JPS61112938A - Compensation circuit of semiconductive pressure sensor - Google Patents
Compensation circuit of semiconductive pressure sensorInfo
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- JPS61112938A JPS61112938A JP59235634A JP23563484A JPS61112938A JP S61112938 A JPS61112938 A JP S61112938A JP 59235634 A JP59235634 A JP 59235634A JP 23563484 A JP23563484 A JP 23563484A JP S61112938 A JPS61112938 A JP S61112938A
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- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体圧力センサの出力に温度補償、非直
線性補償、零点オフセット補償等を施す補償回路に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a compensation circuit that performs temperature compensation, nonlinearity compensation, zero point offset compensation, etc. on the output of a semiconductor pressure sensor.
周知のように、半導体圧力センサは、例えばｎ型シリコ
ンからなるダイヤフラム上に、４個のＰ型検出抵抗を拡
散あるいはイオン打込み技術によって形成し、これらの
検出抵抗をブリッジ接続して被測定圧力に対応する検出
電圧を得るようにしたものである。As is well known, a semiconductor pressure sensor has four P-type detection resistors formed by diffusion or ion implantation technology on a diaphragm made of, for example, n-type silicon, and these detection resistors are bridge-connected to respond to the pressure to be measured. A corresponding detection voltage is obtained.
ところで、この半導体圧力センサの検出電圧には、温度
依存性、非直線性等が存在し、したがって、高精度の圧
力検出を行う場合は、温度補償、非１１線性補償等が不
可欠である。By the way, the detection voltage of this semiconductor pressure sensor has temperature dependence, non-linearity, etc. Therefore, when performing high-precision pressure detection, temperature compensation, non-eleven linearity compensation, etc. are essential.
従来、これらの補償を行う方法としては、例えば第７図
に示すように補償抵抗ＲＰＩ、ＲＰ２゜ＲＯを付加する
方法、あるいは、第８図に示すように、ブリッジ回路の
出力に演纂増幅ａ１，２、サーミスタ３等を挿入して補
償を行う方法等が知られている。なお、これらの図にお
いてＲ１−Ｒ４はダイヤフラムに形成ばれた検出抵抗、
Ａは定電流源である。しかしながら、これらの方法にあ
っては量産性が悪い、高精度の補償がむずかしい等の欠
点があった。Conventionally, methods for making these compensations include, for example, adding compensation resistors RPI and RP2°RO as shown in FIG. 7, or adding deductive amplification a1 to the output of the bridge circuit as shown in FIG. , 2, a method of inserting a thermistor 3, etc. to perform compensation are known. In addition, in these figures, R1-R4 are detection resistors formed on the diaphragm,
A is a constant current source. However, these methods have drawbacks such as poor mass productivity and difficulty in achieving high-precision compensation.
そこで、これらの欠点を除去する方法として、ブリッジ
回路の出力をディジタルデータに変換し、このディジタ
ルデータを、予め補償回路内に設けた補償用テーブル内
のデータを用いて補正する方法が考えられる。しかしな
がら、この方法には次の問題がある。すなわち、個々の
圧力センサは各々、実装時における種々の要因によって
出力特性が異なってくる。例えばチップを基台に接着す
る時の接着剤の種類によっても出力特性が異なってくる
。このため、上記補償方法の場合、個々の圧力センサ毎
に補償用テーブルを変えなければならないため、個々の
圧力センサに対する補償用テーブルを作成するため、デ
ータ処理時間が膨大になるという問題がある。Therefore, as a method to eliminate these drawbacks, a method can be considered that converts the output of the bridge circuit into digital data and corrects this digital data using data in a compensation table provided in advance in the compensation circuit. However, this method has the following problems. That is, the output characteristics of individual pressure sensors differ depending on various factors at the time of mounting. For example, the output characteristics vary depending on the type of adhesive used to bond the chip to the base. For this reason, in the case of the above compensation method, the compensation table must be changed for each individual pressure sensor, so there is a problem in that the data processing time is enormous in order to create the compensation table for each pressure sensor.
この発明は上述した各問題点に鑑みてなされたもので、
その目的は１固々の圧力センサ毎に別個の補償用テーブ
ルを設ける必要がなく、しかも、量産性に優れ、力・つ
、極めて高ｎ度の補償を行うことができ、半導体圧力セ
ンサと共に、シリコン単結晶上に、モノリシック形成す
るに最適な半導体圧力センサの補償回路を提供すること
にある。This invention was made in view of the above-mentioned problems.
The purpose of this is to eliminate the need to provide a separate compensation table for each pressure sensor, have excellent mass productivity, and be able to perform extremely high-degree compensation for force and force, as well as semiconductor pressure sensors. The object of the present invention is to provide a compensation circuit for a semiconductor pressure sensor that is optimal for monolithic formation on a silicon single crystal.
この発明は、ブリッジ回路の検出出力をディジタルデー
タに変換して処理する補償回路において、該補償回路に
、補償用テーブルを自ら作成する機能を具備させたもの
である。The present invention provides a compensation circuit that converts the detection output of a bridge circuit into digital data for processing, and is provided with a function of creating a compensation table by itself.
第１図は、半導体圧力センサ８と、この発明の一実施例
による補償回路９とから構成きれる圧力センサユニット
１０の構成を示すブロック図である。この図において、
半導体圧力センサ８の検出出力ＰＶＨＡ［）Ｃ（アナロ
グ／ディジタル変換′６）１２によってディジタル圧力
データＰＤＫｉｍ＃れ、ＣＰＴＪ（中央処理装置）１３
へ供給される。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a pressure sensor unit 10 consisting of a semiconductor pressure sensor 8 and a compensation circuit 9 according to an embodiment of the present invention. In this diagram,
Digital pressure data PDKim# is generated by the detection output PVHA[)C (analog/digital conversion '6) 12 of the semiconductor pressure sensor 8, and the CPTJ (central processing unit) 13
supplied to
なお、Ａは定電流源である。１４は、圧力センサ１１の
近傍に設けられた温度センサであり、その出力＃’！Ａ
ＤＣ１５によってディジタル温度データＴＤに変換され
、ＣＰＵ１３へ供給される。１６は後述する基準データ
ＢＤが供給される端子であり、この端子１６へ供給され
た基準データＢＤはインターフェイス回路１７を介して
ＣＰＵ１３へ供給される。１８は記憶回路であり、ＣＰ
Ｕ１３において用いられるプログラムが記憶されている
ＲＯＭ１８ ａと、データ記憶用のＲＡＭ１ｓｂと、不
揮発性の書込み可能メモ’） １８ ｏとから構成され
ている。Note that A is a constant current source. 14 is a temperature sensor provided near the pressure sensor 11, and its output #'! A
The data is converted into digital temperature data TD by the DC 15 and supplied to the CPU 13. 16 is a terminal to which reference data BD, which will be described later, is supplied, and the reference data BD supplied to this terminal 16 is supplied to the CPU 13 via an interface circuit 17. 18 is a memory circuit, CP
It is composed of a ROM 18a in which programs used in U13 are stored, a RAM 1sb for data storage, and a nonvolatile writable memo 18o.
次に１第１図に示す圧力センサユニット１０の動作を説
明する。この圧力センサユニツ）Ｈｌ（１１補償用テー
ブルをメモＩＪ １８ ｏ内に作成する機能、（２）メ
モリ１８ｃ内に作成した補償用テーブルを用いて圧力デ
ータＰＤの補正を行い、正しい圧力データＬＰＤとして
出力する機能を共に有している。Next, the operation of the pressure sensor unit 10 shown in FIG. 1 will be explained. This pressure sensor unit) Hl (11 function to create a compensation table in the memo IJ 18 o, (2) corrects the pressure data PD using the compensation table created in the memory 18c, and outputs it as correct pressure data LPD. Both have the function of
以下、これらの機能を順次説明する。Below, these functions will be explained one by one.
（１）補償用テーブル作成機能
第１図に示す圧力センサユニット１０Ｆｉ、製造工程が
終了した時点で、第２図に示す試験槽２１円に設置され
る。試験槽２１は、内部の温度および圧力を一定に保つ
ことができるようになっており、また、内部に高精度の
温度センサ２２および圧力センサ２３が各々設置されて
いる。温度／圧力コントローラ２４Ｆｉ、試験［１１！
１１内の温度および圧力を制御するもので、コンピュー
タ２５からの指令に応じて上記制御を行う。コンピュー
タ２５は、温度／圧力コントローラ２４へ指令を出すと
とｋよって試験槽２１内の温度および圧力を種々変化さ
せると共に１試験槽２１内部の正確な温度および圧力を
示す基準データＢＤを各圧力センサユニット１０へ端子
１６を介して供給する。(1) Compensation table creation function When the manufacturing process of the pressure sensor unit 10Fi shown in FIG. 1 is completed, it is installed in the test tank 21 shown in FIG. 2. The test chamber 21 is capable of keeping the internal temperature and pressure constant, and a highly accurate temperature sensor 22 and pressure sensor 23 are installed inside the test chamber 21, respectively. Temperature/Pressure Controller 24Fi, Test [11!
It controls the temperature and pressure inside the computer 25, and performs the above control in accordance with instructions from the computer 25. The computer 25 issues commands to the temperature/pressure controller 24 to variously change the temperature and pressure inside the test chamber 21, and transmits reference data BD indicating accurate temperature and pressure inside the test chamber 21 to each pressure sensor. The unit 10 is supplied via a terminal 16.
しかして、各圧力センサユニット１０における補償用テ
ーブルの作成は、例えば次の過程によって行われる。ま
ず、コンピュータ２５は、試験槽２１内の圧力を一定値
（例えば１〜）に設定する。Therefore, the creation of the compensation table in each pressure sensor unit 10 is performed, for example, by the following process. First, the computer 25 sets the pressure within the test tank 21 to a constant value (for example, 1 or more).
そして、この圧カ一定の状態において、試験槽２１内の
温度を一１０°Ｃとするよう温度／圧力コントローラ２
４へ指令を出す。次に、試験４１Ｉ２１内の温度が一１
０°Ｃに達した時点で圧力センサユニット１０へ一１０
℃を示す基準温度データＢＤｔおよび１〜を示す基準圧
力データＢＤｐを各々出力する。これらの基準データ１
３ＤｔおよびＢＤｐが圧力センサユニット１０の端子１
６（第１図）を介してＣ’ＰＵ１３へ供給されると、Ｃ
ＰＵ１３がこれらの基準データＢＤｔおよびＢＤｐを各
々ＲＡＭ１８ｂ内に書込み、次いで、その時点において
ＡＤＣ１２から出力されている圧力データＰＤおよびλ
ＤＣ１５から出力されている温度データＴＤを各々ＲＡ
ＭＩ Ｂｂ内に書込む。Then, in this state of constant pressure, the temperature/pressure controller 2 is set so that the temperature inside the test chamber 21 is -10°C
Issue a command to 4. Next, the temperature inside test 41I21 is 11
When the temperature reaches 0°C, the pressure sensor unit 10 is
Reference temperature data BDt indicating °C and reference pressure data BDp indicating 1 to 1 are output, respectively. These standard data 1
3Dt and BDp are terminals 1 of the pressure sensor unit 10
6 (FIG. 1) to the C'PU 13.
The PU 13 writes these reference data BDt and BDp into the RAM 18b, and then writes the pressure data PD and λ output from the ADC 12 at that time.
Each temperature data TD output from DC15 is RA
Write in MI Bb.
次に、コンピュータ２５は、試験槽２１内の温度を一５
℃とするよう温度／圧力コントローラ２４へ指令を出し
、試験［２１内の温度が一５℃になった時点で、−５℃
を示す基準温度データＢＤｔおよび１￥１を示す基準圧
力データＢＤｐを各々出力する。これらの基準データＢ
ＤｔおよびＢＤｐが出力されると、前述した場合と同様
にＣＰ Ｕ１３がこれらのデータＢＤｔ、ＢＤｐを各々
ＲＡ Ｍ２Ｂ５）内に誉込み、次いで、その時点におけ
る圧力データＴ’Ｄおよび温度データＴＤをＲＡＭ１８
ｂ内に書込む。以下同様に、コンピュータ２５は、試験
槽２１内の温度を０℃、＋５℃、＋１０°Ｃ・・・と順
次変化させると共に、基準データＢＴ）ｔ。Next, the computer 25 lowers the temperature inside the test chamber 21 to 15.
A command is issued to the temperature/pressure controller 24 to set the temperature to -5°C.
Reference temperature data BDt indicating 1 yen and reference pressure data BDp indicating 1 yen are output, respectively. These standard data B
When Dt and BDp are output, the CPU 13 stores these data BDt and BDp in the RAM 2B5) as in the case described above, and then stores the pressure data T'D and temperature data TD at that point in the RAM 18.
Write in b. Similarly, the computer 25 sequentially changes the temperature inside the test chamber 21 to 0° C., +5° C., +10° C., etc., and sets the reference data BT)t.
ＢＤＩ）を順次出力する。BDI) are output sequentially.
また、ＣＰＴＪ１３は、基準データ１３Ｄｔ、１３Ｄｐ
が供給ばれる毎にＲＡＭＩ Ｂ ｂ内に誓込み、また、
圧力データＰＤ、温度データＴＤをＲＡＭ１８ｂ内に書
込む。In addition, CPTJ13 has reference data 13Dt, 13Dp.
is pledged in RAMI B b each time it is supplied, and
Write pressure data PD and temperature data TD into RAM 18b.
以上の過程により、ＲＡＭ１８ｂ内に例えば第３図に示
す表Ｅ１の部分ＥＩＩＬが作成される。次に、ＣＰＵＩ
３は、この表Ｅ１の部分ＥＩＩＬが作成された時点で
、同表Ｅ１における誤差平均６ＮＧを算出する。すなわ
ち、−１０°Ｃにおける圧力測定誤差０．０５と一５℃
における圧力測定誤差α０３との平均値として［１０４
を求め、他の誤差平均値Ｇも同様にして求める。そして
、求めた誤差平均値Ｇを表Ｅ１に書込む。こうして、表
Ｅ１が完成する。次に、ＣＰＵＩ ３は、この表Ｅ１に
おける温度データＴＤおよび誤差平均値Ｇに基づいて第
４図に示す温度補償テーブルＴＢＩをメモリ１８０内に
作成する。この温度補償テーブルＴＢＩの門番は次のこ
とを表わしている（第１行目参照）。Through the above process, for example, the partial EIIL of the table E1 shown in FIG. 3 is created in the RAM 18b. Next, the CPUI
3 calculates the average error 6NG in the table E1 at the time when the partial EIIL of the table E1 is created. That is, the pressure measurement error at -10°C is 0.05 and -5°C.
[104
is obtained, and other error average values G are obtained in the same manner. Then, the calculated error average value G is written in table E1. In this way, table E1 is completed. Next, the CPU 3 creates a temperature compensation table TBI shown in FIG. 4 in the memory 180 based on the temperature data TD and the average error value G in the table E1. The gatekeeper of this temperature compensation table TBI represents the following (see the first line).
「周囲温度が−９，５℃〜−４，６℃の範囲においては
杓子００４〜の圧力測定誤差が発生する。」したがって
、周囲温度が一９５℃〜−４．６℃の範囲内の場合は、
測定した圧力を示す圧力データＰＴ）からα０４を減算
すれば周圧温度の影響を受けない圧力データを得ること
ができる。第１行目以外についても同様である。"When the ambient temperature is in the range of -9.5℃ to -4.6℃, a pressure measurement error of 004~ will occur." Therefore, if the ambient temperature is in the range of 195℃ to -4.6℃ teeth,
By subtracting α04 from the pressure data (PT) indicating the measured pressure, pressure data that is not affected by the circumferential pressure temperature can be obtained. The same applies to lines other than the first line.
次に、非直線性補償テーブルの作成過程について説明す
る。この場合、コンピュータ２５は試験Ｎ２１内の温度
を一定（例えば２０℃）に保ち、圧力を種々変化上せる
。すなわち、コンピュータ２５は、まず試験Ｎ２１内の
圧力を０．５￥１とするよう温度／圧力コントローラ２
４へ指令を出し、試験Ｐ＃２１内の圧力がａ５〜になっ
た時点で０．５すを示す基準圧力データＢｎｐを出力す
る。ＣＰＵ１３はこの基準圧力データＢＤｐをＲＡＭ
１８ ｂ内に書込み、次いでその時点における圧力デー
タＰＤをＲＡＭ１８ｂ内に書込む。以下同様に、コンピ
ュータ２５＃″ｓ、試験槽２１内の圧力を１野、１．５
〜・・・に順次設定して基準圧力データＢＤｐを順次出
力し、また、ＣＰＴＪ１３は、供給される基準圧力デー
タＢＤｐを順次１ＮＡＭ１８ｂ内に書込むと共に、この
書込みに対応して圧力データＰＤをＲＡＭ１８ｂ内に書
込む。こうして、第５図に示す表Ｅ２の部分Ｅ２ａがＲ
ＡＭ１８ｂ内に作成される。次にＣＰＴＪｘａは、表Ｅ
２の部分Ｅ２１Ｌが作成された時点で、同表Ｅ２におけ
る誤差平均値Ｈな算出する。すなわち、圧力［Ｌ５５に
おける圧力測定誤差α口２と、圧力１すにおける圧力測
定誤差α０３との平均値としてα０２５を求め、他の誤
差平均値）■も同様にして求める。そして、求めた各誤
差平均値Ｈを表Ｅ２に書込む。こうして表Ｅ２が完成す
る。次にＣＰＴＪ１３は、この表Ｅ２に基づいて第６図
に示す非直線性補償テーブルＴＢ２をメモリ１８ｏ内に
作成する。この非ｉＩ！ｍ性テーブルＴＢ２の内存ハ次
のことを表わしている（第１行目参照）。「測定した圧
力がα５〜１．０〜の場合は、約αｏ ２５Ｙｔの非直
線性誤差が発生する。」したがって、被測定圧を示す圧
力データＰＤ＋が０．５〜１．０〜の範囲内の場合は、
同圧力データＰＤから０．０２５を減算すれば正しい圧
力データを得ることができる。Next, the process of creating a nonlinearity compensation table will be explained. In this case, the computer 25 keeps the temperature within the test N21 constant (eg, 20° C.) and increases the pressure in various ways. That is, the computer 25 first controls the temperature/pressure controller 2 to set the pressure in the test N21 to 0.5 yen.
4, and when the pressure in test P#21 reaches a5~, it outputs reference pressure data Bnp indicating 0.5. The CPU 13 stores this reference pressure data BDp in the RAM.
18b, and then the pressure data PD at that point is written into the RAM 18b. Similarly, the computer 25#''s sets the pressure in the test chamber 21 to 1 and 1.5.
...... and sequentially outputs the reference pressure data BDp, and the CPTJ 13 sequentially writes the supplied reference pressure data BDp into the 1NAM 18b, and correspondingly writes the pressure data PD into the RAM 18b. Write inside. In this way, the portion E2a of the table E2 shown in FIG.
Created in AM18b. Next, CPTJxa
At the time when part E21L of Table 2 is created, the average error value H in table E2 is calculated. That is, α025 is determined as the average value of pressure measurement error α02 at pressure L55 and pressure measurement error α03 at pressure 1, and other error average values (2) are determined in the same manner. Then, each calculated error average value H is written in Table E2. Table E2 is thus completed. Next, the CPTJ 13 creates a nonlinearity compensation table TB2 shown in FIG. 6 in the memory 18o based on this table E2. This non-iI! The existence of m-characteristic table TB2 represents the following (see the first line). “If the measured pressure is α5~1.0~, a nonlinear error of about αo25Yt will occur.” Therefore, the pressure data PD+ indicating the measured pressure is within the range of 0.5~1.0~ In the case of,
Correct pressure data can be obtained by subtracting 0.025 from the same pressure data PD.
以上が補償テーブルＴＢＩ、ＴＢ２の作成過程である。The above is the process of creating the compensation tables TBI and TB2.
（２） 圧力データ補正機能
第１図に示す圧力センサユニッ）１０け、実際の圧力測
定時において、誤差を含む圧力データＰＤをメモリ１８
ａ内のテーブルＴＢＩ、ＴＢ２に基づいて補正し、岨差
のない、正しい圧力データＬＰＤとして出力する。すな
わち、実際の圧力測定時においては、ＣＰＴＪ１３・が
まず温度データＴＤを読込む。次いで第４図に示すテー
ブルＴＢＩＫ基づいて、温度データＴＤが含まれる温度
範囲を検出し、次に、検出した温度範囲に対応する誤差
平均値ＧをテーブルＴＢＩから読出す。次に、ＡＤＣｌ
２から出力されている圧力データＰＤから誤差平均値
Ｇを加減算することＫより、温度補償済の圧力データＰ
ＤＩを得る。次に、第６図に示すテーブルＴＢ２に基づ
いて圧力データＰＤＩが属する圧力範囲を検出し、次い
で、同圧力範囲に対応する誤差平均値Ｉ］を、テーブル
ＴＢ２から読出す。次に・圧力データＰＴ）１から誤差
平均値Ｉ−１を加減算することにより、正しい圧力デー
タＴ、 Ｐ Ｄを得る。(2) Pressure data correction function The pressure sensor unit (shown in Figure 1) stores pressure data PD including errors in the memory 18 during actual pressure measurement.
It is corrected based on the tables TBI and TB2 in a and output as correct pressure data LPD with no difference. That is, during actual pressure measurement, the CPTJ 13 first reads the temperature data TD. Next, the temperature range in which the temperature data TD is included is detected based on the table TBIK shown in FIG. 4, and then the error average value G corresponding to the detected temperature range is read out from the table TBI. Next, ADCl
By adding and subtracting the average error value G from the pressure data PD output from 2, the temperature-compensated pressure data P is obtained.
Get DI. Next, the pressure range to which the pressure data PDI belongs is detected based on the table TB2 shown in FIG. 6, and then the error average value I corresponding to the same pressure range is read out from the table TB2. Next, correct pressure data T and PD are obtained by adding and subtracting the error average value I-1 from the pressure data PT)1.
以上が第１Ｍに示す実施例の詳細である。なお上記実施
例において、第４図に示す閥度＠囲および第６図に示す
圧力範囲をさらにｒｍかくすれば、より正確な温度補償
、非直線補償を行うことができる。The above are the details of the embodiment shown in No. 1M. In the above embodiment, if the temperature range shown in FIG. 4 and the pressure range shown in FIG. 6 are further increased by rm, more accurate temperature compensation and non-linear compensation can be performed.
以上説明したように、この発明による補償回路は、補償
テーブルを作成する機能ケ具備しているので、予め個々
の圧力センサ毎に別個の補償テーブルを設ける必要がな
く、しかも′！を産性に優れ、かつ、極めて高精度の補
償を行い得る効果がある。As explained above, since the compensation circuit according to the present invention has the function of creating a compensation table, there is no need to prepare a separate compensation table for each pressure sensor in advance, and moreover, it is not necessary to create a separate compensation table for each pressure sensor. This has the effect of providing excellent productivity and making it possible to perform compensation with extremely high precision.
また、センサ出力に経年変化が生じた時にも、個々のセ
ンサの補償テーブルを作り直すことが容易であるから、
精度の維持がは力為り易い。In addition, even when sensor output changes over time, it is easy to recreate the compensation table for each individual sensor.
Maintaining accuracy is easy.
第１図はこの発明の一実施例による補償回路９と、圧力
センサ８とから構成される圧力センサユニット１０の構
成を示すブロック図、第２図は補償回路９内のメモリ１
８０内に補償用テーブルを作成する際の周辺装置の構成
を示すブロック図、第３図は温度補償テーブルＴＢＩを
作成する際にＲＡＭ１８ｂ内に作られる表Ｅ１を示す図
、第４図は温度補償テーブルＴＢＩを示す図、第５図は
非直線性補償デープルＴＢ２を作成する際にＲＭ４１８
ｂ内に作られる表Ｅ２を示す図、第６図に非Ｉｍ［練性
補償テーブルＴＢ２を示す図、第７図、第８図は各々従
来の温度および非直線補償回路の構成例を示す回路図で
ある。
１２・・・・・・アナログ／ディジタル変換器（第１の
変換手段）、１３・・・・・・中央処理装置、１４・・
・・・・温肝センサ（測温手段）、１５・・・・・・ア
ナログ／デジタル変換器（第２の変換手段）、ＴＢＩ・
・・・・・温度補償テーブル、ＴＢ２・・・・・・非直
線性補償テーブル。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a pressure sensor unit 10 comprising a compensation circuit 9 and a pressure sensor 8 according to an embodiment of the present invention, and FIG.
80 is a block diagram showing the configuration of peripheral devices when creating a compensation table in 80. FIG. 3 is a diagram showing table E1 created in RAM 18b when creating a temperature compensation table TBI. FIG. A diagram showing the table TBI, Figure 5 shows the RM418 when creating the non-linearity compensation daple TB2.
FIG. 6 is a diagram showing a non-Im [performance compensation table TB2], and FIGS. 7 and 8 are circuits each showing a configuration example of a conventional temperature and nonlinear compensation circuit. It is a diagram. 12...Analog/digital converter (first conversion means), 13...Central processing unit, 14...
... Liver temperature sensor (temperature measurement means), 15 ... Analog/digital converter (second conversion means), TBI・
...Temperature compensation table, TB2...Nonlinearity compensation table.
Claims (1)
ディジタルデータに変換する第１の変換手段と、（ｂ）
前記半導体圧力センサに近接して設けられた測温手段と
、 （ｃ）前記測温手段の出力をディジタルデータに変換す
る第２の変換手段と、 （ｄ）外部から供給される基準データと、前記第１、第
２の変換手段の各出力とを比較し、この比較結果に基づ
いて補償テーブルを作成する手段と、（ｅ）前記第１の
変換手段の出力に、前記補償テーブル内のデータに対応
する補償を行つて出力する手段と、 を具備してなる半導体圧力センサの補償回路。[Claims] (a) first conversion means for converting an analog signal output from a semiconductor pressure sensor into digital data; (b)
a temperature measuring means provided close to the semiconductor pressure sensor; (c) a second converting means for converting the output of the temperature measuring means into digital data; (d) reference data supplied from the outside; (e) means for comparing each output of the first and second converting means and creating a compensation table based on the comparison result; and (e) adding data in the compensation table to the output of the first converting means. A compensation circuit for a semiconductor pressure sensor, comprising: a means for performing compensation corresponding to and outputting the result; and a compensation circuit for a semiconductor pressure sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235634A JPS61112938A (en) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | Compensation circuit of semiconductive pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235634A JPS61112938A (en) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | Compensation circuit of semiconductive pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112938A true JPS61112938A (en) | 1986-05-30 |
Family
ID=16988923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235634A Pending JPS61112938A (en) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | Compensation circuit of semiconductive pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112938A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372538U (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-14 | ||
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| JP2009025188A (en) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Fujikura Ltd | Temperature compensation method of physical quantity and temperature compensation type optical fiber sensor |
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-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235634A patent/JPS61112938A/en active Pending
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