JPS61117560A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61117560A JPS61117560A JP23764184A JP23764184A JPS61117560A JP S61117560 A JPS61117560 A JP S61117560A JP 23764184 A JP23764184 A JP 23764184A JP 23764184 A JP23764184 A JP 23764184A JP S61117560 A JPS61117560 A JP S61117560A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier layer
- conductive substrate
- vapor deposition
- metal
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体の製造方法、詳しく言えば電子
写真感光体の金属蒸着型導電性基材に接するバリヤ一層
の薄膜形成方法に関するものである。
写真感光体の金属蒸着型導電性基材に接するバリヤ一層
の薄膜形成方法に関するものである。
従来技術
従来、電子写真感光体の導電性基材としてはアルミニウ
ム製パイプなどの金属基材が使われてきたが、可撓性や
コストの点で問題が残されていた。そこで最近は、アル
ミニウム蒸着ＰＥＴフィルムやＮｉ−Ｃｒ蒸着ＰＥＴフ
ィルムなどの金属蒸着型導電性基材がその要求を満たす
べく有機光導電体用基材として広汎に使用されつつある
が、 （１）次の塗布工程までのフィルムの帝き返しに１ よ
り金属表面にスクラッチ傷が多発しやすいこと、 （２） 帯電性向上及び接着性向上のためにバリヤ層
を設けることが多いが、０．１μｍ以下の薄膜を均一に
塗布することは技術的に困難であり、無理Ｉこ薄層塗布
を狙った場合にはスポット状の画質欠陥が生じるなどの
２次的障害が発生しやすいこと、 （３） バリヤ層を厚く塗布した場合には、残留電位
の上昇等の２次障害を伴なうなどの問題点があること等
が明らかになっている。
ム製パイプなどの金属基材が使われてきたが、可撓性や
コストの点で問題が残されていた。そこで最近は、アル
ミニウム蒸着ＰＥＴフィルムやＮｉ−Ｃｒ蒸着ＰＥＴフ
ィルムなどの金属蒸着型導電性基材がその要求を満たす
べく有機光導電体用基材として広汎に使用されつつある
が、 （１）次の塗布工程までのフィルムの帝き返しに１ よ
り金属表面にスクラッチ傷が多発しやすいこと、 （２） 帯電性向上及び接着性向上のためにバリヤ層
を設けることが多いが、０．１μｍ以下の薄膜を均一に
塗布することは技術的に困難であり、無理Ｉこ薄層塗布
を狙った場合にはスポット状の画質欠陥が生じるなどの
２次的障害が発生しやすいこと、 （３） バリヤ層を厚く塗布した場合には、残留電位
の上昇等の２次障害を伴なうなどの問題点があること等
が明らかになっている。
発明の目的
本発明は、前記の金属蒸着型の導電性基材のスクラッチ
傷あるいはバリヤ層の塗りむら、厚いバリヤ層に起因す
る残留電位の上昇などの問題のない電子写真感光体の製
造方法を提供することを目的とする。
傷あるいはバリヤ層の塗りむら、厚いバリヤ層に起因す
る残留電位の上昇などの問題のない電子写真感光体の製
造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の電子写真感光体で使用する導電性基体としては
Ａｔ％Ｎｉ −Ｃｒ、 Ｐｄ、 Ｔｉ等の金属パイプや
エレクトロフォーミングによって形成された継ぎ目なし
のＮｉ−ベルト、またはこれらの金属あるいは金属酸化
物を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、ポリイミ
ドフィルム等表面抵抗Ｒｓが１０４Ω／ｄ以下の材料を
広く用いることができる。
Ａｔ％Ｎｉ −Ｃｒ、 Ｐｄ、 Ｔｉ等の金属パイプや
エレクトロフォーミングによって形成された継ぎ目なし
のＮｉ−ベルト、またはこれらの金属あるいは金属酸化
物を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、ポリイミ
ドフィルム等表面抵抗Ｒｓが１０４Ω／ｄ以下の材料を
広く用いることができる。
バリヤ一層はＮ型半導体である酸化亜鉛及び酸化チタン
、絶縁体である酸化ケイ素及び酸化ジルコニウム等を膜
厚１〜０．００１μｍ１好ましくは０．１〜０．００５
μｍとなるようｉこ真空蒸着、スパッタリングまたはイ
オンブレーティングにより前記の導電性基体上に均一に
形成する。
、絶縁体である酸化ケイ素及び酸化ジルコニウム等を膜
厚１〜０．００１μｍ１好ましくは０．１〜０．００５
μｍとなるようｉこ真空蒸着、スパッタリングまたはイ
オンブレーティングにより前記の導電性基体上に均一に
形成する。
次にバリヤ一層の形成法について詳しく説明する。
Ａ１％ Ｎｉ−Ｃｒ、 Ｐｄ％Ｔｉ等の金属、或いはこ
れらの金属を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、
ポリイミドフィルム等の支持体を基板とし真空蒸着装置
内に設置し、蒸発源にＺｎ、 ＺｎＯ。
れらの金属を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、
ポリイミドフィルム等の支持体を基板とし真空蒸着装置
内に設置し、蒸発源にＺｎ、 ＺｎＯ。
或いはＴ這、Ｔｉ０、Ｔ１０！またＳｌ、５ｉＯ１Ｓ産
０８等目的とする金属酸化物の母金属、或いはその低級
酸化物、または酸化物を秤量し、或いは秤量せずにセッ
トし真空蒸着槽内を排気する。その後所定の真空度に（
例えばＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ）排気した後、酸化性
ガス（空気、Ｏ３）を槽内に導入し、Ａ、Ｐ、Ｃ，（Ａ
ｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ）
等によりニードルバルブ、或いは圧力コントローラー等
の真空蒸着付随機構を制御し、一定真空度（例えば５Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ）に保つ。一定真空度に保たれた真空
槽内で抵抗加熱蒸発源に通電し、所定圧力を保ちながら
、前記Ｚｎ、 Ｔｉ％Ｓｔ、或いは酸化物または低級酸
化物を蒸着し基板上に成膜する。
０８等目的とする金属酸化物の母金属、或いはその低級
酸化物、または酸化物を秤量し、或いは秤量せずにセッ
トし真空蒸着槽内を排気する。その後所定の真空度に（
例えばＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ）排気した後、酸化性
ガス（空気、Ｏ３）を槽内に導入し、Ａ、Ｐ、Ｃ，（Ａ
ｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ）
等によりニードルバルブ、或いは圧力コントローラー等
の真空蒸着付随機構を制御し、一定真空度（例えば５Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ）に保つ。一定真空度に保たれた真空
槽内で抵抗加熱蒸発源に通電し、所定圧力を保ちながら
、前記Ｚｎ、 Ｔｉ％Ｓｔ、或いは酸化物または低級酸
化物を蒸着し基板上に成膜する。
蒸発速度のコントロールは、水晶振動子による蒸着され
た重さの制御を信号とするもの、或いは蒸発源温度を信
号とする制御、光学的な信号制御等既知の技術を用いる
事が出来る。また酸化性ガスの導入については真空度を
予め一定真空度に保つ必要はなく、基板から蒸着表面に
向って酸素の濃度勾配をつけるように次第に酸化性雰囲
気を増す様（例えば酸素分圧を次第に増す等して）制御
をしても良い。
た重さの制御を信号とするもの、或いは蒸発源温度を信
号とする制御、光学的な信号制御等既知の技術を用いる
事が出来る。また酸化性ガスの導入については真空度を
予め一定真空度に保つ必要はなく、基板から蒸着表面に
向って酸素の濃度勾配をつけるように次第に酸化性雰囲
気を増す様（例えば酸素分圧を次第に増す等して）制御
をしても良い。
上記の技術によれば蒸着基板は何ら金属蒸着型導電層で
有る必要は無く、支持体上に同一金属を母材料とする金
属導電層及びバリア層を連続的に形成する事も出来る。
有る必要は無く、支持体上に同一金属を母材料とする金
属導電層及びバリア層を連続的に形成する事も出来る。
本発明はこれらを限定するものでは無い。
またスパッタリングに於いては、高周波電源を用いター
ゲットＩＣＺｎ％ＺｎＯ或いはＴｉ、７４０％Ｔ１０６
、または別、５ｉＯ１Ｓ１０８等目的とする金属酸化物
の母金属、或いはその低級酸化物、或いは酸化物を選択
し、真空抵抗加熱蒸着同様槽内を排気し、Ａｒ、 Ｋｒ
等のスパッタガスと酸化性ガス（空気、０．）を所定割
合の混合比で槽内に導入し基板・ターゲット間に高電圧
を印加し成膜させる。この方法に於ても導電層、バリア
層の連続形成は酸化性ガスの流量を制御することにより
行うことができる。
ゲットＩＣＺｎ％ＺｎＯ或いはＴｉ、７４０％Ｔ１０６
、または別、５ｉＯ１Ｓ１０８等目的とする金属酸化物
の母金属、或いはその低級酸化物、或いは酸化物を選択
し、真空抵抗加熱蒸着同様槽内を排気し、Ａｒ、 Ｋｒ
等のスパッタガスと酸化性ガス（空気、０．）を所定割
合の混合比で槽内に導入し基板・ターゲット間に高電圧
を印加し成膜させる。この方法に於ても導電層、バリア
層の連続形成は酸化性ガスの流量を制御することにより
行うことができる。
上記バリア層の上には光導電体層を形成するか、この光
導電層は基板からのホール注入を阻止するような構成に
なっているものであれば、材料及び形成方法（蒸着ある
いは塗布など］、単層あるいは電荷発生層と電荷輸送層
の機能分離型多層であるかを問わない。また、光導電体
層の上に絶縁層や保護層を設けてもよい。
導電層は基板からのホール注入を阻止するような構成に
なっているものであれば、材料及び形成方法（蒸着ある
いは塗布など］、単層あるいは電荷発生層と電荷輸送層
の機能分離型多層であるかを問わない。また、光導電体
層の上に絶縁層や保護層を設けてもよい。
次に実施例及び比較例を挙げて本発明の電子写真感光体
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
実施例１
市販のＡＩ−ＰＲＴフィルム上に下記の条件にて真空蒸
着によりＴ１０．膜（蒸発源Ｔｉ）及び５ｉ０２膜（蒸
発源ＳｉＯ）を形成した。
着によりＴ１０．膜（蒸発源Ｔｉ）及び５ｉ０２膜（蒸
発源ＳｉＯ）を形成した。
基板温度：１５０℃
真空度 ： １０ ｔａｒｔ→２Ｘ１０ ｔｏ
ｒｒ（酸素導入） 膜形成速度：１０＾／秒 膜厚 ：５００λ 次にその上から電荷発生層としてＳｅを１０％分散させ
たポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）ｉ〜２μｍ及び電
荷輸送層としてヒドラゾン化合物７ｊｉ：４０％含むポ
リアクリレートを２５μｍ順次塗布して２種類の電子写
真感光体（Ｔｉｅ、膜のもの；試料屋１％ｓｈｏ□のも
の：試料扁２）を製造した。
ｒｒ（酸素導入） 膜形成速度：１０＾／秒 膜厚 ：５００λ 次にその上から電荷発生層としてＳｅを１０％分散させ
たポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）ｉ〜２μｍ及び電
荷輸送層としてヒドラゾン化合物７ｊｉ：４０％含むポ
リアクリレートを２５μｍ順次塗布して２種類の電子写
真感光体（Ｔｉｅ、膜のもの；試料屋１％ｓｈｏ□のも
の：試料扁２）を製造した。
この感光体について接着性、負帯ｉＩｃを施したときの
電荷保持能、残留電位及び画質を評価した。
電荷保持能、残留電位及び画質を評価した。
この結果を表１に示す。
比較例１
市販のＡｔ−ＰＥＴフィルム上にＴ（−カップリング剤
（試料＆３）及び引−カップリング剤（試料ム４）を膜
厚０．０５μｍにダラヴイア塗布した。
（試料＆３）及び引−カップリング剤（試料ム４）を膜
厚０．０５μｍにダラヴイア塗布した。
次にその上からＴｒＩ−８ｅ／ＰＶＫ及びヒドラゾン化
合物を順次塗布して感光体を製造した（Ｔｉ−カップリ
ング剤のもの：試料４３．Ｓｉ−カップリング剤のもの
；試料屋４）。またＡｌ −ＰＥＴフィルム上に直接Ｓ
ｅ ／ Ｐ Ｖ Ｋ及びヒドラゾン化合物を塗布した
感光体（試料屋５）をも製造した。これら３種類の感光
体についても、実施例１と同様に接着性及び電荷保持能
等を評価した。
合物を順次塗布して感光体を製造した（Ｔｉ−カップリ
ング剤のもの：試料４３．Ｓｉ−カップリング剤のもの
；試料屋４）。またＡｌ −ＰＥＴフィルム上に直接Ｓ
ｅ ／ Ｐ Ｖ Ｋ及びヒドラゾン化合物を塗布した
感光体（試料屋５）をも製造した。これら３種類の感光
体についても、実施例１と同様に接着性及び電荷保持能
等を評価した。
この結果を表１に示す。
実施例２
市販のＡＩ−ＰＥＴフィルム上に下記の条件でスパッタ
リングにてＴ１０．膜及びＳＩＯ，膜を形成した。
リングにてＴ１０．膜及びＳＩＯ，膜を形成した。
スパッタガス 二Ａｒ
スパッタ圧力 ： １０ ｔｏｒｒスパッタ出力、
周波数： １．ＯＫＷ、 １３．５６ＭＨｚ膜厚：５０
０λ その上にｔｒｉ−８ｅ／ＰＶＫ及びヒドラゾン化合物を
順次塗布して２種類の感光体を製造した（ ＴｉＯ宜膜
のもの；憲６、Ｓｉへ膜のもの：＆７）。
周波数： １．ＯＫＷ、 １３．５６ＭＨｚ膜厚：５０
０λ その上にｔｒｉ−８ｅ／ＰＶＫ及びヒドラゾン化合物を
順次塗布して２種類の感光体を製造した（ ＴｉＯ宜膜
のもの；憲６、Ｓｉへ膜のもの：＆７）。
これらの感光体を実施例１と同様に評価した結果を表２
に示す。
に示す。
表２
発明の効果
本発明は、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンブレ
ーティングによりスクラッチ傷を生ずることなく均一な
薄膜としてバリヤ一層を形成することのできる電子写真
感光体の製造方法を提供したものであり、本発明の方法
によれば残留電位が上昇せずに帯電性の向上した電子写
真感光体を得ることができる。
ーティングによりスクラッチ傷を生ずることなく均一な
薄膜としてバリヤ一層を形成することのできる電子写真
感光体の製造方法を提供したものであり、本発明の方法
によれば残留電位が上昇せずに帯電性の向上した電子写
真感光体を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属蒸着型導電性基材上にバリヤ層を有する電子写
真感光体の製造方法において、バリヤ層を真空蒸着、ス
パッタリングまたはイオンプレーティングにより薄膜と
して形成することを特徴とする製造方法。 ２、バリヤ層がＮ型半導体である酸化亜鉛薄膜あるいは
酸化チタン薄膜、または絶縁体である酸化ケイ素薄膜あ
るいは酸化ジルコニウム薄膜である特許請求の範囲第１
項に記載の製造方法。 ３、薄膜の膜厚が０．００１〜１μｍである特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23764184A JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23764184A JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117560A true JPS61117560A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17018333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23764184A Pending JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04204743A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23764184A patent/JPS61117560A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04204743A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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