JPS61114598U - - Google Patents

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JPS61114598U
JPS61114598U JP1984196987U JP19698784U JPS61114598U JP S61114598 U JPS61114598 U JP S61114598U JP 1984196987 U JP1984196987 U JP 1984196987U JP 19698784 U JP19698784 U JP 19698784U JP S61114598 U JPS61114598 U JP S61114598U
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bubble memory
destruction
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【図面の簡単な説明】
図はこの考案による磁気バブルメモリの記憶破
壊回路の実施例を示す図である。 １１：破壊コイル、１２：破壊動作起動スイツ
チ、１３，１４：電源端子、１９：破壊電源切替
回路、２６：電流制限用抵抗器、２９：破壊時間
制限回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 磁気バブルメモリに、その記憶内容を消去する
    磁界を発生することができる破壊コイルと、 破壊用電源が接続されるべき電源端子と、 不正に上記磁気バブルメモリが装置から外され
    ようとすると動作して上記破壊コイルに上記電源
    端子を通じて破壊電流を供給する破壊動作起動ス
    イツチと、 上記破壊電流が供給された際に上記磁気バブル
    メモリが物理的に破壊されるのを防止する制限手
    段とを具備する磁気バブルメモリの記憶破壊回路
    。
JP1984196987U 1984-12-28 1984-12-28 Expired JPH0124799Y2 (ja)

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JP1984196987U JPH0124799Y2 (ja) 1984-12-28 1984-12-28

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JPS61114598U true JPS61114598U (ja) 1986-07-19
JPH0124799Y2 JPH0124799Y2 (ja) 1989-07-26

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006511892A (ja) * 2002-12-18 2006-04-06 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 改竄からｍｒａｍ素子を保護するための方法及び装置
JP2008520017A (ja) * 2004-11-15 2008-06-12 トムソン ライセンシング 携帯型メモリ・デバイスに記憶された私的コンテンツを保護するための方法および携帯型メモリ・デバイス

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JP2006511892A (ja) * 2002-12-18 2006-04-06 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 改竄からｍｒａｍ素子を保護するための方法及び装置
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JP2008520017A (ja) * 2004-11-15 2008-06-12 トムソン ライセンシング 携帯型メモリ・デバイスに記憶された私的コンテンツを保護するための方法および携帯型メモリ・デバイス

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JPH0124799Y2 (ja) 1989-07-26

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