JPS61117560A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS61117560A JPS61117560A JP23764184A JP23764184A JPS61117560A JP S61117560 A JPS61117560 A JP S61117560A JP 23764184 A JP23764184 A JP 23764184A JP 23764184 A JP23764184 A JP 23764184A JP S61117560 A JPS61117560 A JP S61117560A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体の製造方法、詳しく言えば電子
写真感光体の金属蒸着型導電性基材に接するバリヤ一層
の薄膜形成方法に関するものである。
写真感光体の金属蒸着型導電性基材に接するバリヤ一層
の薄膜形成方法に関するものである。
従来技術
従来、電子写真感光体の導電性基材としてはアルミニウ
ム製パイプなどの金属基材が使われてきたが、可撓性や
コストの点で問題が残されていた。そこで最近は、アル
ミニウム蒸着PETフィルムやNi−Cr蒸着PETフ
ィルムなどの金属蒸着型導電性基材がその要求を満たす
べく有機光導電体用基材として広汎に使用されつつある
が、 (1)次の塗布工程までのフィルムの帝き返しに1 よ
り金属表面にスクラッチ傷が多発しやすいこと、 (2) 帯電性向上及び接着性向上のためにバリヤ層
を設けることが多いが、0.1μm以下の薄膜を均一に
塗布することは技術的に困難であり、無理Iこ薄層塗布
を狙った場合にはスポット状の画質欠陥が生じるなどの
2次的障害が発生しやすいこと、 (3) バリヤ層を厚く塗布した場合には、残留電位
の上昇等の2次障害を伴なうなどの問題点があること等
が明らかになっている。
ム製パイプなどの金属基材が使われてきたが、可撓性や
コストの点で問題が残されていた。そこで最近は、アル
ミニウム蒸着PETフィルムやNi−Cr蒸着PETフ
ィルムなどの金属蒸着型導電性基材がその要求を満たす
べく有機光導電体用基材として広汎に使用されつつある
が、 (1)次の塗布工程までのフィルムの帝き返しに1 よ
り金属表面にスクラッチ傷が多発しやすいこと、 (2) 帯電性向上及び接着性向上のためにバリヤ層
を設けることが多いが、0.1μm以下の薄膜を均一に
塗布することは技術的に困難であり、無理Iこ薄層塗布
を狙った場合にはスポット状の画質欠陥が生じるなどの
2次的障害が発生しやすいこと、 (3) バリヤ層を厚く塗布した場合には、残留電位
の上昇等の2次障害を伴なうなどの問題点があること等
が明らかになっている。
発明の目的
本発明は、前記の金属蒸着型の導電性基材のスクラッチ
傷あるいはバリヤ層の塗りむら、厚いバリヤ層に起因す
る残留電位の上昇などの問題のない電子写真感光体の製
造方法を提供することを目的とする。
傷あるいはバリヤ層の塗りむら、厚いバリヤ層に起因す
る残留電位の上昇などの問題のない電子写真感光体の製
造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の電子写真感光体で使用する導電性基体としては
At%Ni −Cr、 Pd、 Ti等の金属パイプや
エレクトロフォーミングによって形成された継ぎ目なし
のNi−ベルト、またはこれらの金属あるいは金属酸化
物を蒸着し導電性を持たせたPETフィルム、ポリイミ
ドフィルム等表面抵抗Rsが104Ω/d以下の材料を
広く用いることができる。
At%Ni −Cr、 Pd、 Ti等の金属パイプや
エレクトロフォーミングによって形成された継ぎ目なし
のNi−ベルト、またはこれらの金属あるいは金属酸化
物を蒸着し導電性を持たせたPETフィルム、ポリイミ
ドフィルム等表面抵抗Rsが104Ω/d以下の材料を
広く用いることができる。
バリヤ一層はN型半導体である酸化亜鉛及び酸化チタン
、絶縁体である酸化ケイ素及び酸化ジルコニウム等を膜
厚1〜0.001μm1好ましくは0.1〜0.005
μmとなるようiこ真空蒸着、スパッタリングまたはイ
オンブレーティングにより前記の導電性基体上に均一に
形成する。
、絶縁体である酸化ケイ素及び酸化ジルコニウム等を膜
厚1〜0.001μm1好ましくは0.1〜0.005
μmとなるようiこ真空蒸着、スパッタリングまたはイ
オンブレーティングにより前記の導電性基体上に均一に
形成する。
次にバリヤ一層の形成法について詳しく説明する。
A1% Ni−Cr、 Pd%Ti等の金属、或いはこ
れらの金属を蒸着し導電性を持たせたPETフィルム、
ポリイミドフィルム等の支持体を基板とし真空蒸着装置
内に設置し、蒸発源にZn、 ZnO。
れらの金属を蒸着し導電性を持たせたPETフィルム、
ポリイミドフィルム等の支持体を基板とし真空蒸着装置
内に設置し、蒸発源にZn、 ZnO。
或いはT這、Ti0、T10!またSl、5iO1S産
08等目的とする金属酸化物の母金属、或いはその低級
酸化物、または酸化物を秤量し、或いは秤量せずにセッ
トし真空蒸着槽内を排気する。その後所定の真空度に(
例えばI X 10 Torr)排気した後、酸化性
ガス(空気、O3)を槽内に導入し、A、P、C,(A
uto Pressure Controller )
等によりニードルバルブ、或いは圧力コントローラー等
の真空蒸着付随機構を制御し、一定真空度(例えば5X
10 Torr)に保つ。一定真空度に保たれた真空
槽内で抵抗加熱蒸発源に通電し、所定圧力を保ちながら
、前記Zn、 Ti%St、或いは酸化物または低級酸
化物を蒸着し基板上に成膜する。
08等目的とする金属酸化物の母金属、或いはその低級
酸化物、または酸化物を秤量し、或いは秤量せずにセッ
トし真空蒸着槽内を排気する。その後所定の真空度に(
例えばI X 10 Torr)排気した後、酸化性
ガス(空気、O3)を槽内に導入し、A、P、C,(A
uto Pressure Controller )
等によりニードルバルブ、或いは圧力コントローラー等
の真空蒸着付随機構を制御し、一定真空度(例えば5X
10 Torr)に保つ。一定真空度に保たれた真空
槽内で抵抗加熱蒸発源に通電し、所定圧力を保ちながら
、前記Zn、 Ti%St、或いは酸化物または低級酸
化物を蒸着し基板上に成膜する。
蒸発速度のコントロールは、水晶振動子による蒸着され
た重さの制御を信号とするもの、或いは蒸発源温度を信
号とする制御、光学的な信号制御等既知の技術を用いる
事が出来る。また酸化性ガスの導入については真空度を
予め一定真空度に保つ必要はなく、基板から蒸着表面に
向って酸素の濃度勾配をつけるように次第に酸化性雰囲
気を増す様(例えば酸素分圧を次第に増す等して)制御
をしても良い。
た重さの制御を信号とするもの、或いは蒸発源温度を信
号とする制御、光学的な信号制御等既知の技術を用いる
事が出来る。また酸化性ガスの導入については真空度を
予め一定真空度に保つ必要はなく、基板から蒸着表面に
向って酸素の濃度勾配をつけるように次第に酸化性雰囲
気を増す様(例えば酸素分圧を次第に増す等して)制御
をしても良い。
上記の技術によれば蒸着基板は何ら金属蒸着型導電層で
有る必要は無く、支持体上に同一金属を母材料とする金
属導電層及びバリア層を連続的に形成する事も出来る。
有る必要は無く、支持体上に同一金属を母材料とする金
属導電層及びバリア層を連続的に形成する事も出来る。
本発明はこれらを限定するものでは無い。
またスパッタリングに於いては、高周波電源を用いター
ゲットICZn%ZnO或いはTi、740%T106
、または別、5iO1S108等目的とする金属酸化物
の母金属、或いはその低級酸化物、或いは酸化物を選択
し、真空抵抗加熱蒸着同様槽内を排気し、Ar、 Kr
等のスパッタガスと酸化性ガス(空気、0.)を所定割
合の混合比で槽内に導入し基板・ターゲット間に高電圧
を印加し成膜させる。この方法に於ても導電層、バリア
層の連続形成は酸化性ガスの流量を制御することにより
行うことができる。
ゲットICZn%ZnO或いはTi、740%T106
、または別、5iO1S108等目的とする金属酸化物
の母金属、或いはその低級酸化物、或いは酸化物を選択
し、真空抵抗加熱蒸着同様槽内を排気し、Ar、 Kr
等のスパッタガスと酸化性ガス(空気、0.)を所定割
合の混合比で槽内に導入し基板・ターゲット間に高電圧
を印加し成膜させる。この方法に於ても導電層、バリア
層の連続形成は酸化性ガスの流量を制御することにより
行うことができる。
上記バリア層の上には光導電体層を形成するか、この光
導電層は基板からのホール注入を阻止するような構成に
なっているものであれば、材料及び形成方法(蒸着ある
いは塗布など]、単層あるいは電荷発生層と電荷輸送層
の機能分離型多層であるかを問わない。また、光導電体
層の上に絶縁層や保護層を設けてもよい。
導電層は基板からのホール注入を阻止するような構成に
なっているものであれば、材料及び形成方法(蒸着ある
いは塗布など]、単層あるいは電荷発生層と電荷輸送層
の機能分離型多層であるかを問わない。また、光導電体
層の上に絶縁層や保護層を設けてもよい。
次に実施例及び比較例を挙げて本発明の電子写真感光体
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
実施例1
市販のAI−PRTフィルム上に下記の条件にて真空蒸
着によりT10.膜(蒸発源Ti)及び5i02膜(蒸
発源SiO)を形成した。
着によりT10.膜(蒸発源Ti)及び5i02膜(蒸
発源SiO)を形成した。
基板温度:150℃
真空度 : 10 tart→2X10 to
rr(酸素導入) 膜形成速度:10^/秒 膜厚 :500λ 次にその上から電荷発生層としてSeを10%分散させ
たポリビニルカルバゾール(PVK)i〜2μm及び電
荷輸送層としてヒドラゾン化合物7ji:40%含むポ
リアクリレートを25μm順次塗布して2種類の電子写
真感光体(Tie、膜のもの;試料屋1%sho□のも
の:試料扁2)を製造した。
rr(酸素導入) 膜形成速度:10^/秒 膜厚 :500λ 次にその上から電荷発生層としてSeを10%分散させ
たポリビニルカルバゾール(PVK)i〜2μm及び電
荷輸送層としてヒドラゾン化合物7ji:40%含むポ
リアクリレートを25μm順次塗布して2種類の電子写
真感光体(Tie、膜のもの;試料屋1%sho□のも
の:試料扁2)を製造した。
この感光体について接着性、負帯iIcを施したときの
電荷保持能、残留電位及び画質を評価した。
電荷保持能、残留電位及び画質を評価した。
この結果を表1に示す。
比較例1
市販のAt−PETフィルム上にT(−カップリング剤
(試料&3)及び引−カップリング剤(試料ム4)を膜
厚0.05μmにダラヴイア塗布した。
(試料&3)及び引−カップリング剤(試料ム4)を膜
厚0.05μmにダラヴイア塗布した。
次にその上からTrI−8e/PVK及びヒドラゾン化
合物を順次塗布して感光体を製造した(Ti−カップリ
ング剤のもの:試料43.Si−カップリング剤のもの
;試料屋4)。またAl −PETフィルム上に直接S
e / P V K及びヒドラゾン化合物を塗布した
感光体(試料屋5)をも製造した。これら3種類の感光
体についても、実施例1と同様に接着性及び電荷保持能
等を評価した。
合物を順次塗布して感光体を製造した(Ti−カップリ
ング剤のもの:試料43.Si−カップリング剤のもの
;試料屋4)。またAl −PETフィルム上に直接S
e / P V K及びヒドラゾン化合物を塗布した
感光体(試料屋5)をも製造した。これら3種類の感光
体についても、実施例1と同様に接着性及び電荷保持能
等を評価した。
この結果を表1に示す。
実施例2
市販のAI−PETフィルム上に下記の条件でスパッタ
リングにてT10.膜及びSIO,膜を形成した。
リングにてT10.膜及びSIO,膜を形成した。
スパッタガス 二Ar
スパッタ圧力 : 10 torrスパッタ出力、
周波数: 1.OKW、 13.56MHz膜厚:50
0λ その上にtri−8e/PVK及びヒドラゾン化合物を
順次塗布して2種類の感光体を製造した( TiO宜膜
のもの;憲6、Siへ膜のもの:&7)。
周波数: 1.OKW、 13.56MHz膜厚:50
0λ その上にtri−8e/PVK及びヒドラゾン化合物を
順次塗布して2種類の感光体を製造した( TiO宜膜
のもの;憲6、Siへ膜のもの:&7)。
これらの感光体を実施例1と同様に評価した結果を表2
に示す。
に示す。
表2
発明の効果
本発明は、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンブレ
ーティングによりスクラッチ傷を生ずることなく均一な
薄膜としてバリヤ一層を形成することのできる電子写真
感光体の製造方法を提供したものであり、本発明の方法
によれば残留電位が上昇せずに帯電性の向上した電子写
真感光体を得ることができる。
ーティングによりスクラッチ傷を生ずることなく均一な
薄膜としてバリヤ一層を形成することのできる電子写真
感光体の製造方法を提供したものであり、本発明の方法
によれば残留電位が上昇せずに帯電性の向上した電子写
真感光体を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属蒸着型導電性基材上にバリヤ層を有する電子写
真感光体の製造方法において、バリヤ層を真空蒸着、ス
パッタリングまたはイオンプレーティングにより薄膜と
して形成することを特徴とする製造方法。 2、バリヤ層がN型半導体である酸化亜鉛薄膜あるいは
酸化チタン薄膜、または絶縁体である酸化ケイ素薄膜あ
るいは酸化ジルコニウム薄膜である特許請求の範囲第1
項に記載の製造方法。 3、薄膜の膜厚が0.001〜1μmである特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23764184A JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23764184A JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61117560A true JPS61117560A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17018333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23764184A Pending JPS61117560A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61117560A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04204743A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23764184A patent/JPS61117560A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04204743A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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