JPS60945U - 無接触式コンダクタンス−ポテンシオメ−タ - Google Patents
無接触式コンダクタンス−ポテンシオメ−タInfo
- Publication number
- JPS60945U JPS60945U JP1984075518U JP7551884U JPS60945U JP S60945 U JPS60945 U JP S60945U JP 1984075518 U JP1984075518 U JP 1984075518U JP 7551884 U JP7551884 U JP 7551884U JP S60945 U JPS60945 U JP S60945U
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- JP
- Japan
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- conductance
- potentiometer
- contact
- photoconductive layer
- halves
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/161—Semiconductor device sensitive to radiation without a potential-jump or surface barrier, e.g. photoresistors
- H01L31/164—Optical potentiometers
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は円環状の光導電層を有する形式の本考案による
コンダクタンス−ポテンシオメータの平面図、第２図な
いし第４図は第１図の線４−４に沿う断面によりポテン
シオメータの製作段階を示す図、第５図は円形面状の光
導電層を有する形式の本考案によるコンダクタンス−ポ
テンシオメータの平面図、第６図は第５図の線６−６に
沿う断面図、第７図は光導電層に光を照射するための円
錐状光導体を示す図である。 １．２・・・・・・両端電極、３・・・・・・中間電極
、４，５・・・・・・光導電層、６． ７． ８・・・
・・・外部接続点、９・・・・・・基板、１０．１１・
・・・・・マスク、１２・・開基板、１３・・・・・・
中間電極、１４．１５・・・・・・光導電層、１６．１
７・・・・・・両端電極、１８． １９． ２０・・間
外部接続点、２１・・・・・・円錐、２２・・曲絞り、
２３・・・・・・先導体装置、２４・・・・・・発光ダ
イオード。
コンダクタンス−ポテンシオメータの平面図、第２図な
いし第４図は第１図の線４−４に沿う断面によりポテン
シオメータの製作段階を示す図、第５図は円形面状の光
導電層を有する形式の本考案によるコンダクタンス−ポ
テンシオメータの平面図、第６図は第５図の線６−６に
沿う断面図、第７図は光導電層に光を照射するための円
錐状光導体を示す図である。 １．２・・・・・・両端電極、３・・・・・・中間電極
、４，５・・・・・・光導電層、６． ７． ８・・・
・・・外部接続点、９・・・・・・基板、１０．１１・
・・・・・マスク、１２・・開基板、１３・・・・・・
中間電極、１４．１５・・・・・・光導電層、１６．１
７・・・・・・両端電極、１８． １９． ２０・・間
外部接続点、２１・・・・・・円錐、２２・・曲絞り、
２３・・・・・・先導体装置、２４・・・・・・発光ダ
イオード。
Claims (5)
- （１）２つの両端電極およびコンダクタンス分割用の１
つの中間電極を備えた無接触式コンダクタンス−ポテン
シオメータにおいて、コンダクタンス素子として光導電
層４． ５． １４． １５が用いられており、この光
導電層４． ５． １４゜１５が接触部により円形状に
郭定されかつ１つの直径の両側で２つの半部に分離され
ており、これらの半部の各々は一方の側において同心の
固定両端電極３．１３と半円形状に接触し、また他方の
側において光導電層４． ５． １４゜１５に対して同
心の２つの両端電極１．２゜１６．１７のうちの１つと
それぞれ半円形状に接触しており、また円形状に郭定さ
れた光導電層４． ５． １４． １５のうち前記の分
離直径とは別の直径による２半部の１つが光照射により
電気的に活性化されるようになっており、コンダクタン
ス分割の設定が光導電層４． ５． １４゜１５の前記
分離直径に対する被照射半部の同心回転によって行われ
、その際、前記光導電層が２つのほぼ円環状の半部４，
５から成り、これらの半部が半径方向に、円形状に郭定
された中間電極３と少なくとも接触個所においてほぼ半
円形状に郭定された２つの両端電極１．２との間に位置
することを特徴とする無接触式コンダクタンス−ポテン
シオメータ。 - （２）光導電層１４．１５が軸線方向に中間電極１３と
２つの両端電極１６．１７との間に位置しており、中間
電極１３および両端電極１６゜１７との接触面がほぼ半
円形状の面あるいは少なくともほぼ半円環状の面から成
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載
の無接触式コンダクタンス−ポテンシオメータ。 - （３）円錐状の光導体２１の頂点に光源２４が位置し、
またその円形状底面のうち１つの直径による２半部の１
つが不透光性であり、この光導体 −２１を光導
電層４． ５． １４． １５に対して同軸的に回転さ
せることによってその照射すべき半部への光照射が行わ
れるごとを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記
載の無接触式コンダクタンス−ポテンシオメータ。 - （４）円錐状の光導体２１の頂点に光源２４が位置し、
またその円形状底面に回転可能な絞り２２が設けられて
おり、この光導体２１を光導電層４、 ５． １４．
１５の上に配置し、絞り２２を光導電層４． ５． １
４． １５に対して同軸的に回転させるふとによってそ
の照射すべき半部への光照射が行われることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第１項記載の無接触式コンダ
クタンス−ポテンシオメータ。 - （５）円錐２１がアクリル・ガラスから成り、またその
開き角が２３°ある′いはそれ以下であることを特徴と
する実用新案登録請求の範囲第３項または第４項記載の
無接触式コンダクタンス−ポテンシオメータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2822502A DE2822502C3 (de) | 1978-05-23 | 1978-05-23 | Optoelektrischer einstellbarer Widerstandsteiler |
| DE28225027 | 1978-05-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60945U true JPS60945U (ja) | 1985-01-07 |
Family
ID=6040022
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6378379A Pending JPS54153267A (en) | 1978-05-23 | 1979-05-23 | Contactless conductance potentiometer |
| JP1984075518U Pending JPS60945U (ja) | 1978-05-23 | 1984-05-23 | 無接触式コンダクタンス−ポテンシオメ−タ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6378379A Pending JPS54153267A (en) | 1978-05-23 | 1979-05-23 | Contactless conductance potentiometer |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4283702A (ja) |
| EP (1) | EP0005548B1 (ja) |
| JP (2) | JPS54153267A (ja) |
| DE (1) | DE2822502C3 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4523090A (en) * | 1983-06-20 | 1985-06-11 | Wagner Warren E | Light controlled fader |
| JPH01196515A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 光電変換式回転位置検出器 |
| US5343186A (en) * | 1993-04-29 | 1994-08-30 | Sony Electronics Inc. | Variable resistor having the capacity to produce a fader start signal output |
| GB9420833D0 (en) * | 1994-10-15 | 1994-11-30 | Penny & Giles Electronic Compo | Optical potentiometer |
| GB9811708D0 (en) * | 1998-06-02 | 1998-07-29 | Conner Stephen J C | Optical potentiometer |
| DE19944025A1 (de) * | 1999-09-14 | 2001-03-15 | Siemens Ag | Veränderbarer Widerstand |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA697332A (en) * | 1964-11-10 | M. N. Hanlet Jacques | Brushless transducer | |
| US3258601A (en) * | 1966-06-28 | Photosensitive variable resistance device | ||
| FR1128919A (fr) * | 1955-01-27 | 1957-01-14 | Soc Nouvelle Outil Rbv Radio | Perfectionnements aux dispositifs d'asservissement photoélectriques |
| US3222531A (en) * | 1962-06-26 | 1965-12-07 | Honeywell Inc | Solid state junction photopotentiometer |
| FR1458148A (fr) * | 1965-04-07 | 1966-03-04 | Acova Ateliers De Construction | Perfectionnement aux cellules photo-électriques différentielles pour mesures |
| GB1426011A (en) * | 1973-01-10 | 1976-02-25 | Inst Poluprovodnikov | Photoresistive arrangements |
| FR2386111A1 (fr) * | 1977-04-01 | 1978-10-27 | Bonohm Sa | Potentiometre a curseur optique |
-
1978
- 1978-05-23 DE DE2822502A patent/DE2822502C3/de not_active Expired
-
1979
- 1979-05-10 US US06/037,825 patent/US4283702A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-05-17 EP EP79101515A patent/EP0005548B1/de not_active Expired
- 1979-05-23 JP JP6378379A patent/JPS54153267A/ja active Pending
-
1984
- 1984-05-23 JP JP1984075518U patent/JPS60945U/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2822502B2 (de) | 1980-05-29 |
| EP0005548A1 (de) | 1979-11-28 |
| JPS54153267A (en) | 1979-12-03 |
| EP0005548B1 (de) | 1981-11-25 |
| DE2822502C3 (de) | 1981-02-12 |
| DE2822502A1 (de) | 1979-11-29 |
| US4283702A (en) | 1981-08-11 |
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