JPS6067654U - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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Publication number
JPS6067654U
JPS6067654U JP16000883U JP16000883U JPS6067654U JP S6067654 U JPS6067654 U JP S6067654U JP 16000883 U JP16000883 U JP 16000883U JP 16000883 U JP16000883 U JP 16000883U JP S6067654 U JPS6067654 U JP S6067654U
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JP
Japan
Prior art keywords
voltage
chamber
ion implanter
airtight chamber
ion implantation
Prior art date
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Pending
Application number
JP16000883U
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English (en)
Inventor
長徳 谷信
山本 泰博
Original Assignee
日新電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP16000883U priority Critical patent/JPS6067654U/ja
Publication of JPS6067654U publication Critical patent/JPS6067654U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のイオン注入装置の要部を示す要部説明縦
断面図、第2図はこの考案に係るイオン注入装置の一実
施例を示す第1図相当図である。 7・・・・・・イオン注入装置、8・・・・・・気密室
、9・・・・・・高電圧室、10・・・・・・絶縁架台
体、11・・・・・・S F sガス。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. X線を遮蔽する気密室内に、イオン源を高電圧下に置く
    高電圧室と、この高電圧室を気密室の内周壁面と空間を
    介して支持する絶縁支持体とを備え、気密室内に、前記
    空間絶縁用の六フッ化イオウガスを封入してなるイオン
    注入装置。
JP16000883U 1983-10-14 1983-10-14 イオン注入装置 Pending JPS6067654U (ja)

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JP16000883U JPS6067654U (ja) 1983-10-14 1983-10-14 イオン注入装置

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JP16000883U JPS6067654U (ja) 1983-10-14 1983-10-14 イオン注入装置

Publications (1)

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JPS6067654U true JPS6067654U (ja) 1985-05-14

Family

ID=30352065

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JP16000883U Pending JPS6067654U (ja) 1983-10-14 1983-10-14 イオン注入装置

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JP (1) JPS6067654U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009532826A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオン注入システムのターミナル構造体のための絶縁体系

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009532826A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオン注入システムのターミナル構造体のための絶縁体系

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