JPS60798U - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents

磁気バブルメモリチツプ

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JPS60798U
JPS60798U JP7102184U JP7102184U JPS60798U JP S60798 U JPS60798 U JP S60798U JP 7102184 U JP7102184 U JP 7102184U JP 7102184 U JP7102184 U JP 7102184U JP S60798 U JPS60798 U JP S60798U
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JP
Japan
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memory chip
bubble memory
magnetic bubble
magnetic
insulating layer
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JP7102184U
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明 平野
英樹 藤原
天津　正史
博史 井上
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富士通株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は磁気バブルメモリ装置の１例の斜視図、第２図
は磁気バブルメモリチップの１例の構成図、第３図は従
来の磁気バブルメモリチップの断面図、第４図は従来の
磁気バブルメモリチップのバイアスマージンを示した線
図、第５図は本考案にかかる第１の実施例の磁気バブル
メモリチップの断面図、第６図は本考案にかかる第１の
実施例の磁気バブルメモリチップのバイアスマージンを
示した線図、第７図は第２実施例の断面図、第８図はセ
ンス出力特性図、第９図はトランスファーゲートの動作
マージンを示す線図である。 １７・・・基板、１８・・・磁性薄膜、１９・・・第１
絶縁層、２０・・・導体、２１・・・第２絶縁層、２２
゜２２ａ、２２ｂ・・・パーマロイパターン、２３・・
・調整用スペーサ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 強い一軸異方性をもつ磁性材料にて基板を形成し、その
    上に絶縁層を介して薄膜金属によりパターン形成された
    メジャーループ、マイナーループ、トランスファゲート
    等のパターンを具備した磁気ハノルメモリチップにおい
    て、前記パターンは機能別あるいはその一部を分離しそ
    れぞれのバイアスマージンが整合するように絶縁層の厚
    さを選択して形成されていることを特徴とする磁気バブ
    ルメモリチップ。
JP7102184U 1984-05-17 1984-05-17 磁気バブルメモリチツプ Expired JPS6037759Y2 (ja)

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JP7102184U JPS6037759Y2 (ja) 1984-05-17 1984-05-17 磁気バブルメモリチツプ

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JP7102184U JPS6037759Y2 (ja) 1984-05-17 1984-05-17 磁気バブルメモリチツプ

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JPS60798U true JPS60798U (ja) 1985-01-07
JPS6037759Y2 JPS6037759Y2 (ja) 1985-11-11

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ID=30201176

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JPS6037759Y2 (ja) 1985-11-11

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