JPS6111660Y2 - - Google Patents
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- JPS6111660Y2 JPS6111660Y2 JP4328080U JP4328080U JPS6111660Y2 JP S6111660 Y2 JPS6111660 Y2 JP S6111660Y2 JP 4328080 U JP4328080 U JP 4328080U JP 4328080 U JP4328080 U JP 4328080U JP S6111660 Y2 JPS6111660 Y2 JP S6111660Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案はＸ線撮影装置の放射線検出手段とし
てNaI（Tl）やBGOシンチレータなどを使用した
放射線検出器に関する。
てNaI（Tl）やBGOシンチレータなどを使用した
放射線検出器に関する。
一般にＸ線・γ線などの放射線が発光物質に衝
突して発する光を光電変換素子によつて電気信号
に変換して検出するNaI（Tl）またはBGOシンチ
レータは放射線検出器として広く普及しているも
のであり、殊に被検体の撮影横断面に存在する
RIの濃度分布を計測する放射型CT撮影装置のγ
線検出器としては不可欠のものとなつている。こ
の種の放射線検出器はキセノン検出器に比して感
度が良好であり、そのため検出信号の増幅や信号
処理が容易で精度よく被検体の放射線情報が得ら
れるという利点を有するものである反面、前記
CT撮影装置などにおいて要求される高精度の撮
影分解能の点については前記キセノン検出器に及
ばぬ欠点を有していた。その理由については衆知
の如くキセノン検出器においてはガス容器内部で
セラミツクス絶縁基板によつて保持されたタング
ステン電極薄板相互の間隔が0.5〜1.0mm程度にま
で狭められ、従つて１セル当りの開口幅を１〜２
mmにまで縮少することにより数百個の検出器群と
することができ、それ故高精度の撮影分解能を保
持できるものだからである。他方、NaI（Tl）ま
たはBGOシンチレータの場合にはシンチレータ
の小片、例えば幅２〜３mm、高さ３〜５mm、長さ
20mm程度の小片の発光面を除く全ての面にMgO2
反射材を塗布するとともに前記発光面にシンチレ
ーシヨン光のガイド部材を接合し、このガイド部
材を介して光電子増倍管の受光面に結合して１個
の検出器を構成するものである。このようにして
構成された個々の検出器の隣接する相互側面間に
散乱線防止用コリメータ、例えばタングステン薄
板を介して数十ないし数百個の検出器を配列せね
ばならない。このため個々のシンチレータの仕上
誤差、塗布したMgO2反射材の厚み差、シンチレ
ータの位置誤差などが集積し、個々のシンチレー
タの開口幅を縮小すればするほど一体化した検出
器としての精度が低下することとなり、高い分解
能を保持することが困難となる。また更にその製
作においても高精度の煩雑な工程を要し、生産性
においてきわめて不利なものであつた。
突して発する光を光電変換素子によつて電気信号
に変換して検出するNaI（Tl）またはBGOシンチ
レータは放射線検出器として広く普及しているも
のであり、殊に被検体の撮影横断面に存在する
RIの濃度分布を計測する放射型CT撮影装置のγ
線検出器としては不可欠のものとなつている。こ
の種の放射線検出器はキセノン検出器に比して感
度が良好であり、そのため検出信号の増幅や信号
処理が容易で精度よく被検体の放射線情報が得ら
れるという利点を有するものである反面、前記
CT撮影装置などにおいて要求される高精度の撮
影分解能の点については前記キセノン検出器に及
ばぬ欠点を有していた。その理由については衆知
の如くキセノン検出器においてはガス容器内部で
セラミツクス絶縁基板によつて保持されたタング
ステン電極薄板相互の間隔が0.5〜1.0mm程度にま
で狭められ、従つて１セル当りの開口幅を１〜２
mmにまで縮少することにより数百個の検出器群と
することができ、それ故高精度の撮影分解能を保
持できるものだからである。他方、NaI（Tl）ま
たはBGOシンチレータの場合にはシンチレータ
の小片、例えば幅２〜３mm、高さ３〜５mm、長さ
20mm程度の小片の発光面を除く全ての面にMgO2
反射材を塗布するとともに前記発光面にシンチレ
ーシヨン光のガイド部材を接合し、このガイド部
材を介して光電子増倍管の受光面に結合して１個
の検出器を構成するものである。このようにして
構成された個々の検出器の隣接する相互側面間に
散乱線防止用コリメータ、例えばタングステン薄
板を介して数十ないし数百個の検出器を配列せね
ばならない。このため個々のシンチレータの仕上
誤差、塗布したMgO2反射材の厚み差、シンチレ
ータの位置誤差などが集積し、個々のシンチレー
タの開口幅を縮小すればするほど一体化した検出
器としての精度が低下することとなり、高い分解
能を保持することが困難となる。また更にその製
作においても高精度の煩雑な工程を要し、生産性
においてきわめて不利なものであつた。
この考案は上記の事情に鑑み、NaI（Tl）また
はBGOシンチレーシヨン結晶板を放射線の検出
手段とした放射線検出器において、高精度の撮影
分解能を有するとともにその製作が容易であり、
かつその製作工程において充分な機械的強度を保
持した放射線検出器を提供しようとするものであ
る。即ち放射線の入射によつて受光する板状発光
部材の側縁部に補強部材を接合してなる一体物
に、前記発光部材をその厚さ方向に完全に分割す
るとともに個々の分割発光部材の一体性が前記補
強部材によつて保持されるに足る深さの切溝を配
設し、前記切溝に放射線および可視光遮蔽部材を
挿入配列することにより前記発光部材に複数の区
画を形成せしめ、各発光部材区画の発光面に光電
変換素子の受光面を対向設置してなる放射線検出
器にかかるものである。
はBGOシンチレーシヨン結晶板を放射線の検出
手段とした放射線検出器において、高精度の撮影
分解能を有するとともにその製作が容易であり、
かつその製作工程において充分な機械的強度を保
持した放射線検出器を提供しようとするものであ
る。即ち放射線の入射によつて受光する板状発光
部材の側縁部に補強部材を接合してなる一体物
に、前記発光部材をその厚さ方向に完全に分割す
るとともに個々の分割発光部材の一体性が前記補
強部材によつて保持されるに足る深さの切溝を配
設し、前記切溝に放射線および可視光遮蔽部材を
挿入配列することにより前記発光部材に複数の区
画を形成せしめ、各発光部材区画の発光面に光電
変換素子の受光面を対向設置してなる放射線検出
器にかかるものである。
つぎにこの考案にかかる放射線検出器の実施例
を図面に基づいて説明する。第１図はこの考案の
実施例の検出器を使用した透過型CT撮影装置の
構成を示す概略図である。図において１１はＸ線
管球、１５は放射線検出器であり、共にガントリ
（図示せず）に装着されている。被検体１３はベ
ツド上に固定されており、この体軸の周りを前記
Ｘ線管球１１および放射線検出器１５が矢印方向
に一定速度で回転し、その間扇形Ｘ線ビームＲが
パルス照射される。このＸ線ビームＲは被検体１
３透過時約５mm程度の厚みを有し、放射線検出器
１５にはそれよりやや拡がつて入射し、Ｘ線情報
すなわちＸ線吸収プロフイールといわれる一次元
Ｘ線の強度分布が得られる。このようにして得ら
れたＸ線情報は画像処理され、再構成画像が
CRT等に表示される。
を図面に基づいて説明する。第１図はこの考案の
実施例の検出器を使用した透過型CT撮影装置の
構成を示す概略図である。図において１１はＸ線
管球、１５は放射線検出器であり、共にガントリ
（図示せず）に装着されている。被検体１３はベ
ツド上に固定されており、この体軸の周りを前記
Ｘ線管球１１および放射線検出器１５が矢印方向
に一定速度で回転し、その間扇形Ｘ線ビームＲが
パルス照射される。このＸ線ビームＲは被検体１
３透過時約５mm程度の厚みを有し、放射線検出器
１５にはそれよりやや拡がつて入射し、Ｘ線情報
すなわちＸ線吸収プロフイールといわれる一次元
Ｘ線の強度分布が得られる。このようにして得ら
れたＸ線情報は画像処理され、再構成画像が
CRT等に表示される。
第２図はこの考案にかかる放射線検出器の製作
工程におけるシンチレーシヨン基板の様態を示す
部分斜視図である。１は幅（Ｗ）20mm、厚さ
（ｄ）５mm、円弧長600mmの上ぞりの板状に成型し
たNaI（Tl）結晶基板であり、この結晶基板１の
対向する縁部にはAlよりなる補強板３が接合さ
れている。このように一体化されたNaI（Tl）結
晶基板１および補強板３に対してマルチワイアソ
ーによつて切削し、切溝７を形成せしめてある。
この切溝７はNaI（Tl）結晶基板１をその厚さ方
向に完全に分割するとともに補強板３の切残し部
分において分割した各結晶基板１相互の一体性が
保持されており、前記補強板３の切残し部分の高
さ（ｈ）は５mm程度あれば充分な機械的強度を保
持することが可能である。また切溝７の切幅
（ｔ）は0.1mm程度であり、各切溝７のピツチＰを
２mmとして、NaI（Tl）結晶基板１の全面に配設
されている。上記切溝７のピツチＰは通常一定と
するが、装置によつて中央部と周辺部で放射線検
出感度に差をつけ検出位置特性をもたせる場合に
はピツチＰを適宜変更して配設すればよい。この
ように配設した切溝７に放射線吸収係数の大きな
遮蔽材、例えばタングステンや鉛などよりなる散
乱線防止用のコリメータを挿入・接合する。この
コリメータはNaI（Tl）結晶基板１の幅（Ｗ）、
切溝７の幅（ｔ）および深さ（ｅ）に各々一致す
る形状を有している。第３図はこの考案にかかる
放射線検出器の構造および放射線による発光の状
態を示す第２図−矢視断面説明図である。図
において５は前記切溝７に挿入配列した散乱線防
止用のコリメータであり、１９はNaI（Tl）結晶
基板１の放射線入射面に塗布されたMgO2反射材
層である。この反射材層１９により放射線（Ｒ）
とNaI（Tl）結晶基板１との相互作用で発するシ
ンチレーシヨン光Ｓが各区画の外部に漏れるのを
防止するとともに、前記コリメータ５により各区
画相互における散乱線の進入を防止しており、従
つて各区画において発光したシンチレーシヨン光
Ｓは図中破線で示すライトガイド１７を通して光
電変換素子９の受光面に導かれることとなる。こ
の光電変換素子９としてはフオトダイオードなど
の光半導体素子や光電子増倍管などの使用が挙げ
られる。
工程におけるシンチレーシヨン基板の様態を示す
部分斜視図である。１は幅（Ｗ）20mm、厚さ
（ｄ）５mm、円弧長600mmの上ぞりの板状に成型し
たNaI（Tl）結晶基板であり、この結晶基板１の
対向する縁部にはAlよりなる補強板３が接合さ
れている。このように一体化されたNaI（Tl）結
晶基板１および補強板３に対してマルチワイアソ
ーによつて切削し、切溝７を形成せしめてある。
この切溝７はNaI（Tl）結晶基板１をその厚さ方
向に完全に分割するとともに補強板３の切残し部
分において分割した各結晶基板１相互の一体性が
保持されており、前記補強板３の切残し部分の高
さ（ｈ）は５mm程度あれば充分な機械的強度を保
持することが可能である。また切溝７の切幅
（ｔ）は0.1mm程度であり、各切溝７のピツチＰを
２mmとして、NaI（Tl）結晶基板１の全面に配設
されている。上記切溝７のピツチＰは通常一定と
するが、装置によつて中央部と周辺部で放射線検
出感度に差をつけ検出位置特性をもたせる場合に
はピツチＰを適宜変更して配設すればよい。この
ように配設した切溝７に放射線吸収係数の大きな
遮蔽材、例えばタングステンや鉛などよりなる散
乱線防止用のコリメータを挿入・接合する。この
コリメータはNaI（Tl）結晶基板１の幅（Ｗ）、
切溝７の幅（ｔ）および深さ（ｅ）に各々一致す
る形状を有している。第３図はこの考案にかかる
放射線検出器の構造および放射線による発光の状
態を示す第２図−矢視断面説明図である。図
において５は前記切溝７に挿入配列した散乱線防
止用のコリメータであり、１９はNaI（Tl）結晶
基板１の放射線入射面に塗布されたMgO2反射材
層である。この反射材層１９により放射線（Ｒ）
とNaI（Tl）結晶基板１との相互作用で発するシ
ンチレーシヨン光Ｓが各区画の外部に漏れるのを
防止するとともに、前記コリメータ５により各区
画相互における散乱線の進入を防止しており、従
つて各区画において発光したシンチレーシヨン光
Ｓは図中破線で示すライトガイド１７を通して光
電変換素子９の受光面に導かれることとなる。こ
の光電変換素子９としてはフオトダイオードなど
の光半導体素子や光電子増倍管などの使用が挙げ
られる。
以上述べてきたところから明らかなようにこの
考案にかかる放射線検出器はNaI（Tl）結晶基板
をコリメータによつて個々に完全に独立した区画
とすることによつて迷光ノイズを完全に解消でき
るものであり、更にその製作工程においては前記
NaI（Tl）結晶基板を補強部材と一体化せしめる
ことにより作業中の損傷を防止することができ、
このことは生産効率の点できわめて有利である。
更にまたこの考案にかかる放射線検出器はNaI
（Tl）結晶基板上にピツチ精度の高い切溝加工を
施すことができ、各ピツチ幅を縮小化できるとと
もに各検出区画の位置精度の高い一体化した検出
器群を形成せしめることによつて高精度の撮影分
解能を保持できるものである。
考案にかかる放射線検出器はNaI（Tl）結晶基板
をコリメータによつて個々に完全に独立した区画
とすることによつて迷光ノイズを完全に解消でき
るものであり、更にその製作工程においては前記
NaI（Tl）結晶基板を補強部材と一体化せしめる
ことにより作業中の損傷を防止することができ、
このことは生産効率の点できわめて有利である。
更にまたこの考案にかかる放射線検出器はNaI
（Tl）結晶基板上にピツチ精度の高い切溝加工を
施すことができ、各ピツチ幅を縮小化できるとと
もに各検出区画の位置精度の高い一体化した検出
器群を形成せしめることによつて高精度の撮影分
解能を保持できるものである。
なお、上記の説明は透過型CT装置についての
実施例を述べたものであるが、こうした一次元放
射線の強度分布検出に限らず、各検出区画を二次
元方向に配列することによつて例えばγ線シンチ
レーシヨンカメラとして適用できるものである。
実施例を述べたものであるが、こうした一次元放
射線の強度分布検出に限らず、各検出区画を二次
元方向に配列することによつて例えばγ線シンチ
レーシヨンカメラとして適用できるものである。
この考案は以上の構成を有しているので、放射
線発光部材の各区画の入射面積を縮小し、各区画
の位置精度を高精度に保持し、かつ散乱線を完全
に解消できるとともに、製作工程を簡略化しかつ
その加工性・工作精度を大幅に向上できる放射線
検出器を提供できたものであり、殊に放射線発光
部材の機械的強度を充分に与えうる点において製
作・加工上きわめて有利なものである。
線発光部材の各区画の入射面積を縮小し、各区画
の位置精度を高精度に保持し、かつ散乱線を完全
に解消できるとともに、製作工程を簡略化しかつ
その加工性・工作精度を大幅に向上できる放射線
検出器を提供できたものであり、殊に放射線発光
部材の機械的強度を充分に与えうる点において製
作・加工上きわめて有利なものである。
第１図はこの考案の実施例放射線検出器を用い
た透過型コンピユータ断層撮影装置の構成説明
図、第２図は前記放射線検出器のシンチレーシヨ
ン結晶基板の加工法を示す部分斜視図、第３図は
同じく実施例放射線検出器の構造を示す断面説明
図である。 １……NaI（Tl）結晶基板、３……補強板、５
……コリメータ、７……切溝、９……光電変換素
子、Ｒ……放射線。
た透過型コンピユータ断層撮影装置の構成説明
図、第２図は前記放射線検出器のシンチレーシヨ
ン結晶基板の加工法を示す部分斜視図、第３図は
同じく実施例放射線検出器の構造を示す断面説明
図である。 １……NaI（Tl）結晶基板、３……補強板、５
……コリメータ、７……切溝、９……光電変換素
子、Ｒ……放射線。
Claims (1)
- 放射線の入射によつて発光する板状発光部材の
側縁部に補強部材を接合して形成してなる一体物
に、前記発光部材をその厚さ方向に完全に分割す
るとともに個々の分割発光部材の一体性が前記補
強部材によつて保持されるに足る深さの切溝を配
設し、前記切溝に放射線および可視光遮蔽部材を
挿入配列することにより前記発光部材に複数の区
画を形成せしめ、各発光部材区画の発光面に光電
変換素子の受光面を対向設置してなる放射線検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4328080U JPS6111660Y2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4328080U JPS6111660Y2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56144373U JPS56144373U (ja) | 1981-10-30 |
| JPS6111660Y2 true JPS6111660Y2 (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=29638604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4328080U Expired JPS6111660Y2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111660Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4328080U patent/JPS6111660Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56144373U (ja) | 1981-10-30 |
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