JPS61157580A - 流動接触クラツキング方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は次工程触媒粒子再生装置を備える、炭化水素類
の流動接触クラッキング（ＦＣＣ）方法及びその装置に
関する。

［従来の技術］ 熱触媒はライザー反応器中で油と接触する。この油は接
触クラッキングされ、それに伴って触媒はコークスによ
り失活される。失活された触媒をストリッピングし、次
に空気で触媒からコークスを焼成することによって触媒
は再生される。

多量の触媒がライザー中ではガス状物質中で懸濁状態と
なる。ライザー中での接触クラッキング後に懸濁体を使
用済み触媒相とガス相に迅速に分離することが必要とな
る。

オーバークラッキングから生ずる触媒相またはガス相に
おける所望の生成物の損失を減少するための懸濁体分離
技法を改善するための種々の試みがなされた。

多工程ストリッピングはアンダーソン （Ａ　ｎ＋（ｃｒｓｏｎ）らの米国特許第４，０４３，
８９９号明細書に開示されている０円筒形容器ライザー
中に終結し且つ邪魔板を備える触媒ライザーはヘフレー
（Ｈｅｆｆ　１ｅｙ）の米国特許第４，２０６，１７４
号明細書に開示されており、また導管へ取り付けられた
ライザーはハダッド（Ｈａｃｌｄａｄ）らの米国特許第
４，２１９，４０７号明細書に開示されている。

重質で汚染物が多い装入原料に適応できる操作上の改変
及び触媒の開発と同時に、再生装置排ガス中でＳＯｘと
して排出される装入原料中に含まれる硫黄の量について
の関心が高まっている。装入原料中の硫黄量が多ければ
多い程、また、流動接触クラッキング再生装置中での触
媒の再生が完全であればある程、再生装置排ガス中に含
まれるＳＯｘの量は増加する傾向にある。排ガス中の排
ガスにより大気へ排出されるＳＯｘの量を熾小眼にする
若干の試みが行なわれた。これらの試薬は再生された触
媒に伴われて流動接触クラッキング反応器へ戻り、該反
応器中の還元雰囲気下で硫黄化合物はＨ，Ｓとして放出
される。この目的に適当な試薬は矛国特許第４，０７１
，４３６号及び同第３．８３４，０３１号明細書に記載
されている。酸化セリウム試薬の使用は米国特許第４，
００１，３７５号明細書に記載されている。

［発明が解決しようとする問題点］ 不幸にも、はとんどの流動接触クラッキング再生装置の
条件はＳＯｘを吸着するために最良てはない。現在の流
動接触クラッキング再生装置において遭遇する高温［８
７１℃（１６００下）まで］はＳＯｘ吸着を阻止する傾
向にある。排ガス中のＳＯｘの問題を克服するための１
つの解決策は触媒を流動接触クラッキング反応器から長
滞留時間スチームストリッパーへ通すことにある。クラ
ムベック（Ｋ　ｒａｍｂｅｃｋ）らの米国特許第４，４
８１，１０３号明ストリッピングを行なった後に、触媒
を再生装置へ通ず。しかし、若干の望ましくない硫黄含
有成分または水素含有成分を除去するためには充分でな
い５００〜５５０℃（９３２〜１０２２下）で使用済み
触媒をスチームでストリッピングすることが好適である
。更に、流動接触クラッキングストリッパーから流動接
触クラッキング再生装置へ送られる触媒は触媒上に粘着
するコークスのような水素含有成分を含有する。これは
再生装置内で水素が酸素と反応して水を形成する場合に
、触媒の水熱劣化を生ずる。

ディーン（Ｄｅａｎ）らの米国特許第４，３３６，１６
０号明細書では中間再生装置により水熱劣化を低減する
ことが試みられている。しかし、この方法は中間再生装
置及び再生装置からの排ガスが浄化することが難しいＳ
Ｏにを含有する欠点を有する。

水熱劣化をなくするために触媒から水素を分離すること
が望ましい。更に再生操作前に硫黄含有化合物を除去し
て再生装置排ガスへＳＯｘを送ることを防止することが
有益である。

［問題点を解決するための手段］ 従って、本発明は触媒と炭化水素装入原料の混合物を慣
用のＦＣＣライザーを上方へ通過させ、コークス化した
触媒とクラッキング済み生成物の混合物をＦＣＣライザ
ーから排出し、コークス化した触媒をクラッキング済み
生成物から分離し、コークス化した触媒をストリッピン
グしてストリッピング可能な炭化水素類を除去し、且つ
ストリッピング済み触媒からコークスを焼成することに
よってストリッピング済み触媒を再生することからなる
炭化水素装入原料のＦＣＣ方法において、コークス化し
た触媒をＦＣＣ再生装置からの再生済み熱触媒と混合す
ることによって加熱し、加熱したコークス化した触媒を
ストリッピングガスと接触させることによってストリッ
ピングし、次にＦＣＣ再生装置内でストリッピング済み
熱触媒を再生することを特徴とする炭化水素装入原料の
ＦＣＣ方法を提供するにある。

他の実施態様において、本発明はＦＣＣライザーの上流
端部へ油と触媒を添加し、ＦＣＣライザーの下流端部で
使用済み触媒とクラッキング済み生成物を排出し、クラ
ッキング済み生成物から使用済み触媒を分離し、次に使
用済み触媒をストリッピングし、次に再生することから
なる油の流動接触クラッキング装置において、再生装置
がストリッピング済み触媒を受け且つ部分的に触媒を再
生する希釈相第１工程再生装置及び部分的に再生された
触媒を受ける第２工程濃密床再生装置とからなる２工程
再生装置よりなることを特徴とする油の流動接触クラッ
キング装置を提供するにある。

［作　用コ 第１図は垂直延長管（１）よりなるライザー反応器を示
す図であり、該垂直延長管（１）は導管（装入原料供給
源）（７）からの炭化水素装入原料及び導管（３７）か
らの再生熱触媒を導入する上流端部（３）及び使用済み
触媒とクラッキング済み炭化水素の混合物を排出する下
流端部（５〉を備える。ライザー反応器は多地点装入ノ
ズル及び加速帯域を備える滞留時間０．１〜１０秒、好
適には０．５〜適である。下流端部（５）で、垂直延長
管（１）を出るガス−触媒混合物は例えばそらせ板（５
１）により下方へ向けられてクラッキング済み炭化水素
類から主要割き量の触媒を分離する。そらせ板（５１）
を図示するが、サイクロンもまた使用できる。ライザー
反応器は細長い密封容器（１１）内で終結しており、該
密封容器（１１）は底部部材（１５）及び頂部部材（９
）を接合する実質上連続した側壁（１３）を備え、この
側壁（１３）はそらせ板（５１）と共に垂直延長管（１
）を出るガス−触媒混合物中の触媒の流れをそれせるこ
とによってクラッキング済み炭化水素類から触媒の一部
を分離する。

１個または２個以上の垂直導管（１９）は密封容器（１
１）から炭化水素生成物と同伴する触媒の混合物の出口
を提供する。第１ストリッピング帯域（１７）及び第２
ストリッピング帯域（２３）からのストリッピング媒体
もまた垂直導管（１９）により密封容器（１１）を出る
。ガス−触媒混合物の流れの方向をそらせることは慣性
分離器または多の同−ｈｈキ院Ｊ→トーイノ墳−に↓、
フ 密封容器（１１）は第１ストリッピング帯域（１７）及
び第２ストリッピング帯域（２３）を備えるストリッピ
ング帯域を含む。第１ストリッピング帯域（１７）は密
封容器（１１）の上部帯域に形成され、下方へそらせた
触媒を受ける。ストリッピング媒体を導管（５３）によ
り第１ストリッピング帯域（１７）へ導入し、下方へそ
らせた触媒と接触させて触媒から同伴する炭化水素類を
分離する。

ストリッピング済み炭化水素はストリッピング媒体と共
に上昇し、導管（１９）を通って密封容器（１１）を出
て外部密封型サイクロン装置（２１）、次に導管（６１
）により慣用の生成物回収及び精留装置（図示せず）へ
送られる。

第２ストリッピング帯域（２３）は密封容器（１１）の
低部帯域に形成され、第１ストリッピング帯域（１７）
、外部密封型サイクロン装置（２１）に収り付けられた
１個または２個以上の浸漬脚（２５）からのストリッピ
ング済み触媒及び受け、且つ部分的の底部区域に接続す
る導管（２７）に沿って流れる再生済み熱触媒を受ける
。

第２ス１〜リツピング帯域（２３）へ直接向かう再生済
み熱触媒のリサイクルが垂直延長導管（１）から排出さ
れる触媒の温度以上の温度に第２ストリッピング帯域（
２３）内の触媒温度をするものであるために、第２スト
リッピング帯域（２３）は熱ストリッピング帯域である
。第２ストリッピング帯域（２３）内の触媒は触媒が垂
直延長導管（１）より５６℃（１００下）高い温度から
８７１℃（１６００下）までの温度であることが好適で
あり、第２ストリッピング帯域（２３）内の温度は垂直
延長管（１）を出る触媒の温度より８３℃（１５０下）
高い温度から８７１℃までの温度であることが最適であ
る。

混合用トレー（３１）の形態の混合手段は第１ストリッ
ピング帯域（１７）と第２ストリッピング帯域（２３）
の間に設置されており、第１ストリッピング帯域（１７
）からのストリッピング済み触媒、浸漬脚（２５）から
のストリッピング済み触媒及び受け、且つ部分的からの
再生済み熱触媒を混合し、次に混合した触媒を第２スト
リッピング帯域（２３）へ送る。ストリッピング媒体は
導管（５５）より導入され、更に触媒から同伴する炭化
水素を分離する。この後者のストリッピング媒体は軽質
炭化水素ガス、不活性ガスまたはスチームであることが
できる。受け、且つ部分的からの再生済み熱触媒を混合
用トレー（３１）及び次に第２ストリッピング帯域（２
３）ヘリサイクルして使用済み触媒からの炭化水素類の
より完全な除去を提供する。

去を提供する。

急速流動床再生装置が好適である第１工程再生装置（３
３）は第２ストリッピング帯域（２３）を出るストリッ
ピング済み触媒を受けて、更に同伴するコークス沈着物
を空気挿入口（３５）から供給される空気の急速上昇流
、例えば１．２〜６．０ｍ／秒の速度の空気と接触させ
ることによって焼却する。第１工程再生装置（３３）は
導管（５７）より再生済み触媒を第２工程再生装置ｆ（
２９）へ排出する。

受け、且つ部分的は再生済み熱触媒を混合用トレー（３
１）及び次に第２ストリッピング帯域及び触媒を装入原
料供給源（７）からの炭化水素装入原料と混合するため
に垂直延長管（１）の上流端部（３）へ再生済み熱触媒
を再循環するための第２導管（３７）を備える。空気分
配用ヘッダー（４９）は導管（５９）からの空気を受け
、且つ部分的の触媒床の底部帯域へ分配する。

受け、且つ部分的は第１サイクロン（３９）及び第２サ
イクロン（４１）を備えるサイクロン装置を備えること
ができる。第２サイクロン（４１）は受け、且つ部分的
の触媒床（４５）からの微粒子を除去するための浸漬脚
（４３）を備える。

える。

本発明の第１実施態様の装置及び方法はサーモフォア接
触クラッキング（Ｔ　ＣＣ）操作を流動接触クラッキン
グ操作へ変換するのに特に適する。この変換は、多くの
サーモフォア接触クラッキング装置が現在休止しており
、サーモフォア接触クラッキング型の操作を再始動する
ことは経済的でないために有益である。しかし、多くの
場きにおいて、装置の変喚は非常に経済的である。

第２図は本発明の流動接触クラッキング装置の第２実施
態様を説明するものである。第２図において、炭化水素
装入原料を装入原料供給源（装入装置）（７）から垂直
延長導管であるライザー反応器（１０４）の低端部へ送
る。制御バルブ（２０４）を備える直立管（２０２＞か
らの再生済み触媒をライザー反応器（１０４）中で炭化
水素装入原料と混合し、得られた炭化水素−触媒混合物
が反応器容器（ｌ　Ｏ２）へライザー排出温度で排出さ
れるまで該混合物は上昇分散流の形態で上昇し、ライザ
ー流出流導管（１０６）を介して第１反応器サイクロン
（１０８）へ送られる。ライザー反応器（１０４）から
ライザー流出流導管（１０６）へ排出される混合物の温
度として規定されるライザー排出温度は適当な任意の温
度であることができるが、４８２〜５９３℃（９００〜
１１００下）の範囲が好適であり、５３８〜５６６℃＜
１０００〜１０５０下）の範囲が最適である。ライザー
流出流導管（１０６）は一端がライザー反応器（１０４
）へ、他端が第１反応器サイクロン（１０８）へ接続し
ている。

第１反応器サイクロン（１０８）は触媒−炭化水素混合
物から触媒区分を分離し、この触媒を第１反応器サイク
ロン浸漬脚（１１２）を介して該浸漬脚の下に設置され
た予備ストリッピング帯域（１３０）へ送る。残存する
ガス及び触媒は第１反応器サイクロン（１０８）からガ
ス流出流導管（１１０）へ送られる。ガス流出流導管（
１１０）は熱膨張を考慮してコネクター（１１１）を備
えている。触媒はガス流出流導管（１１，０＞を介して
密封型サイクロン装置の１部分として第２反応器サイク
ロン（１１４）へ送られる。第２反応器サイクロン（１
１４）は上述の残存するガスと触媒の流れを分離して触
媒流を形成し、該触媒流は第２反応器サイクロン浸漬脚
（１１８）を介して該浸漬脚の下に設置された予備スト
リッピング帯域（１３０）へ送られる。

残存するガス及び触媒を含有する第２反応器サイクロン
頂部流は第２反応器サイクロンガス流出流導管（１１６
）を介して反応器頂部受口（１２０，）へ送られる。反
応器容器（１０２）の雰囲気からのガス類は反応器頂部
導管（１２２＞を通って反応器頂部受口（１２０）へ送
ることができる。第２反応器サイクロンガス流出流導管
（１１６）及び反応器頂部導管（１，２２）を通過して
反応器容器（１０２）を出るガス類を混合され、反応器
頂部流（１２４）として反応器頂部受口（１２０）を通
って出る。この実施態様において、１組の第１反応器サ
イクロン（１０８）及び第２反応器サイクロン（１１４
）を記載したが、２組み以上のサイクロン及び／または
１組に２個以下または２個以上の連続的なサイクロンを
使用することができることは当業者にとって明白であろ
う。

触媒と炭化水素の混合物は反応器容器（１０２＞の雰囲
気に入ることなしにガス流出流導管（１１０）を介して
密封型サイクロン装置の１部分としての第２反応器サイ
クロン（１１４）へ送られる。しかし、コネクター（１
１１）は触媒に粘着す反応器容器（Ｌ　Ｏ２）からガス
流出流導管＜１１０＞へストリッピングガスを流入する
ための環状受口を提供する。密封型サイクロン装置及び
環状受口はハダッドらの米国特許第４，５０２，９４７
号明細書に記載されている。

第１反応器サイクロン（１０８）及び第２反応器サイク
ロン（１１４）から分離された触媒はそれぞれ浸漬脚（
１１２＞及び（１１８）を通過し、触媒の蓄積によって
浸漬脚内に適当な圧力が発生した後に浸漬脚（１１２及
び（１１８）から排出される。

触媒は前記浸漬脚から予備ストリッピング帯域（１３０
）内に設置された触媒床（１３１）に落下する。浸漬脚
（１１２）及び（１１８）を触媒床（’１３１）へ延長
することによって該浸漬脚は封止されている。しかし、
浸漬脚（１１２）及び（１１８）はトリックルバルブ（
図示せず）に取り替えることができる。

分離した触媒は予備ストリッピング帯域（１３０）へ送
られ、該触媒はストリッピングガスと接触する一ストリ
・ソピングガスはストリ・ソビンクガスヘッダ−（１３
６）へ収り付けられた１つまたは２つ以上の導管（１３
４）によりストリッピング帯域（’１３０）の低部帯域
へ導入される。予備ストリッピング帯域（１３０）は業
界において既知の温度、圧力、ガス滞留時間及び固体滞
留時間のような慣用のストリッピング条件下で分離され
た触媒からコークス、硫黄及び水素の区分をストリッピ
ングする。

また、予備ストリッピング帯域（１３０）はトレー（邪
魔板）＜１３２）を備えることができる。トレー（１３
２）は千円形態またはドーナッツ状形態であることがで
き、孔付であっても、孔付でないものでもよい。

予備ストリッピング済み触媒は予備ストリッピング帯域
（１３０）から反応器流出流導管（１３８）を通過して
再生装置（１８０）からの再生済み熱触媒と混合される
。反応器流出流導管（１３８）はバルブ（１Ｂ９＞を備
える。前記再生済み触媒は熱ストリッピング帯域（１４
３）中の触媒（１４２）より５６℃（１００下）高い温
度から８７１℃（１６００下）までの温度をもち、予備
ストリッピング済み触媒を加熱する。再生済み触媒は再
生装置＜１８０）から一端が再生装置＜１８０）へ、ま
た他端が反応器流出流導管（１３８）／＼接続している
輸送用導管（２０６）を通過して反応器流出流導管（１
３８）へ送られる。輸送用導管（２０６＞はスライドバ
ルブ（２０８）を備える。

予備ストリッピング済み触媒は再生済み触媒との混合に
より加熱される熱ストリッピング容器（１４０）により
区画される熱ストリッピング帯域（１４３）中での触媒
の次いで行なわれるストリッピングを促進する。熱スト
リッピングはライザー出口温度より５６℃（１００下）
高い温度から８１６℃（１５００下）までの温度で行な
われる。

熱ストリッピング帯域（１４３）中の触媒はライザー出
口温度より８３℃（１５０下）高い温度から７６０℃（
１４００下）までの温度をもつことが好適である。熱ス
トリッピング帯域（１４３）は５９３〜７６０℃（１，
１００〜１４００下）の温度をもつことが最適である。

熱ストリッピング帯域（１４３）中の触媒（１４２）を
上述のような高温で触媒の流向と向流的に流れるスチー
ムのようなストリッピングガスと接触させる。ストリッ
ピングガスはストリッピングガス注入点（１４８）へそ
れぞれ取り付けられた１つまたは２つ以上の導管（１４
６）により熱ストリッピング帯域（１４３）の低部区域
へ導入される。熱ストリッピング帯域（１４３）中での
触媒滞留時間は２．５〜７分の範囲内である。熱ストリ
ッピング帯域（１４３）内での蒸気滞留時間は０．５〜
３０秒、好適には０．５〜５秒である。熱ストリッピン
グ帯域（１４３）は再生済み触媒と混合された予備スト
リッピング済み触媒からコークス、硫黄及び水素を除去
するものである。硫黄は硫化水素またはメルカプタン類
として除去される。水素は水素分子、炭化水素類及び硫
化水素として除去される。熱ストリッピング帯域（１４
３）は再生装置へのコークス装填量を５０％だけ低減し
且つ水素分子、軽質炭化水素類及び他の水素含有化合ル
しＩ＋ｆ−Ｌ＋嵩＾り＾−〇八〇へ九寸Ｌ　Ｉ＋　　１
し・すＩするに充分望ましい条件下に維持される。また
、熱ストリッピング帯域（１４３）は硫化水素及びメル
カプタン類として硫黄の４５〜５５％を除去し且つアン
モニア及びシアン化物として窒素を除去するに充分な条
件を維持することが好適である。ストリッピングされた
水素含有化合物、コークス、硫黄含有化合物及び窒素含
有化合物は熱ストリッピング容器（１４０）から流れ（
１４９）としてガス状流出流導管（１５０）に送られる
。

熱ストリッピング帯域（１４３）はまたトレー（邪魔板
）（１４４）を備える。トレー（１４４）は円板形でも
ドーナッツ形でもよく、孔付であっても、孔付でないも
のであってもよい。

熱ストリッピング容器（１４０）は再生装置（１８０）
の直接下方設置されている。第２図の実施態様において
、熱ストリッピング容器（１４０）は再生容器（１８０
）へ取り付けられている。熱ストリッピング容器（１４
０）の雰囲気は熱ストリッピング容器頂部壁（１４１）
により再生装置（１８０）の雰囲気と分離されている。

再生装置（１８０）の下に熱ストリッピング容器（１４
０）を設置すれば、は経済的な長触媒滞留時間熱ストリ
・ンピング装置が得られる。こりような長触媒滞留時間
熱ストリッピング装置を積重ねる方が別の容器として構
築するよりも安価につく。また、触媒の循環を容易にす
るためには反応器容器（１０２＞の下に熱ストリッピン
グ容器を設けるより再生装置の下に熱ストリッピング容
器を構築することがより望ましい。ストリッピング済み
熱触媒は熱ストリッピング容器（１４０）から流出流導
管（１５２）を通過して再生装置ライザー（１６０）へ
送られる。

流出流導管（１５２）は熱ストリッピング容器（１４０
）と再生装置ライザー（１６０）に接続しており、スラ
イドバルブ（１５４）を備える。

再生装置ライザー（１６０）において、導管（１６６）
からの上昇空気とストリッピング済み熱触媒を混合し、
希釈相として再生装置（１８０）へ上昇させる。再生装
置ライザー（１６０）において、冷却した触媒に粘着す
るコークスのような可燃性物質は空気との接触により焼
成される。希釈相は再生装置ライザー（１６０）を上昇
して鎮ライザーに接続する半径方向に延びるアーム（１
８４）へ送られ、次に再生装置（１８０）内に設置され
た触媒（１８２）の比較的濃密な床に降下する。

触媒の主要割きは半径方向に延びるアーム（１８４）を
通過して降下するが、ガス類及び残存する触媒は再生装
置（１８０）の雰囲気へ送られる。

次にガス類及び残存する触媒は挿入導管（１８９）を通
過して第１再生装置サイクロン（１８６）へ送られる。

第１再生装置サイクロン（１８６）は触媒区分を分離し
、該触媒区分を第１浸漬脚（１９０）に送り、また残存
する触媒とガス類は頂部導管（１８８）を通って第２再
生装置サイクロン（１９２）へ送られる。第２再生装置
サイクロン（１９２）は触媒区分を分離し、分離した触
媒区分を第２浸漬脚（１９６）へ送り、残存するガス及
び触媒は第２頂部導管（１９４）を通過して再生装置プ
レナム室（１９８）へ送られる。排ガス流（２０１）は
再生装置プレナム室（１９８）を出て再生装置排ガス導
管（２００＞へ送られる。

再生済み触媒は沈降して再生装置ライザー（１６０）を
通過する希釈触媒と比較して濃密である触媒（１８２）
の床を形成する。再生装置ライザー（１６０）及び再生
装置（１８０）中でコークスが燃焼するために再生済み
触媒（１８２）の床の温度は熱ストリッピング帯域（１
４３）の温度よりかなり高い温度である。床中の触媒（
１８２）の温度は熱ストリッピング帯域（１４３）中の
触媒（１４２）より少なくとも５６℃（１００下）、好
適には熱ストリッピング帯域（１４３）中の触媒（１４
２）の温度より少なくとも８３°Ｃ（１５０下）高い温
度にある。再生装置（１８０）の温度は触媒の失活を防
止するために最高温度で８７１℃（１６００下）である
。

また空気は空気輸送用導管（１７０）を通過して再生装
置（１８０）中の空気ヘッダー（１７４）へ送られる。

これは再生装置（１８０）中での付加的な触媒の再生を
生じさせる。次に再生済み触媒は触媒（１８２）の比較
的濃密な床から輸送用導管／Ｑ　ｎ　ｃけべ吊スｔ　プ
４綻統１１　りＱ１八ユ’Ａ　？−も　　エ膚ストリッ
ピング帯域（１３０）からの触媒と混合され、該触媒を
加熱する。

第３図は本発明の第３実施態様を示すものである。この
第３実施態様は第２図の実施態様の適宜変成である。第
３図に記載する実施態様において、流出流導管（１５２
）からのストリッピング済み熱触媒の温度が５９３℃（
１１００下）以下である渇き、ストリッピング済み熱触
媒は流出流導管（１５２）を通過して上昇用ボット（予
熱室）（１５５）へ送られる。再生済み熱触媒の１部分
は制御バルブ（１５８）を備えた導管（１５６）を通過
して上昇用ポット（１５５）へ送られる。これらの触媒
流は触媒床（１５３）を形成する。導管（１６６）から
の空気はノズル（１６２）を通過して触媒床（１５３）
中の触媒を流動化し、次に触媒を希釈相として連続的に
再生装置ライザー（１６０）へ輸送される。

慣用の流動接触クラッキング触媒が本発明に使用できる
。無定形支持体中のゼオライト触媒を使用することが好
適である。多くの適当な触媒がオ−エン（Ｏｔｕｅｎ）
らの米国特許第３，９２６，７７８号明細書に開示され
ている。触媒は流動接触クラッキング再生装置中でＳＯ
ｘを吸着またはＳＯにと反応することを意図する試薬を
含有すべきではない。

第４図により示される本発明の第４実施態様において、
第２図及び第３図に示される熱ストリッピング帯域（１
４３）は熱ストリッピング容器（２４０）中に設置され
た流動床熱ストリッピング帯域（２４３）に置換えられ
ている。熱ストリッピング容器（２４０）は流動濃密相
触媒床（２４２）を備える。第２図の予備ストリッピン
グ帯域（１３０）からの触媒または予備ストリッピング
を行なわずに流動接触クラッキング反応器容器から直接
得られる分離した触媒を含有する使用済み触媒（２３６
）の流れは熱ストリッピング装置挿入導管（２３８）を
通過して熱ストリッピング容器（２４０＞へ送られる。

使用済み触媒（２３６）を流動化し、ストリッピングガ
ス導管（２４６）により供給される注入点（２４８）を
通過するストリッピングガスと接触させてストリッピン
グを行なう。

再生済み熱触媒は再生装置（１８０）からスライドバル
ブ（３０８）を備える触媒導管（３０６）を通過して熱
ストリッピング容器（２４０）へ送られて使用済み触媒
と混合される。

熱ストリッピング容器（２４０）において、水素含有化
合物、硫黄含有化合物及び窒素含有化合物が使用済み触
媒（２３６）から分離され、ガス状流出流導管（２５０
）を通過するガス状流出流（２４９＞として熱ストリッ
ピング容器（２４０＞から排出される。ストリッピング
済み触媒は熱ストリッピング容器（２４０）から触媒流
出流導管（２５２）へ送ることによって排出され、該触
媒を導管（２６６＞により供給される上昇用空気と混合
し、希釈相として再生装置ライザー（２６０）を上方へ
送られる。第２図及び第３図に示す実施態様について上
述したように、次に希釈相触媒を再生装置ライザー＜２
６０）から半径方向に延びるアーム（１８４）へ排出し
、再生装置（１８０）中で再生される。再生済み触媒流
（３０４）は再生装置（１８０）から直立管（２０２）
を通って排出され、ライザー反応器（１０４）（第２図
に示す）へ送られる。

流動床熱ストリッピング帯域（２４３）は第２図及び第
３図に示す熱ストリッピング帯域（１４３）と同じ温度
範囲及びガス滞留時間で運転される。

第５図に示す本発明の第５実施態様は第２図及び第３図
を使用する反応器容器を使用するものである。しかし、
触媒は予備ストリッピング帯域（１３０）から予備スト
リッピング装置流出流導管（３１０）を通過して熱スト
リッピングライザー（３１６）からなる熱ストリッピン
グ帯域（３１７）へ送られる。熱ストリッピンクライザ
ー（３１６）において、予備ストリッピング帯域（１３
０）からの予備ストリッピング済み触媒を、流動接触ク
ラッキング再生装置（図示せず）からの導管（３１’２
）を通って熱ストリッピングライザー（３１６）へ送ら
れる再生済み触媒流（３１４）と混合する。流動接触ク
ラッキング再生装置は第２図及び第３図の再生装置（１
８０）について記載した温度条件で運転１°乙、′）−
六（て゛へ、ｚ、’−ｈ　　八め退庁）シ伴り十執プ　
ト　ＩＩ　　１、ｔピングライザー（３，１６）中の触
媒の温度１５８℃（３１６下）より５６℃（１００下）
高い温度から８７１℃（１６００下）の間の流動接触ク
ラッキング温度を含み、熱ストリッピングライザー（３
１６）の触媒の温度１５８℃（３１６下）より８３℃（
１５０下）高い温度から８１７℃＜１６００下）までの
温度が好適である。

混合された触媒は希釈相として０．５〜３０秒、好適に
は０．５〜５秒のガス滞留時間で熱ストリッピングライ
ザー（３１６）を通過する。混合された触媒は熱ストリ
ッピングライザー（３１６）中で熱ストリッピングされ
、熱ストリッピングライザー（３１６）からガス排出容
器（３２０）へ排出される。

ガス排出容器（３２０）において、ガスは連続的に上方
へ送られ、頂部流（３２４）として頂部導管（３２２）
を通過して排出され、また固体は下方へ降下してガス排
出容器（３２０）の低部区域に触媒（３２６）の比較的
濃密な床を形成する。次に、触媒の濃密床からの触媒（
３２６）は導管（３３０）を通過する熱ストリッピング
済み触媒流（３２８）としてガス排出容器（３２０）か
ら排出されて流動接触クラッキング再生装置（図示せず
）に送られる。

第６図及び第７図は反応器容器（３４２）中で予備スト
リッピング及び触媒分離が行なわれる本発明の第６実施
態様を開示するものである。この実施態様において、炭
化水素混合物は上述のライザー反応器（１０４）につい
て記載したような適当な接触クラッキング温度条件でラ
イザー転化帯域（３４０）を通過する。触媒とクラッキ
ング済み炭化水素類の混合物は第７図に示すように円錐
型そらせ板（３９２）に結合したさい頭円錐型そらせ板
（３９０）により流向をそらし、このようにして流向を
そらした混合物は導管（３４４）を通過して短接触時間
ストリッピング装置（３４７）のサイクロン帯域（３４
５）へ送られる。サイクロン帯域（３４５）は遠心分離
装置である。短接触時間ストリッピング装置（３４７）
はサイクロン帯域（３４５）の円筒状部分（３４６）に
近接して設置された予備ストリッピング帯域を区画する
予備ストリッピング容器（３４９）容器を備える。この
構造は円筒状部分（３４６）の延長部分が予備ストリッ
ピング容器（３４９）の壁を構成するものである。

予備ストリッピング容器（３４９）は上述の実施態様に
おいて記載したようなようなストリッピング条件で操作
される。

第７図は短接触時間ストリッピング装置（３４７）を詳
細に説明するものである。炭化水素−触媒混合物はライ
ザー転化帯域（３４０）を垂直に上昇し、短接触時間ス
トリッピング装置（３４７）に上部区域に設置されたサ
イクロン帯域（３４５）へ入り、短接触時間ストリッピ
ング装置（３４７）の低部区域へ下降する。邪魔板（４
０２）及び（４０４）は下降する分離された触媒粒子を
孔付円錐状ディフューザー（３３２）及び＜３３４）へ
向かわせるために作用をする。スチームは挿入口（３９
８）及び（４００）により供給され、分離された触媒粒
子が流れる区域のみを移動する。該区域の触媒はスチー
ム注入点と逆行ロートである邪魔板（４０２）及び（４
０４）の取入口の間に装填された触媒である。スチーム
はロート取入口の上の触媒粒子を通って流れることがな
く、それによって、同伴する炭化水素と触媒とが更に引
き続いて接触することはない。全ての触媒がスチームと
接触するが、スチームは短接触時間ストリッピング装置
（３４７）中のロート取入口上に含まれる全ての触媒と
接触しない。　分離された触媒はサイクロン帯域（３４
５）から導管（３９４）を通って邪魔板（４０４）へ送
られる。孔付円錐状ディフューザー（３３４）からの触
媒は導管（３９６）を通過して孔付円錐状ディフューザ
ー（３３４）の下に設置された触媒床（４１０）へ送ら
れる。触媒床＜４１０＞中の触媒は短接触時間ストリッ
ピング装置（３４７）からシールポット（３４８）へ挿
入されている排出用導管（４１４）へ排出される。触媒
は排出用導管（４１４）とシールポット（３４８）の間
の環状空隙を通過してオーバーフローし且つシールポッ
ト（３４８）の底部に備えられた排出孔（４１２＞を通
過することによってシールポット（３４８）を出る。

排出孔（４１２）は触媒の１０〜９０％を流通させス　
Ｓ／　−＋＋＋ゼ、、、　ｋ　／”ｌ　Ａ　Ｑ　”＋Ｉ
＋４社中田省答／ｚｌｌＡ）の下に設置された第６図に
示す触媒床（３６２）へ排出用導管（４１４）を延長す
るか、またはトリックルバルブを備える排出用導管（４
１４）を提供することなしに触媒の封止を提供する。

更に第６図に記載するように、短接触時間ストリッピン
グ装置（３４７）からの頂部流は頂部導管（３５０）を
通過して第２サイクロン（３５４）へ送られ、短接触時
間ストリッピング装置頂部流から触媒の第２区分を分離
し、触媒の分離された第２区分は浸漬脚（３５８）の下
の触媒床（３６２）へ該浸漬ＩＩ（３５８）を通過して
送られる。頂部導管（３５０）はまた第２図及び第３図
のコネクター（２４）に関して上述したように環状空隙
をもつコネクター（３５２）を備えることができる。

シールポット（３４８）からの触媒は反応器容器（３４
２）の低部区域（３６０）により区画される熱ストリッ
ピング帯域（３６３）に設置された触媒床（３６２）へ
送られる。

熱ストリッピング帯域（３６３，）において、シールポ
ット（３４８）からの予備ストリッピング済み触媒は導
管（３８２）からの再生済み熱触媒と混合する。導管（
３８２）はスライドバルブ（３８４）を備える。再生済
み触媒−空気混合物をライザー（３７２）を通して上方
へ通過させて再生済み触媒−空気混合物を排出用容器（
３７４）へ排出することによって再生済み触媒が得られ
る。ガス状形態の物質は連続的に上昇し、頂部流（３７
６）として頂部導管（３７８）を通過して排出用容器（
３７４）を出る。再生済み触媒−空気混合物から分離さ
れた固体は排出用容器（３７４）を下降して濃密触媒床
（３８０）を形成する。濃密触媒床（３８０）からの再
生済み触媒は上述の実施態様で再生済み触媒について記
載した温度条件で導管（３８２）を通過して反応器容器
（３４２）へ送られる。導管（３８２）からの再生済み
触媒は熱ストリッピング帯域（３６３）へ熱を提供する
。

反応器容器（３４２）の低部区域（３６０）内の混合さ
れた触媒はストリッピングガス導管（３６６）を通って
ストリッピングガスヘッダー（３６８）から装入される
ストリッピングガスと向流的に通過する。熱ストリッピ
ング帯域（３６３）は邪魔板（トレー＞（３６４）を備
えることができ、該邪魔板（トレー）（３６４）は千円
形態またはドーナッツ状形態であることができ、孔付で
あっても、孔付でないものであってもよい。熱ストリッ
ピング済み触媒は熱ストリッピング帯域（３６３）から
導管（３７０）を通過して流動接触クラッキング再生装
置（図示せず）へ送られる。

高温（熱）ストリッピング装置としての熱ストリッピン
グ帯域（３６３）の操作は触媒から水素分子として水素
並びに炭化水素類を分離する利点をもつ。

水素の除去は通常流動接触クラッキング再生装置中で水
素と酸素が反応して水を形成する場合に生ずる水熱劣化
をなくす。また、熱ストリッピング装置はコークス化し
た触媒から容易にスクラビングされる硫化水素及びメル
カプタン類として硫黄を除去する。熱ストリッピング装
置中のコークス化した触媒から硫黄を除去することによ
って、熱ストリッピング装置は再生装置中でのＳＯｘの
形成を防止する。熱ストリッピング装置流出流がら硫化
水素またはメルカプタン類を除去することより再生装置
排ガスからＳｏにを除去する方が難しい、熱ストリッピ
ング装置は使用済み触媒からの炭化水素類の除去を増大
し、それによって再生装置中での有用な炭化水素類の燃
焼を防止する。更に、熱ストリッピング装置は触媒から
炭化水素類を急速に分離してオーバークラッキングを防
止する。

熱ストリッピング装置は再生装置へのコークス装填量を
約５０％だけ低減し且つ水素分子、軽質炭化水素類及び
他の水素含有化合物として水素の７０〜８０％をストリ
ッピングするに充分な望ましい条件を維持することが好
適である。また、熱ストリッピング装置は硫化水素また
はメルカプタン類としての硫黄の４５〜５５％並びにア
ンモニア及びシアン化物類としての窒素の１部分を除去
するに充分な条件に維持されるや 熱ストリッピング装置は該熱ストリッピング装置から除
去される炭素の量を制御する。従って、熱ストリッピン
グ装置は再生装置へ送られる触媒に残存する炭素（及び
水素、硫黄）の量を制御する。

この残留炭素量は反応器ストリッピング装置と再生装置
の間の温度の上昇を制御する。また熱ストリッピング装
置は残留炭素の関数としての再生装置へ送られる使用済
み触媒の水素含量を制御する。

すなわち、熱ストリッピング装置は再生装置内の触媒の
温度及び熱水失活の量を制御する。この概念は多工程ス
トリッピング装置、多温度ストリッピング装置または単
一工程スドリッピング装置に実施できる。

望ましい再生の程度は望ましいＣＯ／ＣＯ２比、望まし
い炭素焼却量、再生装置から熱ストリッピング装置への
触媒循環量、及び熱ストリッピング装置中の脱［／脱窒
素／脱炭素の程度により評価することができる。

再生工程以外で触媒上の炭素を除去するために熱ストリ
ッピング装置を使用するれば、空気の汚染を低減し、所
望であれば、全ての反応で生成し。

た炭素を全てＣ０２へ焼却することができる。これとは
異なり、ディーン（Ｄｅａｎ）らの米国特許第４．３３
６，１６０号明細書の方法［トータル法（ＴＯＴＡＬｐ
ｒｏｃｅｓｓ）として既知である］は２種の排ガス流を
使用するものであり、これらの排ガス流の１つのみがＣ
０２へ燃焼される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による流動接触反応器−再生装置を説明
する図であり、第２図は本発明による再生装置下部の熱
ストリッピング容器を説明する図であり、第３図は第２
図の装置に更に熱ストリッピング済み触媒と再生済み触
媒を混合するための手段を含む装置を説明する図であり
、第４図は本発明の流動熱ストリッピング容器を説明す
る図であり、第５図は本発明のライザー熱ストリッピン
ク装置を説明する図であり、第６図は本発明による反応
器容器内に設置されたストリッピング容器、シールポッ
ト及び熱ストリッピング装置を説明する図てあり、第７
図は第６図のストリッピング容器及びシールボットを詳
細に説明する図である。 図中：（１）・・・垂直延長管、く３）・・・上流端部
、（５）・・・下流端部・、（７〉・・・導管（装入原
料供給源）、（９）・・・頂部部材、（１１）・・・密
封容器、（１３）・・・連続側壁、（１５）・・・底部
部材、（１７）・・・第１ストリッピング帯域、（１９
）・・・垂直導管、（２１）・・・外部密封型サイクロ
ン装置、（２３）・・・第２ストリッピング帯域、（２
４）・・・コネクター、（２５）・・・浸漬脚、（２７
）・・・第１導管、（２９）・・・第２工程再生装置、
（３１）・・・混合用トレー、（３３）・・・第１工程
再生装置、（３５）・・・空気挿入口、（３７）・・・
導管、（３９）・・・第１サイクロン、（４１）・・・
第２サイクロン、（４５）・・・触媒床、（４９）・・
空気分配用ヘッダー、（５１）・・・そらせ板、（５３
）・・・導管、（５５）・・・導管、（５７ン・・・導
管、（５９）・・・導管、（６１）・・・導管、（１０
２）・−・反応器容器、＜１０４＞・・・ライザー反応
器、（１０６）・・・ライザー流出流導管、（１０８）
・・・第１反応器サイクロン、＜１１０）・・・ガス流
出流導管、（１１１）・・・コネクター、（１１２＞・
・・浸漬脚、（１１４）・・・第２反応器サイクロン、
（１１６）・・・第２反応器サイクロン流出流導管、（
１１８）・・・浸漬脚、（１２０）・・・反応器頂部受
口、（１２２＞・・・反応　′器頂部導管、（１２４）
・・・反応器頂部流、（１３０）・・・予備ストリッピ
ング帯域、（１３１）・・・触媒床、（１３２）・・・
トレー（邪魔板）、（１３６）・・・ストリッピングガ
ス用ヘッダー、（１３８）・・・反応器流出導管、（１
４０）・・・熱ストリッピング容器、（１３９）・・・
バルブ、（１４１）・・・熱ストリッピング容器頂部壁
、（１４２）・・・触媒、（１４３）・・・熱ストリッ
ピング帯域、（１４６）・・・導管、（１４８）・・・
ストリッピングガス注入点、（１４９）・・・流れ、（
１５０）・・・ガス流出流導管、（１５２）・・・流出
流導管、（１５３）・・・触媒床、（１５４）・・・ス
ライドバルブ、（１５５）・・・上昇用スポット（予熱
室）、（１５６）・・・導管、（１５８）・・・制御バ
ルブ、（１’６０　）・・・再生装置ライザー、（１６
２）・・・ノズル、（１６６）・・・導管、（１７０）
・・・空気輸送導管、（１７４）・・・空気ヘッダー、
（１８０）・・・再生装置、（１８２）・・・触媒、（
１８４）・・・アーム、（１８６）・・・第１再生装置
サイクロン、（１８８）・・・頂部導管、（１８９）・
・・挿入導管、（１９０＞・・・第１浸漬脚、（１９２
）・・・第２再生装置サイクロン、（１９４＞・・・第
２頂部導管、（１９６）・・・第２浸漬脚、（１９８）
・・・再生装置プレンム室、（２００＞・・・再生装置
排ガス導管、（２０１）・・・排ガス流、（２０２＞・
・・直立管、（２０４）・・・制御バルブ、（２０６）
・・・輸送用導管、（２０８＞・・・スライドバルブ、
（２３６）・・・使用済み触媒、（２３８＞・・・熱ス
トリッピング装置挿入導管、（２４０）・・・熱ストリ
ッピング容器、、（２４２）・・・流動濃密相触媒床、
（２４３）・・・流動床熱ストリッピング帯域、（２４
６）・・・ストリッピングガス導管、（２４８＞・・・
注入点、＜２４９）・・・ガス状流出流、（２５０）・
・・ガス状流出流導管、（２５２）・・・触媒流出流導
管、（２６０＞・・・再生装置ライザー、（２６６）・
・・導管、（３０４）・・・再生済み触媒流、（３０６
）・・・触媒導管、（３１０）・・・予備ストリッピン
グ装置流出流導管、（３１２）・・・導管、（３１４）
・・・再生済み触媒流、（３１６）・・・熱ストリッピ
ングライザー、（３１７）・・・熱ストリッピング帯域
、（３２０）・・・ガス排出容器、（３２２）・・・頂
部導管、（３２，４）・・・頂部流、（３２６）・・・
触媒、（３２８）・・・熱ストリッピング済み触媒流、
（３３０）・・・導管、（３３２）・・・孔付円錐状デ
ィフューザー、（３３４）・・・孔付円錐状ディフュー
ザー、（３４０）・・・ライザー転化帯域、（３４２）
・・・反応器容器、（３４４）・導管、（３４５）・・
・サイクロン帯域、（３４６）・・・円筒状部分、（３
４７）・・・短接触時間ストリッピング装置、（３４８
）・・・シールポット、（３４９）・・・予備ストリッ
ピング容器、（３５２）・・・コネクター、（３５４）
・・・第２サイクロン、（３６０）・・・低部区域、（
３６２）・・・触媒床、（３６３）・・・熱ストリッピ
ング帯域、（３６４）・・・邪魔板（トレー）、（３６
６）・・・ストリッピングガス導管、（３６８）・・・
ストリッピングガスヘッダー、（３７０）・・・導管、
（３７２）・・・ライザー、（３７４）・・・排出用容
器、（３７６）・・・頂部流、（３７８）・・・頂部導
管、（３８０）・・・濃密触媒床、（３８２）・・・導
管、（３８４）・・・スライドバルブ、（３９０）・・
・さい頭円錐型そらせ板、（３９４）・・・導管、（３
９６）・・・導管、（３９８）・・・挿入口、（４００
）・・・挿入口、（４０２）・・・邪魔板、（４０４）
・・・邪魔板、（４１０）・・・触媒床、（４１２）・
・・排出孔、溶方”ｌ 上昇用！気

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、触媒と炭化水素装入原料の混合物を慣用の流動接触
   クラッキングライザー反応器（１０４）を上方へ通過さ
   せ、コークス化した触媒とクラッキング済み生成物の混
   合物を流動接触クラッキングライザー反応器から排出し
   、コークス化した触媒をストリッピングしてストリッピ
   ング可能な炭化水素類を除去し、且つストリッピング済
   み触媒からコークスを再生装置（１８０）中で焼却する
   ことによって熱再生触媒を生成させることからなる炭化
   水素装入原料のＦＣＣ方法において、コークス化した触
   媒を再生装置（１８０）からの再生済み熱触媒と混合す
   ることによって加熱し、加熱したコークス化した触媒を
   熱ストリッピング帯域 （１４３）中でストリッピングガスと接触させることに
   よってストリッピングし、ストリッピング済み熱触媒を
   再生装置（１８０）内で再生することを特徴とする炭化
   水素装入原料の流動接触クラッキング方法。 ２、ストリッピングガスと加熱且つコークス化した触媒
   との滞留時間が０．５〜３０秒である特許請求の範囲第
   １項記載の方法。 ３、コークス化した触媒が５４０〜７６０℃へ加熱され
   、熱ストリッピング帯域（１４３）中でのストリッピン
   グガスの滞留時間が０．５〜５秒である特許請求の範囲
   第２項記載の方法。 ４、コークス化した触媒が硫黄化合物を含有し、加熱且
   つコークス化した触媒のストリッピングが硫黄化合物の
   ４５〜５５％及びコークス化した触媒中の炭化水素類か
   ら７０〜８０％の水素を除去する特許請求の範囲第１項
   から第３項までのいずれか１項に記載の方法。 ５、コークス化した触媒を予備ストリッピング帯域（１
   ３０）中で慣用のストリッピングガス流と接触させ、次
   に再生済み熱触媒と混合する特許請求の範囲第１項から
   第４項までのいずれか１項に記載の方法。 ６、予備ストリッピング帯域（１３０）の下流の混合用
   トレーが予備ストリッピング帯域（１３０）からの触媒
   と再生済み熱触媒を混合するために使用される特許請求
   の範囲第５項記載の方法。 ７、油と触媒を添加するための上流端部（３）と使用済
   み触媒とクラッキング済み生成物を排出するための下流
   端部（５）とを備える垂直延長管（１）と、クラッキン
   グ済み生成物から使用済み触媒を分離し、使用済み触媒
   をストリッピングする手段と、ストリッピング済み触媒
   を再生する手段とを備える油の流動接触クラッキング装
   置において、再生装置がストリッピング済み触媒を受け
   且つ部分的に触媒を再生する第１工程再生装置（３３）
   と、第１工程からの部分的に再生された触媒を受ける第
   ２工程再生装置との２工程再生装置からなることを特徴
   とする油の流動接触クラッキング装置。 ８、第１工程再生装置（３３）が長さ／直径比２／１以
   上をもつ特許請求の範囲第７項記載の装置。 ９、垂直延長管（１）が底部部材（１５）及び頂部部材
   （９）へ接続する連続側壁より実質上なる細長い密封容
   器（１１）内で終結し、そらせ板（５１）が密封容器（
   １１）の頂部部材（９）内にあり、密封容器（１１）の
   上部区域が第１ストリッピング帯域（１７）を備え、密
   封容器（１１）の低部区域が第２ストリッピング帯域（
   ２３）を備え、混合用トレー（３１）が第１ストリッピ
   ング帯域（１７）の底部帯域に設置されている特許請求
   の範囲第７項または第８項記載の装置。 １０、油と触媒を添加するため上流端部（３）と、使用
   済み触媒とクラッキング済み生成物を排出するための下
   流端部（５）とを備える垂直延長管（１）と、クラッキ
   ング済み生成物から使用済み触媒を分離し、使用済み触
   媒をストリッピングするための手段と、ストリッピング
   済み触媒を再生するための触媒再生装置を備えてなる油
   の流動接触クラッキング装置において、ストリッピング
   媒体と使用済み触媒を接触させて使用済み触媒から炭化
   水素類をストリッピングするためのストリッピングガス
   用の導管（５３）を備える第１ストリッピング帯域（１
   ７）と、第１ストリッピング帯域（１７）からの触媒及
   び再生済み触媒を受けるための第２ストリッピング帯域
   （２３）とからなる２工程ストリッピング装置を備え、
   第２ストリッピング帯域（２３）がストリッピング媒体
   と触媒を接触させて触媒から炭化水素をストリッピング
   するためのストリッピングガス用の導管（５５）を備え
   ることを特徴とする油の流動接触クラッキング装置。 １１、ストリッピング済み触媒と再生済み熱触媒を混合
   するために第１ストリッピング帯域（１７）と第２スト
   リッピング帯域（２３）の間に混合用トレー（３１）を
   備える特許請求の範囲第１０項記載の装置。 １２、油と触媒を添加するための上流端部（３）と、使
   用済み触媒とクラッキング済み生成物を排出するための
   下流端部（５）とを備える垂直延長管（１）と、クラッ
   キング済み生成物から使用済み触媒を分離し、使用済み
   触媒をストリッピングするための手段と、ストリッピン
   グ済み触媒を再生するための触媒再生装置とを備えてな
   る油の流動接触クラッキング装置において、 （ａ）触媒とクラッキング済み炭化水素の混合物中の触
   媒を下流端部（５）で下方へそらせてクラッキング済み
   炭化水素から触媒区分を分離するための触媒分離装置； （ｂ）下方へそらせた触媒を接触させて触媒から炭化水
   素をストリッピングするためのストリッピングガス用の
   導管（５３）を備える第１ストリッピング帯域（１７）
   、及び第１ストリッピング帯域（１７）からの触媒及び
   再生済み触媒を受けるための第２ストリッピング帯域（
   ２３）であって第２ストリッピング帯域（２３）がスト
   リッピング媒体と触媒を接触させて触媒から炭化水素を
   ストリッピングするためのストリッピングガス用の導管
   （５５）を備えることからなる第２ストリッピング帯域
   （２３）を備えるストリッピング装置；（ｃ）再生済み
   熱触媒を第２ストリッピング帯域（２３）及び垂直延長
   管（１）の上流端部（３）へ排出する第２工程再生装置
   （２９）； （ｄ）第１ストリッピング帯域（１７）及び第２ストリ
   ッピング帯域（２３）へ導入されるストリッピング媒体
   と炭化水素生成物とから同伴する触媒を分離するために
   垂直延長管（１）の下流端部（５）に近接する出口を備
   える少なくとも１本の外部導管と接続する外部密封型サ
   イクロン装置（２１）であって、該外部密封型サイクロ
   ン装置（２１）が炭化水素生成物及びストリッピング媒
   体用の蒸気排出用の導管（６１）及び第２ストリッピン
   グ帯域（２３）へ触媒を排出するための浸漬脚（２５）
   を備え、それによって第２ストリッピング帯域（２３）
   が第１ストリッピング帯域（１７）からのストリッピン
   グ済み触媒、浸漬脚（２５）からの触媒及び再生済み熱
   触媒を受けることからなる外部密封型サイクロン装置（
   ２１）を備えることを特徴とする油の流動接触クラッキ
   ング装置。 １３、ストリッピング済み触媒と再生済み熱触媒を混合
   するために第１ストリッピング帯域（１７）と第２スト
   リッピング帯域（２３）の間に混合用トレー（３１）を
   備える特許請求の範囲第１２項記載の装置。 １４、第２工程再生装置（２９）中の第１サイクロン（
   ３９）及び第２サイクロン（４１）が排ガスから再生済
   み触媒を分離し、第２サイクロン（４１）が微粒子を除
   去するための浸漬脚を備える特許請求の範囲第１１項か
   ら第１３項までのいずれか１項に記載の装置。 １５、垂直延長管（１）が底部部材（１１）及び頂部部
   材（９）へ接続する連続側壁より実質上なる細長い密封
   容器（１１）内で終結し、そらせ板（５１）が密封容器
   （１１）の頂部部材（９）内にあり、密封容器（１１）
   の上部区域が第１ストリッピング帯域（１７）を備え、
   密封容器（１１）の低部区域が第２ストリッピング帯域
   （２３）を備え、混合用トレー（３１）が第１ストリッ
   ピング帯域（１７）の底部帯域に設置されている特許請
   求の範囲第１１項から第１４項までのいずれか１項に記
   載の装置。 １６、油と触媒を添加するための上流端部（３）と、使
   用済み触媒とクラッキング済み生成物を排出するための
   下流端部（５）とを備える垂直延長管（１）と、クラッ
   キング済み生成物から使用済み触媒を分離し、使用済み
   触媒をストリッピングするための手段と、ストリッピン
   グ済み触媒を再生するための触媒再生装置とを備えてな
   る油の流動接触クラッキング装置において、 （ａ）触媒とクラッキング済み炭化水素の混合物中の触
   媒を下流端部（５）で下方へそらせてクラッキング済み
   炭化水素から触媒区分を分離するための触媒分離装置； （ｂ）下方へそらせた触媒を接触させて触媒から炭化水
   素をストリッピングするためのストリッピングガス用の
   導管（５３）を備える第１ストリッピング帯域（１７）
   、及び第１ストリッピング帯域（１７）からの触媒及び
   再生済み触媒を受けるための第２ストリッピング帯域（
   ２３）であって第２ストリッピング帯域（２３）がスト
   リッピング媒体と触媒を接触させて触媒から炭化水素を
   ストリッピングするためのストリッピングガス用の導管
   （５５）を備えることからなる第２ストリッピング帯域
   （２３）を含むストリッピング装置； （ｃ）第２ストリッピング帯域（２３）からのストリッ
   ピング済み触媒を受け、且つ部分的に再生した触媒を第
   ２工程再生装置（２９）に排出する第１工程再生装置（
   ３３）を備え、再生済み熱触媒を第２ストリッピング帯
   域（２３）及び垂直延長管（１）の上流端部（３）へ排
   出する再生装置； （ｄ）第１ストリッピング帯域（１７）及び第２ストリ
   ッピング帯域（２３）へ導入されるストリッピング媒体
   と炭化水素生成物とから同伴する触媒を分離するために
   垂直延長管（１）の下流端部（５）に近接する出口を備
   える少なくとも１本の外部導管と接続する外部密封型サ
   イクロン装置（２１）であって、該外部密封型サイクロ
   ン装置（２１）が炭化水素生成物及びストリッピング媒
   体用の蒸気排出用の導管（６１）及び第２ストリッピン
   グ帯域（２３）へ触媒を排出するための浸漬脚（２５）
   を備え、それによって第２ストリッピング帯域（２３）
   が第１ストリッピング帯域（１７）からのストリッピン
   グ済み触媒、浸漬脚（２５）からの触媒及び再生済み熱
   触媒を受けることからなる外部密封型サイクロン装置（
   ２１）を備えることを特徴とする油の流動接触クラッキ
   ング装置。 １７、ストリッピング済み触媒と再生済み熱触媒を混合
   するために第１ストリッピング帯域（１７）と第２スト
   リッピング帯域（２３）の間に混合用トレー（３１）を
   備える特許請求の範囲第１６項記載の装置。 １８、第１工程再生装置（３３）が長さ／直径比２／１
   以上をもつ特許請求の範囲第１６項または第１７項記載
   の装置。 １９、第２工程再生装置（２９）中の第１サイクロン（
   ３９）及び第２サイクロン（４１）が排ガスから再生済
   み触媒を分離し、第２サイクロン（４１）が微粒子を除
   去するための浸漬脚を備える特許請求の範囲第１６項か
   ら第１８項までのいずれか１項に記載の装置。 ２０、垂直延長管（１）が底部部材（１１）及び頂部部
   材（９）へ接続する連続側壁より実質上なる細長い密封
   容器（１１）内で終結し、そらせ板（５１）が密封容器
   （１１）の頂部部材（９）内にあり、密封容器（１１）
   の上部区域が第１ストリッピング帯域（１７）を備え、
   密封容器（１１）の低部区域が第２ストリッピング帯域
   （２３）を備え、混合用トレー（３１）が第１ストリッ
   ピング帯域（１７）の底部帯域に設置されている特許請
   求の範囲第１６項から第１９項までのいずれか１項に記
   載の装置。