JPS6097706A - Constant current drive circuit - Google Patents

Constant current drive circuit

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JPS6097706A
JPS6097706A JP58206540A JP20654083A JPS6097706A JP S6097706 A JPS6097706 A JP S6097706A JP 58206540 A JP58206540 A JP 58206540A JP 20654083 A JP20654083 A JP 20654083A JP S6097706 A JPS6097706 A JP S6097706A
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current
collector
emitter
resistor
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巧治 篠宮
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Abstract

PURPOSE:To control the dependency of an output current on temperature by allowing a constant current source to generate a current proportional to the absolute temperature so as to compensate the temperature characteristic of a drive circuit. CONSTITUTION:A current IT is applied as a collector current of a transistor (TR) Q6, amplified by a current mirror circuit comprising TRs Q6, Q7 and Q8 and flows as a collector current of the TRQ1. The collector current of the TRQ2 is a current being a quotient of a base-emitter voltage VBE(Q1) of the TRQ1 divided by a resistor R1. The collector current of the TRQ3 flows as a sum of collector currents of the TRs Q1, Q2 and a voltage drop is caused by a resistor R2. Since the TRs Q3, Q4 constitute a current mirror circuit, an output current is extracted as the collector current of the TRQ4 corresponding to the voltage drop of the resistor R2. The control of temperature dependency of the output current is attained by making the current IT to a current proportional to the absolute temperature including the temperature coefficient of a voltage VBE(Q1) and the resistors R1, R2. Furthermore, this circuit has an advantage, where the current IT is amplified by the TRs Q6, Q7 and Q8.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、定電流で負荷を駆動する定電流ドライブ回
路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a constant current drive circuit that drives a load with a constant current.

〔従来技術〕[Prior art]

従来この種の回路として第1図に示すものがあった。第
1図において、IOは定電流源を、QlからQ5はNP
N型トランジスタを、R1は抵抗を示す。電源端子Vc
cと接地端子GND間には電源が接続され、出力端子0
UTPtJTと電源端子Vce間には負荷が接続される
A conventional circuit of this type is shown in FIG. In Figure 1, IO is a constant current source, Ql to Q5 are NP
R1 represents an N-type transistor and a resistor. Power supply terminal Vc
A power supply is connected between c and the ground terminal GND, and the output terminal 0
A load is connected between the UTPtJT and the power supply terminal Vce.

次に従来のものの動作について説明する。電源が投入さ
れ、定電流源IOからIOなる電流がトランジスタQ2
のベースに供給され、さらに抵抗R1とトランジスタQ
1のベースに流れ込み、さらにトランジスタQ5のベー
スからエミッタを通り、トランジスタQ3と04のそれ
ぞれのベースを介して接地端子GNDに到達し、回路が
動作を開始する。すると、トランジスタQ2とQlによ
って負帰還がかかり、結果としてトランジスタQ2のコ
レクタ電流は次式で安定状態となる。
Next, the operation of the conventional device will be explained. When the power is turned on, a current of IO flows from the constant current source IO to the transistor Q2.
further connected to resistor R1 and transistor Q
It flows into the base of transistor Q5, passes through the emitter from the base of transistor Q5, reaches the ground terminal GND via the bases of transistors Q3 and Q04, and the circuit starts operating. Then, negative feedback is applied by transistors Q2 and Ql, and as a result, the collector current of transistor Q2 becomes stable according to the following equation.

ここでIc(Q2)はトランジスタQ2のコレクタ電流
を、VBE(Ql)はトランジスタQlのベース・エミ
ッタ間電圧を、R1は抵抗R1の抵抗値を示す。従って
トランジスタQ3のコレクタ電流1c(Q3)は次式で
表わせる。
Here, Ic (Q2) represents the collector current of the transistor Q2, VBE (Ql) represents the base-emitter voltage of the transistor Ql, and R1 represents the resistance value of the resistor R1. Therefore, the collector current 1c (Q3) of transistor Q3 can be expressed by the following equation.

I c (Q3) =I o+I c (Q2) ・・
・(2)ここでR0は定電流源の電流値を示す。つまり
、トランジスタQ3とQ4はそれぞれのベースとエミッ
タを相互に接続してカレントミラー回路を構成している
ので、出力電流1c(Q4)は次式で表わすことができ
る。
I c (Q3) = I o + I c (Q2)...
-(2) Here, R0 indicates the current value of the constant current source. That is, since the transistors Q3 and Q4 form a current mirror circuit by connecting their respective bases and emitters to each other, the output current 1c (Q4) can be expressed by the following equation.

I c (Q4) −1c (Q3) ・・・(3)即
ち(11(2) (31式より となる。
I c (Q4) -1c (Q3) ... (3) That is, (11 (2) (from formula 31).

従来の定電流ドライブ回路は以上のように構成されてい
るので、IOを温度に無関係に一定としても、VBE(
Ql)が約−’l m V / ℃の温度係数を持ち、
さらにR1も集積回路化した場合、約+2000ppm
 / ”Cの温度係数を持つため、出力電流1c (Q
4)を温度に無関係に一定値に設定することができない
という欠点があった。
Since the conventional constant current drive circuit is configured as described above, even if IO is constant regardless of temperature, VBE (
Ql) has a temperature coefficient of approximately −'l m V/°C,
Furthermore, if R1 is also integrated circuit, approximately +2000ppm
/ ” Since it has a temperature coefficient of C, the output current 1c (Q
4) cannot be set to a constant value regardless of temperature.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、定電流源を、相対する2つのトラ
ンジスタのベース・エミッタ間の電位差が抵抗の両端に
印加されるようにして作り出した絶対温度に比例した電
流を源として構成された絶対温度に比例した電流を発生
する定電流源とし、さらにトランジスタのへ−ス・エミ
ッタ間電圧に依存した電流を作り、上記2つの電流をカ
レントミラー回路のトランジスタ及びそのエミッタに接
続した抵抗に流し、上記相対する2つのトランジスタの
ベース・エミッタ間の電位差の正の温度係数と上記トラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数を相
互に打ち消すようにし、かつ同時に上記定電流を作り出
すときの抵抗の温度係数及び上記ベース・エミッタ間電
圧に依存する電流を作るときの抵抗の温度係数を同時に
打ち消すようにすることにより、温度に無関係に出力電
流を得ることのできる、あるいはさらに所望の温度係数
を持った電流を得ることのできる定電流ドライブ回路を
提供することを目的としている。
This invention was made to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and it creates a constant current source by applying the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors to both ends of a resistor. A constant current source that generates a current proportional to the absolute temperature is configured with a current proportional to the absolute temperature as a source, and a current that is dependent on the voltage between the base and emitter of the transistor is created, and the above two currents are converted into a current. Flow through the transistor of the mirror circuit and the resistor connected to its emitter, and cancel out the positive temperature coefficient of the potential difference between the base and emitter of the two opposing transistors and the negative temperature coefficient of the base-emitter voltage of the transistor. By simultaneously canceling out the temperature coefficient of the resistance when producing the above-mentioned constant current and the temperature coefficient of the resistance when producing the current dependent on the above-mentioned base-emitter voltage, the output current can be increased regardless of the temperature. It is an object of the present invention to provide a constant current drive circuit that can obtain a current having a desired temperature coefficient.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第2
図において、!Tは相対する2つのトランジスタのベー
ス・エミッタ間の電位差が抵抗の両端に印加されるよう
にして作り出した絶対温度に比例した電流を源として構
成された絶対温度に比例した電流を発生する定電流源、
QlがらQ8はNPN型トランジスタ、R1とR2は上
記絶対温度に比例した電流を作り出す時に用いた抵抗と
その構造を同じにする第1.第2抵抗である。そして第
1トランジスタQ1のベースと第2トランジスタQ2の
エミッタと第5トランジスタQ5のベースと第1抵抗R
1の一方の端子が相互接続され、第1抵抗R1の他端と
第1トランジスタQlのエミッタと第3トランジスタQ
3のコレクタが相互接続され、第3トランジスタQ3の
ベースと第4 トランジスタQ4のベースと第5トラン
ジスタQ5のエミッタが相互接続され、第3トランジス
タQ3のエミッタと第2抵抗R2の一方の端子が接続さ
れ、第2抵抗R2の他端と第4トランジスタQ4のエミ
ッタが接続されてこの接続点が接地端子GNDとされ、
第4トランジスタQ4のコレクタが出力端子OUT P
 UTとされ、第5トランジスタQ5のコレクタと第2
トランジスタQ2のコレクタと第7トランジスタQ7の
コレクタと第8トランジスタQ8のコレクタと前記定電
流源ITの一方の端子が相互接続されてこの接続点が電
源端子Vccとされ、第6トランジスタQ6のエミッタ
と第7トランジスタQ7のエミッタと第1トランジスタ
Qlのコレクタが相互接続され、第6トランジスタQ6
のベースと第7トランジスタQ7のベースと第2トラン
ジスタQ2のベースと第8トランジスタQ8のエミッタ
が相互接続され、第6トランジスタQ6のコレクタと第
8トランジスタQ8のベースと前記定電流源ITの他方
の端子とが相互接続されている。また電源端子Vccと
接地端子GND間には電源が接続され、出力端子0UT
PUTと電源端子Vce間には負荷が接続される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Second
In the figure! T is a constant current that generates a current proportional to absolute temperature, which is configured with a current proportional to absolute temperature created by applying the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors across a resistor as a source. source,
Ql and Q8 are NPN transistors, and R1 and R2 are resistors whose structure is the same as that used to generate the current proportional to the absolute temperature. This is the second resistance. and the base of the first transistor Q1, the emitter of the second transistor Q2, the base of the fifth transistor Q5, and the first resistor R.
One terminal of the first resistor R1 is interconnected with the other end of the first resistor R1, the emitter of the first transistor Ql, and the third transistor Q.
The bases of the third transistor Q3, the base of the fourth transistor Q4, and the emitter of the fifth transistor Q5 are connected to each other, and the emitter of the third transistor Q3 and one terminal of the second resistor R2 are connected to each other. The other end of the second resistor R2 and the emitter of the fourth transistor Q4 are connected, and this connection point is set as a ground terminal GND,
The collector of the fourth transistor Q4 is the output terminal OUTP
UT, and the collector of the fifth transistor Q5 and the second
The collector of the transistor Q2, the collector of the seventh transistor Q7, the collector of the eighth transistor Q8, and one terminal of the constant current source IT are interconnected, and this connection point serves as the power supply terminal Vcc, and the emitter of the sixth transistor Q6 and the collector of the eighth transistor Q8 are interconnected. The emitter of the seventh transistor Q7 and the collector of the first transistor Ql are interconnected, and the sixth transistor Q6
The base of the seventh transistor Q7, the base of the second transistor Q2, and the emitter of the eighth transistor Q8 are interconnected, and the collector of the sixth transistor Q6, the base of the eighth transistor Q8, and the other terminal of the constant current source IT are interconnected. terminals are interconnected. In addition, a power supply is connected between the power supply terminal Vcc and the ground terminal GND, and the output terminal 0UT
A load is connected between PUT and power supply terminal Vce.

次に本発明の動作について第2図を用いて説明する。電
源が投入され、定電流源ITからITなる電流がトラン
ジスタQ8のベースからエミッタに抜け、トランジスタ
Q2のベースに供給されエミッタを通り、トランジスタ
Q5のベースからエミッタに抜け、トランジスタQ3と
Q4の各ベースに電流が供給され、トランジスタQ3の
エミッタから抵抗R2を通って、またはトランジスタQ
4のエミッタを通って、それぞれ接地端子GNDに到達
し、回路が動作を開始する。すると、トランジスタQ2
とQ6.Q8.Q7さらにQlを介して負帰還がかかり
、結果としてトランジスタQ2のコレクタ電流は次式で
安定状態となる。
Next, the operation of the present invention will be explained using FIG. 2. When the power is turned on, a current IT flows from the constant current source IT from the base of the transistor Q8 to the emitter, is supplied to the base of the transistor Q2, passes through the emitter, flows from the base of the transistor Q5 to the emitter, and flows to the bases of the transistors Q3 and Q4. A current is supplied from the emitter of transistor Q3 through resistor R2 or from the emitter of transistor Q3 to
4 and reach the ground terminal GND, respectively, and the circuit starts operating. Then, transistor Q2
and Q6. Q8. Negative feedback is applied via Q7 and Ql, and as a result, the collector current of transistor Q2 becomes stable according to the following equation.

1(1 ここでIc(Q2)はトランジスタ。2のコレクタ電流
を、VBE(Ql)はトランジスタ。■のベース・エミ
ッタ間電圧を、R1は抵抗R1の抵抗値を示す。
1 (1 Here, Ic (Q2) is a transistor.2's collector current, VBE (Ql) is a transistor.2's base-emitter voltage, and R1 is the resistance value of the resistor R1.

また、この時、トランジスタ。1のコレクタ電流1c(
Ql)は、トランジスタ。6.Q7.Q8で構成される
カレントミラー回路によって一定の利得で増幅された前
記絶対温度に比例した電流を発生する定電流源ITから
のITなる電流、即ち前記カレントミラー回路のトラン
ジスタ。6とQ7(7)ベース・エミッタ接合面積比を
nとした場合、n I Tとして流れるから、次式で表
わすことができる。
Also, at this time, a transistor. 1 collector current 1c (
Ql) is a transistor. 6. Q7. A current IT from a constant current source IT that generates a current proportional to the absolute temperature amplified with a constant gain by a current mirror circuit constituted by Q8, that is, a transistor of the current mirror circuit. 6 and Q7 (7) When the base-emitter junction area ratio is n, the flow is as n I T, so it can be expressed by the following equation.

I c (Ql) −n ・IT −(63ここでJT
は、絶対温度に比例した電流を発生する定電流源からの
電流値を表わし、この定電流源は相対する2つのトラン
ジスタのベース・エミッタ間の電位差を抵抗の両端に印
加させるようにして作り出した絶対温度に比例した電流
を発生する定電流源であるから、次式でその電流値を表
ゎすごとができる。
I c (Ql) -n ・IT -(63 where JT
represents the current value from a constant current source that generates a current proportional to absolute temperature, and this constant current source is created by applying the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors to both ends of a resistor. Since it is a constant current source that generates a current proportional to absolute temperature, the current value can be expressed by the following equation.

ここでΔVBEは相対する2つのトランジスタのベース
・エミッタ間の電位差を、Rは抵抗R1及びR2と同一
構造の抵抗の抵抗値を示す。
Here, ΔVBE represents the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors, and R represents the resistance value of a resistor having the same structure as resistors R1 and R2.

従ってトランジスタQ3のコレクタ電流1c(Q3)は
(5)、 (6)、 (7)より次式で表わせる。
Therefore, the collector current 1c (Q3) of the transistor Q3 can be expressed by the following equation from (5), (6), and (7).

I c (Q3) =I c (Ql) +I c (
Q2) ・=T81次にこの電流1c(Q3)は、抵抗
R2で電圧に変換され、その値は次式で表わすことがで
きる。
I c (Q3) = I c (Ql) + I c (
Q2) .=T81 Next, this current 1c (Q3) is converted into a voltage by the resistor R2, and its value can be expressed by the following equation.

VR2=R2・ Ic(Q3) ・ al・・・ (1
1) ここでVH2は抵抗R2での電圧降下を、R2は抵抗R
2の抵抗値を示す。
VR2=R2・Ic(Q3)・al... (1
1) Here, VH2 is the voltage drop across resistor R2, and R2 is the voltage drop across resistor R2.
The resistance value of 2 is shown.

次に(11)式を変形して次のように書ける。Next, we can transform equation (11) and write it as follows.

・VBE(Ql) ・・・ (12) ここでΔV[lEについては次式で表わせる。・VBE(Ql)...(12) Here, ΔV[lE can be expressed by the following equation.

ここでqは電子の電荷を、kはボルツマン定数を、Tは
絶対温度を、JlとJ2は前記の相対する2つのトラン
ジスタの電流密度を示している。
Here, q represents the electron charge, k represents the Boltzmann constant, T represents the absolute temperature, and Jl and J2 represent the current densities of the two opposing transistors.

また、VBE(Ql)については次式で表わせる。Further, VBE (Ql) can be expressed by the following equation.

VBE (Q 1 ) = Vgo (1−−)O + VBEO(−) ・・・(14) O ここでVgoは絶対温度T=0°Kにおける半導体材料
によって決まるエネルギー・バンド・ギャップの外挿電
圧を示し、またV Bl!0も、同条件時ノベース・エ
ミッタ間電圧を示している。
VBE (Q 1 ) = Vgo (1--)O + VBEO(-) ... (14) O where Vgo is the extrapolated voltage of the energy band gap determined by the semiconductor material at the absolute temperature T = 0°K and also V Bl! 0 also indicates the base-emitter voltage under the same conditions.

そこで(12)式に(13)式と(14)式を代入する
と、 ・・・ (15) となり、温度係数をめるため、(I5)式を絶対温度T
で微分すると次にょうになる。
Therefore, by substituting equations (13) and (14) into equation (12), we get ... (15), and in order to calculate the temperature coefficient, equation (I5) can be changed to the absolute temperature T
Differentiating with , we get the following.

aT Rq J2 そこで温度係数を0とするため、右辺=0とすると、次
の条件が導出できる。
aT Rq J2 Therefore, in order to set the temperature coefficient to 0, if the right side = 0, the following condition can be derived.

・・・ (17ン これはTo−Tとすれば(17)式は次のようになる。...(17n) If this is set as To-T, the equation (17) becomes as follows.

Vg=VT+VBE (Ql) ・= (19)となり
、半導体材料にシリコンを選べばVg=1゜24(V)
なので、(19)式からトランジスタQ3(7)IL/
クク電流1c(Q3)を、VTとVBE(Ql)の比に
すれば良いから次式が成立する。
Vg=VT+VBE (Ql) ・= (19), and if silicon is chosen as the semiconductor material, Vg=1°24 (V)
Therefore, from equation (19), transistor Q3(7)IL/
Since it is sufficient to set the current 1c (Q3) to the ratio of VT and VBE (Ql), the following equation holds true.

・・・(20) (Kは定数) 即ち となる。ここでIc(Q2)はトランジスタQ2のコレ
クタ電流を、Ic(Ql)はトランジスタQ1のコレク
タ電流を示す。つまり次式のようにIc(Q2)とIc
(Ql)を設定すれば、出力電流1c(Q4)は、温度
に無関係な一定の電流として取り出すことができる。
...(20) (K is a constant) That is, it becomes. Here, Ic (Q2) represents the collector current of transistor Q2, and Ic (Ql) represents the collector current of transistor Q1. In other words, as shown in the following equation, Ic (Q2) and Ic
(Ql), the output current 1c (Q4) can be taken out as a constant current independent of temperature.

VBE (Ql) I c (Q2) Vg−VBI! (Ql) I c (Ql)・・・ 
(22) 要するに、第2図のITは抵抗の温度係数を含んだ絶対
温度に比例する電流とし、この電流は、トランジスタQ
1からQ8の直流電流増幅率hFEが十分大きいと仮定
すると、トランジスタQ6のコレクタ電流として供給さ
れる。ここでトランジスタQ6.Q7.QBによりカレ
ントミラー回路が構成されているから、トランジスタQ
6とQlのベース・エミッタ接合面積の比の分だけ増幅
され、トランジスタQ1のコレクタ電流として流れる。
VBE (Ql) I c (Q2) Vg-VBI! (Ql) I c (Ql)...
(22) In short, IT in Figure 2 is a current proportional to the absolute temperature including the temperature coefficient of resistance, and this current is
Assuming that the DC current amplification factor hFE of Q1 to Q8 is sufficiently large, it is supplied as the collector current of transistor Q6. Here, transistor Q6. Q7. Since QB constitutes a current mirror circuit, transistor Q
6 and the base-emitter junction area of Ql, and flows as the collector current of transistor Q1.

一方、トランジスタQl、Q2と抵抗R1によって負帰
還がかかり、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電
圧を抵抗R1で割算した値で、トランジスタQ2のコレ
クタ電流が決定され、もちろん、抵抗R1の温度係数を
含む形でトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧の
温度係数をもって抵抗R1を介して流れる。
On the other hand, negative feedback is applied by transistors Ql and Q2 and resistor R1, and the collector current of transistor Q2 is determined by the value obtained by dividing the base-emitter voltage of transistor Q1 by resistor R1. Of course, the temperature coefficient of resistor R1 is It flows through resistor R1 with a temperature coefficient of the base-emitter voltage of transistor Q1.

このようにして絶対温度に比例した電流は、トランジス
タQ1のコレクタ電流として流れ、またトランジスタQ
1のベース・エミッタ間電圧、即ち負の温度係数をもつ
電圧を抵抗R1で割算した電流が抵抗R1を介して流れ
、上記2つの種類の電流は、トランジスタQ3のコレク
タに供給され、ここで合成されて、トランジスタQ3の
コレクタ電流として流れ、抵抗R2で電流から電圧に変
換される。この抵抗R2での電圧降下は、すべての抵抗
の温度係数を打ち消すと同時に、前記(22)式の条件
に設定しておけば、周囲温度変化に無関係な一定の電圧
として得られる。
In this way, a current proportional to the absolute temperature flows as the collector current of transistor Q1, and also flows as the collector current of transistor Q1.
A current obtained by dividing a base-emitter voltage of 1, that is, a voltage with a negative temperature coefficient by resistor R1, flows through resistor R1, and the above two types of current are supplied to the collector of transistor Q3, where The combined current flows as a collector current of transistor Q3, and is converted from current to voltage by resistor R2. This voltage drop across the resistor R2 cancels out the temperature coefficients of all the resistors, and at the same time can be obtained as a constant voltage unrelated to changes in the ambient temperature if the conditions of equation (22) are set.

ここでトランジスタQ3とQ4のベースは相互に接続さ
れたカレントミラー回路を構成しているので、トランジ
スタQ4のコレクタ電流は周囲の温度変化に無関係な一
定の電流として得られるわけである。
Here, since the bases of transistors Q3 and Q4 are connected to each other to form a current mirror circuit, the collector current of transistor Q4 is obtained as a constant current independent of changes in ambient temperature.

また前記(22)式の関係を意識的にずらして、故意に
正または負の温度係数を持たせることも可能である。
It is also possible to deliberately shift the relationship in equation (22) to intentionally give a positive or negative temperature coefficient.

このように本実施例では、出力電流の温度への依存性を
コントロールできるばかりでなく、従来の定電流ドライ
ブ回路より、少ない電流値の定電流源から、大きな出力
電流を得ることができる。
In this way, in this embodiment, not only can the dependence of output current on temperature be controlled, but also a large output current can be obtained from a constant current source with a smaller current value than in the conventional constant current drive circuit.

なお、前記実施例に、該定電流ドライブ回路を“ON”
、“OFF”するための制御入力を付加した本発明の他
の実施例を第3図に示した。ここでC0NTは制御入力
端子、R3はカレントミラー回路の安定化のために挿入
したインピーダンス低下用抵抗である。
Note that in the above embodiment, the constant current drive circuit is “ON”.
Another embodiment of the present invention is shown in FIG. 3, in which a control input for turning the switch OFF is added. Here, C0NT is a control input terminal, and R3 is an impedance lowering resistor inserted to stabilize the current mirror circuit.

〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、定電流源を、相対す
る2つのトランジスタのベース・エミッタ間の電位差が
抵抗の両端に印加されるようにして作り出した絶対温度
に比例した電流を源として構成された絶対温度に比例し
た電流を発生する定電流源とし、さらにトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧に依存した電流を作り、上記2
つの電流をカレントミラー回路のトランジスタ及びその
エミッタに接続した抵抗に流し、上記相対する2つのト
ランジスタのベース・エミッタ間の電位差の正の温度係
数と上記トランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の
温度係数を相互に打ち消すようにし、かつ同時に上記定
電流を作り出すときの抵抗の温度係数及び上記ベース・
エミッタ間電圧に依存する電流を作るときの抵抗の温度
係数を同時に打ち消すようにすることにより、出方電流
の温度への依存性をコントロールできるばかりでなく、
従来の定電流ドライブ回路より少ない電流値の定電流源
から、大きな出力電流が得られる効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a constant current source is proportional to the absolute temperature created by applying the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors to both ends of a resistor. A constant current source that generates a current proportional to the absolute temperature is configured using the current as the source, and further generates a current that depends on the base-emitter voltage of the transistor.
A current is passed through the transistor of the current mirror circuit and the resistor connected to its emitter, and the positive temperature coefficient of the potential difference between the base and emitter of the two opposing transistors and the negative temperature coefficient of the voltage between the base and emitter of the transistor are determined. to cancel each other out, and at the same time, the temperature coefficient of the resistance and the base temperature when creating the above constant current.
By simultaneously canceling the temperature coefficient of resistance when creating a current that depends on the emitter voltage, it is possible to not only control the temperature dependence of the output current, but also to
This has the effect that a large output current can be obtained from a constant current source with a smaller current value than a conventional constant current drive circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の定電流ドライブ回路を示す回路図、第2
図はこの発明の一実施例による定電流ドライブ回路を示
す回路図、第3図はこの発明の他の実施例による定電流
ドライブ回路を示す回路図である。 IT・・・定電流源、Ql−Q8・・・第1ないし第8
のトランジスタ、R1,R2・・・第1.第2の抵抗、
VCC・・・電源端子、GND・・・接地端子、0UT
PUT・・・出力端子。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional constant current drive circuit, Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional constant current drive circuit.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a constant current drive circuit according to one embodiment of the invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a constant current drive circuit according to another embodiment of the invention. IT... Constant current source, Ql-Q8... 1st to 8th
transistors, R1, R2...first. second resistance,
VCC...power supply terminal, GND...ground terminal, 0UT
PUT...Output terminal. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (11相対する2つのトランジスタのベース・エミッタ
間の電位差が抵抗の両端に印加されるようにして作り出
した絶対温度に比例した電流を源として構成された絶対
温度に比例した電流を発生する定電流源と、第1ないし
第8の導電型を同一にするトランジスタと、前記抵抗と
同一構造を有する第1と第2の抵抗とによって構成され
、第1トランジスタのベースと第2トランジスタのエミ
ッタと第5トランジスタのベースと第1抵抗の一方の端
子を相互接続し、第1抵抗の他端と第1トランジスタの
エミッタと第3トランジスタのコレクタを相互接続し、
第3トランジスタのベースと第4トランジスタのベース
と第5トランジスタのエミッタを相互接続し、第3トラ
ンジスタのエミッタと第2抵抗の一方の端子を接続し、
第2抵抗の他端と第4トランジスタのエミッタを接続し
てこの接続点を接地端子とし、第4トランジスタのコレ
クタを出力端子とし、第5トランジスタのコレクタと第
2トランジスタのコレクタと第7トランジスタのコレク
タと第8トランジスタのコレクタと前記定電流源の一方
の端子とを相互接続してこの接続点を電源端子とし、第
6トランジスタのエミッタと第7トランジスタのエミッ
タと第1トランジスタのコレクタを相互接続し、第6ト
ランジスタのベースと第7トランジスタのベースと第2
トランジスタのベースと第8トランジスタのエミッタを
相互接続し、第6トランジスタのコレクタと第8トラン
ジスタのベースと前記定電流源の他方の端子とを相互接
続して構成され、前記電源端子と前記接地端子との間に
電源を接続し、前記出力端子と前記電源端子との間に負
荷を接続するか、前記出力端子と別電源との間に負荷を
接続して、負荷に流れる電流を所望の温度特性を持つ電
流値に設定したことを特徴とする定電流ドライブ回路。
(11) A constant current that generates a current proportional to the absolute temperature, which is configured with a current proportional to the absolute temperature created by applying the potential difference between the base and emitter of two opposing transistors across the resistor as a source. The base of the first transistor, the emitter of the second transistor, and the second resistor have the same structure as the resistor. 5 interconnecting the bases of the transistors and one terminal of the first resistor, interconnecting the other end of the first resistor, the emitter of the first transistor, and the collector of the third transistor;
interconnecting the base of the third transistor, the base of the fourth transistor, and the emitter of the fifth transistor, and connecting the emitter of the third transistor and one terminal of the second resistor;
The other end of the second resistor and the emitter of the fourth transistor are connected, and this connection point is used as a ground terminal, the collector of the fourth transistor is used as an output terminal, and the collector of the fifth transistor, the collector of the second transistor, and the collector of the seventh transistor are connected. The collector, the collector of the eighth transistor, and one terminal of the constant current source are interconnected, and this connection point is used as a power supply terminal, and the emitter of the sixth transistor, the emitter of the seventh transistor, and the collector of the first transistor are interconnected. The base of the sixth transistor, the base of the seventh transistor, and the second
The base of the transistor and the emitter of the eighth transistor are interconnected, and the collector of the sixth transistor, the base of the eighth transistor, and the other terminal of the constant current source are interconnected, and the power supply terminal and the ground terminal A power supply is connected between the output terminal and the power supply terminal, or a load is connected between the output terminal and another power supply to control the current flowing through the load to the desired temperature. A constant current drive circuit characterized in that the current value is set to have a characteristic.
JP58206540A 1983-11-01 1983-11-01 Constant current drive circuit Granted JPS6097706A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7579914B2 (en) 2006-09-29 2009-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Bias circuit and power amplifier

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