JPS61178800A - Memory check device - Google Patents
Memory check deviceInfo
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- JPS61178800A JPS61178800A JP60020451A JP2045185A JPS61178800A JP S61178800 A JPS61178800 A JP S61178800A JP 60020451 A JP60020451 A JP 60020451A JP 2045185 A JP2045185 A JP 2045185A JP S61178800 A JPS61178800 A JP S61178800A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体読出し専用メモリ(以下ROMと称する
)の機能検査を行なうためのメモリ検査装置に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a memory testing device for testing the functionality of a semiconductor read-only memory (hereinafter referred to as ROM).
(従来技術とその問題点)
従来、この種のメモリ検査装置は、アドレス発生器と期
待値データメモリと被検査ROM用アドレス変換器とデ
ータ比較器を内蔵している。第3図は従来のメモリ検査
装置のバタン発生部、データ比較部のブロック図である
。図において、4はアドレス発生器、5はアドレス変換
器、6は被検査ROM、7はデータメモリ、8はデータ
比較器である。(Prior Art and its Problems) Conventionally, this type of memory testing device incorporates an address generator, an expected value data memory, an address converter for the ROM to be tested, and a data comparator. FIG. 3 is a block diagram of a bang generation section and a data comparison section of a conventional memory testing device. In the figure, 4 is an address generator, 5 is an address converter, 6 is a ROM to be tested, 7 is a data memory, and 8 is a data comparator.
まず、アドレス発生器4で発生されるアドレスが、アド
レス変換器5により、被検査ROM6のメモリセルの物
理的配置に即したアドレスに変換されてデータメモリ7
と被検査ROM6とに加えられて、これら両者からの出
力データが読み出されると、データ比較器8がこれら両
出力データを遂次比較して被検査ROM6を検査する。First, the address generated by the address generator 4 is converted by the address converter 5 into an address that conforms to the physical arrangement of the memory cells of the ROM 6 to be tested, and the data memory 7
and the ROM 6 to be tested, and when the output data from both of them is read out, the data comparator 8 successively compares the two output data to test the ROM 6 to be tested.
しかしながら、従来この種のメモリ検査装置に於いては
、期待値データメモリ7は被検査ROM6のメモリ容量
と同容量か、もしくはやや大きい容量を必要とし、かつ
読出し時のアドレスは被検査RObf6と1=1に対応
するように構成されているので、被検査ROMのメモリ
構成が特殊な場合、そのアドレス望間が実際にメモリセ
ルの存在する実メモリ容量よりも極端に大きくなるとい
う問題がある。また実際のメモリセルの配列に抜けがあ
るような特殊ROMの一例として、仮想の領域が12メ
ガビツトで実メモリ領域がL2メガビットのものがある
(雑誌「電子材料」昭和59年1月1日発行第23巻μ
m号参照)。However, in conventional memory testing devices of this type, the expected value data memory 7 requires a capacity that is the same as or slightly larger than the memory capacity of the ROM 6 to be tested, and the address at the time of reading is 1 to 1 of the RObf 6 to be tested. = 1, therefore, if the memory configuration of the ROM to be tested is special, there is a problem that the address range becomes extremely larger than the actual memory capacity in which the memory cells actually exist. An example of a special ROM with gaps in the actual memory cell arrangement is one in which the virtual area is 12 megabits and the actual memory area is L2 megabits (Magazine "Electronic Materials", published January 1, 1980). Volume 23μ
(See No. m).
第4図はこの特殊ROMを説明するメモリ構成図で、仮
想の領域が64ビツトで実メモリ領域が16ピツト有る
例である。図に於いて、1はXデコーダ、・2はXデコ
ーダ、3はメモリセルアレイで、これらXデコーダ1と
Xデコーダ2とKよりて、メモリセルアレイ3に割りふ
ワた(1)〜(9)とに)〜0と48個の靭からなる総
計64ビツトのメモリセルをアドレス指定出来る。この
うち(1)〜(9)と(8〜0は実際にメモリセルの存
在する実メモリ領域で、48個の(へ)はメモリセルの
配列に抜けがある部分である。この特殊ROMを検査す
る場合に於いては、期待値データメモリの容量を仮想の
メモリ容量つまり被検査ROMのアドレス空間と同容量
か、もしくはそれよりやや大きい容量で構成する必要が
あり経済的でなく、またデータ管理の上でも不合理で好
ましくなかった。FIG. 4 is a memory configuration diagram for explaining this special ROM, showing an example in which the virtual area is 64 bits and the real memory area is 16 bits. In the figure, 1 is an X decoder, 2 is an X decoder, and 3 is a memory cell array. These X decoders 1, A total of 64 bits of memory cells consisting of 0 and 48 bits can be addressed. Of these, (1) to (9) and (8 to 0) are real memory areas where memory cells actually exist, and 48 (to) are areas where there is a gap in the arrangement of memory cells.This special ROM When testing, it is necessary to configure the expected value data memory capacity to be equal to or slightly larger than the virtual memory capacity, that is, the address space of the ROM to be tested, which is not economical, and the data It was unreasonable and undesirable from a management standpoint.
(発明の目的)
本発明の目的は、このような特殊ROMを検査するにあ
たって、ROMの期待値データメモリ容量が実際に存在
する実メモリ容量を大幅に越えない程度にしてメモリ容
量を少くしたメモリ検査装置を提供することにある。(Object of the Invention) An object of the present invention is to develop a memory with a reduced memory capacity to the extent that the expected value data memory capacity of the ROM does not significantly exceed the actual real memory capacity when inspecting such a special ROM. Our objective is to provide inspection equipment.
(発明の構成)
本発明の構成は、期待値データを格納した被検査メモリ
の記憶内容を検査するメモリ検査装置において、アドレ
ス発生器と、このアドレス発生器から発生されるアドレ
ス信号を前記被検査メモリのメモリセルの物理的配置に
即したアドレスに変換する第1のアドレス変換器と、前
記アドレス発生器から発生されるアドレス信号を前記期
待値データの格納状態に即したアドレスに変換する第2
のアドレス変換器と、この第2のアドレス変換器のアド
レスに従って前記期待値データを読出す期待値データメ
モリと、この期待値データメモリと前記被検査メモリと
の両出力データを比較判定するデータ比較器とを備え、
前記データメモリの記憶容量を少くしたことを特徴とす
る。(Configuration of the Invention) The configuration of the present invention includes an address generator, and an address signal generated from the address generator that is used for testing the memory contents of a memory under test that stores expected value data. a first address converter that converts the address signal into an address that conforms to the physical arrangement of memory cells of the memory; and a second address converter that converts the address signal generated from the address generator into an address that conforms to the storage state of the expected value data.
an address converter, an expected value data memory that reads the expected value data according to the address of the second address converter, and a data comparison that compares and determines the output data of both the expected value data memory and the memory under test. equipped with a vessel,
The present invention is characterized in that the storage capacity of the data memory is reduced.
(実施例) 次に本発明を図面により詳細に説明する。(Example) Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明によるメモリ検査装置の一実施例を示す
ブロック図、#X2図は第1図の特殊ROMを検査する
にあたって用いらnる期待値データメモリの期待値格納
状態の一例のメモリ配置図である。図中、4はアドレス
発生器、51.52はアドレス変換器、6は被検査RO
M、7はデコーダメモリ、8はデータ比較器である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the memory testing device according to the present invention, and FIG. It is a layout diagram. In the figure, 4 is an address generator, 51.52 is an address converter, and 6 is an RO to be tested.
M, 7 is a decoder memory, and 8 is a data comparator.
まず、アドレス発生器4で発生されるアドレスが、アド
レス変換器51によ秒、被検査ROM6のメモリセルの
物理的配置に即したアドレスに変換されて、被検査RO
M6に加えられて読出され、この読出された出力データ
をデータ比較器8の一方に入力する。アドレス発生器4
で発生されるアドレスが、アドレス変換器52により、
被検査ROMgの「メモリセルの抜は部分のみを圧縮し
て再配列した部分」と「実際にメモリセルの存在する実
メモリ部分のみを再配列した部分」とを格納したデータ
メモリ7のメモリセルの配置に応じてアドレス変換され
る。First, the address generated by the address generator 4 is converted by the address converter 51 into an address that conforms to the physical arrangement of the memory cells of the ROM 6 to be tested, and then
The read output data is input to one of the data comparators 8. address generator 4
The address generated in is converted by the address converter 52 into
Memory cells of the data memory 7 that store "a part where only the missing memory cells are compressed and rearranged" and "a part where only the real memory part where memory cells actually exist are rearranged" of the ROMg to be inspected. The address is converted according to the location of the address.
第2図はこのメモリセルの配置の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of the arrangement of this memory cell.
このメモリセルアレイ3に割りふった(1)〜(9)と
(8〜0と9個の(へ)とからなる総計25ビツトのメ
モリセルを、5ビツトのXデコータ1と5ビツトXデコ
ーダ2とによりアドレス指定出来る。A total of 25 bits of memory cells consisting of (1) to (9), (8 to 0, and 9 (to)) allocated to this memory cell array 3 are transferred to a 5-bit X decoder 1 and a 5-bit X decoder 2. Address can be specified by
このうち(1)〜(9)と(8〜0とのデータは、第4
図の特殊ROMの実際にメそりセルの存在する実メモリ
領域の(1)〜(9)と(6)〜0とのデータに等しく
、かクメモリセルの配列に抜けがある部分を詰めて再配
列され、25個からなる(へ)はデータメモリの1つの
行アドレスと1つの列アドレスとからなる9個の糾に圧
縮格納された形をとっている。Among these, data of (1) to (9) and (8 to 0) is the fourth
It is equal to the data of (1) to (9) and (6) to 0 of the real memory area where the memory cells actually exist in the special ROM shown in the figure, and the gaps in the memory cell arrangement are filled in and rearranged. The 25 numbers are compressed and stored in nine rows each consisting of one row address and one column address in the data memory.
このメモリセルアレイ3のアドレス変換は、第4図と第
2図のYデコーダ側のアドレスについてみると、特殊R
OMの実際にメモリセルの存在する実メモリ領域の(2
) 、 (4) 、 (5) 、 (7)に対してデー
タメモリの(0) 、 (1) 、(2)、(3)を、
またメモリセルの配列に抜けがある部分、(o) 、
(1) 、 (a) 、 (6)に対してデータメモリ
の(4)に対応するように変換される。したがって、本
実施例のデータメモリ71に加えられて、読み出される
出力データをデータ比較器8の一方に入力し、被検査R
OM6から読出されたデータをデータ比較器8の他方に
入力して両者の出力データを逐次比較して〆被検査RO
M6を検査することができる。This address conversion of the memory cell array 3 is performed using a special R
(2) of the real memory area where memory cells actually exist in OM
) , (4) , (5) , (7) in the data memory (0) , (1) , (2) , (3) ,
Also, there are gaps in the arrangement of memory cells, (o),
(1), (a), and (6) are converted to correspond to (4) in the data memory. Therefore, the output data added to the data memory 71 of this embodiment and read out is inputted to one side of the data comparator 8, and the R
The data read from the OM6 is input to the other side of the data comparator 8, the output data of both are successively compared, and the data is output to the RO under test.
M6 can be inspected.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、特殊な記憶内容
だけを記憶したデータメモリを用意すればよいので、装
置内に仮想のメモリ空間と同容量のROMの期待値デー
タメモリを具備する必要はなく、経済的にもデータ管理
の上でも有利である。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, it is sufficient to prepare a data memory that stores only special storage contents, so that the expected value data of a ROM of the same capacity as the virtual memory space is stored in the device. There is no need to provide memory, which is advantageous both economically and in terms of data management.
従って特殊ROMを検査するにあたって、ROMの期待
値データメモリ容量が実際に存在する実メモリ容量を大
幅に越えない程度に留めた歩容量のメモリ検査装置が得
られる。Therefore, when testing a special ROM, it is possible to obtain a memory testing device with a walking capacity in which the expected value data memory capacity of the ROM does not significantly exceed the actual memory capacity that actually exists.
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図のデータメモリの一例のメモリ配置図、第3図は従来
のメモリ検査装置のブロック図、第4図は第3図のデー
タメモリの一例のメモリ配置図である。図において、
1・・・・・・Yデコーダ、2・・・・・・Xデコーダ
、3・・・・・・メモリセルアレイ、4・・・・・・ア
ドレス発生器、5゜51.52・・・・・・アドレス変
換器、6・・・・・・被検査ROM。
7.71・・・・・・データメモリ、8・・・・・・デ
ータ比較器、茅 l 図
第 2I!T
界 4 mFIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram of a conventional memory inspection device, and FIG. 4 is a memory layout diagram of an example of the data memory shown in FIG. In the figure, 1...Y decoder, 2...X decoder, 3...memory cell array, 4...address generator, 5°51.52. ... Address converter, 6 ... ROM to be inspected. 7.71...Data memory, 8...Data comparator, Figure 2I! T field 4 m
Claims (1)
査するメモリ検査装置において、アドレス発生器と、こ
のアドレス発生器から発生されるアドレス信号を前記被
検査メモリのメモリセルの物理的配置に即したアドレス
に変換する第1のアドレス変換器と、前記アドレス発生
器から発生されるアドレス信号を前記期待値データの格
納状態に即したアドレスに変換する第2のアドレス変換
器と、この第2のアドレス変換器のアドレスに従って前
記期待値データを読出す期待値データメモリと、この期
待値データメモリと前記被検査メモリの両出力データを
比較判定するデータ比較器とを備え、前記データメモリ
の記憶容量を少くしたことを特徴とするメモリ検査装置
。A memory testing device for testing the storage contents of a memory to be tested that stores expected value data includes an address generator and an address signal generated from the address generator that corresponds to the physical arrangement of memory cells of the memory to be tested. a first address converter that converts the address signal into an address; a second address converter that converts the address signal generated from the address generator into an address that conforms to the storage state of the expected value data; It comprises an expected value data memory that reads out the expected value data according to the address of the converter, and a data comparator that compares and determines the output data of both the expected value data memory and the memory under test, and the storage capacity of the data memory is A memory inspection device characterized by a small amount of memory.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60020451A JPS61178800A (en) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | Memory check device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60020451A JPS61178800A (en) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | Memory check device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61178800A true JPS61178800A (en) | 1986-08-11 |
JPH0451920B2 JPH0451920B2 (en) | 1992-08-20 |
Family
ID=12027429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60020451A Granted JPS61178800A (en) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | Memory check device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61178800A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57113500A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-14 | Ibm | Testing device |
JPS59180300U (en) * | 1983-05-20 | 1984-12-01 | 日本電気株式会社 | memory test equipment |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP60020451A patent/JPS61178800A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57113500A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-14 | Ibm | Testing device |
JPS59180300U (en) * | 1983-05-20 | 1984-12-01 | 日本電気株式会社 | memory test equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0451920B2 (en) | 1992-08-20 |
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |