JPS61101519A - Epoxy molding material for sealing electronic part - Google Patents

Epoxy molding material for sealing electronic part

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JPS61101519A
JPS61101519A JP22337484A JP22337484A JPS61101519A JP S61101519 A JPS61101519 A JP S61101519A JP 22337484 A JP22337484 A JP 22337484A JP 22337484 A JP22337484 A JP 22337484A JP S61101519 A JPS61101519 A JP S61101519A
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molding material
coupling agent
polymer powder
silane coupling
silicone polymer
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伸介 萩原
Fumio Furusawa
文夫 古沢
Etsuji Kubo
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Abstract

PURPOSE:The titled molding material having a low stress value against an insert and containing fine silicon polymer powder treated with a silane coupling agent. CONSTITUTION:Fine silicone polymer powder (e.g., polydimethylsiloxane) of a particle diameter <=500mum and a glass transition temperature <= room tempera ture is mixed with 1-40wt% silane coupling agent (e.g., gamma-glycidoxypropyltri methoxysilane) at 120-150 deg.C for 1-5hr to obtain a fine silicon polymer powder treated with the coupling agent. An epoxy resin is mixed with 0.1-10wt% said fine polymer powder, a curing agent, a cure accelerator, a filler, a colorant, a flame retardant, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はインサート品に対する応力値が小さく、耐湿性
、耐熱性の優nた、電子部品封止用エポキシ成形材料に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to an epoxy molding material for encapsulating electronic components, which has a small stress value on inserts and has excellent moisture resistance and heat resistance.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、コイル、コンデンサ、トランジスタ。 Traditionally, coils, capacitors, and transistors.

ICなど電子部品の封止剤としてエポキシ樹力旨成形材
料が広く用いられている。この理由としては、エポキシ
樹脂が電気特性、耐熱性、機械強度、インサート品との
接着性などの諸物件にバランスが取nているためである
Epoxy molding materials are widely used as encapsulants for electronic components such as ICs. The reason for this is that the epoxy resin has a good balance in various properties such as electrical properties, heat resistance, mechanical strength, and adhesion to inserts.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、電子部品のパッケージUICに代表される様に
小形、薄形化の傾向にあり、冷熱サイクル時にパッケー
ジがクラックするという問題を生じる。この原因は温度
差により、インサート品と封止用成形材料間に発生する
熱応力によるものである。この熱応力はインサート品に
も悪影響を与え、LSIなど大形の素子に対しては機能
不良をひき起こす。この様にパッケージ形状が小形、薄
形化しfcTIt子部品や、インサートが大形化したも
の火成形するにあたっては、従来のエポキシ成形材料で
は種々問題が生じるため、インサート品と封止用成形材
料間に発生する熱応力値の小さなものが強く望まnて(
・る。
However, there is a trend toward smaller and thinner packages, as typified by UIC packages for electronic components, which causes the problem of packages cracking during cooling and heating cycles. This is caused by thermal stress generated between the insert and the molding material for sealing due to the temperature difference. This thermal stress also has an adverse effect on insert products, causing malfunctions in large devices such as LSIs. Various problems arise with conventional epoxy molding materials when fire forming fcTIt child parts with smaller and thinner packages and larger inserts. It is strongly desired to have a small thermal stress value (
・Ru.

本発明はエポキシ樹脂の堅くて脆い性質を特定のシリコ
ーン重合体で変性し、インサート品に対し低応力で対熱
性5M湿性の優nた成形材料を得るものである。
The present invention modifies the hard and brittle properties of epoxy resin with a specific silicone polymer to obtain a molding material for inserts with low stress and excellent heat resistance and 5M humidity.

〔問題点を解決する之めの手段〕[Means for solving problems]

本発明の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料はエポキ
シ樹脂にシランカップリング材で処理さnたシリコーン
重合体微粉末を0.1〜10重量%含有させたことを特
徴とするもので、R部品の室温での弾性率な低減でき、
インサート品に対する熱応力値を大きく低減できる。こ
nに伴ない、実際のFP(フラットパッケージ)型のI
Cによる耐パッケージクラック性も格段に向上できる。
The epoxy resin molding material for encapsulating electronic components of the present invention is characterized in that the epoxy resin contains 0.1 to 10% by weight of silicone polymer fine powder treated with a silane coupling agent. The elastic modulus of the part at room temperature can be reduced,
The thermal stress value for insert products can be greatly reduced. Due to this, actual FP (flat package) type I
The package crack resistance due to C can also be significantly improved.

本発明に用いられるエポキシ樹脂に2エノールノボラツ
ク型、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型などの
一般エボキシ樹脂およびビニルシクロヘキセンジエボキ
シド等の脂環型エポキシ樹脂などであり、特に訳足さn
るものではない。硬化剤としては脂肪族アミン、芳香族
アミンなどの有機ポリアミン、尿素樹脂、メラミン位1
シア、アニリン樹月百などのアミノ4m月旨、ジシアン
ジアミド、キシリレンジアミンなどの複合アミン化合物
、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタ
ル酸、トリメリット酸。
The epoxy resins used in the present invention include general epoxy resins such as 2-enol novolac type, bisphenol A type, and bisphenol F type, and alicyclic epoxy resins such as vinylcyclohexene dieboxide.
It's not something you can do. Hardening agents include organic polyamines such as aliphatic amines and aromatic amines, urea resins, and melamine.
Amino acids such as shea, aniline and aniline, complex amine compounds such as dicyandiamide and xylylene diamine, phthalic acid, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, and trimellitic acid.

ピロメリット酸などのポリカルボン酸および酸無水物、
フェノールノボラブク樹脂、クレゾールノボラック樹脂
、レゾルシンノボラック樹脂、などのフェノール樹脂、
ビスフェノールA、ポリパラビニルフェノール樹脂など
が6げらn。
polycarboxylic acids and acid anhydrides such as pyromellitic acid,
Phenolic resins such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, resorcinol novolac resin,
Bisphenol A, polyparavinylphenol resin, etc. are included.

硬化促進剤としてイミダゾール類、5級アミン、BFI
−7ミンコンプレツクス有機ホスフィンなどを少量併用
することができる。また、充填剤とし′Cはシリカ、石
英ガラス粉、炭酸カルシウム、珪酸カルシウム、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、クレー
、マイカ、ガラス繊維および各種単結晶繊維がろげら2
″L樹脂に対し40〜7Q容量%用いらnる。その他の
添加剤として高級脂肪In%高級脂酸金属塩、エステル
系ワックスなどの一准型剤、カーボンブラックなどの着
色剤、難燃剤、表面処理剤などを用いることができる。
Imidazole, 5th class amine, BFI as curing accelerator
A small amount of -7mine complex organic phosphine or the like can be used in combination. In addition, the filler 'C' is silica, quartz glass powder, calcium carbonate, calcium silicate, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, clay, mica, glass fiber, and various single crystal fibers.
40 to 7Q volume % is used for L resin.Other additives include higher fat In% higher fatty acid metal salt, quasi-forming agent such as ester wax, coloring agent such as carbon black, flame retardant, A surface treatment agent or the like can be used.

本発明は上記エポキシ樹脂組成物にシランカップリング
剤で処理したシリコーン重合体微粉末を0.1〜10重
量%厳加したことをef徴とする。IC、トランジスタ
などの電子部品?:Pj、形する金型のゲートサイズは
一般Vこt15〜1ffIft+程度であり、成形材料
中に添加するシリコン重合体のせ大径も500μm以下
とするのが好ましく1分散件、金般(素子とリードヶ結
ぶボンディングワイヤ)の変形を考慮すると、100μ
m以下が好ましい。シリコーン重合体としては。
The ef feature of the present invention is that 0.1 to 10% by weight of silicone polymer fine powder treated with a silane coupling agent is added to the epoxy resin composition. Electronic components such as ICs and transistors? :Pj, the gate size of the mold to be formed is generally about 15 to 1ffIft+, and the large diameter of the silicone polymer added to the molding material is also preferably 500 μm or less. Considering the deformation of the bonding wire connecting the leads, the
m or less is preferable. As a silicone polymer.

ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサ
ン、ジメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンコポリ
マーなどポリオルガノシロキサンの高事台体があげらn
る。さらにこnらポリオルガノシロキサン重合体の架橋
物を用いてもよい。シリコーン重合体の物性eこついて
は特に限定するものではないが、通常の成形温度150
℃〜180℃で流動を起こさずに、粒形を維持するもの
が好まし−・。また、低応力化、耐クラツク性に対して
は、シリコーン重合体のガラス転移温度は室温以下が好
まし−・。
High performance polyorganosiloxanes such as polydimethylsiloxane, polymethylphenylsiloxane, and dimethylsiloxane-diphenylsiloxane copolymers are listed.
Ru. Furthermore, crosslinked products of these polyorganosiloxane polymers may also be used. The physical properties of silicone polymers are not particularly limited, but the normal molding temperature is 150°C.
Preferably, it maintains its particle shape without causing flow at temperatures between 180°C and 180°C. In addition, for stress reduction and crack resistance, the glass transition temperature of the silicone polymer is preferably room temperature or lower.

シリコーン重合体の処理はシリコーン1合体微粉末を予
めシランカップリング剤1と予備混合し、シリコーン微
粉末の表面を処理し、また予備混合物を加P処理して行
う。
The treatment of the silicone polymer is carried out by premixing the silicone 1 combined fine powder with the silane coupling agent 1, treating the surface of the silicone fine powder, and treating the preliminary mixture with P.

シリコーン重合体の配@ :#は0.1重量%未満だと
効果が小さく、101景%を林えると強度が低下する。
If the silicone polymer content is less than 0.1% by weight, the effect will be small, and if it exceeds 101% by weight, the strength will decrease.

またエポキシ樹脂組成の中にシリコーン微粉末を単に配
合し、ロールある(・は押出し機で混練して成形材料ケ
作成した場?、成形時にパリが多くなる。
Also, if silicone fine powder is simply blended into the epoxy resin composition and kneaded with a roll extruder to create a molding material, there will be a lot of flakes during molding.

本発明に用(・ら1するシランカップリング剤につ(・
ては特に限定するものではないが%無機質と化学結合す
るメトキシ基、エトキシ基、シラノール基などの反応基
と、もう一方で樹脂系と化学結合するエポキシ基、アミ
ノ基、メルカプト基、ビニル基、メタクリル基などの反
応基を持つ有機けい素単量体が用いらnる。その配付t
はシ形−コーン重曾体粉末に対し1〜40i量%用いら
nる。
Regarding the silane coupling agent used in the present invention (・
Although not particularly limited, there are reactive groups such as methoxy groups, ethoxy groups, and silanol groups that chemically bond with inorganic substances, and epoxy groups, amino groups, mercapto groups, and vinyl groups that chemically bond with resin systems on the other hand. An organosilicon monomer having a reactive group such as a methacrylic group is used. Its distribution
is used in an amount of 1 to 40% based on the C-cone heavy body powder.

また予備混合の方法として、シランカップリング剤を水
、アルコールなどの溶剤で希釈して、シリコーン重合体
を混合処理する方法と1.無溶剤でヘンシェルミキサー
などで混合処理する方法があるが、作業の容易な後者の
方法でも十分効果がある。また那熱処堆も特に限定する
ものではないが、120℃〜150℃で1時間〜5時間
が好ましい。
Further, as a pre-mixing method, there is a method in which a silane coupling agent is diluted with a solvent such as water or alcohol, and a silicone polymer is mixed therein. There is a method of mixing using a Henschel mixer or the like without a solvent, but the latter method is also sufficiently effective as it is easier to work with. Further, the temperature of the Nakasho treatment is not particularly limited, but it is preferably heated at 120° C. to 150° C. for 1 hour to 5 hours.

〔実施例〕〔Example〕

以下実施例により本発明を説明するが1本発明の範囲は
こnらの実施例に限定さするものではない。
The present invention will be explained below with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to these Examples.

エポキシJi220.軟化点78℃のクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、エポキシ当量375、軟化点80
℃、臭素含ii 48 w%の臭素化ビスフェノールA
型エポキシ樹脂、水酸基当量106.軟化点83℃のフ
ェノールノボラック樹脂、2−ヘプタデシルイミダゾー
ル、カルナバワックス、三酸化アンチモン、カーボンブ
ラック、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン
、石英ガラス粉、および表1に示す処理を行っ7’l径
が250μm以下のポリジメチルシロキサン微粉末を表
2に示す組成で配付じ、10インチ径の加熱ロールを使
用して、混線温度80〜90℃、混線時間7〜10分の
条件で、比較例(1)〜(3)、実施例(1)〜(2)
のエポキシ成形材料を作成した。表3に比較例、実施例
の成形材料特性を示す。また、表3の特性評価法の詳細
を表4に示す。表3から、シリコーン重合体微粉末を添
加していない比較例(1)に対し。
Epoxy Ji220. Cresol novolak type epoxy resin with a softening point of 78°C, epoxy equivalent weight 375, softening point 80
°C, brominated II 48 w% brominated bisphenol A
Type epoxy resin, hydroxyl equivalent weight 106. A phenol novolac resin with a softening point of 83°C, 2-heptadecyl imidazole, carnauba wax, antimony trioxide, carbon black, γ-glycidoxyprobyltrimethoxysilane, quartz glass powder, and the treatments shown in Table 1 were used. Polydimethylsiloxane fine powder with a diameter of 250 μm or less was distributed in the composition shown in Table 2, and a comparison was made using a 10 inch diameter heating roll at a crosstalk temperature of 80 to 90°C and a crosstalk time of 7 to 10 minutes. Examples (1) to (3), Examples (1) to (2)
An epoxy molding material was created. Table 3 shows the properties of the molding materials of Comparative Examples and Examples. Further, details of the characteristic evaluation method shown in Table 3 are shown in Table 4. From Table 3, for Comparative Example (1) in which no silicone polymer fine powder was added.

実施例(1)〜(2)はいづn4)室温の曲げ弾性率が
低減し、そnに伴ない応力値が小さくなっている。
In Examples (1) to (2), the bending elastic modulus at room temperature is reduced and the stress value is accordingly reduced.

また、応力値の低減度8は添加′P#、に依存すること
がわかる。ここでパリのレベルタ見ると、無処理のシリ
コーン微粉末を添加したもの比較例(2)、 (3ン、
(5)は比較例(1)とくらべ悪くなっているが、処理
法Aにより作成した実施例(1)はパリレベルの低下は
なく、処理法Bによる実施例(2)は比較例(1)より
良好な結果な得た。
Further, it can be seen that the degree of reduction in stress value 8 depends on the addition 'P#. Here, if we look at Rebelta in Paris, we see comparative examples (2), (3 n,
(5) is worse than Comparative Example (1), but Example (1) created by Processing Method A has no drop in Paris level, and Example (2) created by Processing Method B is worse than Comparative Example (1). ) got better results.

本発明の効果をさらに明確にするために、FP(フラッ
トパッケージ)型ICの熱衝撃試験の結果を示す。本評
価に用いたFPのサイズは19 X f 4 X t 
5 t (am)で6’)、 6 X 6 (mm)の
素子を搭載し7t54 pin、  4.2アロイリー
ドのものである。試験条件は150℃のシリコーンオイ
ルと一196℃の液体窒素に各2分づつ浸漬させるもの
で、その行程な1サイクルとした。
In order to further clarify the effects of the present invention, the results of a thermal shock test of an FP (flat package) type IC will be shown. The size of the FP used for this evaluation is 19 x f 4 x t
It is equipped with a 5t (am) 6'), 6 x 6 (mm) element, 7t54 pin, and 4.2 alloy lead. The test conditions were immersion in silicone oil at 150°C and liquid nitrogen at -196°C for 2 minutes each, making one cycle.

評価は外観夕顕微鏡観察し、パッケージクラックの有無
により行なった。尚、FPの成形は1sa”c、9a秒
、70 kg/arpノ条件で行ナイ、成形後180℃
5時間の後硬化をした。
Evaluation was made by observing the external appearance under a microscope and determining the presence or absence of package cracks. In addition, FP molding was carried out under the conditions of 1sa"c, 9a seconds, 70kg/arp, and 180℃ after molding.
It was post-cured for 5 hours.

表5に熱衝撃試験結果を示す。表5からシリコーン重合
体微粉末添加によりパッケージクラック性が大きく改善
できることがわかる。
Table 5 shows the thermal shock test results. Table 5 shows that the package cracking property can be greatly improved by adding silicone polymer fine powder.

〔効果〕〔effect〕

本発明によって得られた電子部品封止用エポキシ成形材
料は熱応力値が小さく、素子サイズが大きく、封止用成
形材料の応力によりダメージを受けやすいVLS I製
品やパッケージが薄形、小形のため、耐パッケージクラ
ック性が要求されるFP(フラットパッケージ)、5O
P(スモールアウトラインパッケージ)などの製品へ広
く適用でき、またパリも少な(・。
The epoxy molding material for encapsulating electronic components obtained by the present invention has a small thermal stress value, a large element size, and the VLSI products and packages that are easily damaged by the stress of the encapsulating molding material are thin and small. , FP (flat package), which requires package crack resistance, 5O
It can be widely applied to products such as P (Small Outline Package), and there are few Paris (・.

1イ7一一ヲ 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和59年特許願第225574号 2、 Q明の名称 電子部品封止用エポキシ成形材料 3、補正をする者 事件との関係      特許出願人 乳 称 (4451日立化成・工業株式会社4、代 理
 人
1-7-11 Procedural amendment (method) % formula % 1. Indication of the case 1982 Patent Application No. 225574 2. Name of Q Ming Epoxy molding material for sealing electronic parts 3. Person making the amendment Case and Relationship with Patent Applicant Name (4451 Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. 4, Agent)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、シランカップリング剤で処理されたシリコーン重合
体微粉末を0.1〜10重量%含有することを特徴とす
る電子部品封止用エポキシ成形材料。 2、シリコーン重合体微粉末がシランカップリング剤と
予備混合されたものであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項のエポキシ成形材料。 3、シリコーン重合体微粉末がシランカップリング剤と
予備混合した後加熱処理されたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項のエポキシ成形材料。
[Scope of Claims] 1. An epoxy molding material for encapsulating electronic parts, which contains 0.1 to 10% by weight of silicone polymer fine powder treated with a silane coupling agent. 2. The epoxy molding material according to claim 1, wherein the silicone polymer fine powder is premixed with a silane coupling agent. 3. The epoxy molding material according to claim 1, wherein the silicone polymer fine powder is premixed with a silane coupling agent and then heat-treated.
JP22337484A 1984-10-24 1984-10-24 Epoxy molding material for sealing electronic part Granted JPS61101519A (en)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62243649A (en) * 1986-04-15 1987-10-24 Nippon Retsuku Kk Resin composition for electrical insulation
JPH04202524A (en) * 1990-11-30 1992-07-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Epoxy resin composition and cured material thereof
JPH0770408A (en) * 1994-03-16 1995-03-14 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JP2006299128A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using it
CN112079992A (en) * 2020-09-23 2020-12-15 四川大学 Ablation-resistant organic silicon/epoxy resin-based carbon fiber composite material and preparation method thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730742U (en) * 1993-11-17 1995-06-13 有限会社須藤製作所 card case

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62243649A (en) * 1986-04-15 1987-10-24 Nippon Retsuku Kk Resin composition for electrical insulation
JPH04202524A (en) * 1990-11-30 1992-07-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Epoxy resin composition and cured material thereof
JPH0770408A (en) * 1994-03-16 1995-03-14 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JP2006299128A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using it
CN112079992A (en) * 2020-09-23 2020-12-15 四川大学 Ablation-resistant organic silicon/epoxy resin-based carbon fiber composite material and preparation method thereof
CN112079992B (en) * 2020-09-23 2022-07-05 四川大学 Ablation-resistant organic silicon/epoxy resin-based carbon fiber composite material and preparation method thereof

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