JPS61104083A - 無電解めつき方法 - Google Patents
無電解めつき方法Info
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- JPS61104083A JPS61104083A JP22513484A JP22513484A JPS61104083A JP S61104083 A JPS61104083 A JP S61104083A JP 22513484 A JP22513484 A JP 22513484A JP 22513484 A JP22513484 A JP 22513484A JP S61104083 A JPS61104083 A JP S61104083A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、被加工物の表面に選択的にめっき膜の形成が
可能な無電解めっき方法に係り、特に、めっき膜による
微細なパターンの形成及び修正に適した選択的無電解め
っき方法に関する。
可能な無電解めっき方法に係り、特に、めっき膜による
微細なパターンの形成及び修正に適した選択的無電解め
っき方法に関する。
各種の絶縁物や半導体などのめ−）き加工には、従来か
ら無′＃ＪＬ解めつき技法が用いられているが、近年、
回路基板の導体パターンの形成や修正なとに無電解めっ
き技法が使用されるようになり、基板の表面の所定の部
分にだけめっきを施こす、いわゆる選択的無電解めっき
技法が注目を集めるようになってきた。
ら無′＃ＪＬ解めつき技法が用いられているが、近年、
回路基板の導体パターンの形成や修正なとに無電解めっ
き技法が使用されるようになり、基板の表面の所定の部
分にだけめっきを施こす、いわゆる選択的無電解めっき
技法が注目を集めるようになってきた。
そして、このような選択的無電解めっき技法の一つに放
射エネルギービームを照射する方法が知られており、そ
の−例として特開昭５５−１４８７５７号公報に記載の
方法があげられる。
射エネルギービームを照射する方法が知られており、そ
の−例として特開昭５５−１４８７５７号公報に記載の
方法があげられる。
そこで、以下、この従来例について第２図を参照して説
明すると、被加工物１は適当な容器２の中に満されてい
る無Ｘ″Ｓめっき液３の中に浸され、その表面のめつき
膜を形成すべき部分に、レーザーなどのエネルギー源４
から変調器５．集光レンズ６を介してレーザービームな
どのエネルギービームＬが照射される。
明すると、被加工物１は適当な容器２の中に満されてい
る無Ｘ″Ｓめっき液３の中に浸され、その表面のめつき
膜を形成すべき部分に、レーザーなどのエネルギー源４
から変調器５．集光レンズ６を介してレーザービームな
どのエネルギービームＬが照射される。
そして、この結果、被加工物ｌのレーザービームＬが入
射した部分が加熱され、この加熱された部分にだけ選択
的にめっキ展が形成されることになる。
射した部分が加熱され、この加熱された部分にだけ選択
的にめっキ展が形成されることになる。
ところで、このような選択的無電解めっき方法が適用さ
れるのは、上記したように回路基板に対する導体パター
ンの形成などであり、従って、被加工物ｌの表面とめっ
きされるイオンとは異なった物質となっているから、上
記した選択的なメッキ処理に入る前に、予じめ被加工物
１の表面をパラジウム塩化物の俗液に浸すなどして活性
化しておく心安がある。
れるのは、上記したように回路基板に対する導体パター
ンの形成などであり、従って、被加工物ｌの表面とめっ
きされるイオンとは異なった物質となっているから、上
記した選択的なメッキ処理に入る前に、予じめ被加工物
１の表面をパラジウム塩化物の俗液に浸すなどして活性
化しておく心安がある。
しかして、この結果、上記した従来技術では、被加工物
１を無電解めり！！漱３の中に浸しただけで、その活性
化された表面全体にめっき膜が形成され、エネルギービ
ームＬによる選択性が充分に得られないという問題点が
あった。
１を無電解めり！！漱３の中に浸しただけで、その活性
化された表面全体にめっき膜が形成され、エネルギービ
ームＬによる選択性が充分に得られないという問題点が
あった。
一方、同じような選択的無電解めっき方法としては、特
開昭５８−６４３６８号公報に記載されてい Ｃ。
開昭５８−６４３６８号公報に記載されてい Ｃ。
る方法も鱗げることかできる。
この方法では、被加工物の一例としてＩＣ用のシリカが
用いられ、これに対して下記の無ｔＦｊｌめつき液を適
用している。
用いられ、これに対して下記の無ｔＦｊｌめつき液を適
用している。
（ＨＣＨＯ）ｆｉ 凹曲−−−−−−−＝０．１
ｍｏｂ／ｃｍ”Ｃｕ Ｓ ０４ −−−−−＝凹曲
曲・” ０ 、０５ ｍｏ Ｌ ／ ｃｍ”ＢＤＴ
Ａ−２Ｎａ塩＝−＝ ０ 、１５ ｍｏｔ／ ｃｍ
ｊＮａＯＨ・・・・・・・・・ ＰＨ１２，５に調整な
お、ここで、ＢＤＴＨとは、エチレン・ジアミン・４酢
酸のことである。
ｍｏｂ／ｃｍ”Ｃｕ Ｓ ０４ −−−−−＝凹曲
曲・” ０ 、０５ ｍｏ Ｌ ／ ｃｍ”ＢＤＴ
Ａ−２Ｎａ塩＝−＝ ０ 、１５ ｍｏｔ／ ｃｍ
ｊＮａＯＨ・・・・・・・・・ ＰＨ１２，５に調整な
お、ここで、ＢＤＴＨとは、エチレン・ジアミン・４酢
酸のことである。
従って、めっき液中のイオンはＣｕで、これは被加工物
であるシリカとは異なるので以下の活性化処理が被加工
物に施こされる。すなわち、まず、前処理として、例え
ば水洗のあと約１０％のＮａＯＨ溶液による脱脂沈埋と
、水洗に続く約３．５％ＨＣｔ溶液による酸洗浄処理が
行なわれ、水洗して乾燥される。次に、８ｎＣＬ約１０
ｇ ／ ｔとＨＣｚ約２０〜５０ｇ／ｌの組成の処理液
により感受性化処理し、軽く水洗の後、続いてＰｄ ｃ
ｚ、約０．２ ｇ／Ｌ ＶＣＨＣｌ （ＤＰｆ（ｔＡ整
剤でＰＨａ〜４のＰＨ調整を施こした活性化液により約
５０℃で活性化処理を行ない、ｓｎをＰｄに置換させて
化学めっきに際してめつきの核となる物質を被着させ、
水洗、乾燥し、必要に応じて冷却保持する。なお、この
活性化処理の一例を表にすると次の第１表のようになる
。
であるシリカとは異なるので以下の活性化処理が被加工
物に施こされる。すなわち、まず、前処理として、例え
ば水洗のあと約１０％のＮａＯＨ溶液による脱脂沈埋と
、水洗に続く約３．５％ＨＣｔ溶液による酸洗浄処理が
行なわれ、水洗して乾燥される。次に、８ｎＣＬ約１０
ｇ ／ ｔとＨＣｚ約２０〜５０ｇ／ｌの組成の処理液
により感受性化処理し、軽く水洗の後、続いてＰｄ ｃ
ｚ、約０．２ ｇ／Ｌ ＶＣＨＣｌ （ＤＰｆ（ｔＡ整
剤でＰＨａ〜４のＰＨ調整を施こした活性化液により約
５０℃で活性化処理を行ない、ｓｎをＰｄに置換させて
化学めっきに際してめつきの核となる物質を被着させ、
水洗、乾燥し、必要に応じて冷却保持する。なお、この
活性化処理の一例を表にすると次の第１表のようになる
。
第１表
↓水洗
↓水洗、乾燥
↓水洗
↓水洗
ついで、このようにして活性化処理を終った被加工物を
上記組成の無寛解めつき液の中に浸し、エネルギー源と
して約１５Ｗのアルゴンレーザーを用い、直径１５μｍ
に絞られたレーザービームを被加工物のめっき加工面に
照射させると、このレーザービームが照射された部分に
めっき膜が形成され、選択的な無電解めっきが得られる
というものである。
上記組成の無寛解めつき液の中に浸し、エネルギー源と
して約１５Ｗのアルゴンレーザーを用い、直径１５μｍ
に絞られたレーザービームを被加工物のめっき加工面に
照射させると、このレーザービームが照射された部分に
めっき膜が形成され、選択的な無電解めっきが得られる
というものである。
しかしながら、上記組成の無電解めつき液に活性化処理
済の被加工物を浸すと、常温ではそのままでも成る程度
の無電解めっきが進行し、めっき膜の析出がおこるため
、この従来方法では、めっき液及び被加工物を約５℃前
後、又はそれ以下の温度に保つ必要があり、めっき処理
が面倒になるという問題点がある。
済の被加工物を浸すと、常温ではそのままでも成る程度
の無電解めっきが進行し、めっき膜の析出がおこるため
、この従来方法では、めっき液及び被加工物を約５℃前
後、又はそれ以下の温度に保つ必要があり、めっき処理
が面倒になるという問題点がある。
また、この従来例でも、被加工物の表面が既に全面活性
化されているため、たとえ上記したような温度管理を行
なってもめっき膜の析出を完全に仰えることができず、
前述の従来例と同様に、充分な選択性が得られないとい
う問題点がある。
化されているため、たとえ上記したような温度管理を行
なってもめっき膜の析出を完全に仰えることができず、
前述の従来例と同様に、充分な選択性が得られないとい
う問題点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
充分な選択性を有し、精密な導体パターンの形成などを
容易に行なうことができるようにしたエネルギービーム
照射による無電解めっき方法を提供するにある。
充分な選択性を有し、精密な導体パターンの形成などを
容易に行なうことができるようにしたエネルギービーム
照射による無電解めっき方法を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、被加工物の表面に
エネルギービームを照射することにより、この被加工物
表面を選択的に活性化し、この活性化された部分にだけ
無電解めっき膜を析出させるようにした点を特徴とする
。すなわち、従来は、無電解めっきに際して、その被加
工物のめっきすべき面が無電解めり１！液のめつきイオ
ンと異なる物質であった場合には、その面に対して、め
っき処理を行なう前に活性化処理を行なっていた。この
操作は、被加工物のめっきすべき面に、めっきされるべ
き金属の成長核となり、めっき反応の触媒として働く微
粒子を予じめ付着させるための操作で、これによりめっ
き反応が自動的に始動させ Ｃられるようにするため
に行なうものである。
エネルギービームを照射することにより、この被加工物
表面を選択的に活性化し、この活性化された部分にだけ
無電解めっき膜を析出させるようにした点を特徴とする
。すなわち、従来は、無電解めっきに際して、その被加
工物のめっきすべき面が無電解めり１！液のめつきイオ
ンと異なる物質であった場合には、その面に対して、め
っき処理を行なう前に活性化処理を行なっていた。この
操作は、被加工物のめっきすべき面に、めっきされるべ
き金属の成長核となり、めっき反応の触媒として働く微
粒子を予じめ付着させるための操作で、これによりめっ
き反応が自動的に始動させ Ｃられるようにするため
に行なうものである。
そして、従来は、この活性化処理なしでは、めっき反応
が制御できないと考えられており、この結果、従来技術
では常にこの活性化処理が施こされていたのである。し
かして、本発明者らの追試実験によると、このような活
性化処理の結果、めっき液の温度が常温の場合、エネル
ギービームを照射しない部分でも被加工物の活性化処理
を施こした表面全体にも薄くめっき膜の析出が見られ、
さらに、従来から無電解めっきはほとんど進行しないと
言われている液温か５℃の場合でも、エネルギービーム
を照射しない部分のかなり広い部分にわたって無視し得
ない量のめっき膜の析出が見られることが判った。
が制御できないと考えられており、この結果、従来技術
では常にこの活性化処理が施こされていたのである。し
かして、本発明者らの追試実験によると、このような活
性化処理の結果、めっき液の温度が常温の場合、エネル
ギービームを照射しない部分でも被加工物の活性化処理
を施こした表面全体にも薄くめっき膜の析出が見られ、
さらに、従来から無電解めっきはほとんど進行しないと
言われている液温か５℃の場合でも、エネルギービーム
を照射しない部分のかなり広い部分にわたって無視し得
ない量のめっき膜の析出が見られることが判った。
そこで、本発明者らは、このような活性°比処理を行な
わずに被加工物に直接エネルギービームを照射し、その
結果、エネルギービームを被加工物に照射すると、その
照射部分に活性化現象が現われることを見出した。
わずに被加工物に直接エネルギービームを照射し、その
結果、エネルギービームを被加工物に照射すると、その
照射部分に活性化現象が現われることを見出した。
そして、この結果に基づき、エネルギービームの照射に
よって被加工物の活性化を行ない、これにより充分に選
択的な無電解めつさが得られるようにしたのである。
よって被加工物の活性化を行ない、これにより充分に選
択的な無電解めつさが得られるようにしたのである。
以下、本発明による無電解めつき方法について実施例に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例で、１０は光ファイバ。
１１はめつきセルであり、その他、被加工物１．めっき
液３．エネルギー源４などは第２図の従来例と同じであ
る。
液３．エネルギー源４などは第２図の従来例と同じであ
る。
エネルギー源４は出力が１．ＯＷで波長が４８８ｎｍの
アルゴンレーザーで、その出力であるレーザービームＬ
は光ファイバ１０によって被加工物１の表面に導かれる
ようになっている。
アルゴンレーザーで、その出力であるレーザービームＬ
は光ファイバ１０によって被加工物１の表面に導かれる
ようになっている。
めっきセル１１はノズル型で、そのノズルから被加工物
１の表面に向けて無電解めっき液３を６０ｍＡ／ｍｉｎ
の流量で噴出させてめつきを行なう高速めつきセルを構
成している。そして、光ファイバ１０はこのめつきセル
１１の中を通り、ノズルから被加工物１の表面にレーザ
ービームＬを照射するようになっている。
１の表面に向けて無電解めっき液３を６０ｍＡ／ｍｉｎ
の流量で噴出させてめつきを行なう高速めつきセルを構
成している。そして、光ファイバ１０はこのめつきセル
１１の中を通り、ノズルから被加工物１の表面にレーザ
ービームＬを照射するようになっている。
無電解めっき液３の組成を次の第２表に示す。
第２表
なお、この第２表で、ＰＩＢＧとは、ポリエチレ′ング
リ；−ルのことであり、ＭＷは分子量を表わす。
リ；−ルのことであり、ＭＷは分子量を表わす。
被加工物１は表面に銅の薄膜からなるパターンが形成さ
れているポリイミド回路基板であり、従って、この被加
工物１の表面の被加工部分は無電解めっき液３の中に含
まれているめっきイオン。
れているポリイミド回路基板であり、従って、この被加
工物１の表面の被加工部分は無電解めっき液３の中に含
まれているめっきイオン。
即ちＣｕイオンとは互に異なる物質となっている。
そして、この被加工物１は表面洗浄のための一般的な前
処理工程、例えば水洗と表面粗化１表面洗浄と続く処理
が施こされ、しかるのち、そのまま、つまり活性化処理
は行なわないで無電解めっき工程に付される。このとき
の無電解めっき液３の温度及び被加工物１の温度は常温
から６０℃位の範囲に保つのが望ましい。
処理工程、例えば水洗と表面粗化１表面洗浄と続く処理
が施こされ、しかるのち、そのまま、つまり活性化処理
は行なわないで無電解めっき工程に付される。このとき
の無電解めっき液３の温度及び被加工物１の温度は常温
から６０℃位の範囲に保つのが望ましい。
めりさセル１１はそのノズルから噴出する無電解めっき
液３が、被加工物１の表面のめつき加工すべき部分に沿
って連続移動してゆくように一定の速度、例えば１０μ
ｍ ／ ｓで動かされ、この間、レーザービームＬが被
加工物１のめっき加工すべき部分に照射されているよう
にする。
液３が、被加工物１の表面のめつき加工すべき部分に沿
って連続移動してゆくように一定の速度、例えば１０μ
ｍ ／ ｓで動かされ、この間、レーザービームＬが被
加工物１のめっき加工すべき部分に照射されているよう
にする。
と、うすると、被加工物１の表面の無電解めっき液３が
噴射されている部分の中で、レーザービームＬが照射さ
れている部分にだけ活性点（活性化された微小領域）が
形成される。この活性点とは、めっき反応に対する触媒
として働き、自動的にめ Ｃ。
噴射されている部分の中で、レーザービームＬが照射さ
れている部分にだけ活性点（活性化された微小領域）が
形成される。この活性点とは、めっき反応に対する触媒
として働き、自動的にめ Ｃ。
つき反応を始動させ、且つめっき膜の密着性を向上させ
るようにも働く、めっき反応における成長核となる部分
のことであり、したがって、この活性点でめっき反応が
起り、被加工物１のレーザー４０μｍの銅めっき膜によ
るパターンが形成される。
るようにも働く、めっき反応における成長核となる部分
のことであり、したがって、この活性点でめっき反応が
起り、被加工物１のレーザー４０μｍの銅めっき膜によ
るパターンが形成される。
すなわち、活性点で反応が活性化される。ことの意味す
るものは、単に反応速度が増加するだけにとどまらず１
反応を開始させ、めっき膜の密着性を向上させ、ひき続
き活性点の移動に伴なってめっき反応の継続が可能にさ
れることを意味する。
るものは、単に反応速度が増加するだけにとどまらず１
反応を開始させ、めっき膜の密着性を向上させ、ひき続
き活性点の移動に伴なってめっき反応の継続が可能にさ
れることを意味する。
ここで、この第１図で説明した実施例によって形成した
めつき膜の選択性（めっき膜が必要な部分にだけ形成さ
れているか否かを表わす特性）と、従来技術によって形
成しためっき膜の選択性とをＥＤＸ分析（ｈｉｎｅｒｇ
ｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ。
めつき膜の選択性（めっき膜が必要な部分にだけ形成さ
れているか否かを表わす特性）と、従来技術によって形
成しためっき膜の選択性とをＥＤＸ分析（ｈｉｎｅｒｇ
ｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ。
エネルギー分散製Ｘ線分析）結果である第３図を参照し
て説明する。
て説明する。
このＥＤＸ分析とは、試料に電子線を轟て、これによっ
て電子線照射部から発生するＸ線を調べることにより、
この電子線照射部に存在する元素を分析する方法で、こ
こでは、第３図（Ｄ）に示すように、基板の表面の一部
にエネルギービームの照射によってハツチング部ｍで示
すように銅めっき膜を形成した試料を用い、図のｄ −
ｄ’線に沿って電子線走査を行なってＣｕによる特性Ｘ
線の分析結果を求め、それを第３図（Ａ）〜（Ｃ）にグ
ラフで示したもので、これらの（Ａ）〜（Ｃ）のグラフ
で縦軸はＣｕによる特性Ｘ線の強度を、そして横軸は（
Ｄ）図のｄ−ｄ’線に沿った位置をそれぞれ表わしてい
る。なお、第３図（Ｄ）で白抜き部分り、ｎは基板の表
面が鰭出している部分を表わし、したがって、ｄ−ｄ’
ｄに沿ったＥＤＸ分析中、を部分及びｎ部分では基板の
表面を、ｍ部分ではめっき部分をそれぞれ電子線が走査
し、分析が行なわれていることになる。□ これらのグラフにおいて、第３図（Ａ）、（Ｂ）はそれ
ぞれ試料として従来のエネルギービーム照射による無′
ｆｔ解めっき方法により銅めっき部分ｍを形成したもの
を用いた結果を示したもので、まず、第３図（Ａ）はポ
リイミドの基板を第１表の手順にしたがって活性化処理
した後、第１図の本発明の一実施例と同じ装置を用い、
無電解めっき液と基板の温度を共に２２℃に保ってめっ
きを行なった試料についての結果で、この場合には、め
っき部分（ａ部）とそれ以外の部分とでＸ線の強度に有
意な差がみられず、基板部分（第３図（Ｄ）の２部。
て電子線照射部から発生するＸ線を調べることにより、
この電子線照射部に存在する元素を分析する方法で、こ
こでは、第３図（Ｄ）に示すように、基板の表面の一部
にエネルギービームの照射によってハツチング部ｍで示
すように銅めっき膜を形成した試料を用い、図のｄ −
ｄ’線に沿って電子線走査を行なってＣｕによる特性Ｘ
線の分析結果を求め、それを第３図（Ａ）〜（Ｃ）にグ
ラフで示したもので、これらの（Ａ）〜（Ｃ）のグラフ
で縦軸はＣｕによる特性Ｘ線の強度を、そして横軸は（
Ｄ）図のｄ−ｄ’線に沿った位置をそれぞれ表わしてい
る。なお、第３図（Ｄ）で白抜き部分り、ｎは基板の表
面が鰭出している部分を表わし、したがって、ｄ−ｄ’
ｄに沿ったＥＤＸ分析中、を部分及びｎ部分では基板の
表面を、ｍ部分ではめっき部分をそれぞれ電子線が走査
し、分析が行なわれていることになる。□ これらのグラフにおいて、第３図（Ａ）、（Ｂ）はそれ
ぞれ試料として従来のエネルギービーム照射による無′
ｆｔ解めっき方法により銅めっき部分ｍを形成したもの
を用いた結果を示したもので、まず、第３図（Ａ）はポ
リイミドの基板を第１表の手順にしたがって活性化処理
した後、第１図の本発明の一実施例と同じ装置を用い、
無電解めっき液と基板の温度を共に２２℃に保ってめっ
きを行なった試料についての結果で、この場合には、め
っき部分（ａ部）とそれ以外の部分とでＸ線の強度に有
意な差がみられず、基板部分（第３図（Ｄ）の２部。
ｎ部）にもＣｕが析出していることが判る。
又、第３図（Ｂ）は、（Ａ）と同様であるが、基板と無
電解めっき液の温度を共に７℃に保つてめっきした結果
で、この場合にはめっき部（ｂ部）を中心にしてブロー
ドなＸ線強度のピークが見られるが、全体としてＸ嶽の
強度はかなり高くなっており、この場合でも第３図（Ａ
）の場合と同じく、めつき部以外のバックグラウンド（
基板部分）にも成る程度のＣｕが存在し、バックグラウ
ンドにもめっきされてしまうことが判り、結局、従来の
方法では、めっきの選択性はほとんど得られないことに
なる。
電解めっき液の温度を共に７℃に保つてめっきした結果
で、この場合にはめっき部（ｂ部）を中心にしてブロー
ドなＸ線強度のピークが見られるが、全体としてＸ嶽の
強度はかなり高くなっており、この場合でも第３図（Ａ
）の場合と同じく、めつき部以外のバックグラウンド（
基板部分）にも成る程度のＣｕが存在し、バックグラウ
ンドにもめっきされてしまうことが判り、結局、従来の
方法では、めっきの選択性はほとんど得られないことに
なる。
なお、この第３図（Ｂ）の場合で、温度を７℃に設定し
たのは次の理由による。すなわち、従来技術においては
、この程度まで温度を下げておけは、バックグラウンド
に対するめつきはほとんど現われないといわれているか
らである。
たのは次の理由による。すなわち、従来技術においては
、この程度まで温度を下げておけは、バックグラウンド
に対するめつきはほとんど現われないといわれているか
らである。
一方、第３図（Ｃ）は上記した本発明の一実施例にした
がって作成した試料による結果で、ここではめっき部（
Ｃ部）のＸ線強度に鋭いピークが現われているのに対し
てバックグラウンドでのＸ線強度は零に保たれており、
この結果、この実施例によれば、レーザービームが照射
されなかって部分に対しては全くめっきされないことが
判り、極めて優れた選択性を得ることができることにな
る。
がって作成した試料による結果で、ここではめっき部（
Ｃ部）のＸ線強度に鋭いピークが現われているのに対し
てバックグラウンドでのＸ線強度は零に保たれており、
この結果、この実施例によれば、レーザービームが照射
されなかって部分に対しては全くめっきされないことが
判り、極めて優れた選択性を得ることができることにな
る。
なお、この実施例による試料では、そのバックグラウン
ドにＣｕが析出していない点に関しては、基、板部分の
任意の点を選んでの点分析（ＥＤＸ分析）によっても別
途確認しである。
ドにＣｕが析出していない点に関しては、基、板部分の
任意の点を選んでの点分析（ＥＤＸ分析）によっても別
途確認しである。
次に、本発明の他の一実施例について第４図を参照して
説明すると、この＠４図において、１は被加工物、４は
エネルギー源、１２は処理液、１３は容器、１４はガラ
ス窓、１５は焦光レンズシステムで １゜ある。
説明すると、この＠４図において、１は被加工物、４は
エネルギー源、１２は処理液、１３は容器、１４はガラ
ス窓、１５は焦光レンズシステムで １゜ある。
エネルギー源４は出力５００ｍＷ、波長４８８ｎｍ。
スポット極印μｍのアルゴンレーザーで、これから出力
されたレーザービームＬはレンズシステム１５により、
容器１３に設けられている光学平面ガラスからなるガラ
ス窓１４を通って被加工物１の所定の部分に照射される
。
されたレーザービームＬはレンズシステム１５により、
容器１３に設けられている光学平面ガラスからなるガラ
ス窓１４を通って被加工物１の所定の部分に照射される
。
容器１３の中に満されている処理容赦１２は次の第３表
に示す組成となっている。
に示す組成となっている。
第３表
従りて、この第３表と前記した第２表とを比較すれば明
らかなように、この処理容赦１２と第１図の実施例にお
ける無電解めっき液３との違いは、めっきイオンを含む
か否かにある。
らかなように、この処理容赦１２と第１図の実施例にお
ける無電解めっき液３との違いは、めっきイオンを含む
か否かにある。
被加工物１はポリイミド基板で、処理容赦１２の中に浸
され、その表面の所定の部分がレーザービームＬによっ
て照射され、この照射部分は１μｍ／Ｓの速度で移動し
てゆくようにされる。このとき、被加工物１を観察して
いると、そのレーザービーム照射部で若干基板面に荒れ
を生じ、変色が発生するという現象がみられるが、しか
し、処理容赦１２の中にはめっきイオンが含まれていな
いため、この時点では上記した現象にひき続いては特に
何の現象もみられず、勿論、めっき反応はみられない］ 以上を操作１とし、次に、このようにして操作１０処理
を終りた被加工物１を、今度は第２表で示した組成の無
電解めつき容液中に浸し、液温を７０℃にして１０分間
、ついで９０℃にして１０分間保つという操作２を行な
うと、被加工物１の操作１でレーザービームで照射した
部分にだけめっき反応が現われ、この部分にだけ選択的
に銅めっき膜が析出した。
され、その表面の所定の部分がレーザービームＬによっ
て照射され、この照射部分は１μｍ／Ｓの速度で移動し
てゆくようにされる。このとき、被加工物１を観察して
いると、そのレーザービーム照射部で若干基板面に荒れ
を生じ、変色が発生するという現象がみられるが、しか
し、処理容赦１２の中にはめっきイオンが含まれていな
いため、この時点では上記した現象にひき続いては特に
何の現象もみられず、勿論、めっき反応はみられない］ 以上を操作１とし、次に、このようにして操作１０処理
を終りた被加工物１を、今度は第２表で示した組成の無
電解めつき容液中に浸し、液温を７０℃にして１０分間
、ついで９０℃にして１０分間保つという操作２を行な
うと、被加工物１の操作１でレーザービームで照射した
部分にだけめっき反応が現われ、この部分にだけ選択的
に銅めっき膜が析出した。
従って、この実施例によれば、レーザービームの照射で
活性点が形成され、この部分でだけ選択的に無電解めっ
き反応の発動が可能なことが判る。
活性点が形成され、この部分でだけ選択的に無電解めっ
き反応の発動が可能なことが判る。
ところで、このようなエネルギービームの照射による無
電解めっき方法においては、被加工物上に照射されるエ
ネルギービームは被加工物に局部的な温度上昇を起して
めっき反応を促進させる機能をもはたしている。
電解めっき方法においては、被加工物上に照射されるエ
ネルギービームは被加工物に局部的な温度上昇を起して
めっき反応を促進させる機能をもはたしている。
従って、本発明においても、被加工物としては熱伝導率
の低いものの方がエネルギービームの利用効軍の点で効
果的である。
の低いものの方がエネルギービームの利用効軍の点で効
果的である。
そこで、被加工物としては、上記実施例で説明し九ポリ
イミドなどの有機絶縁物のほかに、８ｉ０゜などの無機
絶縁物や、Ｇａ −Ａｓ 、 Ｉｎ −Ｓｂなどの半
導体などが本発明の実施に好適である。
イミドなどの有機絶縁物のほかに、８ｉ０゜などの無機
絶縁物や、Ｇａ −Ａｓ 、 Ｉｎ −Ｓｂなどの半
導体などが本発明の実施に好適である。
なお、上記実施例では、無電解めっき液として銅めっき
用のものを示したが、本発明における無電解めっき液は
これに限るものではなく、銅以外にも例えばＮ１５Ｏ，
、ＮａＨ，ＰＯ，、ＮＨ２Ｃｌ、 ＮａＯＨを主成分と
するニッケルの無電解めっき液などによっても実施可能
で、充分な選択性をもった無電解めっきを行なうことが
できるのはいうまでもない。
用のものを示したが、本発明における無電解めっき液は
これに限るものではなく、銅以外にも例えばＮ１５Ｏ，
、ＮａＨ，ＰＯ，、ＮＨ２Ｃｌ、 ＮａＯＨを主成分と
するニッケルの無電解めっき液などによっても実施可能
で、充分な選択性をもった無電解めっきを行なうことが
できるのはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、エネルギービー
ムの照射部分にだけ確実に無′亀解めつきを行なうこと
ができるから、回路基板など無電解めっき膜による精密
なパターンの形成を要する場合に適用して極めて高い選
択性を容易に得ることができる。
ムの照射部分にだけ確実に無′亀解めつきを行なうこと
ができるから、回路基板など無電解めっき膜による精密
なパターンの形成を要する場合に適用して極めて高い選
択性を容易に得ることができる。
また、本発明によれば、被加工物のエネルギービーム照
射部に適当な荒れを生じ、このため、形成された無電解
めつき膜と被加工物との密着性が良好で、機械的強度に
優れたパターンの形成が容易に得られる。
射部に適当な荒れを生じ、このため、形成された無電解
めつき膜と被加工物との密着性が良好で、機械的強度に
優れたパターンの形成が容易に得られる。
さらに本発明によれば、無電解めっきの前処理から活性
化処理を省略することができるから、工程が簡単になり
、コスト低減が期待できる。
化処理を省略することができるから、工程が簡単になり
、コスト低減が期待できる。
第１図は本発明による無電解めつき方法の一実施例を示
す説明図、第２図はエネルギービーム照射による無電解
めっき方法の従来例の説明図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）
、 （Ｃ）、 （Ｄ）は本発明の詳細な説明するための
特性図、第４図は本発明の他の一実施例の説明図である
。 １・・・・・Ｊ被加工物、３・・・・・・無電解めっき
液、４・・・・・・エネルギー源、 １０・・・・・・
光ファイバ、１１・・・・・・めっきセル、１２・・・
・・・無電解めつき液、１３・・・・・・容器、１４・
・・・・・ガラス窓、１５・・・・・・集光レンズシス
テム、Ｌ・・・・・・レーザービーム。 代塩入 弁理士 武 順次部（ほか１名）ＩＩＩ 図 第２＠ 第３図 ＷＸ４図
す説明図、第２図はエネルギービーム照射による無電解
めっき方法の従来例の説明図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）
、 （Ｃ）、 （Ｄ）は本発明の詳細な説明するための
特性図、第４図は本発明の他の一実施例の説明図である
。 １・・・・・Ｊ被加工物、３・・・・・・無電解めっき
液、４・・・・・・エネルギー源、 １０・・・・・・
光ファイバ、１１・・・・・・めっきセル、１２・・・
・・・無電解めつき液、１３・・・・・・容器、１４・
・・・・・ガラス窓、１５・・・・・・集光レンズシス
テム、Ｌ・・・・・・レーザービーム。 代塩入 弁理士 武 順次部（ほか１名）ＩＩＩ 図 第２＠ 第３図 ＷＸ４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、無電解めっきに必要な被加工物表面の活性化を、そ
の被加工物表面に対する放射エネルギービームの照射に
より行なうように構成したことを特徴とする無電解めっ
き方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記被加工物表面
に対する放射エネルギービームの照射を無電解めっき液
の中で行ない、上記活性化とそれに続くめっき膜の形成
とが連続的に進行するように構成したことを特徴とする
無電解めっき方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、上記被加工物表面
に対する放射エネルギービームの照射をめっきイオンを
含まない溶液中で行ない、活性化が終了した被加工物を
無電解めっき液の中に浸してめっき膜を形成させるよう
に構成したことを特徴とする無電解めっき方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、上記被加工物が、
有機絶縁物、無機絶縁物、或いは半導体材料のいずれか
であることを特徴とする無電解めっき方法。 ５、特許請求の範囲第２項又は第３項において、上記無
電解めっき液が、少なくとも銅塩、銅塩の錯化剤、還元
剤、それにＰＨ調整剤を含むことを特徴とする無電解め
っき方法。 ６、特許請求の範囲第２項又は第３項において、上記無
電解めっき液が、少くともニッケル塩、ニッケル塩の錯
化剤、還元剤、それにＰＨ調整剤を含むことを特徴とす
る無電解めっき方法。 ７、特許請求の範囲第１項において、上記放射エネルギ
ービームがレーザービームであることを特徴とする無電
解めっき方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22513484A JPS61104083A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 無電解めつき方法 |
| US06/786,056 US4659587A (en) | 1984-10-11 | 1985-10-10 | Electroless plating process and process for producing multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22513484A JPS61104083A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 無電解めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104083A true JPS61104083A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16824490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22513484A Pending JPS61104083A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-27 | 無電解めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104083A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186479A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Hitachi Ltd | 選択的めつき方法 |
| JP2007525594A (ja) * | 2003-12-12 | 2007-09-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 材料成長のための方法および装置 |
| JP2007300842A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Earth Chem Corp Ltd | 害虫防除用容器 |
| JP2009108337A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 無電解めっき方法、無電解めっき装置及び電磁波シールド材料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230386A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アルミニウム合金材の摩擦圧接法 |
-
1984
- 1984-10-27 JP JP22513484A patent/JPS61104083A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230386A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アルミニウム合金材の摩擦圧接法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186479A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Hitachi Ltd | 選択的めつき方法 |
| JP2007525594A (ja) * | 2003-12-12 | 2007-09-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 材料成長のための方法および装置 |
| JP2007300842A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Earth Chem Corp Ltd | 害虫防除用容器 |
| JP2009108337A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 無電解めっき方法、無電解めっき装置及び電磁波シールド材料 |
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