JPS61102091A - Manufacture of wiring board - Google Patents
Manufacture of wiring boardInfo
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- JPS61102091A JPS61102091A JP22377684A JP22377684A JPS61102091A JP S61102091 A JPS61102091 A JP S61102091A JP 22377684 A JP22377684 A JP 22377684A JP 22377684 A JP22377684 A JP 22377684A JP S61102091 A JPS61102091 A JP S61102091A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はファクシミリ等に用いることのできる密着WI
J=アセンサーのだめの配線基板を製造スる方法に関す
る。Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention is a contact WI that can be used for facsimile, etc.
J=Relates to a method of manufacturing a sensor wiring board.
(従来の技術) ファクシミリ等に用いられる光電変換装置は。(Conventional technology) Photoelectric conversion devices used in facsimiles, etc.
第2図および第6図に示すように、絶縁基板(1)の上
面に電極配線部(2)を設け、さらに専用集積回路(4
)をボンディングワイヤー(5)等で接合するためのボ
ンディング配線部(3)を形成してなり、前記の電極配
線部(2)の先端の光電変換部電極(161に、アモル
ファスシリコン等からなる光電素子部(6)を設け、透
明電極(7)と光電変換部共通電極(8)としての金属
導電層を図示の如く形成してなるものである。As shown in FIGS. 2 and 6, an electrode wiring section (2) is provided on the upper surface of an insulating substrate (1), and a dedicated integrated circuit (4
) is formed with a bonding wiring part (3) for joining them with a bonding wire (5) or the like, and a photoelectric converter electrode (161) made of amorphous silicon or the like is formed at the tip of the electrode wiring part (2). An element part (6) is provided, and a transparent electrode (7) and a metal conductive layer as a photoelectric conversion part common electrode (8) are formed as shown in the figure.
第2図及び第3図において、電極配線部(2)は、アモ
ルファスシリコンとの光電変換特性が良好であるという
理由から金属クロム層が用いられた。In FIGS. 2 and 3, a metal chromium layer was used for the electrode wiring part (2) because it has good photoelectric conversion characteristics with amorphous silicon.
しかし欠点として金属クロム層は蒸着法にて形成される
ので厚く形成するのが不向きであり、金属クロム層単独
ではピンホール等を生じて電気伝導度が充分でない場合
もあった。一方、ボンディング配線部(3)は、専用集
積回路(4)を載置するところであるから、ボンディン
グ適性および耐久性、耐腐食性のため金(Au)を積層
形成することが行なわれる。しかし、金は極めて高価で
あり、従来法のように絶縁基板(1)の全面に金を蒸着
形成し、しかる後、不必要部分を除去する方法では、大
量の金が無駄になり、好ましくない。その上、金属をク
ロム層の面に形成した場合、接着強度が弱く、粘着テー
プによる剥離試験を行なうと、金属が剥離するという問
題がある。However, the drawback is that since the metal chromium layer is formed by vapor deposition, it is not suitable to form it thickly, and the metal chromium layer alone may cause pinholes and the like, resulting in insufficient electrical conductivity. On the other hand, since the bonding wiring section (3) is where the dedicated integrated circuit (4) is mounted, gold (Au) is laminated for bonding suitability, durability, and corrosion resistance. However, gold is extremely expensive, and the conventional method of depositing gold on the entire surface of the insulating substrate (1) and then removing unnecessary parts wastes a large amount of gold, which is not desirable. . Moreover, when metal is formed on the surface of the chromium layer, the adhesive strength is weak, and there is a problem that the metal peels off when a peel test is performed using an adhesive tape.
これを防ぐ方法として、金属クロム層と金層の間に接着
層としての働きを有する銅層、銀層、アルミニウム層等
を介在させることも考えられたが、悪いことに金は銅、
銀、アルミニウム等の接着層と相溶性があり、金層と接
着層が互いに拡散し合って、混合してしまうという問題
があり、集積回路のボンディング状態に悪影響を及ぼす
ものであった0
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は以上のような従来技術の欠点に鑑み、■ 電極
配線部に充分な電気導電性を確保すること
■ ボンディング配線部に用いる高価な金を無駄にしな
いこと
■ ボンディング配線部の金層が下層と充分な接着強度
を有すること
■ ボンディング配線部の金層が下層の金・属と拡散混
合しないこと
という四つの問題点を解決せんとするものである。As a way to prevent this, it was considered to interpose a copper layer, silver layer, aluminum layer, etc. that acts as an adhesive layer between the metal chromium layer and the gold layer, but the problem is that gold
It is compatible with the adhesive layer of silver, aluminum, etc., and there is a problem that the gold layer and the adhesive layer diffuse into each other and mix, which has a negative effect on the bonding condition of the integrated circuit. (Problems to be Solved) The present invention has been developed in view of the above-mentioned shortcomings of the prior art.■ To ensure sufficient electrical conductivity in the electrode wiring part.■ To not waste expensive money used in the bonding wiring part. This method aims to solve four problems: (1) the gold layer in the bonding wiring part has sufficient adhesive strength with the underlying layer; and (2) the gold layer in the bonding wiring part does not diffuse and mix with the underlying metal.
(問題点を解決するための手段)
すなわち1本発明は、絶縁基板上に、金属クロムの蒸着
層を形成し、さらに金属ニッケルを積層形成してだろ導
電層の表面に、金メッキ部を開口部とする感光性樹脂の
絶縁性被膜を被着し、開口部に電解金メッキを施すこと
により、所望形状の金メッキ層からなるボンディング配
線部を形成し、しかるのち、前記絶縁性被膜を剥離し、
続いて電極パターン部を被覆する耐食膜を形成し、エツ
チング法により所望の電極配線部を形成するとともに、
光電変換部において金属クロムを露出する配線基板の製
造方法である。(Means for Solving the Problems) In other words, one aspect of the present invention is to form a vapor deposited layer of metallic chromium on an insulating substrate, further layer metallic nickel, and form a gold plated portion in an opening on the surface of the conductive layer. By depositing an insulating film of a photosensitive resin and applying electrolytic gold plating to the opening, a bonding wiring portion consisting of a gold plating layer of a desired shape is formed, and then the insulating film is peeled off,
Next, a corrosion-resistant film is formed to cover the electrode pattern portion, and a desired electrode wiring portion is formed using an etching method.
This is a method of manufacturing a wiring board in which metal chromium is exposed in a photoelectric conversion section.
(発明の詳述)
図面の第1図イ)〜チに基いて、本発明の詳細な説明す
る。第1図(イ)〜(チは、第2図と同様各層の厚みが
誇張して描かれているが、絶縁基板(1)としてはアル
カリ金属が含まれていないものが好ましく、例えば米国
コーニング社製7059ノくクロム硼硅酸ガラス、石英
ガラス、あるいはグレーズドアルミナ基板を用いること
があげられる。この絶縁基板(1)の上面に真空蒸着法
あるいはスパッター蒸着法により金属クロム膜(9)を
o、 i〜0.3μm程度蒸着形成し、続けて、外気に
触れることなく金属ニッケル膜(10)をo2〜0.4
μm程度蒸着する。(Detailed Description of the Invention) The present invention will be described in detail based on FIGS. Although the thickness of each layer in FIGS. 1(a) to (h) is exaggerated as in FIG. For example, a chromium borosilicate glass, quartz glass, or glazed alumina substrate manufactured by Co., Ltd., manufactured by 7059 Co., Ltd. may be used.A metallic chromium film (9) is deposited on the upper surface of this insulating substrate (1) by vacuum evaporation or sputter evaporation. , a metal nickel film (10) is deposited to a thickness of about 0.3 μm, and then a metal nickel film (10) is deposited at o2 to 0.4 μm without contact with the outside air.
Deposit about μm.
ここで外気に触れることなく金属ニッケル:!A uO
)を蒸着する埋山は、外気に触れると金属クロム膜、9
)の表面に酸化膜が形成されて上に積層する金属ニッケ
ル膜α0)の接着強度が低下するからである。クロムと
ニッケルの接着強度を増すため、間にアルミニウム層や
銅層の接着層を介在させるという手段もある。Metallic nickel here without exposure to the outside air:! A uO
), when exposed to the outside air, a metallic chromium film, 9
This is because an oxide film is formed on the surface of the metal nickel film α0), which reduces the adhesive strength of the metal nickel film α0) laminated thereon. In order to increase the adhesive strength between chromium and nickel, there is also a method of interposing an adhesive layer such as an aluminum layer or a copper layer between them.
該接着層の厚みは、銅層では0.05〜0,2μm。The thickness of the adhesive layer is 0.05 to 0.2 μm for the copper layer.
アルミニウム層では0.1〜06μm程度である。In the case of an aluminum layer, the thickness is about 0.1 to 06 μm.
この接着層を介在した場合、接着強度の増加という利点
以外に電極配線部(2)の電気伝導度を高めろという効
果もある。特に銅の接着層を用いた時は、金層ニッケル
層(10)を電解メッキ法にて積層形成することもでき
る。When this adhesive layer is interposed, in addition to the advantage of increasing adhesive strength, there is also the effect of increasing the electrical conductivity of the electrode wiring portion (2). In particular, when a copper adhesive layer is used, the gold layer and nickel layer (10) can also be laminated by electrolytic plating.
いずれにせよ、少な(とも金属クロム膜(9)と金属ニ
ッケル膜u01からなる導電層を形成したならは。In any case, if a conductive layer consisting of a small amount of metal chromium film (9) and metal nickel film u01 is formed.
第1図(ロ)に示すように、感光性樹脂からなる絶縁性
被膜Uを被着する。該絶縁性被膜0Dはパターン状を呈
しており、将来電解金めっきが形成される部分を開口部
Q21としている。この開口部0zは、外気に触れるこ
とによって表面に酸化ニッケルの不導体層が形成される
。このまま次工程の電解金メッキを行なうと、金めつぎ
層との接着強度が不充分であるので、電解金メッキの前
処理として、次亜IJン酸のような強力な還元剤の1〜
5重量重量−セント程度の水溶液と接触させ、開口部u
21の金属ニッケル層α0)の表面を荒らすことが良い
。As shown in FIG. 1(b), an insulating film U made of photosensitive resin is applied. The insulating film 0D has a pattern shape, and the opening Q21 is a portion where electrolytic gold plating will be formed in the future. A nonconductive layer of nickel oxide is formed on the surface of this opening 0z when it comes into contact with the outside air. If the next step of electrolytic gold plating is carried out as it is, the adhesion strength with the gold plating layer will be insufficient, so as a pretreatment for electrolytic gold plating, a strong reducing agent such as
Contact with an aqueous solution of about 5 cents by weight, and open the opening u.
It is preferable to roughen the surface of the metal nickel layer α0) of No. 21.
次に第1図ヒ→に示すように、導電層を陰極として、電
解金めっきを行なう。金メッキ膜α3の厚さとしては0
.4〜3.0μm程度が適当である。Next, as shown in FIG. 1A, electrolytic gold plating is performed using the conductive layer as a cathode. The thickness of the gold plating film α3 is 0.
.. Approximately 4 to 3.0 μm is appropriate.
前処理によって、金メッキ膜u31の接着強度は充分な
ものとなり、また、金は下層のニッケル膜00)とは相
帛性が無いので拡散現象は起こらない。この金メッキ膜
03)が、ボンディング配線部となるものである。By the pretreatment, the adhesion strength of the gold plating film u31 becomes sufficient, and since gold has no compatibility with the underlying nickel film 00), no diffusion phenomenon occurs. This gold plating film 03) becomes a bonding wiring part.
電解メッキ後、第1図(Aに示す如く、感光性樹脂の絶
縁性被膜Uυを専用の剥離液等を用いて除去する。After electrolytic plating, as shown in FIG. 1 (A), the insulating film Uυ of the photosensitive resin is removed using a special stripping solution or the like.
続いて、第1図(,11に示すように、電極配線部(2
)および光電変換部(161に相当する部分を被覆する
耐食膜a4iを感光性樹脂を用い写真的手法によりパタ
ーン状に形成する。図の実施例によれば、耐食膜(14
1は金メッキ膜03)を施したボンディング配線部(3
)および共通電極(8)となる部分にも耐食膜■が被着
されている。しかしながら、ボンディング配線部(3)
の金メッキ膜u31は、それ自体耐食膜となりつるもの
であり、また共通電極(8)は、最終工程で別途形成す
ることもできるから、必ずしもこれらの部分に耐食膜α
4を施す必要はない。ただし、共通電極(8)について
は、この時に形成するのが工程的に有利である。第1図
(ホ)の状態で1耐食膜α士にて被われていない部分、
すなわち露出している金属ニッケル膜U■および金属ク
ロム膜(9)をエツチング液にて腐食除去すると、第1
図(へ)に示すような形標となる。この時、共通電極(
8)、電極配線部(2)等がボンディング配線部(3)
とともに形成されている。Next, as shown in FIG.
) and the photoelectric conversion part (161) is formed into a pattern using a photosensitive resin using a photographic method.
1 is a bonding wiring part (3) coated with gold plating film 03).
) and the portion that will become the common electrode (8) are also coated with a corrosion-resistant film (2). However, the bonding wiring part (3)
The gold plating film u31 itself becomes a corrosion-resistant film and is durable, and the common electrode (8) can be formed separately in the final process, so the corrosion-resistant film α is not necessarily applied to these parts.
There is no need to apply step 4. However, it is advantageous in terms of process to form the common electrode (8) at this time. In the state shown in Fig. 1 (e), the part not covered with the first corrosion-resistant film α,
That is, when the exposed metal nickel film U■ and metal chromium film (9) are corroded and removed with an etching solution, the first
It becomes a mark as shown in the figure. At this time, the common electrode (
8), the electrode wiring part (2) etc. is the bonding wiring part (3)
It is formed with
エツチング後、耐食膜a4+t;r除去すると、第1図
(ト)に示すような状態になる。この状態では光電変換
部電極(161K相当するところが、金属ニッケル膜0
0)が存在しているので、ここで金属ニッケルのみを溶
かし、金およびクロムを侵さない腐食液を作用させる。After etching, the corrosion-resistant film a4+t;r is removed, resulting in a state as shown in FIG. 1(G). In this state, the photoelectric conversion section electrode (corresponding to 161K) has a metal nickel film of 0.
0) exists, so only the metal nickel is melted here, and a corrosive solution that does not attack gold and chromium is applied.
このような腐食液の例としては、硝酸、過塩葉酸、リン
酸等をあげることができる。かくすれば、露出している
金属ニッケル膜α0)のみが溶解し、第1図(チに示す
状態となる。第1図(チにおいて、共通電極(8)は金
属クロム1−のみとなっているが、これに限られず、例
えば共通電極(8)の上層に金メッキ層を形成した場合
には、金メッキ層、ニッケル層、クロム層の三層で構成
されることになる。共通電極(8)は基本的には通常の
金属で形成することでさしつかえない。光電変換部電極
(+61は金属クロム層(9)を露呈させる。クロムは
アモルファスシリコンとの光電変換特性が良好である。Examples of such corrosive liquids include nitric acid, perchloric folic acid, and phosphoric acid. In this way, only the exposed metal nickel film α0) is dissolved, resulting in the state shown in FIG. 1 (H). In FIG. However, the present invention is not limited to this. For example, if a gold plating layer is formed on the upper layer of the common electrode (8), the common electrode (8) will be composed of three layers: a gold plating layer, a nickel layer, and a chromium layer. Basically, it is acceptable to form the photoelectric conversion part electrode (+61) with a metal chromium layer (9).Chromium has good photoelectric conversion characteristics with amorphous silicon.
電極配線部(2)は少なくとも金属クロム膜(9)と金
属ニッケル膜10)の二層からなり導電性は充分である
が。The electrode wiring part (2) consists of at least two layers, a metal chromium film (9) and a metal nickel film 10), and has sufficient conductivity.
図示するように金メッキ層(131をさらに上乗せして
も良い。ボンディング配線部(3)には金メッキ層αJ
が必要である。As shown in the figure, a gold plating layer (131) may be further added.The bonding wiring part (3) has a gold plating layer αJ.
is necessary.
以下に本発明の実施例を述べる。Examples of the present invention will be described below.
〔実施例1〕
米国コーニング社製バリウム硼硅酸ガラス7059を絶
縁ガラスに用い、この上面にスパッター蒸着法により金
属クロム膜を0.2μm厚に一様に形成し、続いて金属
ニッケル層を0.3μm厚に蒸着積層した、ポジ型感光
性樹脂の東京応化■製0FPR800を全面塗布し、マ
スクを用いたパターン露光・現像により、金メッキ部を
開口部とする。泡縁性被膜を被着した。続いて6重量%
の次亜リン酸水溶液に6分間浸漬し、水洗乾燥後、前記
開口部に電解金メッキを行なった。シアン化金カリウム
メッキ浴を用いる通常の操作でメッキ厚08μmの金メ
ッキ層を開口部に形成した。次いで前記の絶縁性被膜を
指定剥離液にて除去し、再度ポジ型感光性樹脂0FPR
800を用いて、電極パターン状の耐食膜を形成し、耐
食膜で被われていない金属ニッケル層は10重世%程度
の硝酸水浴液でエツチング除去し、下層の金属クロム層
は硝酸第2セリウム−過塩素融のエツチング液にて除去
した。続いて、前記耐食膜を剥離したあと、10重量%
濃度の硝酸水溶液に浸漬したところ、光電変換部におい
て金属ニッケル層が除去され、金属クロム層が露顕して
リニアセンサー用の配線基板が得られた。得られた配線
基板は、粘着テープを用いた剥離試験にも剥離せず、各
層の接着強度は良好であった。[Example 1] Barium borosilicate glass 7059 manufactured by Corning, USA was used as the insulating glass, and a metallic chromium film was uniformly formed to a thickness of 0.2 μm on its upper surface by sputter deposition, followed by a metallic nickel layer with a thickness of 0.2 μm. A positive photosensitive resin 0FPR800 manufactured by Tokyo Ohka Chemical Co., Ltd., which is laminated to a thickness of .3 μm, is applied over the entire surface, and the gold-plated area is made into an opening by pattern exposure and development using a mask. A foam edge coating was applied. followed by 6% by weight
After being immersed in an aqueous hypophosphorous acid solution for 6 minutes, washed with water and dried, the openings were electrolytically plated with gold. A gold plating layer having a plating thickness of 08 μm was formed in the opening by a normal operation using a potassium gold cyanide plating bath. Next, the above-mentioned insulating film was removed using a specified stripping solution, and the positive photosensitive resin 0FPR was applied again.
800 to form a corrosion-resistant film in the form of an electrode pattern, the metal nickel layer not covered with the corrosion-resistant film was removed by etching with a 10% nitric acid water bath, and the underlying metal chromium layer was etched with ceric nitrate. -Removed using etching solution containing perchlorine. Subsequently, after peeling off the corrosion-resistant film, 10% by weight
When it was immersed in a concentrated nitric acid aqueous solution, the metal nickel layer was removed in the photoelectric conversion section and the metal chromium layer was exposed, yielding a wiring board for a linear sensor. The obtained wiring board did not peel off even in a peel test using an adhesive tape, and the adhesive strength of each layer was good.
〔実施例2〕
実施例1において、絶縁基板の上面に金属クロムをスパ
ッター蒸着したあと、接着層として厚さ0.1μmの金
属銅層を積層し、しかる後、金属ニッケル膜として、ス
ルファミン酸ニッケル浴を用い厚さ0.5μmに形成し
た。以下は実m例1と全く同様にして配謙基板を得た。[Example 2] In Example 1, after metal chromium was sputter-deposited on the upper surface of the insulating substrate, a metal copper layer with a thickness of 0.1 μm was laminated as an adhesive layer, and then a nickel sulfamate layer was laminated as a metal nickel film. It was formed to a thickness of 0.5 μm using a bath. A mounting board was obtained in the same manner as in Example 1 below.
得られた配線基板は、粘着テープを用いた剥離試雇にも
剥離現象は生じず、各層の接着強度は良好であった。The obtained wiring board showed no peeling phenomenon even when peeled using an adhesive tape, and the adhesive strength of each layer was good.
(発明の効果)
本発明は1以上のような配線基板の製造方法であり、本
発明によれば、電極配線部は金属クロムの蒸着膜と金属
ニッケル膜の二層構成であるから。(Effects of the Invention) The present invention is a method of manufacturing one or more wiring boards, and according to the present invention, the electrode wiring portion has a two-layer structure of a vapor-deposited film of metallic chromium and a metallic nickel film.
充分な電気云導度が薙保でき、また、例えば金層クロム
蒸着層にピンホール等の断腸原因が生じていたとしても
、上層の金属ニッケル膜が補填するので、導通信頼性も
著しく高まる、また本発明の製法ではボンディング配線
部の金層は絶縁性被膜が被着されていない開口部、すな
わち必要な個所にのみ選択的に電解メッキされるから、
高価な金は無駄にならないものである。加えて、金メッ
キ層の下層は金属ニッケル層であり、金属ニッケルは、
金と相溶しないので、金層が下層の金属と拡散混合する
ことがなく、ボンディング状態が恒常的に良好となる。Sufficient electrical conductivity can be maintained, and even if a break in the gold layer or chromium vapor-deposited layer occurs, such as a pinhole, the upper metal nickel film will compensate, so the reliability of conduction will be significantly increased. Furthermore, in the manufacturing method of the present invention, the gold layer of the bonding wiring part is electrolytically plated selectively only in the openings where the insulating film is not coated, that is, in the necessary locations.
Expensive money is not wasted. In addition, the lower layer of the gold plating layer is a metallic nickel layer, and the metallic nickel is
Since it is not compatible with gold, the gold layer does not diffuse and mix with the underlying metal, resulting in a consistently good bonding state.
加えて、金メッキ層と下層の金属ニッケル層の接着強度
も強く、セロファン粘着テープによる剥離試験に対して
も充分な耐性を示すものである。In addition, the adhesive strength between the gold plating layer and the underlying metal nickel layer is strong, and it exhibits sufficient resistance to peeling tests using cellophane adhesive tape.
なお、付言すれば、本発明の製造方法によれば、金属の
電解メッキな行なう際、金メッキ層は感光性樹脂の絶縁
性被膜の開口部のみに施されるのであるが、被メッキ体
自身は、金84クロム膜と金属ニッケル膜からなる一様
な導電層が存在するので。Additionally, according to the manufacturing method of the present invention, when performing electrolytic plating of metal, the gold plating layer is applied only to the openings of the insulating coating of the photosensitive resin, but the plated body itself is , since there is a uniform conductive layer consisting of a gold-84 chromium film and a metallic nickel film.
電解メッキの電界は局在することが無く、したがって部
分金メッキは、メッキ形状にかかわらず、均質な厚みの
金属が形成できるという付随的効果もある。The electric field of electrolytic plating is not localized, so partial gold plating has the additional effect of forming metal with a uniform thickness regardless of the shape of the plating.
第1図(イ)〜因は、本発明の配線基板の製造方法の一
例を工程順に示す説明図であり、第2図はリニアセンサ
ーの一例を示す説明断面図であり、第3図は、リニアセ
ンサーの一例を示す部分平面図である。
(11・・・絶縁基板 (2)・・・電極配線部(
3)・・・ボンディング配線部 (4)・・・専用集積
回路(5)・・・ボンディングワイヤー(6)・・・光
電素子部(力・・・透明電極 (8)・・・
共通電極(16)・・・光電変換部電極FIGS. 1A to 1C are explanatory diagrams showing an example of the method for manufacturing a wiring board of the present invention in the order of steps, FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view showing an example of a linear sensor, and FIG. FIG. 2 is a partial plan view showing an example of a linear sensor. (11...Insulating substrate (2)...Electrode wiring part (
3)...Bonding wiring part (4)...Dedicated integrated circuit (5)...Bonding wire (6)...Photoelectric element part (power...Transparent electrode (8)...
Common electrode (16)...photoelectric conversion section electrode
Claims (5)
成しさらに金属ニッケル膜を積層してなる導電層の表面
に、金メッキ部を開口部とする感光性樹脂の絶縁性被膜
を被着し、開口部に電解金メッキを施すことにより、所
望形状の金メッキ層からなるボンディング配線部を形成
し、しかるのち、前記絶縁性被膜を剥離し、続いて電極
配線部および光電変換部を被覆する耐食膜を形成し、エ
ッチング法により少なくとも金属クロム膜と金属ニッケ
ル膜からなる所望形状の電極配線部を形成するとともに
、光電変換部において金属クロム膜を露出する配線基板
の製造方法。(1) On the surface of a conductive layer formed by vapor-depositing at least a metal chromium film and further laminating a metal nickel film on an insulating substrate, an insulating film of photosensitive resin with the gold plating part as an opening is deposited, By applying electrolytic gold plating to the opening, a bonding wiring section made of a gold plating layer of a desired shape is formed, and then the insulating film is peeled off, and a corrosion-resistant film is then applied to cover the electrode wiring section and the photoelectric conversion section. A method for manufacturing a wiring board, in which an electrode wiring part of a desired shape is formed by forming at least a metal chromium film and a metal nickel film by an etching method, and the metal chromium film is exposed in a photoelectric conversion part.
特許請求の範囲第1項記載の配線基板の製造方法。(2) The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the metal nickel film is formed by a vapor deposition method.
である特許請求の範囲第1項記載の配線基板の製造方法
。(3) The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the metal nickel film is formed by electrolytic plating.
在させる特許請求の範囲第1項記載の配線基板の製造方
法。(4) The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein an adhesive layer is interposed between the metal chromium film and the metal nickel film.
ル膜、金属クロム膜の三層構成である特許請求の範囲第
1項記載の配線基板の製造方法。(5) The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the common electrode has a three-layer structure of a gold film, a metal nickel film, and a metal chromium film formed by electrolytic plating.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22377684A JPS61102091A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Manufacture of wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP22377684A JPS61102091A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Manufacture of wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS61102091A true JPS61102091A (en) | 1986-05-20 |
JPH0135515B2 JPH0135515B2 (en) | 1989-07-25 |
Family
ID=16803529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22377684A Granted JPS61102091A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Manufacture of wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61102091A (en) |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22377684A patent/JPS61102091A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0135515B2 (en) | 1989-07-25 |
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