件
でもビットの形成が困難であった。すなわち、このx−
31[at、%]のディスクは、記録閾値が高すぎて実
用的でないことがわかった。
Regarding the remaining disk with X'''31 [at, %], it was difficult to form bits even under the conditions of a laser power of 5 mW and a recording magnetic field of 900 [Oe]. That is, this x-
It was found that the recording threshold value of the disk with 31 [at, %] was too high to be practical.

以上、実験例4の結果から半導体レーザ等からの低パワ
ーレーザビームの照射と、数100[○e]の補助磁界
の印加とによって形成するためには、TbCo11中に
占めるTbの組成成分比は21[at、%]〜30[a
t、%]の範囲になければならないことが理解される。
As mentioned above, from the results of Experimental Example 4, in order to form by irradiating a low power laser beam from a semiconductor laser etc. and applying an auxiliary magnetic field of several hundred [○e], the compositional ratio of Tb in TbCo11 must be 21 [at, %] ~ 30 [a
t,%].

Tbの組成成分比が21 [at、 % ] 〜30[
at8%]の範囲にあっても、TbCo膜の膜厚が10
00人の場合は記録ビットのサイズが記録用レーザビー
ムのスポットサイズよりも小さいことは実験例4で述べ
た通りである。再生用レーザビームスポットも記録用レ
ーザビームのスポットサイズと同一であるのが通常であ
るので、記録ビットのサイズが小さいと再生時のC/N
を低下させる。
The compositional component ratio of Tb is 21 [at, %] to 30 [
at8%], the thickness of the TbCo film is 10%.
As described in Experimental Example 4, in the case of 00 people, the size of the recording bit is smaller than the spot size of the recording laser beam. The reproduction laser beam spot is usually the same as the recording laser beam spot size, so if the recording bit size is small, the C/N during reproduction will be lower.
decrease.

そこで発明者らは、ビームサイズとビットサイズとを等
しくすることを目的として、 TbxCol−に膜(21at、%≦X≦30at1%
)の膜厚を薄くし、記録用レーザビーム照射部の記録膜
のスポット温度を上げることを試みた。記録試験に先立
って発明者らの行なった基礎実験結果について予め述べ
ておく。
Therefore, the inventors created a film (21at, %≦X≦30at1%
) in an attempt to increase the spot temperature of the recording film in the area irradiated with the recording laser beam. The results of basic experiments conducted by the inventors prior to the recording test will be described in advance.

第9図はTbxCot−X のx−25[at1%コの
組成の膜をガラス基板上に、50人、100人。
FIG. 9 shows a film of TbxCot-X having a composition of x-25 [at 1%] on a glass substrate, exposed to 50 and 100 people.

200人、300人、500人、800人の7種類に膜
厚を変えてスパッタリング法により形成した各サンプル
の基板面側からの反射率、透過率(キャリー−14で測
定)および常温におけるカー回転角゛の大きさと膜厚と
の関係を示したものである。これらの量の中で反射率と
カー回転角の大きさは再生信号のC/Nに直接関係する
量であり、この両者はできるだけ大きいことが望ましい
。しかし、第9図かられかるように反射率ならびにカー
回転角の大きさは、膜厚500Å以下の領域において顕
著に減少すると同時に、特に50人の膜厚において再現
性よ<TbCo膜を形成できないためにカー回転角のエ
ラーパーが大きい。これはRE−TMIIの全てに共通
していえることであるが、TbCo膜の光磁気特性が下
地層の表面状態に敏感であるため、膜厚が薄いと下地層
の界面の影響をうけ易いことに起因している。
Reflectance from the substrate side, transmittance (measured with Carry-14), and Kerr rotation at room temperature of each sample formed by sputtering with 7 types of film thickness of 200, 300, 500, and 800. This figure shows the relationship between the size of the angle and the film thickness. Among these quantities, the reflectance and the magnitude of the Kerr rotation angle are quantities directly related to the C/N of the reproduced signal, and it is desirable that both of them be as large as possible. However, as can be seen from Fig. 9, the reflectance and the Kerr rotation angle decrease significantly in the region of film thickness of 500 Å or less, and at the same time, it is impossible to form a TbCo film with poor reproducibility, especially at a film thickness of 50 Å. Therefore, the error par of the car rotation angle is large. This is common to all RE-TMII, but the magneto-optical properties of the TbCo film are sensitive to the surface condition of the underlayer, so if the film is thin, it is likely to be affected by the interface of the underlayer. This is caused by

次に、直径200gm、厚さ1.5履の光ヘツドガイド
のためのトラッキング用案内溝(以下トラックと略記と
する)の設けられたアクリル円板上に、Tt)xcOl
−X膜を膜厚と組成を種々変えてスパッタリング法によ
り形成し、その上に5isN41!Aをスパッタリング
法によりオーバーコートした光磁気ディスクを製作し、
実験例4で述べたと同一のディスク評価装置で記録・再
生・消去試験を行なった。記録特性は記録用補助磁界を
400 [Oe]一定にした時の記録閾値パワー(記録
ビット径が1.5μmφ以上となる記録用レーザご一ム
バワーで定義する)と、偏光顕微鏡による磁化反転ビッ
ト形状の観察とによって評価し、また再生特性は膜面上
においてパワー1mW。
Next, Tt)
-X films with various thicknesses and compositions were formed by sputtering, and 5isN41! Fabricate a magneto-optical disk overcoated with A by sputtering method,
Recording, playback, and erasing tests were conducted using the same disk evaluation device as described in Experimental Example 4. The recording characteristics are determined by the recording threshold power (defined as the power per recording laser when the recording bit diameter is 1.5 μm or more) when the recording auxiliary magnetic field is kept constant at 400 [Oe], and the magnetization reversal bit shape determined by a polarizing microscope. The reproduction characteristics were evaluated by observation of 1mW of power on the film surface.

波長830rvの半導体レーザビームを記録ビットの形
成されたトラック上に連続照射し、その主信号再生ピー
ク強度から評価した。但し、ビームの線速(ビームとデ
ィスクの相対速度)は4m/sec、再生の際に使用す
る補助磁界は0[Oe]とした。また、消去特性は消去
試験模、同一個所について再生試験を行ない、その主信
号再生ピーク強度と消去後のディスクを偏光顕微鏡で観
察することによって評価した。但し、消去はレーザビー
ムを膜面上で5mW、波長830 nll。
A semiconductor laser beam with a wavelength of 830 rv was continuously irradiated onto the track where recorded bits were formed, and evaluation was made from the main signal reproduction peak intensity. However, the linear velocity of the beam (relative velocity between the beam and the disk) was 4 m/sec, and the auxiliary magnetic field used during reproduction was 0 [Oe]. The erasing characteristics were evaluated by performing a reproduction test on the same part of the erasing test mock and observing the main signal reproduction peak intensity and the disc after erasing with a polarizing microscope. However, for erasing, a laser beam was applied to the film surface at a power of 5 mW and a wavelength of 830 nll.

線速4m/Secで記録ビット列の存在するトラック上
に連続照射すると同時に、記録時とは逆の方向に400
 [Oe]の消去用補助磁界を印加して行なった。
Continuously irradiate onto the track where the recording bit string exists at a linear velocity of 4 m/Sec, and at the same time, 400 m/sec in the opposite direction to that during recording.
This was done by applying an auxiliary erasing magnetic field of [Oe].

上記した動特性評価を、TbxCo+、−x のXをX
=21[at、%]〜30[at、%〕の間で4種類変
え、さらにTbCoの膜厚を100人〜800人の間で
4種類変えて実施したところ、記録・消去特性に関して
は、T bx Co+−x膜の膜厚が400Å以下であ
れば 21[at、%]≦X≦30[at、%]の組成範囲に
わたり良好であった。再生特性の上からは、膜厚400
Å以下の領域では膜厚が厚いほど良好で、膜厚50人の
場合は再生信号がもともと不安定となっており、これは
前記した膜厚を変えて反射率等を調べた基礎実験結果と
対応している。膜厚500Å以上の領域では、特にXが
大きい範囲において再生信号ピークが低下した。これは
磁化反転ビットの径が記録用レーザビームのスポットサ
イズ(=再生用レーザビームのスポットサイズ)よりも
小さくなるためである。なお、x−21[a【0%]の
サンプルについては実験例4で述べたように着磁装置の
性能上から、再生特性は評価しなかった。
For the dynamic characteristic evaluation described above, change the X of TbxCo+, -x to
= 21 [at, %] to 30 [at, %], and the TbCo film thickness was changed to 4 types, between 100 and 800 people. As a result, the recording/erasing characteristics were as follows. When the thickness of the T bx Co+-x film was 400 Å or less, it was good over the composition range of 21 [at, %]≦X≦30 [at, %]. From the viewpoint of playback characteristics, the film thickness is 400
In the region of Å or less, the thicker the film is, the better it is, and in the case of a film thickness of 50 nm, the reproduced signal is inherently unstable. Compatible. In the region where the film thickness was 500 Å or more, the reproduced signal peak decreased particularly in the range where X was large. This is because the diameter of the magnetization reversal bit is smaller than the spot size of the recording laser beam (=the spot size of the reproducing laser beam). Note that for the x-21 [a 0%] sample, as described in Experimental Example 4, the reproduction characteristics were not evaluated due to the performance of the magnetizing device.

上記実験例5の結果から、本発明に係るTbCo膜から
なる記録層の膜厚は100Å以上400Å以下とするの
が望ましいことがわかる。
From the results of Experimental Example 5 above, it can be seen that the thickness of the recording layer made of the TbCo film according to the present invention is desirably 100 Å or more and 400 Å or less.

支11L 基板上に記録層としてのTbCo膜を直接成膜し、その
上に透明5iaN+膜を設けた光磁気ディスクの試験結
果(実験例4.5)から、TbXC0+−X膜のXとし
ては21[at、%]以上30[at、%]以下、また
TbCo膜の膜厚としては100Å以上400A以下が
望ましいことは述べたが、実験例5で述べたように膜厚
規定することによって記録・消去特性は改善したが再生
特性に若干問題を残した。本実験例6では、この問題を
改善すべく光磁気ディスク構造の最適化を試みた。
Support 11L From the test results of a magneto-optical disk in which a TbCo film as a recording layer was directly formed on a substrate and a transparent 5iaN+ film was provided thereon (Experimental Example 4.5), X of the TbXC0+-X film was 21. [at, %] to 30 [at, %], and the thickness of the TbCo film is preferably 100 Å to 400 A, but as described in Experimental Example 5, by specifying the film thickness, recording and Although the erasing characteristics were improved, some problems remained in the reproduction characteristics. In this Experimental Example 6, an attempt was made to optimize the structure of the magneto-optical disk in order to improve this problem.

従来より、RE −TMIIIを記録層とする光磁気デ
ィスクにおいては、再生信号のC/N向上を目的として
多重干渉層をRE−TMIと積層することで見掛は上の
カー回転角θに′の増加を図る試みがなされており、模
構造を最適化すればθにの値はRE −TMIlI11
!!の場合に比べて3〜4倍大きくなるという報告がな
されている。ここで、再生C/Nはディスクの膜面にお
ける光反射率Rと、カー回転角θにと、再生用レーザビ
ームのパワー1oとの積に比例する量である。この関係
は再生用の光検出器にPINダイオードを使用した場合
、C/Na:Ia −R・0g  ・”  (1)と記
述される。
Conventionally, in magneto-optical disks with RE-TMIII as the recording layer, a multiple interference layer is laminated with RE-TMI for the purpose of improving the C/N of the reproduced signal, so that the apparent Kerr rotation angle θ is Attempts have been made to increase the value of θ by optimizing the model structure.
! ! It has been reported that it is 3 to 4 times larger than in the case of . Here, the reproduction C/N is an amount proportional to the product of the light reflectance R on the film surface of the disk, the Kerr rotation angle θ, and the power 1o of the reproduction laser beam. When a PIN diode is used as a photodetector for reproduction, this relationship is described as C/Na:Ia -R.0g.'' (1).

多重干渉層を設けることにより、(1)式中のθには確
かに大幅な増加をするが、多重干渉層を設けた構造によ
る見掛は上のθに増加は同時に、(1)式中のRの減少
をもたらすことも必然の理である。従って、多重干渉層
によるθにのエンハンスメント効果を再生C/Nの増大
にそのままま反映させる上では、再生用レーザビームの
パワーIaを大きくとることが望ましい。しかしながら
、例えばFeを遷移金属元素の主成分とするRE−TM
IIを記録層とした従来の光磁気ディスクにおいては、
再生用レーザビームのパワーを大きくすると再生時のm
温度上昇によってθにの大きさが大幅に減少してしまう
ので、多重干渉層を設けても再生C/Nの大幅な向上は
期待できなかった。
By providing multiple interference layers, it is true that θ in equation (1) increases significantly, but the apparent increase in θ in equation (1) due to the structure with multiple interference layers increases at the same time. It is inevitable that this will result in a decrease in R. Therefore, it is desirable to increase the power Ia of the reproduction laser beam in order to directly reflect the enhancement effect on θ due to the multiple interference layer in an increase in reproduction C/N. However, for example, RE-TM in which Fe is the main component of the transition metal element
In conventional magneto-optical disks with II as the recording layer,
When the power of the laser beam for reproduction is increased, the m during reproduction increases.
Since the magnitude of θ significantly decreases due to temperature rise, no significant improvement in reproduction C/N could be expected even if multiple interference layers were provided.

第10図は本発明に係る’rbcol!JIのI!膜温
度カー回転角との関係を、従来のTbFe膜。
FIG. 10 shows 'rbcol!' according to the present invention. JI's I! The relationship between film temperature and Kerr rotation angle for conventional TbFe film.

T b (F e、、 Co、、 )躾と比較して示し
たものである。サンプルは熱酸化膜付き3i基板上に各
RE−TMIIIを1000人の厚さにスパッタリング
法によって形成し、その上に3i3N+!IIからなる
保護層をスパッタリング法により形成したものであり、
これらの各サンプルについて実験例2に述べた方法でカ
ーヒステリシス・ループの温度特性を測定した結果を第
10図は示している。この第10図から明らかなように
、本発明に係るTbCo膜の場合には、膜温度が上昇し
てもカー回転角の低下は従来のT b F em。
It is shown in comparison with T b (F e,, Co,, ) discipline. The sample was formed by sputtering each RE-TMIII to a thickness of 1000 mm on a 3i substrate with a thermal oxide film, and then 3i3N+! A protective layer made of II is formed by a sputtering method,
FIG. 10 shows the results of measuring the temperature characteristics of the Kerr hysteresis loop for each of these samples using the method described in Experimental Example 2. As is clear from FIG. 10, in the case of the TbCo film according to the present invention, even if the film temperature increases, the Kerr rotation angle decreases as compared to the conventional T b F em.

T b (F ess Cots >膜に比べ極メチ少
すく、多重干渉層を設けた構造による再生C/Nの向上
が効果的に得られていることがわかる。
It can be seen that the reproduction C/N can be effectively improved by the structure having multiple interference layers, which is much smaller than the T b (F ess Cots > film).

上記の知見に基いて、直径200 ru 、厚さ1.5
mのアクリル基板上に、波長830nmでの光透過率岬
95%、屈折率約1.9のSigN+スパック膜を11
00人の厚さに成膜し、その上に膜厚250人、Tbの
組成成分比が25[at。
Based on the above findings, a diameter of 200 ru and a thickness of 1.5
On an acrylic substrate of
A film was formed to a thickness of 0.00 mm, and on top of that a film was formed to a thickness of 250 mm, and the composition ratio of Tb was 25 [at.

%]のTbCo膜を成膜し、さらに保rJHとして3i
3N+スパツタ膜をi ooo大成膜した光磁気ディス
クを試作して、動特性評価を行なった。
%] TbCo film was formed, and 3i
A magneto-optical disk on which a 3N+ sputtered film was deposited to a large extent was fabricated as a prototype, and its dynamic characteristics were evaluated.

記録条件は膜面上のレーザビームのパワー5mW。The recording conditions were a laser beam power of 5 mW on the film surface.

記録磁界400[Oe]、ディスク回転速度4m / 
secの線速一定とした。また、再生条件としてはレー
ザビームのパワーを0.5mW、1mW。
Recording magnetic field 400[Oe], disk rotation speed 4m/
The linear velocity was kept constant at sec. In addition, as playback conditions, the power of the laser beam was 0.5 mW and 1 mW.

1.5mW、2mW、2.5mWの5種類に変え、再生
信号ピーク強度を調べたところ、再生用レーザビームの
パワーが1mWの時の再生信号ピーク強度は、同一条件
で記録・再生をした干渉層(基板とTbCo膜との間の
81aN41!!>のないディスクに比へて2.5倍増
加した。また同時に、再生信号ピーク強度は再生用レー
ザビームパワーにほぼ比例して増加した。従って、Tb
Co11lは多重干渉層の効果を活かす上でも記録層と
して優れた材料であることが確認された。
When the reproduced signal peak intensity was examined by changing the power to 1.5 mW, 2 mW, and 2.5 mW, it was found that the reproduced signal peak intensity when the reproducing laser beam power was 1 mW was the same as the interference when recording and reproducing under the same conditions. It increased by 2.5 times compared to the disk without the layer (81aN41!! between the substrate and the TbCo film). At the same time, the peak intensity of the reproduced signal increased almost in proportion to the reproduction laser beam power. Therefore, ,Tb
It was confirmed that Co11l is an excellent material for the recording layer, also in taking advantage of the effect of the multiple interference layer.

また、再生信号のさらなる増加を目的としてTbC0W
IIからなる記録層を再生用レーザビーム光を有効に用
いるために、4層膜構造からなる第、  1図に示した
光磁気ディスクを試作した。なお、TbCo膜の膜厚と
光透過率との関係は、第9図で説明した通りである。
In addition, for the purpose of further increasing the reproduction signal, TbC0W
In order to effectively use the laser beam for reproducing the recording layer consisting of II, a magneto-optical disk having a four-layer film structure as shown in FIG. 1 was fabricated as a prototype. Note that the relationship between the thickness of the TbCo film and the light transmittance is as explained in FIG. 9.

すなわち、第1図において基板1を直径200履、厚さ
1.5mの案内溝付きアクリル板とし、また第1および
第2の干渉層2.4としていずれも膜厚1100人、光
透過率がほぼ95%(波長830 nmにおいて)、屈
折率がほぼ1.9の3i3N+スパツタ膜を形成し、ま
た記録層3として膜厚250人、Tbの組成成分比25
[at。
That is, in FIG. 1, the substrate 1 is an acrylic plate with a guide groove having a diameter of 200 mm and a thickness of 1.5 m, and the first and second interference layers 2.4 each have a thickness of 1100 mm and a light transmittance. A 3i3N+ sputtered film with a refractive index of approximately 95% (at a wavelength of 830 nm) and approximately 1.9 was formed, and the recording layer 3 had a film thickness of 250 nm and a Tb composition ratio of 25.
[at.

%]のTbCoスパッタ膜を形成し、さらに光反射膜5
として膜厚600人のA℃膜を形成した。
%] of TbCo sputtered film, and further a light reflecting film 5
An A°C film with a thickness of 600 mm was formed as follows.

この構成の光磁気ディスクを動特性評価に供し、記録ビ
ット列の形成を記録用レーザビームのパワー5mW、記
録磁界4000 [○e]、ディスク回転速度4m/S
ee、記録周波数1MH2,レーザビームのスポットサ
イズ1.5μmの条件で行ない、再生を1mWの再生用
レーザビームを連続照射して行なったところ、再生信号
強度は前記した3層構造の光磁気ディスク(A42反射
層のないもの)の場合のさらに1.5倍に層加し、実用
的に必要とされているC/N (例えば、IMH2で5
0dB>を大幅に上回ることが確認された。
The magneto-optical disk with this configuration was subjected to dynamic characteristic evaluation, and the recording bit string was formed using a recording laser beam power of 5 mW, a recording magnetic field of 4000 [○e], and a disk rotation speed of 4 m/s.
ee, the recording frequency was 1 MH2, the laser beam spot size was 1.5 μm, and reproduction was performed by continuous irradiation with a 1 mW reproduction laser beam. The layer is added 1.5 times that of A42 (without reflective layer) to achieve the practically required C/N (for example, 5 with IMH2).
It was confirmed that the value significantly exceeds 0 dB>.

光反射層として、上記Al1躾のほかAQ、Cu。As a light reflecting layer, in addition to the above-mentioned Al1, AQ, Cu.

AU、N+の警護を使用して同様の試験に供したところ
、波長830na+における光反射率として80%以上
の値が得られるAo、Cu、Au膜についてはA2膜と
同様の結果を得たが、光反射率が80%未満であるN1
膜の場合は4層構造とした効果はほとんど見られなかっ
た。従って、光反射層としては、再生用レーザビームの
波長に関して80%以上の反射率を有するものが好まし
い。
When a similar test was conducted using AU and N+ protection, the Ao, Cu, and Au films, which had a light reflectance of 80% or more at a wavelength of 830 na+, obtained similar results to the A2 film. , N1 with a light reflectance of less than 80%
In the case of membranes, almost no effect was seen with the four-layer structure. Therefore, the light reflecting layer preferably has a reflectance of 80% or more with respect to the wavelength of the reproducing laser beam.

以上のように、Tbの組成成分比が本発明に基<21[
at、%]〜30[at0%]の範囲であって、また膜
厚が100人〜400人の好ましい範囲にあるTbCo
膜を記録層とする本発明に係る光磁気ディスクにおいて
は、干渉層を設けてカー回転角の増加を図る手段が再生
C/Nの増大に効果的である。また、この干渉層は基板
とTbC。
As described above, based on the present invention, the compositional component ratio of Tb is <21[
at, %] to 30 [at0%], and the film thickness is preferably in the range of 100 to 400.
In the magneto-optical disk according to the present invention having a film as the recording layer, providing an interference layer to increase the Kerr rotation angle is effective in increasing the reproduction C/N. Moreover, this interference layer is made of TbC and the substrate.

躾の記録層との中間に1層設けただけでも十分な効果が
あり、さらに記録層を透過する光を積極的に利用して、
TbC0記録層の基板面側と反対側の面上に記録・再生
用レーザビームの波長゛に関して透明な干渉層と光反射
層(これらは前述したとおり保護層としても機能する)
を積層すれば、さらに大きな効果が期待できる。
Just placing one layer between the recording layer and the recording layer has a sufficient effect, and by actively utilizing the light that passes through the recording layer,
On the surface of the TbC0 recording layer opposite to the substrate surface, there is an interference layer and a light reflection layer that are transparent to the wavelength of the recording/reproducing laser beam (as mentioned above, these also function as a protective layer).
Even greater effects can be expected by stacking them.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る光磁気ディスクの構造
を示す断面図、第2図は種々のRE−TM膜を記録層と
する光磁気ディスクの光反射率による寿命評価結果を示
す図、第3図は従来の光磁気ディスクの記録層であるT
bFe1llの耐蝕性試験後における表面の金属組織を
示す顕微鏡写真、第4図(a)〜(C)はそれぞれTb
Co11゜Tb(Fe8.Co2゜)膜、TbFe膜を
記録層とした光磁気ディスクの耐蝕性試験後の表面の金
属組織を示す顕微鏡写真、第5図はTbCo膜。 T b (F e、。Co、。) III、 Tb(F
 C20Co、。)幌を記録層とした光磁気ディスクの
保磁力が1[Oe]以下となる膜温度を示す図、第6図
はTbCo11.GdCo111.(Gd、。Tb、。 )C。 膜を記録層とした光磁気ディスクの記録層の膜組成成分
比と常温保磁力との関係を示す図、第7図はTbリッチ
およびGoリッチの2種類の組成のTbCo膜を記録層
とした光磁気ディスクの記録層の膜温度と保磁力および
飽和のカー回転を得る外部磁界強度の関係を示す図、第
8図は種々の組成のTbCo膜を記録層とした光磁気デ
ィスクの膜温度と保磁力との関係を示す図、第9図はT
bCo膜を記録層とする光磁気ディスクのTbCo膜膜
厚と反射率と透過率およびカー回転角の関係を示す図、
第10図は”rbco膜。 TbFe膜およびTbFeCo膜を記録層とした光磁気
ディスクの膜温度とカー回転角との関係を示す図である
。 1・・・基板、2・・・第1の干渉層、3・・・記録層
、4・・・第2の干渉層、5・・・光反射層、6・・・
保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 占 8   第2図 第5図 第6図 X(a電、′/。J− 区 − 弔 s  7
Fig. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a magneto-optical disk according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 shows the results of life evaluation based on optical reflectance of magneto-optical disks having various RE-TM films as recording layers. Figure 3 shows the recording layer of a conventional magneto-optical disk.
Micrographs showing the metallographic structure of the surface after the corrosion resistance test of bFe1ll, Figures 4(a) to (C) are respectively Tb
A micrograph showing the metallographic structure of the surface after a corrosion resistance test of a magneto-optical disk using a Co11°Tb (Fe8.Co2°) film and a TbFe film as a recording layer, FIG. 5 is a TbCo film. T b (F e,. Co,.) III, T b (F
C20Co,. ) A diagram showing the film temperature at which the coercive force of a magneto-optical disk with a hood as a recording layer becomes 1 [Oe] or less. GdCo111. (Gd,.Tb,.)C. Figure 7 shows the relationship between the film composition component ratio and room temperature coercive force of the recording layer of a magneto-optical disk using a film as the recording layer. Figure 8 shows the relationship between the film temperature of the recording layer of a magneto-optical disk and the coercive force and the external magnetic field strength for obtaining saturated Kerr rotation. A diagram showing the relationship with coercive force, Figure 9 is T
A diagram showing the relationship between the TbCo film thickness, reflectance, transmittance, and Kerr rotation angle of a magneto-optical disk having a bCo film as a recording layer,
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the film temperature and the Kerr rotation angle of a magneto-optical disk in which a TbFe film and a TbFeCo film are used as recording layers. 1...substrate, 2...first Interference layer, 3... Recording layer, 4... Second interference layer, 5... Light reflecting layer, 6...
protective layer. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 8 Figure 2 Figure 5 Figure 6

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板と、この基板上に形成され、該基板面に対し
て垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非
晶質合金薄膜からなる記録層と、この記録層の前記基板
面側と反対側の面上に形成された保護層とを備えた光磁
気ディスクにおいて、前記記録層中の希土類元素がTb
、遷移金属元素がCoであり、さらに該記録層中に占め
るTbの組成成分比が21[at.%]〜30[at.
%]の範囲にあることを特徴とする光磁気ディスク。
(1) A substrate, a recording layer formed on this substrate and made of a rare earth-transition metal amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the substrate surface, and the substrate surface of this recording layer. In the magneto-optical disk comprising a protective layer formed on the opposite side, the rare earth element in the recording layer is Tb.
, the transition metal element is Co, and the composition ratio of Tb in the recording layer is 21 [at. %] to 30[at.
%].
(2)前記記録層の膜厚が100[Å]以上、400[
Å]以下であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光磁気ディスク。
(2) The thickness of the recording layer is 100 [Å] or more, 400 [Å] or more
3. The magneto-optical disk according to claim 1, wherein the magneto-optical disk has a diameter of less than 1 Å.
(3)前記基板と記録層との間に、記録・再生用光ビー
ムの波長に関して透明な材料からなる干渉層が設けられ
ている特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
載の光磁気ディスク。
(3) An interference layer made of a transparent material with respect to the wavelength of the recording/reproducing light beam is provided between the substrate and the recording layer. magneto-optical disk.
(4)前記保護層が記録・再生用光ビームの波長に関し
て透明な材料からなる干渉層と、この干渉層の記録層と
反対側の面上に形成され記録・再生用光ビームの波長に
関して80[%]以上の反射率を有する反射層とを含ん
で構成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項または第3項記載の光磁気ディスク。
(4) an interference layer in which the protective layer is made of a material that is transparent with respect to the wavelength of the recording/reproducing light beam; and an interference layer formed on the surface of the interference layer opposite to the recording layer; Claim 1, characterized by comprising a reflective layer having a reflectance of [%] or more;
The magneto-optical disk according to item 2 or 3.
(5)前記基板が樹脂材料からなることを特徴とする特
許請求の範囲第1項、第2項、第3項または第4項記載
の光磁気ディスク。
(5) A magneto-optical disk according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the substrate is made of a resin material.
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