JPS6111001B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6111001B2 JPS6111001B2 JP8329277A JP8329277A JPS6111001B2 JP S6111001 B2 JPS6111001 B2 JP S6111001B2 JP 8329277 A JP8329277 A JP 8329277A JP 8329277 A JP8329277 A JP 8329277A JP S6111001 B2 JPS6111001 B2 JP S6111001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave
- strip
- band
- waveguide
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波発振装置に関する。
高周波発振装置にあつては不要電波の発生、あ
るいは外部からの不要電波の侵入は装置の性能を
低下させたり、他の通信に妨害を与える恐れがあ
るのでその防止策を講ずる必要がある。
るいは外部からの不要電波の侵入は装置の性能を
低下させたり、他の通信に妨害を与える恐れがあ
るのでその防止策を講ずる必要がある。
不要電波としては、発振装置の発生するスプリ
アス波、高調波あるいは外来電波が考えられる。
これらの電波を減衰させるための導波管入出力部
を有する帯域阻止波器としては従来その波機
能を有する部分を同軸回路、導波管回路、ストリ
ツプライン回路などで形成しているが、一般に形
状が大になり、小形軽量化の点で難があり周波数
帯域特性の拡大に伴いさらに、形状が増すなどの
欠点がある。
アス波、高調波あるいは外来電波が考えられる。
これらの電波を減衰させるための導波管入出力部
を有する帯域阻止波器としては従来その波機
能を有する部分を同軸回路、導波管回路、ストリ
ツプライン回路などで形成しているが、一般に形
状が大になり、小形軽量化の点で難があり周波数
帯域特性の拡大に伴いさらに、形状が増すなどの
欠点がある。
第１図は帯域阻止波器の等価回路である。
特性インピーダンスがＺOの伝送路１にインピ
ーダンスＺLの負荷２に並列に波機能を有する
回路として容量リアクタンス３と誘導性リアクタ
ンス４からなる直列共振回路が配置される。すな
わち直列共振回路のインピーダンスは共振する近
傍の周波数に対してほとんど短絡状態となるので
その周波数帯の電波は負荷２へほとんど伝送され
ないこととなる。
ーダンスＺLの負荷２に並列に波機能を有する
回路として容量リアクタンス３と誘導性リアクタ
ンス４からなる直列共振回路が配置される。すな
わち直列共振回路のインピーダンスは共振する近
傍の周波数に対してほとんど短絡状態となるので
その周波数帯の電波は負荷２へほとんど伝送され
ないこととなる。
第２図は従来の帯域阻止波器の１例の斜視図
である。
である。
これは主導波管５と結合穴６で結合された金属
導体で囲まれた共振器７とで構成されている。い
ま基本板８に不要波９が混入した波が主導波管５
の入口１０から送り込まれているとき不要波９に
共振するように共振器７が作られているならば不
要波は共振器７で吸収され、主導波管５の出口１
１には、基本波成分の圧倒的に多い波が現われ
る。すなわちこれは不要波を阻止する帯域阻止
波器となつている。
導体で囲まれた共振器７とで構成されている。い
ま基本板８に不要波９が混入した波が主導波管５
の入口１０から送り込まれているとき不要波９に
共振するように共振器７が作られているならば不
要波は共振器７で吸収され、主導波管５の出口１
１には、基本波成分の圧倒的に多い波が現われ
る。すなわちこれは不要波を阻止する帯域阻止
波器となつている。
ところで第２図のような帯域阻止波器の構成
要素である主導波管および共振器の寸法は基本波
および不要波の周波数に応じて半ば必然的に決ま
るもので、一般に大きくなり易くまた製作性も悪
い。従つて、不要波抑圧のためにそのような帯域
阻止波器を高周波発振装置に付加することは小
形化、低価格化等の点で不利であるという欠点が
ある。
要素である主導波管および共振器の寸法は基本波
および不要波の周波数に応じて半ば必然的に決ま
るもので、一般に大きくなり易くまた製作性も悪
い。従つて、不要波抑圧のためにそのような帯域
阻止波器を高周波発振装置に付加することは小
形化、低価格化等の点で不利であるという欠点が
ある。
本発明は上記欠点を除去し、小形、低価格でか
つ不要波を抑圧し得る高周波発振装置を提供する
ものである。
つ不要波を抑圧し得る高周波発振装置を提供する
ものである。
本発明の高周波発振装置は、表面にストリツプ
状の導体を１個以上備えた誘電体基板を発振装置
の導波管出力部に装着し、該ストリツプ状の導体
と導波管壁との間もしくは前記誘電体基板の周辺
部に形成された導体枠との間の容量性リアクタン
スとストリツプ状の導体自身が有する誘導性リア
クタンスとで前記発振装置の導波管伝送路を側路
するように直列共振回路を形成し、かつ該直列共
振回路の直列共振周波数が前記装置の不要波の周
波数に極めて近い値となるように設定したことを
特徴とする。
状の導体を１個以上備えた誘電体基板を発振装置
の導波管出力部に装着し、該ストリツプ状の導体
と導波管壁との間もしくは前記誘電体基板の周辺
部に形成された導体枠との間の容量性リアクタン
スとストリツプ状の導体自身が有する誘導性リア
クタンスとで前記発振装置の導波管伝送路を側路
するように直列共振回路を形成し、かつ該直列共
振回路の直列共振周波数が前記装置の不要波の周
波数に極めて近い値となるように設定したことを
特徴とする。
本発明を実施例により説明する。
第３図は本発明の高周波発振装置の１実施例の
部分切欠き斜視図である。
部分切欠き斜視図である。
発振装置としては導波管マウント１２の一端が
短絡板１３により仕切られ、この位置より所定の
発振周波数に見合つた管内波長λｇの約1/2の距
離にガンダイオード１４を配置したもので、ねじ
１５は発振周波数を若干調整するためのものであ
る。ガンダイオード１４はホルダ１６と電極１７
で支えられている。電極１７は外部よりガンダイ
オード１４への入力直流電力供給端でもあるの
で、直流的には絶縁体１８によつて導波管マウン
ト１２と絶縁されているが高周波的には絶縁体１
８の所の容量を介して短絡状態となつている。
短絡板１３により仕切られ、この位置より所定の
発振周波数に見合つた管内波長λｇの約1/2の距
離にガンダイオード１４を配置したもので、ねじ
１５は発振周波数を若干調整するためのものであ
る。ガンダイオード１４はホルダ１６と電極１７
で支えられている。電極１７は外部よりガンダイ
オード１４への入力直流電力供給端でもあるの
で、直流的には絶縁体１８によつて導波管マウン
ト１２と絶縁されているが高周波的には絶縁体１
８の所の容量を介して短絡状態となつている。
この種の発振装置にあつては、ガンダイオード
１４と短絡板１３の間に形成される空洞の基本波
で発振する一方で、ガンダイオード１４が非直線
性を有しているためにスプリアス波および２倍
波、３倍波といつた高調波が発生する。一般にス
プリアス波は、基本波に対する空洞のＱ値を上げ
ることによつて60dB以上の抑圧ができるが、高
調波中最大と見られる２倍波については空洞のＱ
値を上げても10dBから20dB程度の抑圧しかでき
ないので特にこの２倍波の抑圧が問題となる。そ
こでこの２倍波を抑圧するために発振装置の出力
部に２倍波に対する帯域阻止波器１９を設け
る。この帯域阻止波器１９は誘電体基板２０の
表面に、導波管マウント１２に見合つた導体枠２
１と、それとは少なくとも一端が離れているスト
リツプ状の導体２２が少なくとも１本形成された
ものである。ストリツプ状の導体２２は、２倍波
のような不要波に対しては誘導性リアクタンスを
有し、ストリツプ状の導体２２と導体枠２１との
間の容量性リアクタンスと相まつて直列共振を起
こし不要波を阻止するように形成されている。直
列共振回路としては、ストリツプ状の導体２２と
導波管壁との間の容量性リアクタンスを利用する
こともできるので導体枠２１は必ずしも必要では
ない。第３図の例ではストリツプ状の導体２２を
導波管出力部を４等分するような位置に３個配置
しているが、周波数帯域、減衰量などの必要とさ
れる波特性に応じて配置、形状、数を調整する
ことができる。また帯域阻止波器１９を複数
個、導波管の電波の伝達方向に適当な間隔を置い
て配置することもできる。
１４と短絡板１３の間に形成される空洞の基本波
で発振する一方で、ガンダイオード１４が非直線
性を有しているためにスプリアス波および２倍
波、３倍波といつた高調波が発生する。一般にス
プリアス波は、基本波に対する空洞のＱ値を上げ
ることによつて60dB以上の抑圧ができるが、高
調波中最大と見られる２倍波については空洞のＱ
値を上げても10dBから20dB程度の抑圧しかでき
ないので特にこの２倍波の抑圧が問題となる。そ
こでこの２倍波を抑圧するために発振装置の出力
部に２倍波に対する帯域阻止波器１９を設け
る。この帯域阻止波器１９は誘電体基板２０の
表面に、導波管マウント１２に見合つた導体枠２
１と、それとは少なくとも一端が離れているスト
リツプ状の導体２２が少なくとも１本形成された
ものである。ストリツプ状の導体２２は、２倍波
のような不要波に対しては誘導性リアクタンスを
有し、ストリツプ状の導体２２と導体枠２１との
間の容量性リアクタンスと相まつて直列共振を起
こし不要波を阻止するように形成されている。直
列共振回路としては、ストリツプ状の導体２２と
導波管壁との間の容量性リアクタンスを利用する
こともできるので導体枠２１は必ずしも必要では
ない。第３図の例ではストリツプ状の導体２２を
導波管出力部を４等分するような位置に３個配置
しているが、周波数帯域、減衰量などの必要とさ
れる波特性に応じて配置、形状、数を調整する
ことができる。また帯域阻止波器１９を複数
個、導波管の電波の伝達方向に適当な間隔を置い
て配置することもできる。
第４図は本発明にかかる帯域阻止波器の減衰
特性の１例の特性図である。
特性の１例の特性図である。
この帯域阻止波器は10GHz用導波管WRJ−
10に設置され20GHz帯の周波数を阻止するもの
で、約30dBの減衰量と約500MHzの3dB帯域幅を
有している。この帯域阻止波器を基本波出力が
10dBmの10GHz帯のガンダイオード発振装置の
出力部に第３図のように配置することによつて２
倍波出力を−35dBm以下に抑圧することができ
た。そのときの基本波の減衰は2dB以下であつ
た。
10に設置され20GHz帯の周波数を阻止するもの
で、約30dBの減衰量と約500MHzの3dB帯域幅を
有している。この帯域阻止波器を基本波出力が
10dBmの10GHz帯のガンダイオード発振装置の
出力部に第３図のように配置することによつて２
倍波出力を−35dBm以下に抑圧することができ
た。そのときの基本波の減衰は2dB以下であつ
た。
上記実施例においては発振素子としてガンダイ
オードを用いて説明したが、本発明の高周波発振
装置はインパツトダイオード、バリツトダイオー
ド等の場合にも同様に適用することができること
は勿論である。
オードを用いて説明したが、本発明の高周波発振
装置はインパツトダイオード、バリツトダイオー
ド等の場合にも同様に適用することができること
は勿論である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば薄
い誘電体基板上に構成された極めて小さな帯域阻
止波器の採用によつて、実用上十分なる不要波
抑圧効果を示し、しかも小形で、製作性もよい高
周波発振装置が得られる。
い誘電体基板上に構成された極めて小さな帯域阻
止波器の採用によつて、実用上十分なる不要波
抑圧効果を示し、しかも小形で、製作性もよい高
周波発振装置が得られる。
第１図は帯域阻止波器の等価回路図、第２図
は従来の帯域阻止波器の１例の斜視図、第３図
は本発明の高周波発振装置の１実施例の部分切欠
き斜視図、第４図は本発明にかかる帯域阻止波
器の減衰特性の１例の特性図である。 １……伝送路、２……負荷、３……容量、４…
…インダクタンス、５……主導波管、６……結合
穴、７……共振器、８……基本波、９……不要
波、１０……主導波管の入口、１１……主導波管
の出口、１２……導波管マウント、１３……短絡
板、１４……ガンダイオード、１５……ねじ、１
６……ホルダ、１７……電極、１８……絶縁体、
１９……帯域阻止波器、２０……誘電体基板、
２１……導体枠、２２……ストリツプ状の導体。
は従来の帯域阻止波器の１例の斜視図、第３図
は本発明の高周波発振装置の１実施例の部分切欠
き斜視図、第４図は本発明にかかる帯域阻止波
器の減衰特性の１例の特性図である。 １……伝送路、２……負荷、３……容量、４…
…インダクタンス、５……主導波管、６……結合
穴、７……共振器、８……基本波、９……不要
波、１０……主導波管の入口、１１……主導波管
の出口、１２……導波管マウント、１３……短絡
板、１４……ガンダイオード、１５……ねじ、１
６……ホルダ、１７……電極、１８……絶縁体、
１９……帯域阻止波器、２０……誘電体基板、
２１……導体枠、２２……ストリツプ状の導体。
Claims (1)
- １ 表面にストリツプ状の導体を１個以上備えた
誘電体基板を発振装置の導波管の出力部に、この
導波管の伝送方向と直交するように装着し、該ス
トリツプ状の導体と導波管壁との間もしくは該ス
トリツプ状の導体と前記誘電体基板の周辺部に形
成された導体枠との間の容量性リアクタンスとス
トリツプ状の導体自身が有する誘導性リアクタン
スとで直列共振回路を形成し、この直列共振回路
で不要波を側路するようにしたことを特徴とする
高周波発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329277A JPS5418266A (en) | 1977-07-11 | 1977-07-11 | High frequency oscillation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329277A JPS5418266A (en) | 1977-07-11 | 1977-07-11 | High frequency oscillation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5418266A JPS5418266A (en) | 1979-02-10 |
| JPS6111001B2 true JPS6111001B2 (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=13798309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8329277A Granted JPS5418266A (en) | 1977-07-11 | 1977-07-11 | High frequency oscillation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5418266A (ja) |
-
1977
- 1977-07-11 JP JP8329277A patent/JPS5418266A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5418266A (en) | 1979-02-10 |
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