JPS6073407A - 膜厚モニタ - Google Patents
膜厚モニタInfo
- Publication number
- JPS6073407A JPS6073407A JP18373983A JP18373983A JPS6073407A JP S6073407 A JPS6073407 A JP S6073407A JP 18373983 A JP18373983 A JP 18373983A JP 18373983 A JP18373983 A JP 18373983A JP S6073407 A JPS6073407 A JP S6073407A
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- JP
- Japan
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- light
- thin film
- substrate
- film thickness
- reflection factor
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は試料基板上に真空中で蒸着をする等の方法にて
ｌ１Ｍを形成する際、この形成されつつある薄膜の膜厚
を光学的にモニタする装置に関する。
ｌ１Ｍを形成する際、この形成されつつある薄膜の膜厚
を光学的にモニタする装置に関する。
（従来技術）
従来、試料基板上に形成途上の膜厚をモニタする光学的
手法として単色あるいは二色光源を用いるものがあった
。すなわち薄膜形成途上の基板の光透過率（あるいは光
反射率）から膜厚の変化を追尾して、得られた光透過率
の波形によって膜厚をモニタするというものである。な
お、薄膜を得るにはその膜厚を制御することが鰻重要事
であって高信斬性かつ高精度の膜厚測定法が必要となる
。
手法として単色あるいは二色光源を用いるものがあった
。すなわち薄膜形成途上の基板の光透過率（あるいは光
反射率）から膜厚の変化を追尾して、得られた光透過率
の波形によって膜厚をモニタするというものである。な
お、薄膜を得るにはその膜厚を制御することが鰻重要事
であって高信斬性かつ高精度の膜厚測定法が必要となる
。
しかしながら、前述の方法では光源が単色あるいは二色
の光源であるがゆえ、透過光の波形特性が二種類の光波
長に対するものまでしか得られないので、精度に問題が
ある。
の光源であるがゆえ、透過光の波形特性が二種類の光波
長に対するものまでしか得られないので、精度に問題が
ある。
（発明の目的）
本発明は上記問題を解決するため、多種類の光波長を含
んだ光源の光を、表面に薄膜等形成する基板に照射する
ことによって、高精度に膜厚を測定できる膜厚モニタの
提供を目的とするものである。
んだ光源の光を、表面に薄膜等形成する基板に照射する
ことによって、高精度に膜厚を測定できる膜厚モニタの
提供を目的とするものである。
（発明の構成）
すなわち、基板へ光を照射するための多種類の光波長を
含んだ光源と、薄膜に照射されてこの薄膜を一度透過し
た後の光を波長毎に分光して光強度分布を測定する測定
手段で測定される光強度分布から膜厚に対応する実際値
を演算してモニタするようにしている。
含んだ光源と、薄膜に照射されてこの薄膜を一度透過し
た後の光を波長毎に分光して光強度分布を測定する測定
手段で測定される光強度分布から膜厚に対応する実際値
を演算してモニタするようにしている。
（実施例）
本発明の第１実施例の構成図を第１図に示す。
１は発光スペクトルの特性が太陽光と類似している白色
光源のキセノンランプ、２はキセノンランプ１の照射光
の入射角が４５°となるよう配置されて、入射光を透過
光と反射光に分けるビームスプリッタ、３はビームスプ
リッタ２で反射されたキセノンランプ１の光量を測定す
るフォトディテクタ、４はキセノンランプ１のビームス
プリッタ２を透過した光を導いて、垂直に透明な基板７
へ照射し、さらにその反射光をキャッチする光ファイバ
、５は光ファイバ４の先端に設置され、スライド可能な
反射鏡付きのシャッタ、６は内部に蒸着源９と表面に真
空蒸着を行う基板７を設けた真空チャンバ、８はシャッ
タ５を光ファイバ４へかけた状態でオフするスイッチで
あって、オフしている間光路系の分光特性測定状態にあ
る。ＩＯは光ファイバ４とビームスプリッタ２にて導か
れた反射光を分光する分光器、１１はフォトダイオ−□
ドアレイにて分光器１０で分光された光を波長毎に測
定して電気信号に変換するオプティカルマルチプルアナ
ライザ（以下ＯＭＡとする）、１２ａはＯＭＡＩＩとフ
ォトディテクタ３の電気信号をＡ／Ｄ５ｆＥ換するサン
プルアンドホールド回路、１２ｂはサンプルアンドホー
ルド回路１２ａの電気信号をクロック回路１３が発生す
るクロックによって切り換えてマイコン１２ｃへ出力す
るマルチプレクサ、１２Ｃはマイコンで、基板７に所望
の薄膜を形成した場合における理論反射率を演算し、そ
の後ＯＭＡＩＩ及びフォトディテクタ３の出力から補正
を加えた薄膜の反射率を演算して先にめた理論反射率の
許容範囲内になったら、成膜停止指示を出力するといっ
た処理を行う。１３はキセノンランプ１とマルチプレク
サ１２ｂ、そしてマイコン１２Ｇのタイミング制御をす
るクロック回路である。なおキセノンランプｌ、ビーム
スプリッタ２、フォトディテクタ３、光ファイバ４の一
端、分光ｔｌｌｏ及びＯＭＡＩＩは暗箱１４に収納され
ている。
光源のキセノンランプ、２はキセノンランプ１の照射光
の入射角が４５°となるよう配置されて、入射光を透過
光と反射光に分けるビームスプリッタ、３はビームスプ
リッタ２で反射されたキセノンランプ１の光量を測定す
るフォトディテクタ、４はキセノンランプ１のビームス
プリッタ２を透過した光を導いて、垂直に透明な基板７
へ照射し、さらにその反射光をキャッチする光ファイバ
、５は光ファイバ４の先端に設置され、スライド可能な
反射鏡付きのシャッタ、６は内部に蒸着源９と表面に真
空蒸着を行う基板７を設けた真空チャンバ、８はシャッ
タ５を光ファイバ４へかけた状態でオフするスイッチで
あって、オフしている間光路系の分光特性測定状態にあ
る。ＩＯは光ファイバ４とビームスプリッタ２にて導か
れた反射光を分光する分光器、１１はフォトダイオ−□
ドアレイにて分光器１０で分光された光を波長毎に測
定して電気信号に変換するオプティカルマルチプルアナ
ライザ（以下ＯＭＡとする）、１２ａはＯＭＡＩＩとフ
ォトディテクタ３の電気信号をＡ／Ｄ５ｆＥ換するサン
プルアンドホールド回路、１２ｂはサンプルアンドホー
ルド回路１２ａの電気信号をクロック回路１３が発生す
るクロックによって切り換えてマイコン１２ｃへ出力す
るマルチプレクサ、１２Ｃはマイコンで、基板７に所望
の薄膜を形成した場合における理論反射率を演算し、そ
の後ＯＭＡＩＩ及びフォトディテクタ３の出力から補正
を加えた薄膜の反射率を演算して先にめた理論反射率の
許容範囲内になったら、成膜停止指示を出力するといっ
た処理を行う。１３はキセノンランプ１とマルチプレク
サ１２ｂ、そしてマイコン１２Ｇのタイミング制御をす
るクロック回路である。なおキセノンランプｌ、ビーム
スプリッタ２、フォトディテクタ３、光ファイバ４の一
端、分光ｔｌｌｏ及びＯＭＡＩＩは暗箱１４に収納され
ている。
次に上記構成においてその作動を説明する。まずシャッ
タ５を光ファイバ４の先端にかけてキセノンランプ１を
発光させて、光路系の総合的な分光特性Ｄｒｅｆを測定
する。これはクロック回路１３の発するクロックでキセ
ノンランプｌが閃光し、シャッタ５で反射した光を光フ
ァイバ４を介してビームスプリンタ２で分光器１０へ入
射させる。そして分光器１０で光波長毎に分光された反
射光は、ＯＭＡＩＩにて波長ごとの分光強度Ｄｒｅｆ（
λ）を測定されて、サンプルアンドホールド回路１２
ａでＡ／Ｄ変換された後マイコン１２Ｃへ記憶される。
タ５を光ファイバ４の先端にかけてキセノンランプ１を
発光させて、光路系の総合的な分光特性Ｄｒｅｆを測定
する。これはクロック回路１３の発するクロックでキセ
ノンランプｌが閃光し、シャッタ５で反射した光を光フ
ァイバ４を介してビームスプリンタ２で分光器１０へ入
射させる。そして分光器１０で光波長毎に分光された反
射光は、ＯＭＡＩＩにて波長ごとの分光強度Ｄｒｅｆ（
λ）を測定されて、サンプルアンドホールド回路１２
ａでＡ／Ｄ変換された後マイコン１２Ｃへ記憶される。
これと同時にフォトディテクタ３で測定されたキセノン
ランプ１の閃光強度も電気信号ｐｒｅｆとしてマイコン
１２Ｃへ記ｌされる。
ランプ１の閃光強度も電気信号ｐｒｅｆとしてマイコン
１２Ｃへ記ｌされる。
（第２図（ａ））その後シャッタ５が光路系から除かれ
てスイッチ８がオンすると、キセノンランプ１発光直前
における真空チャツバ６内の蒸着源９等からの光雑音が
ＯＭＡＩＩで測定されて、Ｄ ｎｏｉｓｅ（λ）として
マイコン１２ｃに記憶される。このように測定準備が整
ってから第２図（ｂｌのタイムチャートで示すようなタ
イミングで、キセノンランプ１が閃光し、基板７に形成
されつつある薄膜で反射された反射光が分光器１０とＯ
ＭＡＩＩにて波−長毎の分光強度が測定され、Ｄｓａｍ
（λ）としてマイコン１２ｃヘインプツトされる。一方
、フォトディテクタ３による閃光強度測定値Ｐ ｓａｍ
もマイコン１２ｃヘインプツトされる。
てスイッチ８がオンすると、キセノンランプ１発光直前
における真空チャツバ６内の蒸着源９等からの光雑音が
ＯＭＡＩＩで測定されて、Ｄ ｎｏｉｓｅ（λ）として
マイコン１２ｃに記憶される。このように測定準備が整
ってから第２図（ｂｌのタイムチャートで示すようなタ
イミングで、キセノンランプ１が閃光し、基板７に形成
されつつある薄膜で反射された反射光が分光器１０とＯ
ＭＡＩＩにて波−長毎の分光強度が測定され、Ｄｓａｍ
（λ）としてマイコン１２ｃヘインプツトされる。一方
、フォトディテクタ３による閃光強度測定値Ｐ ｓａｍ
もマイコン１２ｃヘインプツトされる。
以下マイコン１２Ｃ内にて行なわれる処理を第５図のフ
ローチャートに基づいて説明する。まず基板７の屈折率
と形成しようとする薄膜の所望の膜厚及び屈折率を入力
すると、基板７が透明なガラスの場合について理論上の
反射率Ｒは以下の式にて与えられる。
ローチャートに基づいて説明する。まず基板７の屈折率
と形成しようとする薄膜の所望の膜厚及び屈折率を入力
すると、基板７が透明なガラスの場合について理論上の
反射率Ｒは以下の式にて与えられる。
ｌＲｎ ｌ＝ ｌ ｒｎ−ｒｎ−Ｉｅｘｐ （−ｉδｎ
））／（１＋ ｒ ｎ −１・ｒｎｅＸ ｐ（−ｉδｎ）） １・・・・・・・・・・・・ （１
）ただし、δ＝２π／λ （２ｎルｄｎｃＯ３θｎ）ｎ
％：第ｎ層の屈折率 ｄｎ；第ｎ層の１！厚 λ ：光の波長 θｎ：第ｎ層の出射角 ｒｎ：第ｎ層上面の振幅反射率 ｒｎｌ：第ｎ層の下面の振幅反射率 そして、与えられた計算値から第４図に示すようになる
。理論反射率Ｒは光波長毎に異なり、しかも形成される
膜厚ｄによってパターンが変化する。
））／（１＋ ｒ ｎ −１・ｒｎｅＸ ｐ（−ｉδｎ）） １・・・・・・・・・・・・ （１
）ただし、δ＝２π／λ （２ｎルｄｎｃＯ３θｎ）ｎ
％：第ｎ層の屈折率 ｄｎ；第ｎ層の１！厚 λ ：光の波長 θｎ：第ｎ層の出射角 ｒｎ：第ｎ層上面の振幅反射率 ｒｎｌ：第ｎ層の下面の振幅反射率 そして、与えられた計算値から第４図に示すようになる
。理論反射率Ｒは光波長毎に異なり、しかも形成される
膜厚ｄによってパターンが変化する。
その次に光路系における波長毎の分光特性Ｄ ｒｅｆ（
λ）と閃光強度Ｐｒｅｆ、さらに真空チャンバ６内の光
雑音Ｄｎｏｉｓｅ（λ）がわかってから、薄膜からの分
光強度ｐｓａｍ（λ）とその時のキセノンランプ１の閃
光強度Ｐｓａｍが入力されると、実測反射率Ｒｓの演算
がなされる。この演算はまずキセノンランプ１の閃光ご
との補正と光雑音の補正を行い、 Ｄ（λ） ＝ （（Ｄｓａｍ （λ） −Ｄｎｏｉｓｅ
（λ））ＸＰｒｅｆ ／Ｐｓａｍ ） ／Ｄｒｅｆ
（λ）・・・・・・・・・ （２） の式にて補正分光強度Ｄ（λ）が演算される。ところで
第３図に示すようにキセノンランプｌの光が発光量１ｏ
（λ）で入射し波長λの光に対する反射光量１ｓａｍ（
λ）があると、基板７表面の反射率がｒならば薄膜の実
測反射率Ｒｓは次式で表わされる。
λ）と閃光強度Ｐｒｅｆ、さらに真空チャンバ６内の光
雑音Ｄｎｏｉｓｅ（λ）がわかってから、薄膜からの分
光強度ｐｓａｍ（λ）とその時のキセノンランプ１の閃
光強度Ｐｓａｍが入力されると、実測反射率Ｒｓの演算
がなされる。この演算はまずキセノンランプ１の閃光ご
との補正と光雑音の補正を行い、 Ｄ（λ） ＝ （（Ｄｓａｍ （λ） −Ｄｎｏｉｓｅ
（λ））ＸＰｒｅｆ ／Ｐｓａｍ ） ／Ｄｒｅｆ
（λ）・・・・・・・・・ （２） の式にて補正分光強度Ｄ（λ）が演算される。ところで
第３図に示すようにキセノンランプｌの光が発光量１ｏ
（λ）で入射し波長λの光に対する反射光量１ｓａｍ（
λ）があると、基板７表面の反射率がｒならば薄膜の実
測反射率Ｒｓは次式で表わされる。
Ｒｓ （λ） ＝ （Ｉｓａｍ （λ）−ｒ−Ｉｏ（λ
））／（Ｉｏ（λ）−２ｒ・Ｉｏ（λ）＋ ｔｌｓａｍ （λ））・・・・・・・・・・・・・・・
（３）一方（２）式のＤ（λ）はＩｓａｍ （λ）／
ｌｏ（λ）であるため、（３）式は以下の（４）式にて
書き換えられる。
））／（Ｉｏ（λ）−２ｒ・Ｉｏ（λ）＋ ｔｌｓａｍ （λ））・・・・・・・・・・・・・・・
（３）一方（２）式のＤ（λ）はＩｓａｍ （λ）／
ｌｏ（λ）であるため、（３）式は以下の（４）式にて
書き換えられる。
Ｒｓ（λ） ＝ （Ｄ （λ） −ｒ） ／ （１−ｒ
（２−Ｄ （λ））） ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ （４）以上の順序で実測反射率Ｒｓが演算
されたら、（１１式の理論反射率Ｒと波長毎に比較をす
る。（４）式で算出される実測反射率Ｒｓは補正が加え
られているとはいえ、測定誤差が出て理論反射率Ｒと完
全に一致するとは限らない。よって判定ステ・ノブでは
波長ごとの理論反射率Ｒと実測反射率Ｒ’ｓの差の平方
Ｓが任意の微小−εの平方以下、あるいは平方Ｓが最小
になった時点で成膜スト・ノブ指示を出力すれば所望の
膜厚の薄膜を形成した基板７が得られる。
（２−Ｄ （λ））） ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ （４）以上の順序で実測反射率Ｒｓが演算
されたら、（１１式の理論反射率Ｒと波長毎に比較をす
る。（４）式で算出される実測反射率Ｒｓは補正が加え
られているとはいえ、測定誤差が出て理論反射率Ｒと完
全に一致するとは限らない。よって判定ステ・ノブでは
波長ごとの理論反射率Ｒと実測反射率Ｒ’ｓの差の平方
Ｓが任意の微小−εの平方以下、あるいは平方Ｓが最小
になった時点で成膜スト・ノブ指示を出力すれば所望の
膜厚の薄膜を形成した基板７が得られる。
次に本発明の第２実施例について述べる。上述の第１実
施例では光源に閃光光源であるキセノンランプ１を用い
たが、第２実施例では連続光源を用いる。その構成を第
６図に示す。第１の実施例と異なる点は白色光源１ａの
前に光学シャッター１５を置いた点で、第１の実施例で
クロック回路１３から白色光源１に出ていた信号は光学
シャ・２タ一駆動回路１６に入っている。こうして連続
な白色光源１ａは閃光光源と等価にできる。
施例では光源に閃光光源であるキセノンランプ１を用い
たが、第２実施例では連続光源を用いる。その構成を第
６図に示す。第１の実施例と異なる点は白色光源１ａの
前に光学シャッター１５を置いた点で、第１の実施例で
クロック回路１３から白色光源１に出ていた信号は光学
シャ・２タ一駆動回路１６に入っている。こうして連続
な白色光源１ａは閃光光源と等価にできる。
次に本発明の第３実施例について述べる。第１゜２の実
施例では試料からの反射光を用いたが、第３の実施例で
は透過光を測定することで膜厚をめる。構成を第７図に
示す。第１実施例と異なるのは光路系の分光特性Ｄｒｅ
ｆを測定する時である。まず薄膜を基板７上に形成する
以前の何もついていない基板の透過分光特性Ｄｒｅｆを
測定しておく。ここで光源の発光量をＪＯ１基板７表面
での反射率をｒ１サンプルからの透過光量をＪＳａＩｌ
ｌとすると試料膜の透過率Ｔｓは Ｔｓ＝Ｉ Ｒ＝ （（１−ｒ） Ｉｓａｍ）／ （Ｉｏ
＋ｒ （ｔｏ −Ｉｓａｍ） ） ＝ （（１−ｒ）Ｄ） ／ （１＋ｒ （１−Ｄ））・
・・・・・・・・・・・ （５） となる。また理論透過率Ｔは次式で示される。
施例では試料からの反射光を用いたが、第３の実施例で
は透過光を測定することで膜厚をめる。構成を第７図に
示す。第１実施例と異なるのは光路系の分光特性Ｄｒｅ
ｆを測定する時である。まず薄膜を基板７上に形成する
以前の何もついていない基板の透過分光特性Ｄｒｅｆを
測定しておく。ここで光源の発光量をＪＯ１基板７表面
での反射率をｒ１サンプルからの透過光量をＪＳａＩｌ
ｌとすると試料膜の透過率Ｔｓは Ｔｓ＝Ｉ Ｒ＝ （（１−ｒ） Ｉｓａｍ）／ （Ｉｏ
＋ｒ （ｔｏ −Ｉｓａｍ） ） ＝ （（１−ｒ）Ｄ） ／ （１＋ｒ （１−Ｄ））・
・・・・・・・・・・・ （５） となる。また理論透過率Ｔは次式で示される。
・・・・・・・・・・・・ （６）
こうして、（５１，（６１式から理論透過率Ｔと実測透
過率Ｔｓの差の平方和ＳＴが任意の微小値εの平方以下
になったら成膜ストップすればよい。この第３実施例で
は光路系中に反射鋺をもつシャッタ５が不要になってい
る。゛ （発明の効果） 以上述べたように本発明によれば、表面に薄膜等形成す
る基板へ照射する光に多種類の光波長を含んだ光源を使
用し、基板へ照射して一度この薄膜を透過した後の光を
光波長毎に分光して光強度を測定して膜厚に対応する実
際値を演算することによって、種類の測定要素から膜厚
に対応する実際値を演算できるから、細部にわたって高
精度に膜厚をモニタできるという優れた効果がある。
過率Ｔｓの差の平方和ＳＴが任意の微小値εの平方以下
になったら成膜ストップすればよい。この第３実施例で
は光路系中に反射鋺をもつシャッタ５が不要になってい
る。゛ （発明の効果） 以上述べたように本発明によれば、表面に薄膜等形成す
る基板へ照射する光に多種類の光波長を含んだ光源を使
用し、基板へ照射して一度この薄膜を透過した後の光を
光波長毎に分光して光強度を測定して膜厚に対応する実
際値を演算することによって、種類の測定要素から膜厚
に対応する実際値を演算できるから、細部にわたって高
精度に膜厚をモニタできるという優れた効果がある。
第１図は本発明の第１実施例を示す構成図、第２図は本
発明の処理手順を示すタイムチャート、第３図は光の反
射の説明図、第４図は光波長と理論反射率の特性図、第
５図はマイコンの作動を説明する演算流れ図、第６図は
本発明の第２実施例の構成図、第７図は本発明の第３実
施例の構成図である。 １・・・キセノンランプ、２・・・ビームスプリ・νり
、３・・・フォトディテクタ、４・・・光ファイツマ、
５・・・シャッタ、７・・・基板、９・・・蒸着源、１
０・・・分光器、１１・・・オプティカルマルチプルア
ナライザ、１２Ｃ・・・マイコン。゛ 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 ４ 第２図 （ｄ） 第３図 第４図 ０・２０．４０．６ ０．８７・０１２１４１６羞−１
（ｃμｍ） 第５図 第６図
発明の処理手順を示すタイムチャート、第３図は光の反
射の説明図、第４図は光波長と理論反射率の特性図、第
５図はマイコンの作動を説明する演算流れ図、第６図は
本発明の第２実施例の構成図、第７図は本発明の第３実
施例の構成図である。 １・・・キセノンランプ、２・・・ビームスプリ・νり
、３・・・フォトディテクタ、４・・・光ファイツマ、
５・・・シャッタ、７・・・基板、９・・・蒸着源、１
０・・・分光器、１１・・・オプティカルマルチプルア
ナライザ、１２Ｃ・・・マイコン。゛ 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 ４ 第２図 （ｄ） 第３図 第４図 ０・２０．４０．６ ０．８７・０１２１４１６羞−１
（ｃμｍ） 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１表面に薄膜等を形成する基板へ光を照射する多種
類の光波長を含んだ光源と、 前記薄膜を一度透過した後の光を波長毎に分光して、光
強度分布を測定する測定手段と、前記測定手段にて測定
される光の波長ごとの光強度分布から前記膜厚に対応す
る実際値を演算してモニタする手段とを設けたことを特
徴とする膜厚モニタ。 （２）前記薄膜を一度透過した後の光とは、前記薄膜を
一度透過してこの光の入射側へ反射する反射光であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜厚モニタ
。 （３）前記薄膜を一度透過した後の光とは、前記薄膜を
一度透過してこの光が入射したのと反対側へ透過した透
過光であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の膜厚モニタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373983A JPS6073407A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 膜厚モニタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373983A JPS6073407A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 膜厚モニタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073407A true JPS6073407A (ja) | 1985-04-25 |
Family
ID=16141124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18373983A Pending JPS6073407A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 膜厚モニタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073407A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165103A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
| JPS62201304A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
| JPH0224502A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法 |
| JPH03237304A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Anelva Corp | 薄膜作製装置 |
| JPH0666524A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-03-08 | Hughes Aircraft Co | 変形した形状及び部分的に変化した傾斜を有する薄膜層上の薄膜層の厚みを計測学的に処理するための装置及びその方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18373983A patent/JPS6073407A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165103A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
| JPS62201304A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
| JPH0224502A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法 |
| JPH03237304A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Anelva Corp | 薄膜作製装置 |
| JPH0666524A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-03-08 | Hughes Aircraft Co | 変形した形状及び部分的に変化した傾斜を有する薄膜層上の薄膜層の厚みを計測学的に処理するための装置及びその方法 |
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