JPS6111638Y2 - - Google Patents

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JPS6111638Y2
JPS6111638Y2 JP18000479U JP18000479U JPS6111638Y2 JP S6111638 Y2 JPS6111638 Y2 JP S6111638Y2 JP 18000479 U JP18000479 U JP 18000479U JP 18000479 U JP18000479 U JP 18000479U JP S6111638 Y2 JPS6111638 Y2 JP S6111638Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は熱流センサに関し、とくに、ウエハ
型の熱流センサに関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a heat flow sensor, and particularly to a wafer type heat flow sensor.

熱流センサは被測定物の表面から大気中へ熱放
散する熱流密度を測定したり、物体内を拡散する
熱流密度を測定したりするものである。前者の測
定では、熱流センサは被測定物の表面に密着させ
られて用いられ、後者の測定では、被測定物体中
に埋設されて用いられる。また、ウエハ型の熱流
センサは、以上のような熱流センサにおいて、ウ
エハ状(薄板状)の熱抵抗体の表面・裏面間の温
度差から熱流密度を測定するものである。すなわ
ち、ウエハ型熱流センサは、第1図に示すよう
に、ウエハ状の熱抵抗体1や測温素子2などを備
えてなり、矢印で示す熱流密度による両表面の温
度差ΔT=T1−T2を測温素子2によつて測定
し、この測定量に基づいて熱流密度を検知するも
のである。
A heat flow sensor measures the heat flow density that radiates heat from the surface of an object to the atmosphere, or measures the heat flow density that diffuses within the object. In the former measurement, the heat flow sensor is used in close contact with the surface of the object to be measured, and in the latter measurement, it is used embedded in the object to be measured. Furthermore, the wafer-type heat flow sensor measures the heat flow density from the temperature difference between the front and back surfaces of a wafer-shaped (thin plate-shaped) thermal resistor in the above-described heat flow sensor. That is, as shown in FIG. 1, the wafer-type heat flow sensor is equipped with a wafer-shaped thermal resistor 1, a temperature measuring element 2, etc., and the temperature difference between both surfaces ΔT=T 1 − due to the heat flow density indicated by the arrow. T 2 is measured by the temperature measuring element 2, and the heat flow density is detected based on this measured amount.

ところで、このようなウエハ型熱流センサで
は、センサの有効面積に対してその厚さを小さく
し、無視できるようにすることが好ましい。それ
というのも、センサの厚さが大きくなると、セン
サの側壁から漏れる熱流や被測定熱流の方向とセ
ンサの法線ベクトルn(第1図)の方向との偏角
によつてエラーが生じてしまうからである。換言
すれば、検出する物理量が熱流密度の所定方向成
分、たとえば被測定物の表面の法線方向成分とい
う一次元の量であるのに対し、センサ自体は有限
の厚さを有するため、測定が二次元となつてしま
う。そこで、できるだけ、有限な厚さを無視でき
るようにするのが好ましいということである。
Incidentally, in such a wafer-type heat flow sensor, it is preferable to make the thickness small relative to the effective area of the sensor so that it can be ignored. This is because, as the thickness of the sensor increases, errors occur due to the deviation angle between the direction of the heat flow leaking from the side wall of the sensor and the direction of the heat flow being measured, and the direction of the sensor's normal vector n (Fig. 1). This is because it will be put away. In other words, the physical quantity to be detected is a one-dimensional component of heat flow density in a predetermined direction, for example, the component in the normal direction to the surface of the object to be measured, whereas the sensor itself has a finite thickness, so the measurement is difficult. It becomes two-dimensional. Therefore, it is preferable to make the finite thickness negligible as much as possible.

また、熱流センサの厚さが大きいと、測定する
熱流に対する擾乱が大きく、また被測定物の表面
に密着させて用いられるセンサーでは気体の対流
の状況がセンサの有無で著しく変化してしまい、
知り得たい状況での熱流密度とは異なつた条件で
の値(熱流密度)となつてしまう。したがつて、
理想的な状態すなわち、正しい熱流密度を測定す
るためにはセンサを薄くする必要があるのであ
る。
In addition, if the thickness of the heat flow sensor is large, the disturbance to the heat flow to be measured will be large, and if the sensor is used in close contact with the surface of the object to be measured, the state of gas convection will change significantly depending on the presence or absence of the sensor.
The value (heat flow density) under conditions different from the heat flow density in the situation you want to know will be obtained. Therefore,
In order to measure the ideal heat flow density, the sensor needs to be thin.

ところで、従来センサの厚さを小さくするうえ
でネツクとなつていることが2点あつた。第1は
熱抵抗体の熱コンダクタンスの問題である。すな
わち、熱コンダクタンスは熱抵抗体の平均熱伝導
率をその厚さで割つたものであるから、その熱抵
抗体を薄くすればするほど熱コンダクタンスが大
きくなり、この結果、熱流密度測定での熱抵抗体
の両面の温度差が小さくなつてしまう。すなわ
ち、熱流センサの感度が低下し、場合によつて
は、十分な検出出力を得るために高増幅率の安定
な増幅器が必要となつてしまうのである。電気回
路部の技術レベルの高さおよび高価格となること
から望ましいことではない。
By the way, there are two points that have been the bottleneck in reducing the thickness of conventional sensors. The first problem is the thermal conductance of the thermal resistor. In other words, thermal conductance is the average thermal conductivity of a thermal resistor divided by its thickness, so the thinner the thermal resistor is, the larger the thermal conductance becomes. The temperature difference between both sides of the resistor becomes small. That is, the sensitivity of the heat flow sensor decreases, and in some cases, a stable amplifier with a high amplification factor is required to obtain a sufficient detection output. This is not desirable because of the high level of technology and high cost of the electric circuit section.

第2は、機械的強度の問題である。すなわち、
硬質な熱抵抗材料は一般に熱伝導率が高く、この
ため、前述した内容から妥当と思われるような厚
さでは検出感度を十分大きくできない。これに対
して、熱伝導率の小なる材料、たとえば石綿、発
泡ポリウレタン、発泡ポリスチレンなどは軟質
で、しかももろいため、これらを熱抵抗体として
用い、その厚さを小さくした場合には熱流センサ
として実用に供する程に十分な強度を得られない
でいたのである。
The second problem is mechanical strength. That is,
Hard thermally resistant materials generally have high thermal conductivity, and therefore detection sensitivity cannot be sufficiently increased with a thickness that seems reasonable based on the above description. On the other hand, materials with low thermal conductivity, such as asbestos, foamed polyurethane, and foamed polystyrene, are soft and brittle, so if they are used as thermal resistors and their thickness is reduced, they can be used as heat flow sensors. It was not possible to obtain sufficient strength for practical use.

この考案は、以上のような背景のもとに考え出
されたものであり、その目的とするところは、感
度および機械的強度のうえで問題のない薄いウエ
ハ型熱流センサを提供することにある。
This idea was devised against the above background, and its purpose is to provide a thin wafer-type heat flow sensor that has no problems in terms of sensitivity and mechanical strength. .

この考案はこのような目的を達成するためにウ
エハ状の熱抵抗体材料を硬質とし、かつ、この熱
抵抗体の厚み方向に沿う貫通孔を1個または複数
個その熱抵抗体に形成するようにしている。
In order to achieve this purpose, this invention makes a wafer-shaped thermal resistor material hard, and forms one or more through holes in the thermal resistor along the thickness direction of the thermal resistor. I have to.

以下、この考案の実施例について説明する。第
2図はこの考案の第1の実施例を示している。第
2図において、第1の実施例の熱流センサはウエ
ハ状の熱抵抗体(以下、ウエハとする)11、サ
ーモパイイル12、熱電対13、被覆材14およ
び電気回路部15からなつている。
Examples of this invention will be described below. FIG. 2 shows a first embodiment of this invention. In FIG. 2, the heat flow sensor of the first embodiment includes a wafer-shaped thermal resistor (hereinafter referred to as wafer) 11, a thermopile 12, a thermocouple 13, a covering material 14, and an electric circuit section 15.

ウエハ11は硬質の熱抵抗材料、たとえばシリ
コーン、ガラス繊維複合材、エポキシ樹脂、ポリ
イミド、ポリアミド、ベークライト等からなつて
おり、その厚さは従来の同種のものに比してたと
えば0.5mm厚さと薄く構成されている。そして、
このように薄くしたことにより熱コンダクタンス
が増大するのを、ウエハ11のみかけの熱伝導率
を低下させることによつて補なつている。すなわ
ち、ウエハ11にはその厚さ方向に沿う貫通孔1
6(第3図参照)が複数個形成されている(第2
図では省略されている)。そして、たとえば、シ
リコーン、ガラス繊維複合材の熱伝導率は約0.2
〜0.3kcal/mh℃であるが、これに対して空気の
熱伝導率は約0.022kcal/mh℃で1オーダー小さ
い。このため、貫通孔16の空気層が占める面積
分だけウエハ11の熱伝導性はウエハー単体の時
より小さく抑えられ、みかけの熱伝導率が小さく
なるのである。付言するならば、ここに用いたシ
リコーン、ガラス繊維複合材は熱抵抗体としての
機械的強度、構造維持として役立たせ、熱抵抗の
増加は空気孔の占める大きさで持たせようとの意
図をもつている。なお、貫通孔16はたとえば第
3図または第4図にそれぞれ示すように規則性の
ある配列で形成してもよく、また、第5図に示す
ようにアトランダムな配列で形成してもよい。
The wafer 11 is made of a hard heat-resistant material such as silicone, glass fiber composite, epoxy resin, polyimide, polyamide, Bakelite, etc., and its thickness is thinner, for example, 0.5 mm, compared to conventional similar materials. It is configured. and,
The increase in thermal conductance due to such thinning is compensated for by lowering the apparent thermal conductivity of the wafer 11. That is, the wafer 11 has through holes 1 along its thickness direction.
6 (see Figure 3) are formed (second
(omitted in the figure). And, for example, the thermal conductivity of silicone, glass fiber composite is about 0.2
The thermal conductivity of air is approximately 0.022 kcal/mh°C, which is one order of magnitude lower. Therefore, the thermal conductivity of the wafer 11 is suppressed to be smaller than that of a single wafer by the area occupied by the air layer of the through hole 16, and the apparent thermal conductivity is reduced. I would like to add that the silicone and glass fiber composite materials used here are useful for maintaining mechanical strength and structure as a heat resistor, and the increase in heat resistance is intended to be achieved by the size of the air holes. I have it too. Note that the through holes 16 may be formed in a regular arrangement as shown in FIG. 3 or 4, respectively, or may be formed in a random arrangement as shown in FIG. .

サーモパイル12はウエハ11の両面間の温度
差を熱起電力として取り出すためのものである。
すなわち、サーモパイル12の温接点18がウエ
ハ11の一方の面に配置され、冷接点17が他方
の面に配置されている。また、熱電対13は熱流
センサの感度が温度によつて変化するためにその
値(感度)を補正するためのものであり、その温
接点19がウエハ11の一面に取り付けられてい
る。そして、これらサーモパイル12および熱電
対13を覆うように被覆材14がウエハ11の両
面に固着されている。
The thermopile 12 is for extracting the temperature difference between both sides of the wafer 11 as thermoelectromotive force.
That is, the hot junction 18 of the thermopile 12 is arranged on one side of the wafer 11, and the cold junction 17 is arranged on the other side. Further, the thermocouple 13 is used to correct the value (sensitivity) since the sensitivity of the heat flow sensor changes depending on the temperature, and its hot junction 19 is attached to one surface of the wafer 11. A covering material 14 is fixed to both surfaces of the wafer 11 so as to cover the thermopile 12 and thermocouple 13.

電気回路部15はサーモパイル12および熱電
対13の出力に基づいて熱流密度に応じた出力を
生じ、さらには熱流密度値を表示するものであ
る。
The electric circuit section 15 generates an output according to the heat flow density based on the outputs of the thermopile 12 and the thermocouple 13, and further displays the heat flow density value.

以上のような構成で、熱流センサを熱流中にセ
ツトすると、ウエハ11の両面の間に温度差が生
じ、これに応じてサーモパイル12から検出出力
が生じる。そして、この検出出力および熱電対1
3の補正用出力に基づいて電気回路部15から熱
流密度に応じた出力が生じる。
With the above configuration, when the heat flow sensor is set in a heat flow, a temperature difference occurs between both surfaces of the wafer 11, and a detection output is generated from the thermopile 12 in response to this. Then, this detection output and thermocouple 1
Based on the correction output of No. 3, an output corresponding to the heat flow density is generated from the electric circuit section 15.

この実施例では、ウエハ11の厚さを小さくし
たが、その分貫通孔の存在によつてみかけの熱伝
導率を小さくしたため、電気回路部15に高増幅
率の増幅器を設けることなしに十分な感度を維持
できる。しかも、ウエハ11を強度のある硬質の
熱抵抗体材料で構成したから、機械的強度を十分
に大きくすることができる。
In this embodiment, although the thickness of the wafer 11 is reduced, the apparent thermal conductivity is reduced due to the presence of the through holes. Sensitivity can be maintained. Moreover, since the wafer 11 is made of a strong and hard heat resistor material, the mechanical strength can be sufficiently increased.

なお、以上の実施例ではサーモパイル12を用
いてウエハ11の両面の間の温度差を検出した
が、第6図に示すようにサーモパイル12のかわ
りに測温抵抗体20、またはサーミスタ20を用
いてもよい。なお、第6図では第2図と対応する
箇所に対応する番号を付して説明を省略する。
In the above embodiments, the thermopile 12 was used to detect the temperature difference between both sides of the wafer 11, but as shown in FIG. Good too. Note that in FIG. 6, parts corresponding to those in FIG. 2 are given corresponding numbers, and their explanations are omitted.

つぎに、この考案の第2の実施例について説明
する。第7図および第8図は第2の実施例を示し
ている。第7図および第8図において、第2の実
施例の熱流センサは基板(熱抵抗体)21、サー
ミスタ22および被覆材23からなつている。基
板21にはその中央位置でサーミスタ22に比し
て充分大きな面積の貫通孔24が形成されてい
る。被覆材23は基板21の両面を覆うものであ
り、これらによつて、基板21の貫通孔24が塞
がれ、内部の空気層が外気から遮断されるように
なつている。したがつて、貫通孔24内部の空気
層(熱伝導率約0.022kcal/mh℃を熱抵抗体とし
てそのまま用いることができる。
Next, a second embodiment of this invention will be described. 7 and 8 show a second embodiment. 7 and 8, the heat flow sensor of the second embodiment consists of a substrate (thermal resistor) 21, a thermistor 22, and a covering material 23. In FIG. A through hole 24 having a sufficiently larger area than the thermistor 22 is formed in the center of the substrate 21 . The covering material 23 covers both sides of the substrate 21, and thereby closes the through hole 24 of the substrate 21 and blocks the internal air layer from the outside air. Therefore, the air layer inside the through hole 24 (which has a thermal conductivity of about 0.022 kcal/mh°C) can be used as it is as a thermal resistor.

サーミスタ22は貫通孔24の両開口位置に配
置され、それらの位置の温度差を検出できるよう
になつている。そして、この検出出力がリード2
5によつて図示しない電気回路部に送出されるよ
うになつている。
The thermistor 22 is arranged at both opening positions of the through hole 24, and can detect the temperature difference between those positions. This detection output is the lead 2
5 to an electric circuit section (not shown).

この実施例では、貫通孔24内の空気層を熱抵
抗体として利用しているので、基板21を薄く
し、これによつて空気層が薄くなつても、空気の
熱伝導性が悪いため必要な検出出力を得るのに十
分な熱コンダクタンスを実施できる。また、基板
21を機械的強度の大きいものとしておけば、基
板21を薄くしても何ら強度上の問題が生じな
い。
In this embodiment, the air layer inside the through hole 24 is used as a thermal resistor, so even if the substrate 21 is made thinner and the air layer becomes thinner, it is not necessary because the thermal conductivity of air is poor. Thermal conductance is sufficient to obtain a suitable detection output. Furthermore, if the substrate 21 is made of a material with high mechanical strength, no problem will arise in terms of strength even if the substrate 21 is made thin.

なお、ここに用いたサーミスタ22の大きさは
3mm角程度であり、従つて、貫通孔24の大きさ
は6〜7mmφである。
Note that the size of the thermistor 22 used here is about 3 mm square, and therefore the size of the through hole 24 is 6 to 7 mmφ.

また、この実施例では、測温素子としてサーミ
スタ22を用いたが、それらのかわりに測温抵抗
体やサーモパイルを用いてもよいことは明らかで
ある。
Further, in this embodiment, the thermistor 22 is used as the temperature measuring element, but it is clear that a temperature measuring resistor or a thermopile may be used instead.

以上、説明したように、この考案ではウエハ状
の熱抵抗体材料を硬質としたうえで、この熱抵抗
体の厚み方向に沿う貫通孔を1個または複数個そ
の熱抵抗体に形成させている。この結果、熱抵抗
体を十分に薄くしてもその熱コンダクタンスを十
分小さく維持することができ、また、機械強度の
うえでも問題が生じない。したがつて、堅固で感
度のよい実用性のある薄型のウエハ型熱流センサ
を実現できるものである。
As explained above, in this invention, the wafer-shaped thermal resistor material is made hard, and one or more through holes are formed in the thermal resistor along the thickness direction of the thermal resistor. . As a result, even if the thermal resistor is made sufficiently thin, its thermal conductance can be kept sufficiently small, and no problems arise in terms of mechanical strength. Therefore, it is possible to realize a thin wafer-type heat flow sensor that is robust, sensitive, and practical.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のウエハ型熱流センサを概略して
示す断面図、第2図はこの考案の第1の実施例を
示す側面図、第3図〜第5図は第2図のウエハ1
1の例を示す斜視図、第6図は第1の実施例の変
形例を示す側面図、第7図および第8図はこの考
案の第2の実施例を示すもので第7図は断面図、
第8図は分解斜視図である。 11……硬質の薄いウエハ状熱低抗体(ウエ
ハ)、12……サーモパイル、13……熱電対、
14……被覆材、15……電気回路部、16……
貫通孔、17……冷接点、18……温接点、20
……測温抵抗体、21……硬質の薄い熱抵抗体
(基板)、22……サーミスタ、24……貫通孔。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional wafer-type heat flow sensor, FIG. 2 is a side view showing a first embodiment of this invention, and FIGS.
6 is a side view showing a modification of the first embodiment, and FIGS. 7 and 8 show a second embodiment of the invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view. figure,
FIG. 8 is an exploded perspective view. 11... Hard thin wafer-shaped thermoplastic antibody (wafer), 12... Thermopile, 13... Thermocouple,
14... Covering material, 15... Electric circuit section, 16...
Through hole, 17...cold junction, 18...hot junction, 20
...Resistance temperature detector, 21... Hard thin thermal resistor (substrate), 22... Thermistor, 24... Through hole.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) ウエハ状の熱抵抗体と、この熱抵抗体の両面
に設けられ、両面の温度差を検出する測温素子
と、上記熱抵抗体を、測温素子とともに被覆す
る被覆材と、上記測温素子の出力に基づいて熱
流密度を演算表示する電気回路部とよりなる熱
流センサにおいて、上記熱抵抗体を、硬質の薄
いウエハ状とし、この熱抵抗体に、表裏面間の
熱抵抗を高めるための、表裏間を貫通する貫通
孔を設けたことを特徴とする熱流センサ。 (2) 測温素子が、熱抵抗体の表裏面にそれぞれ接
点を分散して配置されたサーモパイイル、およ
び貫通孔が上記接点の分散域に設けられた複数
の貫通孔である実用新案登録請求の範囲第1項
記載の熱流センサ。 (3) 測温素子が測温抵抗体、またはサーミスタで
貫通孔が、測温抵抗体、またはサーミスタの測
温域に主として設けられた複数の貫通孔である
実用新案登録請求の範囲第1項記載の熱流セン
サ。 (4) 測温素子がサーミスタで、貫通孔が、サーミ
スタをほぼ中心として、サーミスタに対して十
分大きい1個の貫通孔である実用新案登録請求
の範囲第1項記載の熱流センサ。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A wafer-shaped thermal resistor, a temperature measuring element that is provided on both sides of the thermal resistor and detects a temperature difference between the two sides, and a temperature measuring element that uses the thermal resistor as a temperature measuring element. In a heat flow sensor consisting of a covering material that covers the same, and an electric circuit section that calculates and displays heat flow density based on the output of the temperature measuring element, the thermal resistor is formed into a hard thin wafer shape, and the thermal resistor is A heat flow sensor characterized by having a through hole penetrating between the front and back surfaces in order to increase the thermal resistance between the front and back surfaces. (2) A utility model registration request in which the temperature measuring element is a thermopile in which contacts are distributed on the front and back surfaces of a thermal resistor, and the through holes are a plurality of through holes provided in the area where the contacts are distributed. A heat flow sensor according to scope 1. (3) Scope of Utility Model Registration Claim 1, where the temperature measuring element is a temperature measuring resistor or a thermistor, and the through holes are a plurality of through holes provided mainly in the temperature measuring region of the temperature measuring resistor or thermistor. The heat flow sensor described. (4) The heat flow sensor according to claim 1, wherein the temperature measuring element is a thermistor, and the through hole is a single through hole that is substantially centered around the thermistor and is sufficiently large for the thermistor.
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JPS5696355U JPS5696355U (en) 1981-07-30
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006053075A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 Komatsu Ltd Temperature measuring device and substrate for temperature measurement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006053075A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 Komatsu Ltd Temperature measuring device and substrate for temperature measurement

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