JPS607704B2 - Ｎｂ↓３Ｓｎ拡散線材の製造法 - Google Patents
Ｎｂ↓３Ｓｎ拡散線材の製造法Info
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- JPS607704B2 JPS607704B2 JP56051864A JP5186481A JPS607704B2 JP S607704 B2 JPS607704 B2 JP S607704B2 JP 56051864 A JP56051864 A JP 56051864A JP 5186481 A JP5186481 A JP 5186481A JP S607704 B2 JPS607704 B2 JP S607704B2
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- Japan
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- wire
- magnetic field
- tape
- diffusion
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/28—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using solids, e.g. powders, pastes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0184—Manufacture or treatment of devices comprising intermetallic compounds of type A-15, e.g. Nb3Sn
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁界発生用の改良されたＮｂ＄ｎ拡散線材の
製造法に関する。
製造法に関する。
強磁界発生用の超電導線材としては、従来Ｎｂ−Ｔｉ系
の合金線材が用いられているが、該合金線材では発生磁
界の限度が約８方ガウス（８テスラ：虹）であり、核融
合装置などに必要な１中以上の強磁界を発生するために
は化合物系超電導体を用いる必要がある。
の合金線材が用いられているが、該合金線材では発生磁
界の限度が約８方ガウス（８テスラ：虹）であり、核融
合装置などに必要な１中以上の強磁界を発生するために
は化合物系超電導体を用いる必要がある。
Ｎｂ＄ｎ化合物はこのような要求に応える実用超電導材
料の一つとして知られている。近年、核融合炉用、高エ
ネルギー物理用、エネルギー貯蔵用等の大型強磁界マグ
ネットの製作のため、強磁界領域において大きい臨界電
流を持つ超電導線材の開発がいっそう重要になってきた
。
料の一つとして知られている。近年、核融合炉用、高エ
ネルギー物理用、エネルギー貯蔵用等の大型強磁界マグ
ネットの製作のため、強磁界領域において大きい臨界電
流を持つ超電導線材の開発がいっそう重要になってきた
。
マグネットの発生磁界を上げるためには、上部臨界磁界
Ｈｃ２を高めると共に、強磁界中の臨界電流密度ａｃを
増加させることが不可欠である。なお、ここにＪｃは実
際に磁界中で測定される臨界電流値ｌｃを超電導体の断
面積で除して求められる。Ｎｂ（ニオブ）の線またはテ
ープを加熱溶融したＳｎ（錫）格の中を通過させ、引続
いて熱処理を行なって表面にＮＱＳｎ化合物層を生成さ
せる方法は既に知られているが、この方法で作られたＮ
＆Ｓｎ化合物線材の磁界−Ｊｃ特性は１５Ｔ以上で急速
に低下し、この綾材によっては１５Ｔ以上の磁界を発生
し得る超電導マグネットを作製することが困難である。
Ｎ広Ｓｎ拡散線材では、合金元素を添加することが、そ
のＨｃ２および強磁界中でのＪｃを高めるうえに最も効
果的な方法と考えられる。本発明は従来のＮ広Ｓｎ拡散
線材の欠点を解消し、１５Ｔ以上の強磁界中での使用可
能であり、超電導特性の顕著に改良され、且つ低電導特
性も優れたＮ広Ｓｎ超電導線材の製造法を提供すること
を目的とする。
Ｈｃ２を高めると共に、強磁界中の臨界電流密度ａｃを
増加させることが不可欠である。なお、ここにＪｃは実
際に磁界中で測定される臨界電流値ｌｃを超電導体の断
面積で除して求められる。Ｎｂ（ニオブ）の線またはテ
ープを加熱溶融したＳｎ（錫）格の中を通過させ、引続
いて熱処理を行なって表面にＮＱＳｎ化合物層を生成さ
せる方法は既に知られているが、この方法で作られたＮ
＆Ｓｎ化合物線材の磁界−Ｊｃ特性は１５Ｔ以上で急速
に低下し、この綾材によっては１５Ｔ以上の磁界を発生
し得る超電導マグネットを作製することが困難である。
Ｎ広Ｓｎ拡散線材では、合金元素を添加することが、そ
のＨｃ２および強磁界中でのＪｃを高めるうえに最も効
果的な方法と考えられる。本発明は従来のＮ広Ｓｎ拡散
線材の欠点を解消し、１５Ｔ以上の強磁界中での使用可
能であり、超電導特性の顕著に改良され、且つ低電導特
性も優れたＮ広Ｓｎ超電導線材の製造法を提供すること
を目的とする。
本発明者らは研究の結果、下地線またはテープとしてＮ
ｂにＨｆを固港させたＮＧ基合金を用い、また加熱溶融
して下地線またはテープの表面から拡散させるＳｎにｌ
ｎとＡｇ，ＡそとＣｕまたはＡＺとＡｇとを固溶させた
Ｓｎ基合金を使用し、この裕中を通過させてその表面か
らＳｎ基合金を拡散させた後、熱処理を行うことによっ
て解決し得た。
ｂにＨｆを固港させたＮＧ基合金を用い、また加熱溶融
して下地線またはテープの表面から拡散させるＳｎにｌ
ｎとＡｇ，ＡそとＣｕまたはＡＺとＡｇとを固溶させた
Ｓｎ基合金を使用し、この裕中を通過させてその表面か
らＳｎ基合金を拡散させた後、熱処理を行うことによっ
て解決し得た。
この明細書中の合金中の元素含有率はすべて原子％で示
す。本発明の製造法においては、下地線またはテープと
しては、ＮｂにＨｆを０．１〜３０％固溶させたニオブ
基合金を溶製して、これを線またはテープの形に加工し
たものを用いる。
す。本発明の製造法においては、下地線またはテープと
しては、ＮｂにＨｆを０．１〜３０％固溶させたニオブ
基合金を溶製して、これを線またはテープの形に加工し
たものを用いる。
Ｎｂに園溶させたＨｆはＮＡＳｎ層の層厚をを増大させ
ると共にそのＨＣ２を大中に増加させる作用効果を奏す
る。Ｎｂ３Ｓｎ層の層厚を増大させるという効果は、線
材の臨界電流ｌｃを著しく増大させるという点で実用上
の意義が大きい。またＨｃ２を増加させるという効果は
、線材の強磁界でのｌｃおよびＪｃを著しく増加させる
。添加するＨｆ量は０．１〜３０％の範囲内であること
が好ましい。０．１％より少ない場合はＨｆの添加効が
殆んど得られず、３０％を超えるとＮｂ−Ｈｆ合金下地
の加工性が悪くなる欠点を生ずる。
ると共にそのＨＣ２を大中に増加させる作用効果を奏す
る。Ｎｂ３Ｓｎ層の層厚を増大させるという効果は、線
材の臨界電流ｌｃを著しく増大させるという点で実用上
の意義が大きい。またＨｃ２を増加させるという効果は
、線材の強磁界でのｌｃおよびＪｃを著しく増加させる
。添加するＨｆ量は０．１〜３０％の範囲内であること
が好ましい。０．１％より少ない場合はＨｆの添加効が
殆んど得られず、３０％を超えるとＮｂ−Ｈｆ合金下地
の加工性が悪くなる欠点を生ずる。
下地線またはテープの表面から拡散させるＳｎ基合金と
しては、Ｓｎに各元素の量は０．１〜７０原子％で、そ
の合計量は７０原子％を超えない範囲で、ｌｎとＡｇ，
Ａ〆とＣｕ，またはＡ夕とＡｇを含有させた錫基合金を
使用する。
しては、Ｓｎに各元素の量は０．１〜７０原子％で、そ
の合計量は７０原子％を超えない範囲で、ｌｎとＡｇ，
Ａ〆とＣｕ，またはＡ夕とＡｇを含有させた錫基合金を
使用する。
本発明の製法における大きな特徴は、Ｈｆを下地Ｎｂ‘
こ含有させると共に、Ｓｎ浴にｌｎとＡｇ，Ａ夕とＣｕ
，またはＡそとＡｇ，すなわち、前記２種の元素を同時
に含有させたものを使用する点にある。
こ含有させると共に、Ｓｎ浴にｌｎとＡｇ，Ａ夕とＣｕ
，またはＡそとＡｇ，すなわち、前記２種の元素を同時
に含有させたものを使用する点にある。
周期律表皿ｂ族元素のｌｎまたはＡそは、約１５Ｔ以上
の強磁界中でのＮｂ３Ｓｎ拡散線村のｌｃを顕著に改善
する効果を奏する。
の強磁界中でのＮｂ３Ｓｎ拡散線村のｌｃを顕著に改善
する効果を奏する。
しかしその反面討ちＳｎ拡散層の生成速度を低下させ、
しかもＮｂぶｎの結晶粒を粗大化させるために、約１３
ｒより低い低磁界中でのｌｃをかえって低下させ、約１
３〜１５Ｔの磁界領域でのｌｃもさほど増加させない。
これに対し、周期律表ｌｂ族元素のＣｕまたはＡｇは、
ＮＱＳｎ拡散層の生成速度を増加させると共に、低い熱
処理温度（６００〜９００午０）での熱処理や短時間の
熱処理によってもＮｂ３Ｓｎ層の拡散生成を４可能にす
る。
しかもＮｂぶｎの結晶粒を粗大化させるために、約１３
ｒより低い低磁界中でのｌｃをかえって低下させ、約１
３〜１５Ｔの磁界領域でのｌｃもさほど増加させない。
これに対し、周期律表ｌｂ族元素のＣｕまたはＡｇは、
ＮＱＳｎ拡散層の生成速度を増加させると共に、低い熱
処理温度（６００〜９００午０）での熱処理や短時間の
熱処理によってもＮｂ３Ｓｎ層の拡散生成を４可能にす
る。
これによって結晶粒が細かくなり、Ｊｃおよびｌｃの高
いＮｂ３Ｓｎ層の生成を可能にする。従って、Ｓｎに、
ｌｎまたはＡ夕を添加する際、ＣｕまたはＡｇも同時に
添加することによって、両者の作用効果が相助けて、は
じめて全磁界領域、特に１５Ｔ以上の強磁界中でのｌｃ
を大中に増加させることが可能となる。Ｈｆの添加は、
前記したようにＮ広Ｓｎ層の層厚を増大させ、しかも結
晶粒を細かくする。また、ｌｎおよびＡそがＮｂ３Ｓｎ
層内に拡散するのを促進する働きを持つ。従って、ｌｎ
あるいはＡそをＳｎ格に添加する際には、同時にＨｆを
下地Ｎｂに添加することが必要である。Ｓｎ俗に加える
Ｇａ、ｌｎ、またはＡそと、Ｃｕまた０はＡｇは、それ
ぞれの元素量が０．１〜７０％の範囲内にあり、合計し
ても７０％以下であることが、生成される。
いＮｂ３Ｓｎ層の生成を可能にする。従って、Ｓｎに、
ｌｎまたはＡ夕を添加する際、ＣｕまたはＡｇも同時に
添加することによって、両者の作用効果が相助けて、は
じめて全磁界領域、特に１５Ｔ以上の強磁界中でのｌｃ
を大中に増加させることが可能となる。Ｈｆの添加は、
前記したようにＮ広Ｓｎ層の層厚を増大させ、しかも結
晶粒を細かくする。また、ｌｎおよびＡそがＮｂ３Ｓｎ
層内に拡散するのを促進する働きを持つ。従って、ｌｎ
あるいはＡそをＳｎ格に添加する際には、同時にＨｆを
下地Ｎｂに添加することが必要である。Ｓｎ俗に加える
Ｇａ、ｌｎ、またはＡそと、Ｃｕまた０はＡｇは、それ
ぞれの元素量が０．１〜７０％の範囲内にあり、合計し
ても７０％以下であることが、生成される。
Ｎｂ３Ｓｎ層の特性を改善させ、またＮらＳｎ層の拡散
生成を阻害しないために望ましい。Ｓｎに加えるＡ夕、
ｌｎとＣｕまたはＡｇの量が０．１％に満夕たないとそ
の添加効果はほとんど得られず、また、それらの元素の
含有量が合計で７０％を超えるとＮｂ３Ｓｎ層の拡散生
成をかえって阻害してしまう。前記のＮｂ基合金の下地
線またはテープを、６００〜１２００ｑｏに加熱溶融し
た前記の錫基合金俗の中を通過させ、引き続いて６００
〜１２００ｑｏで１分間〜２０独特間の熱処理を行なう
ことにより、下地線またはテープの表面に連続したＮは
Ｓｎ化合物層が生成される。なお、Ｓｎ基合金格の温度
および線材の熱処理温度は、６００ｏｏ以下ではＳｎの
Ｎｑ合金下地への拡散が起こりにくく、１２００００以
上の温度ではＮはＳｎ化合物層の結晶粒が粗大化して超
電導特性を劣化させるため、６００〜１２００ｑｏの温
度範囲内で行なわれることが望ましい。本発明の方法に
より作られたＮ広Ｓｎ拡散線材は、いずれも上部臨界磁
Ｈｃ２が高く、また、強磁界中の臨界電流ｌｃおよび臨
界電流密度Ｊｃが顕著な改善を示す。
生成を阻害しないために望ましい。Ｓｎに加えるＡ夕、
ｌｎとＣｕまたはＡｇの量が０．１％に満夕たないとそ
の添加効果はほとんど得られず、また、それらの元素の
含有量が合計で７０％を超えるとＮｂ３Ｓｎ層の拡散生
成をかえって阻害してしまう。前記のＮｂ基合金の下地
線またはテープを、６００〜１２００ｑｏに加熱溶融し
た前記の錫基合金俗の中を通過させ、引き続いて６００
〜１２００ｑｏで１分間〜２０独特間の熱処理を行なう
ことにより、下地線またはテープの表面に連続したＮは
Ｓｎ化合物層が生成される。なお、Ｓｎ基合金格の温度
および線材の熱処理温度は、６００ｏｏ以下ではＳｎの
Ｎｑ合金下地への拡散が起こりにくく、１２００００以
上の温度ではＮはＳｎ化合物層の結晶粒が粗大化して超
電導特性を劣化させるため、６００〜１２００ｑｏの温
度範囲内で行なわれることが望ましい。本発明の方法に
より作られたＮ広Ｓｎ拡散線材は、いずれも上部臨界磁
Ｈｃ２が高く、また、強磁界中の臨界電流ｌｃおよび臨
界電流密度Ｊｃが顕著な改善を示す。
強磁界中のＪｃが約５×１ぴＡ／の以上であれば実用線
材として十分に使用し得るので、本発明によれば発生磁
界が１５Ｔ以上の超電導マグネット用線村を製造するこ
とが容易である。また、本発明は、ＮＱＳｎ拡散線材の
Ｊｃを強磁界中のみならず低磁界においても増加させる
ので、この線材を送電ケーブルに使用する場合にも有意
義である。ＮＱＳｎは超電導遷移温度Ｔｃが高いので超
電導送電ケーブル材料としても有望と考えられている。
本発明の方法におけるＮはＳｎ超電導線材は、下地線ま
たはテープが塑性加工に関して良好な加工性を有するの
で、その線材の製造は従来技術を用いて容易に行なえる
。また、本発明の方法により作られた線材はフラツクス
ジヤンプに対する安定化のために銅被覆または銀被覆を
することや、電磁力に対抗するために更にステンレステ
ープ等で補強されることが望ましい。実施例 純ＮｂまたＮｂ‘こ５％のＨｆを配合した素材をアルゴ
ン雰囲気中でアーク溶解炉にて溶解し、これを圧延加工
にて中３柵、厚さ０．５仇吻のテープにした。
材として十分に使用し得るので、本発明によれば発生磁
界が１５Ｔ以上の超電導マグネット用線村を製造するこ
とが容易である。また、本発明は、ＮＱＳｎ拡散線材の
Ｊｃを強磁界中のみならず低磁界においても増加させる
ので、この線材を送電ケーブルに使用する場合にも有意
義である。ＮＱＳｎは超電導遷移温度Ｔｃが高いので超
電導送電ケーブル材料としても有望と考えられている。
本発明の方法におけるＮはＳｎ超電導線材は、下地線ま
たはテープが塑性加工に関して良好な加工性を有するの
で、その線材の製造は従来技術を用いて容易に行なえる
。また、本発明の方法により作られた線材はフラツクス
ジヤンプに対する安定化のために銅被覆または銀被覆を
することや、電磁力に対抗するために更にステンレステ
ープ等で補強されることが望ましい。実施例 純ＮｂまたＮｂ‘こ５％のＨｆを配合した素材をアルゴ
ン雰囲気中でアーク溶解炉にて溶解し、これを圧延加工
にて中３柵、厚さ０．５仇吻のテープにした。
これを、第１表に示すような組成のＳｎ基合金格（約９
００℃）の中を通過させてテープの表面ＺからＳｎ基合
金を拡散させ、続いて、そのテープに真空中、９００ｑ
ｏで１時間の熱処理を施した。第１表第１図に熱処理後
の試料の断面構造を示す。
００℃）の中を通過させてテープの表面ＺからＳｎ基合
金を拡散させ、続いて、そのテープに真空中、９００ｑ
ｏで１時間の熱処理を施した。第１表第１図に熱処理後
の試料の断面構造を示す。
図中、ＡはＳｎ基合金、ＢはＮｂ基合金下地、ＣはＮＱ
Ｓｎ化合物層である。第２，３図に本実施例にる線材の
磁界中でのＨ−ｌｃ曲線（磁界−臨界電流曲線）の４．
松における測定結果を示す。第２，３図中の曲線番号と
試料との対応は第１表に示されている。また、第１表に
は１６Ｔの磁界中でのＪｃも示されている。第２，３図
から明らかなように、ＮｂにＨｆを園溶させた合金を下
地として用いた線材（３〜９）は、純Ｎｂの下地を用い
た線材（１および２）に較べてｌｃが一般に顕著に糟大
することがわかる。また、Ｓｎ基合金中に、ｌｎまたは
Ａそを含有せしめた線材、４および６は３に較べまた、
７および８は５に較べＩＭ以上でのｌｃの減少が少なく
なっていることがわかる。さらにＳｎ格にＣｕまたはＡ
ｇを添加した線材、すなわち、５は３に較べ、また、７
、はそれぞれ４，６に較べ、Ｎ広Ｓｎ層の拡散生成が促
進され、ｌｃが増加することがわかる。第１表から明ら
かなように、下地Ｎｂ中にＨｆを添加するとともにＳｎ
基合金裕中にＧａ，ｌｎまたはＡそおよびそれと同時に
ＣｕまたはＡｇを添加したもの（７〜１０）では、いず
れも１６Ｔの磁界中でのＪｃが５×１びＡ／のを大中に
上回っており、１５Ｔ以上の強磁界を発生するマグネッ
トに使用し得るものであることがわかる。
Ｓｎ化合物層である。第２，３図に本実施例にる線材の
磁界中でのＨ−ｌｃ曲線（磁界−臨界電流曲線）の４．
松における測定結果を示す。第２，３図中の曲線番号と
試料との対応は第１表に示されている。また、第１表に
は１６Ｔの磁界中でのＪｃも示されている。第２，３図
から明らかなように、ＮｂにＨｆを園溶させた合金を下
地として用いた線材（３〜９）は、純Ｎｂの下地を用い
た線材（１および２）に較べてｌｃが一般に顕著に糟大
することがわかる。また、Ｓｎ基合金中に、ｌｎまたは
Ａそを含有せしめた線材、４および６は３に較べまた、
７および８は５に較べＩＭ以上でのｌｃの減少が少なく
なっていることがわかる。さらにＳｎ格にＣｕまたはＡ
ｇを添加した線材、すなわち、５は３に較べ、また、７
、はそれぞれ４，６に較べ、Ｎ広Ｓｎ層の拡散生成が促
進され、ｌｃが増加することがわかる。第１表から明ら
かなように、下地Ｎｂ中にＨｆを添加するとともにＳｎ
基合金裕中にＧａ，ｌｎまたはＡそおよびそれと同時に
ＣｕまたはＡｇを添加したもの（７〜１０）では、いず
れも１６Ｔの磁界中でのＪｃが５×１びＡ／のを大中に
上回っており、１５Ｔ以上の強磁界を発生するマグネッ
トに使用し得るものであることがわかる。
第１図は本発明の製造法により作製したＮ広Ｓｎ拡散テ
ープの１例を横断面に示したもので、ＡはＳｎ基合金、
ＢはＮ巧基合金下地、Ｃは熱処理により生成された連続
したＮｂぶｎ化合物層を含む拡散層である。 第２図および第３図は、第１表に掲げた組成例のＮｂ３
Ｓｎ超電導線材の液体ヘリウム中（４．次）での磁界に
よる臨界電流の変化を示したものである。曲線１：Ｎ巧
基合金にＨｆを含有せず、Ｓｎ基合金のままの場合、曲
線２：Ｎｂ基合金にＨｆを含有せず、Ｓｎ基合金にＧａ
とＣｕる含有させた場合、曲線３：Ｎｂ基合金にＨｆを
５原子％含有させ、Ｓｎ基合金はそのままの場合、曲線
４：Ｎ巧基合金にＨｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金
にＧａを単独含有させた場合、曲線５：Ｎｂ基合金にＨ
ｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にＣｕを単独含有さ
せた場合、曲線６：Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有さ
せ、Ｓｎ基合金にｌｎを単独含有させた場合、曲線７：
Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にｌ
ｎとＡｇとを含有させた場合、曲線８：Ｎｂ基合金にＨ
ｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にＡ〆とＣｕを含有
させた場合、曲線９：Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有
させ、Ｓｎ基合金にＡ夕とＡｇを含有させた場合。 努１図 ※２図 券３斑
ープの１例を横断面に示したもので、ＡはＳｎ基合金、
ＢはＮ巧基合金下地、Ｃは熱処理により生成された連続
したＮｂぶｎ化合物層を含む拡散層である。 第２図および第３図は、第１表に掲げた組成例のＮｂ３
Ｓｎ超電導線材の液体ヘリウム中（４．次）での磁界に
よる臨界電流の変化を示したものである。曲線１：Ｎ巧
基合金にＨｆを含有せず、Ｓｎ基合金のままの場合、曲
線２：Ｎｂ基合金にＨｆを含有せず、Ｓｎ基合金にＧａ
とＣｕる含有させた場合、曲線３：Ｎｂ基合金にＨｆを
５原子％含有させ、Ｓｎ基合金はそのままの場合、曲線
４：Ｎ巧基合金にＨｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金
にＧａを単独含有させた場合、曲線５：Ｎｂ基合金にＨ
ｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にＣｕを単独含有さ
せた場合、曲線６：Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有さ
せ、Ｓｎ基合金にｌｎを単独含有させた場合、曲線７：
Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にｌ
ｎとＡｇとを含有させた場合、曲線８：Ｎｂ基合金にＨ
ｆを５原子％含有させ、Ｓｎ基合金にＡ〆とＣｕを含有
させた場合、曲線９：Ｎｂ基合金にＨｆを５原子％含有
させ、Ｓｎ基合金にＡ夕とＡｇを含有させた場合。 努１図 ※２図 券３斑
Claims (1)
- １ ニオブ基合金の線またはテープを６００〜１２００
℃に加熱溶融した錫基合金浴中を通過させ、引続いて６
００〜１２００℃で熱処理を行なつて表面にＮｂ＿３Ｓ
ｎ化合物層を生成させる方法において、ニオブ基合金と
してニオブに０．１〜３０原子％のハフニウムを含有せ
しめた合金を用い、錫基合金として、錫に各元素は０．
１〜７０原子％で、その合計は７０原子％を超えない範
囲で、ＩｎとＡｇ，ＡｌとＣｕ，またはＡｌとＡｇを含
有させた錫基合金を用いることを特徴とするＮｂ＿３Ｓ
ｎ拡散線材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56051864A JPS607704B2 (ja) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Ｎｂ↓３Ｓｎ拡散線材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56051864A JPS607704B2 (ja) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Ｎｂ↓３Ｓｎ拡散線材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57116770A JPS57116770A (en) | 1982-07-20 |
| JPS607704B2 true JPS607704B2 (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=12898730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56051864A Expired JPS607704B2 (ja) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Ｎｂ↓３Ｓｎ拡散線材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607704B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0543610Y2 (ja) * | 1986-02-05 | 1993-11-04 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107769A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-19 | Natl Res Inst For Metals | Manufacture of nb3 sn diffused wire |
-
1981
- 1981-04-08 JP JP56051864A patent/JPS607704B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107769A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-19 | Natl Res Inst For Metals | Manufacture of nb3 sn diffused wire |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0543610Y2 (ja) * | 1986-02-05 | 1993-11-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57116770A (en) | 1982-07-20 |
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