JPS61129177A - Production of epoxysuccinic acid monoester derivative - Google Patents

Production of epoxysuccinic acid monoester derivative

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JPS61129177A
JPS61129177A JP59249761A JP24976184A JPS61129177A JP S61129177 A JPS61129177 A JP S61129177A JP 59249761 A JP59249761 A JP 59249761A JP 24976184 A JP24976184 A JP 24976184A JP S61129177 A JPS61129177 A JP S61129177A
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epoxysuccinic acid
epoxysuccinic
acid monoester
activated
monoester
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邦明 後藤
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千尋 横尾
Mitsuo Murata
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Taisho Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:An epoxysuccinic monoester, which is available in a reasonable price in industry, is used as a starting material to produce the title compound of high purity which is used as a drug or intermediate in high efficiency through a specific process with simple operations. CONSTITUTION:Crude epoxysuccinic acid monoester containing free epoxysuccinic acid as an impurity is allowed to react with an activator for carboxyls such as p-nitropenol to synthesize activated epoxysuccinic acid monoester. Then, the activated epoxysuccinic acid derived from epoxysuccinic acid as an impurity is removed as a solid insoluble. Subsequently, purified activated epoxysuccinic acid monoester is allowed to react with an amino group- containing compound such as an alkylamine to give an epoxysuccinic monoesteramide.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエポキシコハク酸モノエステル誘導体の製造法
に関し、更に詳しくは、医薬用または中間体等として有
用な高純度のエポキシコハク酸モノエステル誘導体を筒
車な操作で効率よく製造する方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for producing epoxysuccinic acid monoester derivatives, and more specifically, to a highly purified epoxysuccinic acid monoester derivative useful for pharmaceutical use or as an intermediate. This paper relates to a method for efficiently manufacturing the product using hour wheel operation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

エポキシコハク酸モノエステルモノアミドは、チオール
基が活性発現に関与する蛋白分解酵素の活性を強力に阻
害し、しかも極めて低毒性であることから筋ジストロフ
ィー、心筋梗塞その他の筋疾患の治療に有効な化合物で
あることが知られている。
Epoxysuccinic acid monoester monoamide has a thiol group that strongly inhibits the activity of proteolytic enzymes involved in the expression of activity, and has extremely low toxicity, making it an effective compound for the treatment of muscular dystrophy, myocardial infarction, and other muscle diseases. It is known that there is.

かかるエポキシコハク酸モノエステルモノアミドの合成
法として、従来から(1)エポキシコハク酸モノエステ
ルの酸クロライドとアミノ基含有化合物を塩基の存在下
に反応する方法、(2)N 、 N’ −ジシクロヘキ
シルカルボジイミドなどの縮合化剤を用いる方法などが
知られている(例えば特開昭55−115878号)。
Conventional methods for synthesizing such epoxysuccinic acid monoester monoamides include (1) a method in which an acid chloride of an epoxysuccinic acid monoester and an amino group-containing compound are reacted in the presence of a base, and (2) N,N'-dicyclohexylcarbodiimide. A method using a condensing agent such as the following is known (for example, JP-A-55-115878).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、これらの合成法は、エポキシ環の開環体や縮合
剤に由来する不純物(例えばN、N’−ジシクロへキシ
ルウレアなど)を副生ずるため、高純度の目的生成物を
得るには数度の再結晶かまたはカラムクロマトグラフィ
ーによる精製を必要とし、工業的製法としては適当でな
い。
However, these synthetic methods produce by-products of open epoxy rings and impurities derived from the condensing agent (for example, N,N'-dicyclohexylurea), so it takes several times to obtain the desired product with high purity. It requires recrystallization or purification by column chromatography, and is not suitable for industrial production.

これらの問題点を解決する方法として、エポキシコハク
酸モノエステルとパラニトロフェノール、N−ヒドロキ
シコハク酸イミドなどのごときカルボキシル基の活性化
剤との縮合物である活性化エステルを一旦率離した後、
アミノ基含有化合物と反応させ目的化合物を得る方法が
考えられる。しかし、工業的に安価に入手しうる粗エポ
キシコハク酸モノエステル(不純物としてエポキシコハ
ク酸を含むエポキシコハク酸モノエステル)を原料とす
る場合にこの方法を適用すると、エポキシコハク酸ジア
ミドの副生が避けられず、高純度の目的生成物を得るに
は、結局、数度の再結晶かまたはカラムクロマトグラフ
ィーによる精製が必要であった。
As a method to solve these problems, the activated ester, which is a condensation product of epoxysuccinic acid monoester and a carboxyl group activator such as p-nitrophenol or N-hydroxysuccinimide, is once separated. ,
One possible method is to react with an amino group-containing compound to obtain the target compound. However, if this method is applied to the raw material of crude epoxysuccinic acid monoester (epoxysuccinic acid monoester containing epoxysuccinic acid as an impurity), which is industrially available at low cost, the by-product of epoxysuccinic acid diamide will be produced. Unavoidably, several recrystallizations or purification by column chromatography were ultimately necessary to obtain the desired product with high purity.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

そこで本発明者らは、工業的に安価に入手しうる粗エポ
キシコハク酸モノエステルを原料とじて高純度のエポキ
シコハク酸モノエステルモノアミドを効率よく製造する
方法について鋭意研究した結果、特定なプロセスを採用
すると簡単な操作で効率よく高純度の目的物が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
Therefore, the present inventors conducted extensive research on a method for efficiently producing high-purity epoxysuccinic acid monoester monoamide using crude epoxysuccinic acid monoester, which is industrially available at low cost, as a raw material, and as a result, developed a specific process. The present inventors have discovered that by employing this method, a highly pure target product can be obtained efficiently with simple operations, and have completed the present invention.

かくして本発明によれば、不純物としてエポキシコハク
酸成分を含む粗エポキシコハク酸モノエステル成分とカ
ルボキシル基の活性化剤とを反応させて活性化エポキシ
コハク酸モノエステルを合成する過程(A)、反応生成
物からエポキシコハク酸に由来する活性化エポキシコハ
ク酸を固体の不溶分として除去する過程CB)及び精製
された活性化エポキシコハク酸モノエステ)?とアミノ
基含有化合物を反応させてエポキシコハク酸モノエステ
ルモノアミドを合成する過程(C)からなること特徴と
するエポキシコハク酸モノエステル誘導体の製造方法が
提供される。
Thus, according to the present invention, the step (A) of synthesizing an activated epoxysuccinic acid monoester by reacting a crude epoxysuccinic acid monoester component containing an epoxysuccinic acid component as an impurity with a carboxyl group activator; Step CB) of removing activated epoxysuccinic acid derived from epoxysuccinic acid from the product as a solid insoluble matter and purified activated epoxysuccinic acid monoester)? Provided is a method for producing an epoxysuccinic acid monoester derivative, comprising a step (C) of reacting the epoxysuccinic acid monoester monoamide with an amino group-containing compound.

本発明におけるエポキシコハク酸モノエ、ステルモノア
ミドの合成反応は、一般に下記のようにして進行する。
The synthesis reaction of epoxysuccinic acid monoamide and stelmonoamide in the present invention generally proceeds as follows.

最初の過程(A)において使用する粗エポキシコハク酸
モノエステル成分とは、不純物としてエポキシコハク酸
及び/又はその反応性誘導体を含むエポキシコハク酸モ
ノエステル及び/又はその反応性誘導体を意味する。エ
ポキシコハク酸モノエステルは、通常、エポキシコハク
酸ジエステルの加水分解反応により合成されるが、反応
条件を選択して合成した場合でも数%のエポキシコハク
酸を含むのが通常である。ここでいうエポキシコハク酸
はトランス及びシス型をさし、特に限定されるものでは
ないが、通常は薬効の点でトランス型を使用する。
The crude epoxysuccinic acid monoester component used in the first step (A) means an epoxysuccinic acid monoester and/or its reactive derivative containing epoxysuccinic acid and/or its reactive derivative as an impurity. Epoxysuccinic acid monoester is usually synthesized by hydrolysis reaction of epoxysuccinic acid diester, but even when synthesized under selected reaction conditions, it usually contains several percent of epoxysuccinic acid. The epoxysuccinic acid referred to here refers to trans and cis forms, and although not particularly limited, the trans form is usually used from the viewpoint of medicinal efficacy.

またエポキシコハク酸モノエステルとは、上記のエポキ
シコハク酸の一方のカルボキシル基がエステル化された
化合物である。上記一般式(1)中のR1はとくに制限
されるものではなく、その具体例としてアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基
、シクロアルキル基などが例示される。これらはその一
部が適宜置換されたものでもよいが、通常、炭素数6以
下のものが用いられる。
Moreover, epoxysuccinic acid monoester is a compound in which one carboxyl group of the above-mentioned epoxysuccinic acid is esterified. R1 in the above general formula (1) is not particularly limited, and specific examples include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a cycloalkyl group. Although some of these may be appropriately substituted, those having 6 or less carbon atoms are usually used.

反応に供される活性化剤はカルボキシル基の反応性を高
める薬剤であり、ペプチド合成の活性エステル化法で一
般的に使用される化合物が用いられる。その具体例とし
てオルトまたはバラ位に電子吸引基のはいったフェノー
ル類、N−ヒドロキシルアミンなどが例示され、とくに
原料入手のし易さの点からp−ニトロフェノール、2,
4.5−トリクロロフェノール、ペンタクロロフェノー
ル、N−ヒドロキシコハク酸イミドなどが賞月される。
The activator used in the reaction is a drug that increases the reactivity of carboxyl groups, and is a compound commonly used in active esterification methods for peptide synthesis. Specific examples include phenols with an electron-withdrawing group in the ortho or rose position, N-hydroxylamine, etc. In particular, p-nitrophenol, 2,
Prizes include 4.5-trichlorophenol, pentachlorophenol, and N-hydroxysuccinimide.

過程(A)の反応は、通常、粗エポキシコハク酸モノエ
ステルとほぼ等モルまたはやや過剰量の活性化剤とを有
機溶媒中、70℃以下、好ましくは一30℃〜30℃で
縮合剤の存在下に実施される。縮合剤は通常使用される
ものであればいずれでもよく、その具体例としてN 、
 N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド、水溶性カ
ルボジイミド、N−エトキシカルボニル−2−エトキシ
−1,2−ジヒドロキノリンなどがあげられる。
In the reaction of step (A), the crude epoxysuccinic acid monoester and approximately equimolar or slightly excessive amount of the activating agent are usually mixed in an organic solvent at 70°C or lower, preferably between -30°C and 30°C, to remove the condensing agent. carried out in the presence of Any commonly used condensing agent may be used, and specific examples include N,
Examples include N'-dicyclohexylcarbodiimide, water-soluble carbodiimide, and N-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline.

反応に際しては、粗エポキシコハク酸モノエステルを常
法に従って酸ハライド、酸アジド、酸無水物などのよう
な反応性誘導体に変えたのち、活性化剤と反応させるこ
ともでき、このような方法も本発明の範囲に包含される
In the reaction, crude epoxysuccinic acid monoester can be converted into a reactive derivative such as an acid halide, acid azide, acid anhydride, etc. according to a conventional method, and then reacted with an activator. within the scope of the present invention.

反応に用いられる有機溶媒は、本反応に関与しないもの
であればよく、その具体例として酢酸エチル、テトラヒ
ドロフラン、アセトン、クロロホルム、ジクロルメタン
、アセトニトリル、N、N−ジメチルホルムアミド単独
またはこれらの混合溶媒などが例示される。溶媒の使用
量は適宜選択しうるが、通常は溶質に対し2〜10倍量
程倍量−られる。
The organic solvent used in the reaction may be one that does not participate in this reaction, and specific examples thereof include ethyl acetate, tetrahydrofuran, acetone, chloroform, dichloromethane, acetonitrile, N,N-dimethylformamide alone or a mixed solvent thereof. Illustrated. The amount of solvent to be used can be selected as appropriate, but is usually 2 to 10 times the amount of solute.

この反応によって上記一般式(n)に相当する活性化エ
ポキシコハク酸モノエステルが合成される。式中、R2
は活性化剤の残基を示す。また、粗エポキシコハク酸モ
ノエステル成分中に含まれるエポキシコハク酸成分はこ
の過程で同様に活性化剤と反応し、活性化エポキシコハ
ク酸(すなわちエポキシコハク酸の2つのカルボキシル
基の両方に前記の活性化剤が縮合生成した化合物)を生
成する。
Through this reaction, an activated epoxysuccinic acid monoester corresponding to the above general formula (n) is synthesized. In the formula, R2
indicates the residue of the activator. In addition, the epoxysuccinic acid component contained in the crude epoxysuccinic acid monoester component similarly reacts with the activator during this process, and the activated epoxysuccinic acid (i.e., the above-mentioned The activator produces a condensation compound).

過程(A)により得られた反応生成物は、次いで過程(
B)において不純物として含まれる活性化エポキシコハ
ク酸が固定の不溶分として除去される。活性化エポキシ
コハク酸モノエステルと活性化エポキシコハク酸を分離
する方法として、一般に再結晶、カラムクロマトグラフ
ィーなどの応用が考えられるが、これらの方法では収率
、操作性の点で充分でなく、両者の有機溶媒に対する溶
解度差を利用することによって初めて効率よくエポキシ
コハク酸を除去することができる。
The reaction product obtained by step (A) is then subjected to step (A).
In B), activated epoxysuccinic acid contained as an impurity is removed as a fixed insoluble matter. Generally, methods such as recrystallization and column chromatography can be considered as methods for separating activated epoxysuccinic acid monoester and activated epoxysuccinic acid, but these methods are insufficient in terms of yield and operability. Epoxysuccinic acid can only be efficiently removed by utilizing the difference in solubility between the two in organic solvents.

すなわち極性の比較的高い溶媒では両化合物の溶解度の
差は小さいが、極性が比較的低い溶媒では、活性化エポ
キシコハク酸の方が活性化エポキシコハク酸モノエステ
ルに比べ溶解度が小さく、不溶性結晶を形成する。した
がって、この活性化エポキシコハク酸の不溶性結晶を濾
過、デカンテーションなどの分離操作で除去すれば、活
性化エポキシコハク酸モノエステルを容易に精製するこ
とができる。ここで精製した活性化エポキシコハク酸モ
ノエステルは、溶液のまま次の反応に供することもでき
るし、また濃縮操作などを行うことにより単離してもよ
い。
In other words, in relatively highly polar solvents, the difference in solubility between the two compounds is small, but in relatively less polar solvents, activated epoxysuccinic acid has a lower solubility than activated epoxysuccinic acid monoester, leading to the formation of insoluble crystals. Form. Therefore, if the insoluble crystals of activated epoxysuccinic acid are removed by separation operations such as filtration and decantation, activated epoxysuccinic acid monoester can be easily purified. The activated epoxysuccinic acid monoester purified here may be subjected to the next reaction as a solution, or may be isolated by performing a concentration operation or the like.

ここで使用する有機溶媒は、溶質に対して不活性なもの
であれば良く、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂
肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサンなどの
脂環式炭化水素などのごとき炭化水素系溶剤単独または
これらの混合溶媒が溶質の溶解度の点から最も貫層され
る。さらに、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類
、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル類、アセトンなどのケトン類、クロロホルム、ジクロ
ルメタン、アセトニトリル、N、N−ジメチルホルムア
ミドなどとの混合溶媒系も使用可能である。また、溶解
、分離時の温度条件は一30℃〜70℃の一定温度、好
ましくは0〜30℃の一定温度で実施するのがよい。
The organic solvent used here may be one that is inert to the solute, such as aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene, aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, and octane, and cyclopentane and cyclohexane. Hydrocarbon solvents such as alicyclic hydrocarbons alone or a mixture of these solvents are most effective in terms of solubility of solutes. Furthermore, it is also possible to use a mixed solvent system with esters such as ethyl acetate and butyl acetate, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran, ketones such as acetone, chloroform, dichloromethane, acetonitrile, N,N-dimethylformamide, etc. . Further, the temperature conditions during dissolution and separation are preferably a constant temperature of -30°C to 70°C, preferably a constant temperature of 0 to 30°C.

過程(B)で精製した活性化エポキシコハク酸モノエス
テルは、次いで過程(C)において、アミノ基含有化合
物を反応させることにより前記一般式(I[[)で示さ
れるエポキシコハク酸モノエステルモノアミドが形成さ
れる。式中、R3はアミノ残基を表わす。
The activated epoxysuccinic acid monoester purified in step (B) is then reacted with an amino group-containing compound in step (C) to obtain the epoxysuccinic acid monoester monoamide represented by the general formula (I [[)]. It is formed. In the formula, R3 represents an amino residue.

用いられるアミノ基含有化合物は分子内に1級または2
級のアミノ基を有する化合物であり、例えばアルキルア
ミン、ジアルキルアミン、アルケニルアミン、アルキニ
ルアミン、シクロアルキルアミン、シクロアルケニルア
ミン、アミノ酸、アミノ酸誘導体などが例示される。
The amino group-containing compound used has primary or secondary amino groups in the molecule.
Examples thereof include alkylamines, dialkylamines, alkenylamines, alkynylamines, cycloalkylamines, cycloalkenylamines, amino acids, and amino acid derivatives.

反応は活性化エポキシコハク酸モノエステルとほぼ等量
またはやや過剰量のアミノ基含有化合物を有機溶媒中、
−30°〜70℃、好ましくは0〜30℃で行われる。
The reaction is carried out using activated epoxysuccinic acid monoester and approximately the same amount or slightly excess amount of an amino group-containing compound in an organic solvent.
It is carried out at -30° to 70°C, preferably 0 to 30°C.

用いられる有機溶媒は本反応に関与しないものであれば
特に制限されず、その具体例として酢酸エチル、テトラ
ヒドロフラン、アセトン、クロロホルム、ジクロルメタ
ン、アセトニトリル、N、N−ジメチルホルムアミドな
どが例示される。
The organic solvent used is not particularly limited as long as it does not participate in this reaction, and specific examples thereof include ethyl acetate, tetrahydrofuran, acetone, chloroform, dichloromethane, acetonitrile, N,N-dimethylformamide, and the like.

反応後、常法により抽出、洗浄などの操作を行った後、
濃縮、晶析などを行い、必要により再結晶することによ
り、高純度のエポキシコハク酸モノエステルモノアミド
を得ることができる。
After the reaction, extraction, washing, etc. are performed using conventional methods.
High purity epoxysuccinic acid monoester monoamide can be obtained by performing concentration, crystallization, etc., and recrystallizing if necessary.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

かくして本発明によれば、安価な原料から筒車な操作で
効率よく高純度のエポキシコハク酸モノエステルモノア
ミドを得ることができる。
Thus, according to the present invention, highly pure epoxysuccinic acid monoester monoamide can be efficiently obtained from inexpensive raw materials through convenient operations.

以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例、参考例及び比較例中の%は特に断らな
いかぎり重量基準である。
Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Note that the percentages in Examples, Reference Examples, and Comparative Examples are based on weight unless otherwise specified.

!曳拠 エポキシコハク酸ジエチルエステル18.8 gをエチ
ルアルコール100m1に溶解し、K OH5,9gを
含むエチルアルコール溶液60m1を水冷下に加え2時
間攪拌後、エチルアルコールを減圧濃縮し、残渣を12
0m1の水に溶解した後、酢酸エチル150m1で未反
応エポキシコハク酸ジエチルエステルを抽出除去する。
! 18.8 g of epoxysuccinic acid diethyl ester was dissolved in 100 ml of ethyl alcohol, 60 ml of an ethyl alcohol solution containing 5.9 g of KOH was added under water cooling, and after stirring for 2 hours, the ethyl alcohol was concentrated under reduced pressure and the residue was
After dissolving in 0 ml of water, unreacted epoxysuccinic acid diethyl ester is extracted and removed with 150 ml of ethyl acetate.

さらに水層に2N−塩酸70m1を添加した後、酢酸エ
チル200m1で3回抽出し酢酸エチル層を合し、水洗
、乾燥後濃縮して粗エポキシコハク酸モノエチルエステ
ル12gを得た。この生成物を高速液体クロマトグラフ
(以下HPLCと称する)分析した結果、エポキシコハ
ク酸モノエチルエステルの純度は94%であり、エポキ
シコハク酸を6%含んでいた。
Furthermore, 70 ml of 2N hydrochloric acid was added to the aqueous layer, followed by extraction three times with 200 ml of ethyl acetate, and the ethyl acetate layers were combined, washed with water, dried, and concentrated to obtain 12 g of crude epoxysuccinic acid monoethyl ester. As a result of high performance liquid chromatography (hereinafter referred to as HPLC) analysis of this product, the purity of epoxysuccinic acid monoethyl ester was 94%, and it contained 6% epoxysuccinic acid.

エポキシコハク酸モノエチルエステルはオイル状である
事から再結晶等による精製はできず、また抽出酢酸エチ
ル層の水洗によるエポキシコハク酸の除去はエポキシコ
ハク酸モノエチルエステルの損失を伴い、実施困難であ
ることがわかった。
Since epoxysuccinic acid monoethyl ester is in the form of an oil, it cannot be purified by recrystallization, etc., and removal of epoxysuccinic acid by washing the extracted ethyl acetate layer with water involves loss of epoxysuccinic acid monoethyl ester, making it difficult to carry out. I found out something.

ル5已」L 参考例で得られた不純物としてエポキシコハク酸を6%
含む粗エポキシコハク酸モノエチルエステル17.0g
、L−ロイシルイソアミルアミド21.5g、N−ヒド
ロキシコハク酸イミド13.6 gを酢酸エチル250
m1に溶解し、N、N’ジシクロへキシルカルボジイミ
ド24.4 gの酢酸エチル100m1溶液を水冷下徐
々に加え、温度をそのままに保って2時間攪拌し、更に
室温で1時間攪拌した。反応後、析出したN 、 N’
−ジシクロへキシルウレアを濾別した後、5%塩酸50
m1.il和食塩水50m1.飽和重曹水50m1.飽
和食塩水50m1で順次洗浄し、硫酸マグネシウムにて
乾燥後濃縮した。得られた粗結晶をアセトン−ヘキサン
で再結晶して前記一般式(II[)のR3がエチル基、
R3がL−ロイシルイソアミルアミノ残基であるエポキ
シコハク酸モノエステルモノアミドを主成分とする結晶
23.9 gが得られた。
6% epoxysuccinic acid as an impurity obtained in the reference example.
17.0g of crude epoxysuccinic acid monoethyl ester containing
, 21.5 g of L-leucylisoamylamide, 13.6 g of N-hydroxysuccinimide, and 250 g of ethyl acetate.
A solution of 24.4 g of N,N' dicyclohexylcarbodiimide in 100 ml of ethyl acetate was gradually added under water cooling, and the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the same temperature, and further stirred for 1 hour at room temperature. After the reaction, N and N' precipitated
- After filtering off dicyclohexylurea, 5% hydrochloric acid 50
m1. il Japanese salt water 50ml1. 50ml of saturated sodium bicarbonate solution. The mixture was washed successively with 50 ml of saturated brine, dried over magnesium sulfate, and concentrated. The obtained crude crystals were recrystallized from acetone-hexane, and R3 in the general formula (II[) was an ethyl group,
23.9 g of crystals containing epoxysuccinic acid monoester monoamide in which R3 is an L-leucylisoamylamino residue as a main component were obtained.

HPLC分析の結果、生成物の純度は97%であり、N
 、 N’ −ジシクロへキシルウレア0.5%、エポ
キシコハク酸由来の不純物2.0%が含まれていた。
As a result of HPLC analysis, the purity of the product was 97%, and N
, 0.5% of N'-dicyclohexylurea, and 2.0% of impurities derived from epoxysuccinic acid.

比較例2 参考例で得られた不純物としてエポキシコハク酸を6%
含む粗エポキシコハク酸モノエチルエステル17.0 
gを酢酸エチル88m1に溶解し、水冷下パラニトロフ
ェノール15.0 gを加えて攪拌した。これによりN
 、 N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド22.
2 gを酢酸エチル42m1に溶解した液を水冷下情下
し、ひきつづき同温度で3時間、更に室温で1時間反応
させた。反応後、析出したN 、 N’−ジシクロへキ
シルウレアを濾別し、濾液を減圧下に濃縮した。得られ
た濃縮物を酢酸エチル−n−ヘキサン混液により結晶化
させ、粗し一トランスエポキシコハク酸バラニトロフェ
ニルエチルエステル25.5 gを得た(過程A)。E
(PLC分析の結果、L−トランスエポキシコハク酸バ
ラニトロフェニルエチルエステルの純度は94゜7%で
あり、L−1−ランスエポキシコハク酸ジパラニトロフ
ェニルエステルが5.3%含まれていた。
Comparative Example 2 6% epoxysuccinic acid was used as an impurity obtained in the reference example.
Crude epoxysuccinic acid monoethyl ester containing 17.0
g was dissolved in 88 ml of ethyl acetate, and while cooling with water, 15.0 g of para-nitrophenol was added and stirred. This results in N
, N'-dicyclohexylcarbodiimide 22.
A solution obtained by dissolving 2 g in 42 ml of ethyl acetate was cooled with water, and then reacted at the same temperature for 3 hours and then at room temperature for 1 hour. After the reaction, the precipitated N,N'-dicyclohexylurea was filtered off, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The obtained concentrate was crystallized from a mixed solution of ethyl acetate and n-hexane to obtain 25.5 g of crude mono-trans epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester (Process A). E
(As a result of PLC analysis, the purity of L-transepoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester was 94.7%, and it contained 5.3% of L-1-transepoxysuccinic acid dipranitrophenyl ester.

上記粗し−トランスエポキシコハク酸バラニトロフェニ
ルエチルエステル25.5 g ヲ酢酸エチル250m
1に溶解し、これにL−ロイシルイソアミルアミドI7
.9gを酢酸エチル35m1に溶解した液を室温で滴下
し、更に同温度で4時間反応させた。反応後、不溶物を
濾別し、濾液を2%水酸化すl−Uラム水溶液(75m
lXS回)、飽和食塩水、5%塩酸飽和食塩水で順次洗
浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧上濃縮乾
固し、得られた残渣をアセトン−n−ヘキサン混液から
結晶化させ、結晶20.6gを得た。
25.5 g of the above roughened trans-epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester 250 m of ethyl acetate
1 and L-leucylisoamylamide I7 to this.
.. A solution prepared by dissolving 9 g of ethyl acetate in 35 ml of ethyl acetate was added dropwise at room temperature, and the mixture was further reacted at the same temperature for 4 hours. After the reaction, insoluble matter was filtered off, and the filtrate was diluted with a 2% hydroxide l-U rum aqueous solution (75 m
Washed sequentially with 1XS times), saturated saline, and 5% hydrochloric acid saturated saline. After drying over anhydrous magnesium sulfate, it was concentrated to dryness under reduced pressure, and the resulting residue was crystallized from an acetone-n-hexane mixture to obtain 20.6 g of crystals.

HPLC分析の結果、上記生成物の組成は、前記一般式
(I[[)のR,がエチル基、R3がL−ロイシルイソ
アミルアミノ残基であるエポキシコハク酸モノエステル
モノアミドが98.2%であり、エポキシコハク酸由来
の不純物が1.5%であった。
As a result of HPLC analysis, the composition of the above product was 98.2% epoxysuccinic acid monoester monoamide in which R in the general formula (I[[) is an ethyl group and R3 is an L-leucylisoamylamino residue. The impurity derived from epoxysuccinic acid was 1.5%.

寒旌炎工 比較例2と同様にして過程Aの反応を行って得た純度9
4.7%の粗L−1−ランスエポキシコハク酸パラニト
ロフェニルエチルエステル25.5 gをトルエン80
0ml、 n−ヘキサン400m1の混合溶媒中で20
℃で1時間攪拌する。不溶分の結晶を濾別した後、濾液
を減圧下に濃縮し精製し一トランスエポキシコハク酸バ
ラニトロフェニルエチルエステルの結晶24.2 gを
得た(過程B)。HPLC分析の結果、L−)ランスエ
ポキシコハク酸バラニトロフェニルエチルエステルの純
度は99.0%であった。また濾別した不溶分結晶のH
PLC分析結果より、不溶分は大部分り一トランスエポ
キシコハク酸ジパラニトロフェニルエステルであること
から、はぼ定量的に不純物を分離していることがわかっ
た。
Purity 9 obtained by carrying out the reaction of process A in the same manner as in Comparative Example 2
25.5 g of 4.7% crude L-1-lance epoxysuccinic acid paranitrophenylethyl ester was dissolved in 80 g of toluene.
20 in a mixed solvent of 0 ml and 400 ml of n-hexane.
Stir at ℃ for 1 hour. After filtering off the insoluble crystals, the filtrate was concentrated and purified under reduced pressure to obtain 24.2 g of crystals of mono-trans epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester (Process B). As a result of HPLC analysis, the purity of L-)lans epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester was 99.0%. In addition, H of the insoluble crystals separated by filtration
From the PLC analysis results, it was found that most of the insoluble matter was di-trans-epoxysuccinic acid dipranitrophenyl ester, indicating that impurities were separated almost quantitatively.

上記精製L−トランスエポキシコハク酸バラニトロフェ
ニルエチルエステル24.2 g ’c酢酸エチル25
0m1に溶解し、これにL−ロイシルイソアミルアミド
16.8 gを酢酸エチル35m1に溶解した液を室温
で滴下し、更に同温度で4時間反応させた。反応後、濾
液を2%水酸化ナトリウム水溶液(75mlx5回)、
飽和食塩水、5%塩酸、飽和食塩水で順次洗浄した。無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧上濃縮乾固し、得ら
れた濃縮物をアセトン−n−ヘキサン混液から結晶化さ
せ、生成物結晶20.4 gを得た(過程C)。
Purified L-transepoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester 24.2 g 'c Ethyl acetate 25
A solution prepared by dissolving 16.8 g of L-leucylisoamylamide in 35 ml of ethyl acetate was added dropwise thereto at room temperature, and the mixture was further reacted at the same temperature for 4 hours. After the reaction, the filtrate was mixed with a 2% aqueous sodium hydroxide solution (75 ml x 5 times),
It was washed successively with saturated brine, 5% hydrochloric acid, and saturated brine. After drying over anhydrous magnesium sulfate, it was concentrated to dryness under reduced pressure, and the resulting concentrate was crystallized from an acetone-n-hexane mixture to obtain 20.4 g of product crystals (Process C).

HPLC分析の結果、上記生成物の組成は、前記一般式
(I[[)のR1がエチル基、R3がL−ロイシルイソ
アミルアミノ残基であるエポキシコハク酸モノエステル
モノアミドが99.5%であり、エポキシコハク酸由来
の不純物は0.3%であった。
As a result of HPLC analysis, the composition of the above product was 99.5% epoxysuccinic acid monoester monoamide in which R1 of the general formula (I[[) is an ethyl group and R3 is an L-leucylisoamylamino residue. The impurity derived from epoxysuccinic acid was 0.3%.

大旌適又 比較例2と同様の操作により過程Aの反応を行い、純度
94.7%のIJIL−4ランスエポキシコハク酸バラ
ニトロフエニルエチルエステルヲ得た。
The reaction in Step A was carried out in the same manner as in Comparative Example 2, and IJIL-4 lance epoxysuccinic acid varanitrophenyl ethyl ester having a purity of 94.7% was obtained.

次いで、この粗り一トランスエポキシコハク酸バラニト
ロフェニルエチルエステル25.5gを)ルエン640
m1.シクロヘキサン320m1の混合溶媒中で25℃
で1時間攪拌する。その後、実施例1と同様の操作によ
り純度98.5%の精!!!!L−トランスエポキシコ
ハク酸バラニトロフェニルエチルエステルの結晶23.
8 gを得た(過程B)。次いで精製L−)ランスエポ
キシコハク酸バラニトロフェニルエチルエテスルを使用
し実施例1と同様の操作により過程Cの反応を行い、引
き続き単離操作を行って生成物結晶19.8 gを得た
。HPLC分析の結果、上記生成物の組成は前記一般式
(II)のR1がエチル基、R3がL−ロイシルイソア
ミルアミノ残基であるエポキシコハク酸モノエステルモ
ノアミド99.3%、エポキシコハク酸由来の不純物0
.4%であった。
Then, 25.5 g of this crude mono-trans epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester was added to 640 g of toluene.
m1. 25℃ in a mixed solvent of 320ml of cyclohexane
Stir for 1 hour. Thereafter, the same procedure as in Example 1 was carried out to obtain a product with a purity of 98.5%. ! ! ! Crystals of L-transepoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ester 23.
8 g was obtained (Process B). Next, using the purified L-)lans epoxysuccinic acid varanitrophenylethyl ethyl ethyl ethyl ester, the reaction in step C was carried out in the same manner as in Example 1, followed by the isolation operation to obtain 19.8 g of product crystals. . As a result of HPLC analysis, the composition of the above product was 99.3% epoxysuccinic acid monoester monoamide in which R1 of the above general formula (II) is an ethyl group and R3 is an L-leucylisoamylamino residue, derived from epoxysuccinic acid. 0 impurities
.. It was 4%.

特許出願人   日本ゼオン株式会社 同     大正製薬株式会社Patent applicant: Zeon Corporation Same Taisho Pharmaceutical Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 不純物としてエポキシコハク酸成分を含む粗エポキシコ
ハク酸モノエステル成分とカルボキシル基の活性化剤と
を反応させて、活性化エポキシコハク酸モノエステルを
合成する過程(A)、反応生成物からエポキシコハク酸
に由来する活性化エポキシコハク酸を固体の不溶分とし
て除去する過程(B)及び精製された活性化エポキシコ
ハク酸モノエステルとアミノ基含有化合物を反応させて
エポキシコハク酸モノエステルモノアミドを合成する過
程(C)から成ることを特徴とするエポキシコハク酸モ
ノエステル誘導体の製造法。
Step (A) of synthesizing an activated epoxysuccinic acid monoester by reacting a crude epoxysuccinic acid monoester component containing an epoxysuccinic acid component as an impurity with a carboxyl group activator; A process (B) of removing activated epoxysuccinic acid derived from as a solid insoluble matter and a process of reacting the purified activated epoxysuccinic acid monoester with an amino group-containing compound to synthesize an epoxysuccinic acid monoester monoamide (C) A method for producing an epoxysuccinic acid monoester derivative.
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