JPS6059922A - 電気回路システム - Google Patents
電気回路システムInfo
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- JPS6059922A JPS6059922A JP59172329A JP17232984A JPS6059922A JP S6059922 A JPS6059922 A JP S6059922A JP 59172329 A JP59172329 A JP 59172329A JP 17232984 A JP17232984 A JP 17232984A JP S6059922 A JPS6059922 A JP S6059922A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/22—Arrangements for supervision, monitoring or testing
- H04M3/26—Arrangements for supervision, monitoring or testing with means for applying test signals or for measuring
- H04M3/28—Automatic routine testing ; Fault testing; Installation testing; Test methods, test equipment or test arrangements therefor
- H04M3/30—Automatic routine testing ; Fault testing; Installation testing; Test methods, test equipment or test arrangements therefor for subscriber's lines, for the local loop
- H04M3/301—Circuit arrangements at the subscriber's side of the line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、PTCまたはNTCデバイスを有して成る電
気回路に関する。
気回路に関する。
[従来技術]
電導性ポリマー組成物(正温度係数(PCT)、零温度
係数(ZTC)または負温度係数(N T、 c )挙
動を示す組成物を包含する。)およびこれらを含んで成
る電気器具(PTCエレメントを有する回路制御デバイ
スを包含する。)は既知である。例えば、米国特許第2
,952,761.2,978゜665.3,243,
753.3..351,882.3.571,777.
3..75’7,086.3,793.716.3.8
23;217.3,858,144.3,8e+、o2
9.4,017,715.4゜072、L48.4.1
”17,312.4,177゜446.4,188.2
’76.4,237,441.4、.242.57’3
.4,246,468.4,250.400.4,25
5,698.4,271,350.4.2’72.47
1..4,304,987.4゜309.596.4.
’309,597.4.314,230.4.315,
237.4,317,027.4゜318.881、な
らびに4,330,704号;J 、 Applied
Polymer 5cience上9 813−8
I 5 (+ 975)、 Klason and K
ubat; Polymer Engjneerin’
g and 5cience上8 649−653(1
978)、 Narkis et alH西独国特許公
開公報第2.63’4.999.2,755,077.
2.746,602.2,755,076ならびに2゜
821.799号;欧州特許出願第38,718.38
.715.38,718.38,713.38゜714
ならびに38.7+6.英国特許出願第2゜076、+
06A号、および米国特許出願第184 、647 (
Lutz)、250,491(Jacobs et a
l) 273 、525 (Walty)、274 、
O] 0(Waity et al)、272.854
(SteWartetal)、300.709 (va
n Konynenburg et al)、369゜
309 (Midgley etal)ならびに380
.400(K amath)号を参照されたい。セラミ
ックPTC材料、例えばドーピングされたヂタン酸バリ
ウムを含んで成る回路保護デバイスも既知である。例え
ば、Proceedings of the Elec
tronic Comp。
係数(ZTC)または負温度係数(N T、 c )挙
動を示す組成物を包含する。)およびこれらを含んで成
る電気器具(PTCエレメントを有する回路制御デバイ
スを包含する。)は既知である。例えば、米国特許第2
,952,761.2,978゜665.3,243,
753.3..351,882.3.571,777.
3..75’7,086.3,793.716.3.8
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237.4,317,027.4゜318.881、な
らびに4,330,704号;J 、 Applied
Polymer 5cience上9 813−8
I 5 (+ 975)、 Klason and K
ubat; Polymer Engjneerin’
g and 5cience上8 649−653(1
978)、 Narkis et alH西独国特許公
開公報第2.63’4.999.2,755,077.
2.746,602.2,755,076ならびに2゜
821.799号;欧州特許出願第38,718.38
.715.38,718.38,713.38゜714
ならびに38.7+6.英国特許出願第2゜076、+
06A号、および米国特許出願第184 、647 (
Lutz)、250,491(Jacobs et a
l) 273 、525 (Walty)、274 、
O] 0(Waity et al)、272.854
(SteWartetal)、300.709 (va
n Konynenburg et al)、369゜
309 (Midgley etal)ならびに380
.400(K amath)号を参照されたい。セラミ
ックPTC材料、例えばドーピングされたヂタン酸バリ
ウムを含んで成る回路保護デバイスも既知である。例え
ば、Proceedings of the Elec
tronic Comp。
nents Conference、1971 におけ
るR、F。
るR、F。
B Iachaによる“The PTCRe5isto
r”なるタイトルの報文を参照されたい。
r”なるタイトルの報文を参照されたい。
[発明の構成]
本発明者らは、負荷をしゃ断または駆動するPTCまた
はNTCデバイスを利用した新しい方法を見い出した。
はNTCデバイスを利用した新しい方法を見い出した。
新しいシステムは、(+)PTCまたNTCエレメント
を有して成る感温デバイス、(2)感温デバイスと直列
の負荷、および(3)感温デバイスおよび負荷と並列の
制御デバイスを有して成る。制御デバイスは、その電気
的または物理的環境を変化させることによって、その抵
抗が(無限であってよい)高い値から(実質的に零であ
ってよい)低い値へ変化し得るデバイス(例えば、ダイ
オード、トライアツク(triac)、ザイリスタ、P
TCデバイスまたはNT’Cデバイス)である。
を有して成る感温デバイス、(2)感温デバイスと直列
の負荷、および(3)感温デバイスおよび負荷と並列の
制御デバイスを有して成る。制御デバイスは、その電気
的または物理的環境を変化させることによって、その抵
抗が(無限であってよい)高い値から(実質的に零であ
ってよい)低い値へ変化し得るデバイス(例えば、ダイ
オード、トライアツク(triac)、ザイリスタ、P
TCデバイスまたはNT’Cデバイス)である。
本明細書において、「抵抗jなる用語はインピーダ・ノ
ブ本句会す7、−涌當撞程冬i日:下で 龜)威池デバ
イスが低抵抗を有し、制御デバイスが高抵抗を有し、よ
って負荷が活性化するように、または(b)感温デバイ
スが高抵抗を存し、制御デバイスが低抵抗を有し、よっ
て負荷がしゃ断するように、システムは電源に接続され
る。電源(例えば、寸法または方向)、または制御デバ
イスの物理的環境(例えば、温度)の適切な変化によっ
て、感温デバイスおよび制御デバイスの比抵抗は逆にな
り、よって負荷をしゃ断または活性化する。このシステ
ムは、例えば試験のために、例えば電話回路の脚に連続
的回路を保持しながら、遠隔にある負荷、例えば電話を
分離または活性化するのに特に有用である。
ブ本句会す7、−涌當撞程冬i日:下で 龜)威池デバ
イスが低抵抗を有し、制御デバイスが高抵抗を有し、よ
って負荷が活性化するように、または(b)感温デバイ
スが高抵抗を存し、制御デバイスが低抵抗を有し、よっ
て負荷がしゃ断するように、システムは電源に接続され
る。電源(例えば、寸法または方向)、または制御デバ
イスの物理的環境(例えば、温度)の適切な変化によっ
て、感温デバイスおよび制御デバイスの比抵抗は逆にな
り、よって負荷をしゃ断または活性化する。このシステ
ムは、例えば試験のために、例えば電話回路の脚に連続
的回路を保持しながら、遠隔にある負荷、例えば電話を
分離または活性化するのに特に有用である。
1つの要旨によれば、本発明は、(+)PTCエレメン
トまたはNTCエレメントを有して成る感温デバイス; (2)感温デバイスと直列である負荷:(3)(a)感
温デバイスおよび負荷と並列であり、(b)比較的高レ
ベルから比較的低レベルへ、または比較的低レベルから
比較的高レベルへ充電され得る抵抗を有する 制御デバイス を有して成る電気回路であり、感温デバイス、負荷およ
び制御デバイスは電源に接続でき、(A)2つの安定な
状態、即ち (a)制御デバイスの抵抗が該比較的高レベルにあり、
感温デバイスの抵抗より実質的に高く、感温デバイスが
低抵抗状態にある第1状態、および(b)制御デバイス
の抵抗が該比較的低レベルにあり、感温デバイスの抵抗
より実質的に低く、感温デバイスが高抵抗状態にある第
2状態のうちの1つの状態をとり、 (B)システムの電源を変えること、または制御デバイ
スの物理的環境を変えること、またはこれら両方によっ
て第1状態と第2状態との間を変換し得る 電気システムを形成することを特徴とする電気回路を提
供する。
トまたはNTCエレメントを有して成る感温デバイス; (2)感温デバイスと直列である負荷:(3)(a)感
温デバイスおよび負荷と並列であり、(b)比較的高レ
ベルから比較的低レベルへ、または比較的低レベルから
比較的高レベルへ充電され得る抵抗を有する 制御デバイス を有して成る電気回路であり、感温デバイス、負荷およ
び制御デバイスは電源に接続でき、(A)2つの安定な
状態、即ち (a)制御デバイスの抵抗が該比較的高レベルにあり、
感温デバイスの抵抗より実質的に高く、感温デバイスが
低抵抗状態にある第1状態、および(b)制御デバイス
の抵抗が該比較的低レベルにあり、感温デバイスの抵抗
より実質的に低く、感温デバイスが高抵抗状態にある第
2状態のうちの1つの状態をとり、 (B)システムの電源を変えること、または制御デバイ
スの物理的環境を変えること、またはこれら両方によっ
て第1状態と第2状態との間を変換し得る 電気システムを形成することを特徴とする電気回路を提
供する。
別の要旨によれば、本発明は、交換機から遠隔位置にあ
る通信装置の接続を遠隔的に切る方法であって、通信シ
ステムの役割を果たす装置は、(AXI)通信装置: (2)交換機におけるDCN源: (3)Ti源と通信装置とを接続する一対のワイヤ。
る通信装置の接続を遠隔的に切る方法であって、通信シ
ステムの役割を果たす装置は、(AXI)通信装置: (2)交換機におけるDCN源: (3)Ti源と通信装置とを接続する一対のワイヤ。
(4)該一対のワイヤの1本において装置と直列であり
、該遠隔位置にある第1 PTCデバイス。
、該遠隔位置にある第1 PTCデバイス。
(5)該一対のワイヤの他方において装置と直列であり
、該遠隔位置にある第2PTCデバイス;(6)該遠隔
位置にあり、装置および第1ならびに第2PTCデバイ
スと並列であり、一方向にのみ直流を通し、該電源から
電流が流れないように接続されている制御デバイス;お
よび(7)該遠隔位置にあり、制御デバイスと直列、装
置および第1ならびに第2PTCデバイスと並列であり
、第1ならびに第2PTCデバイスと熱的に接触する抵
抗体 を有して成り、 (BXa)制御デバイスおよびそれと直列の抵抗体を電
流が全く流れず、(b)第1ならびに第2PTCデバイ
スが低温低抵抗状態にある第1安定状態の通常作動条件
において、 (1)該電源を切り:お、j:び (2)逆極性の別の電源を挿入し、それによって該抵抗
体に電流を流し、抵抗体の発熱■2Rによる熱にj−っ
て第1ならびに第2PTC抵抗体を高温高抵抗状態に変
換し、電流が装置を実質的に全く流れない第2安定状態
にシステムを到達させることを特徴とする方法を提供す
る。
、該遠隔位置にある第2PTCデバイス;(6)該遠隔
位置にあり、装置および第1ならびに第2PTCデバイ
スと並列であり、一方向にのみ直流を通し、該電源から
電流が流れないように接続されている制御デバイス;お
よび(7)該遠隔位置にあり、制御デバイスと直列、装
置および第1ならびに第2PTCデバイスと並列であり
、第1ならびに第2PTCデバイスと熱的に接触する抵
抗体 を有して成り、 (BXa)制御デバイスおよびそれと直列の抵抗体を電
流が全く流れず、(b)第1ならびに第2PTCデバイ
スが低温低抵抗状態にある第1安定状態の通常作動条件
において、 (1)該電源を切り:お、j:び (2)逆極性の別の電源を挿入し、それによって該抵抗
体に電流を流し、抵抗体の発熱■2Rによる熱にj−っ
て第1ならびに第2PTC抵抗体を高温高抵抗状態に変
換し、電流が装置を実質的に全く流れない第2安定状態
にシステムを到達させることを特徴とする方法を提供す
る。
新規電気システムは、電源および/または制御デバイス
の物理的環境を適切に変化させることによって第1安定
状態と第2安定状態との間を変換し?守る。システムが
第1状態?こある場合、システムは第2状態へ変換でき
、次いで第2状態へ戻り得る。一般に、システムは、シ
ステムが第1または第2状態にある通常作動状態(第1
状態がより通常である。)、および他の状態にある異常
状態、例えば故障または試験状態を有する。いくつかの
場合、制御デバイスの電気的ならびに物理的環境が初め
の状態に戻るのを単に許容することによって1つの状態
から他の状態への変化が逆転し、他の場合、異なった変
化または続いての変化が必要になる。例えば、感l@P
TCデバイスを、「ラッチされた」高温高抵抗状態に変
換する場合、PTCデバイスの接続を完全に切り、P、
TCデバイスを冷却し、次いで電源をP’T Cデバイ
スを再接続する必要がある。
の物理的環境を適切に変化させることによって第1安定
状態と第2安定状態との間を変換し?守る。システムが
第1状態?こある場合、システムは第2状態へ変換でき
、次いで第2状態へ戻り得る。一般に、システムは、シ
ステムが第1または第2状態にある通常作動状態(第1
状態がより通常である。)、および他の状態にある異常
状態、例えば故障または試験状態を有する。いくつかの
場合、制御デバイスの電気的ならびに物理的環境が初め
の状態に戻るのを単に許容することによって1つの状態
から他の状態への変化が逆転し、他の場合、異なった変
化または続いての変化が必要になる。例えば、感l@P
TCデバイスを、「ラッチされた」高温高抵抗状態に変
換する場合、PTCデバイスの接続を完全に切り、P、
TCデバイスを冷却し、次いで電源をP’T Cデバイ
スを再接続する必要がある。
もちろん、制御デバイスは、1つの安定な状態から他の
状態ヘシステムを変化させる電気的または物理的状態に
おける変化に感応するように選択されるべきである。広
い意味において、「システムにおいて電源を変化させる
」という語は、(a)第1電源の接続をしゃ断すること
、および第り電源と電圧、極性(直流のみ)、周波数、
アンペアもしくは相(交流のみ)、またはこれらの2つ
もしくはそれ以上において異なっている第2電源へ接続
すること、例えば直流電源を、逆極性でより高電圧の別
の直流電源に切換えること、および(b)第1電源?こ
加えて第2電源(これは、直接接続された電源、または
誘導された電源であってよい。)を導入すること、例え
ば(1)例えば60ボルトまでの直流電源によって通常
に電力供給されているシステムへの主電圧(例えば、交
流110.220または440ポルト)の不慮または故
意の導入、または(ii)その抵抗がバイアス手段(例
えば、トライアック(triac)へ供給されている信
号に依存する制御デバイスのバイアス手段への新規な電
気信号の導入(または存在する信号の改良)を包含して
用いられる。
状態ヘシステムを変化させる電気的または物理的状態に
おける変化に感応するように選択されるべきである。広
い意味において、「システムにおいて電源を変化させる
」という語は、(a)第1電源の接続をしゃ断すること
、および第り電源と電圧、極性(直流のみ)、周波数、
アンペアもしくは相(交流のみ)、またはこれらの2つ
もしくはそれ以上において異なっている第2電源へ接続
すること、例えば直流電源を、逆極性でより高電圧の別
の直流電源に切換えること、および(b)第1電源?こ
加えて第2電源(これは、直接接続された電源、または
誘導された電源であってよい。)を導入すること、例え
ば(1)例えば60ボルトまでの直流電源によって通常
に電力供給されているシステムへの主電圧(例えば、交
流110.220または440ポルト)の不慮または故
意の導入、または(ii)その抵抗がバイアス手段(例
えば、トライアック(triac)へ供給されている信
号に依存する制御デバイスのバイアス手段への新規な電
気信号の導入(または存在する信号の改良)を包含して
用いられる。
システムとは、電源または制御デバイスの物理的環境を
変化させることによって第1状態と第2状態との間を変
換し得るものとして定義される。
変化させることによって第1状態と第2状態との間を変
換し得るものとして定義される。
よって本発明は、制御デノ′<イスに対して同じ効果を
有するが電源の変化を包含しないシステムの改良(例え
゛ば、制御デバイスへ適用された電圧を非常に増加させ
る大きな抵抗の短絡)によって変化が生じるシステムを
包含する。
有するが電源の変化を包含しないシステムの改良(例え
゛ば、制御デバイスへ適用された電圧を非常に増加させ
る大きな抵抗の短絡)によって変化が生じるシステムを
包含する。
「制御デバイスの物理的環境を変化させる」という語は
、広い意味において用いられ、例えば、デバイスの温度
、デバイスに及ぼされる圧力、デバイスの(回転速度を
包含する)速度またはデバイス周囲の電気的もしくは磁
気的領域における変化を包含する。
、広い意味において用いられ、例えば、デバイスの温度
、デバイスに及ぼされる圧力、デバイスの(回転速度を
包含する)速度またはデバイス周囲の電気的もしくは磁
気的領域における変化を包含する。
本発明において特に有用な制御デバイスは、ダイオード
、ツェナーダイオード、トランジスタ、トライアック、
サイリスク、NTCデバイス、PTCデバイス、コンデ
ンサー、インダクタ、自動力のないスイッチおよび回転
式スイッチを包含する。「制御デバイス」という用語は
、所望電気特性を宵する2つまたはそれ以上の要素(例
えば、特徴的な共振振動数を有し、直列であるコンデン
サーおよびインダクタンス)を包含する。
、ツェナーダイオード、トランジスタ、トライアック、
サイリスク、NTCデバイス、PTCデバイス、コンデ
ンサー、インダクタ、自動力のないスイッチおよび回転
式スイッチを包含する。「制御デバイス」という用語は
、所望電気特性を宵する2つまたはそれ以上の要素(例
えば、特徴的な共振振動数を有し、直列であるコンデン
サーおよびインダクタンス)を包含する。
本発明において用いられる感温デバイスは、PTCまた
はNTCエレメントを有する。一般に、デバイスは、P
TCエレメントを有し、PTC挙動を示し、よってシス
テムが第1安定状態にあり、かつ負荷が活性化する場合
に低温低抵抗状態にあるPTCデバイスである。PTC
エレメントが導電性ポリマー組成物から出来ていること
は好ましいが、セラミックPTC材料を用いてもよい。
はNTCエレメントを有する。一般に、デバイスは、P
TCエレメントを有し、PTC挙動を示し、よってシス
テムが第1安定状態にあり、かつ負荷が活性化する場合
に低温低抵抗状態にあるPTCデバイスである。PTC
エレメントが導電性ポリマー組成物から出来ていること
は好ましいが、セラミックPTC材料を用いてもよい。
感温P T Cデバイスは、その抵抗がシステム中の電
源の適切な変化または制御デバイスの物理的環境の適切
な変化によって減少し得る種々の制御デバイスとともに
用いることができる。変化は、制御デバイス抵抗の減少
およびPTCデバイス抵抗の増加を同時に生じさせるも
のであってよい。例えば、−態様において、制御デバイ
スは電源電圧の適切な増加がサイリスクを絶縁破壊し、
更に、P’ TCデバイスを流れる電流の増加によって
サイリスクを高温高抵抗状態へ変換させるようなサイリ
スクである。別態様において、制御デバイスはNTCデ
バイスであり、I)TCデバイスおよびNTCデバイス
の周囲温度の適切な増加によってシステムは第1安定状
聾から第2安定状態へ変化する。
源の適切な変化または制御デバイスの物理的環境の適切
な変化によって減少し得る種々の制御デバイスとともに
用いることができる。変化は、制御デバイス抵抗の減少
およびPTCデバイス抵抗の増加を同時に生じさせるも
のであってよい。例えば、−態様において、制御デバイ
スは電源電圧の適切な増加がサイリスクを絶縁破壊し、
更に、P’ TCデバイスを流れる電流の増加によって
サイリスクを高温高抵抗状態へ変換させるようなサイリ
スクである。別態様において、制御デバイスはNTCデ
バイスであり、I)TCデバイスおよびNTCデバイス
の周囲温度の適切な増加によってシステムは第1安定状
聾から第2安定状態へ変化する。
しかも、多くの場合、制御デバイスと直列に(かつPT
Cデバイスおよび負荷と並列に)、かつPTCデバイス
七熱灼熱的触させて抵抗子を設置することは有用である
。よって、制御デバイスが低抵抗状態に変換し、電流(
または増加した電流)が抵抗体を流れる場合、抵抗体の
抵抗加熱は、PTCデバイスの高温高抵抗状態への変換
を生しさせるかまたは助ける。抵抗体は固有抵抗を有し
てよく、またはPTC挙動を示してもよい。初めに抵抗
体を流れ、かなり低くてよい電流および電源を変えるこ
とによって第1状態から第2状態へシステムを変換する
場合、PTC抵抗体の使用は好ましい。PTC抵抗体を
用いる場合、PTC抵抗体が熱的に接続するPTCデバ
イスより高い。例えば、10〜150℃高いスイッチン
グ温度を有することは好ましい。
Cデバイスおよび負荷と並列に)、かつPTCデバイス
七熱灼熱的触させて抵抗子を設置することは有用である
。よって、制御デバイスが低抵抗状態に変換し、電流(
または増加した電流)が抵抗体を流れる場合、抵抗体の
抵抗加熱は、PTCデバイスの高温高抵抗状態への変換
を生しさせるかまたは助ける。抵抗体は固有抵抗を有し
てよく、またはPTC挙動を示してもよい。初めに抵抗
体を流れ、かなり低くてよい電流および電源を変えるこ
とによって第1状態から第2状態へシステムを変換する
場合、PTC抵抗体の使用は好ましい。PTC抵抗体を
用いる場合、PTC抵抗体が熱的に接続するPTCデバ
イスより高い。例えば、10〜150℃高いスイッチン
グ温度を有することは好ましい。
2つまたはそれ以上の感温デバイスは負荷と直列(かつ
制御デバイスと並列)であってよく、抵抗体が感温デバ
イスと直列である場合、1つまたはそれ以上の、好まし
くは全ての感温デバイスは抵抗体と熱的に接触し得る。
制御デバイスと並列)であってよく、抵抗体が感温デバ
イスと直列である場合、1つまたはそれ以上の、好まし
くは全ての感温デバイスは抵抗体と熱的に接触し得る。
システムが第1状態にある場合に、負荷へつながる回路
の2本脚がつりあうべきシステムにおいて、負荷のどち
らかの側面における1つの感温デバイスの使用は好まし
い。
の2本脚がつりあうべきシステムにおいて、負荷のどち
らかの側面における1つの感温デバイスの使用は好まし
い。
例えば、本発明の好ましい態様のように、新規回路が通
信システムの一部である(よって負荷が電話機または通
信装置の他の部分である)場合、通常作動条件で均合っ
た回路を保持するため、回路の1本の脚が感温PTCデ
バイスを包含し、回路の他の脚が、通常作動条件でPT
Cデバイス、好ましくは少なくとも通常作動条件でPT
Cデバイスと電気的に同じである第2PTCデバイスと
同じ抵抗を有する別の抵抗体を包含することは好ましい
。
信システムの一部である(よって負荷が電話機または通
信装置の他の部分である)場合、通常作動条件で均合っ
た回路を保持するため、回路の1本の脚が感温PTCデ
バイスを包含し、回路の他の脚が、通常作動条件でPT
Cデバイス、好ましくは少なくとも通常作動条件でPT
Cデバイスと電気的に同じである第2PTCデバイスと
同じ抵抗を有する別の抵抗体を包含することは好ましい
。
本発明の回路において負荷は、一般に抵抗負荷であるが
、全体的または部分的に誘導性または容量性負荷であっ
てよい。
、全体的または部分的に誘導性または容量性負荷であっ
てよい。
システムが第1安定状態から第2安定状態へ変換する場
合、制御デバイスの抵抗は、少なくともJO1好ましく
は少なくとも100の縮率で一般1こ減少する。システ
ムが第1安定状態がら第2安定状態へ変換する場合、1
つの(または複数の)#、温デバイスは、少なくとも1
0.好ましくは少なくとも100倍率で一般に増加する
。第1安定状態において、制御デバイスの抵抗は感温デ
バイスの抵抗の一般に少なくとも10倍、好ましくは少
なくとt)100倍であり、負荷を流れる電流は制御デ
バイスを流れる電流の一般に少なくと610倍、好まし
くは少なくとも100倍である。第2安定状態において
、感温デバイスの抵抗は制御デバイスの抵抗の一般に少
なくとも10倍、好ましくは少なくとも100倍であり
、制御デバイスを流れる電流は負荷を流れる電流の一般
に少なくとも10倍、好ましくは少なくとも100倍で
ある。
合、制御デバイスの抵抗は、少なくともJO1好ましく
は少なくとも100の縮率で一般1こ減少する。システ
ムが第1安定状態がら第2安定状態へ変換する場合、1
つの(または複数の)#、温デバイスは、少なくとも1
0.好ましくは少なくとも100倍率で一般に増加する
。第1安定状態において、制御デバイスの抵抗は感温デ
バイスの抵抗の一般に少なくとも10倍、好ましくは少
なくとt)100倍であり、負荷を流れる電流は制御デ
バイスを流れる電流の一般に少なくと610倍、好まし
くは少なくとも100倍である。第2安定状態において
、感温デバイスの抵抗は制御デバイスの抵抗の一般に少
なくとも10倍、好ましくは少なくとも100倍であり
、制御デバイスを流れる電流は負荷を流れる電流の一般
に少なくとも10倍、好ましくは少なくとも100倍で
ある。
添付図面を参照して、本発明を更に詳しく説明する。添
付図面の各図は本発明の電気回路を示すものである。各
図において、回路それ自体中の矢印は、回路が第1状態
にある場合の電流を示し、隣接する点線の矢印は、回路
が第2状態にある場合の電流を示す。各回路は、制御デ
バイスl、感温デバイス2、電源3および負荷Rを有し
て成し る。第2.3.5および6図?こは、17!IIデバイ
スと直列である抵抗体4が存在する。図示していないが
、通常、電源は他の要素から物理的に遠く離れて存在す
る。
付図面の各図は本発明の電気回路を示すものである。各
図において、回路それ自体中の矢印は、回路が第1状態
にある場合の電流を示し、隣接する点線の矢印は、回路
が第2状態にある場合の電流を示す。各回路は、制御デ
バイスl、感温デバイス2、電源3および負荷Rを有し
て成し る。第2.3.5および6図?こは、17!IIデバイ
スと直列である抵抗体4が存在する。図示していないが
、通常、電源は他の要素から物理的に遠く離れて存在す
る。
第1図を参照すると、制御デバイス1はガス放電デユー
プであり、感温デバイス2はNTcデバイスである。通
常作動条件下、システムは第1安定状態にあり、通常電
源の電圧は低すぎるので放電チューブを絶縁破壊できず
、NTcデバイス2を流れる電流は十分に高く、NTc
デバイス2を高温低抵抗状態に保つ。通常電源を実質的
により高電圧の第2電源に交換した場合、ガス放電チュ
ーブは絶縁破壊かつ電導し、NTcデバイスを流れる電
流は、NTcデバイスが低温高抵抗状態に変換するよう
に低下する。次いでシステムは、負荷Rを流れる電流が
非常に低い第2安定状態に到達する。この種の回路の一
例において、負荷は抵抗約50Ωの装置の一部であり、
通常ii源は交流約50Vであり、第2電源は、交流約
200Vであり、ガス放電チューブは第2状態において
端子間電圧的1vのアーク放電チューブであり、NTc
デバイスは第1状態において約IΩおよび第2状態にお
いて約l000Ωの抵抗を存する電導性ポリマーデバイ
スである。要すれば、抵抗体を電源と直列に設けてもよ
い。
プであり、感温デバイス2はNTcデバイスである。通
常作動条件下、システムは第1安定状態にあり、通常電
源の電圧は低すぎるので放電チューブを絶縁破壊できず
、NTcデバイス2を流れる電流は十分に高く、NTc
デバイス2を高温低抵抗状態に保つ。通常電源を実質的
により高電圧の第2電源に交換した場合、ガス放電チュ
ーブは絶縁破壊かつ電導し、NTcデバイスを流れる電
流は、NTcデバイスが低温高抵抗状態に変換するよう
に低下する。次いでシステムは、負荷Rを流れる電流が
非常に低い第2安定状態に到達する。この種の回路の一
例において、負荷は抵抗約50Ωの装置の一部であり、
通常ii源は交流約50Vであり、第2電源は、交流約
200Vであり、ガス放電チューブは第2状態において
端子間電圧的1vのアーク放電チューブであり、NTc
デバイスは第1状態において約IΩおよび第2状態にお
いて約l000Ωの抵抗を存する電導性ポリマーデバイ
スである。要すれば、抵抗体を電源と直列に設けてもよ
い。
第2図を参照すると、制御デバイス1は一方向にのみ直
流を流すダイオードであり、感温デバイス2はPTCデ
バイスであり、ダイオードと直列であり、かつPTCデ
バイス2と熱的に接触する固定抵抗子がある。システム
が第1状態にある通常作動条件下で、通常電源は、電流
がダイオードを全く流れないような直流極性を有し、P
TCデバイスを流れる電流が高抵抗状態にPTCデバイ
スを変換するのに不充分であるような電圧を有する。通
常電源を、逆極性の第2直流電源に交換する場合、電流
はダイオードおよび抵抗体4を流れ、抵抗体4は、I’
Rで加熱される。抵抗体4がらPTCデバイス2への熱
移動によってPTCデバイスは高抵抗状態へ変換する。
流を流すダイオードであり、感温デバイス2はPTCデ
バイスであり、ダイオードと直列であり、かつPTCデ
バイス2と熱的に接触する固定抵抗子がある。システム
が第1状態にある通常作動条件下で、通常電源は、電流
がダイオードを全く流れないような直流極性を有し、P
TCデバイスを流れる電流が高抵抗状態にPTCデバイ
スを変換するのに不充分であるような電圧を有する。通
常電源を、逆極性の第2直流電源に交換する場合、電流
はダイオードおよび抵抗体4を流れ、抵抗体4は、I’
Rで加熱される。抵抗体4がらPTCデバイス2への熱
移動によってPTCデバイスは高抵抗状態へ変換する。
次いでシステムは、R,を流れる電流が非常に低い第2
状態に到達する。この種の回路の一例において、負荷は
抵抗約50Ωの装置の一部分であり、通常電源は一極性
の直流約50Vであり、第2電源は逆極性の直流約50
Vであり、固定抵抗子4の抵抗は約1000Ωであり、
PTCデバイス2は第1伏茜において約0.1Ωおよび
第2状態において約100,000Ωの抵抗を有する電
導性ポリマーデバイスである。
状態に到達する。この種の回路の一例において、負荷は
抵抗約50Ωの装置の一部分であり、通常電源は一極性
の直流約50Vであり、第2電源は逆極性の直流約50
Vであり、固定抵抗子4の抵抗は約1000Ωであり、
PTCデバイス2は第1伏茜において約0.1Ωおよび
第2状態において約100,000Ωの抵抗を有する電
導性ポリマーデバイスである。
第3図に示されているシステムは、Rと直列である2つ
の同じPTCデバイスが存在する以外は第2図のシステ
ムと同じであり、第2電源が接続される場合に両方のP
TCデバイスが抵抗体4から熱移動によって加熱され、
高抵抗状態へ変換する以外は第2図と同様に作動する。
の同じPTCデバイスが存在する以外は第2図のシステ
ムと同じであり、第2電源が接続される場合に両方のP
TCデバイスが抵抗体4から熱移動によって加熱され、
高抵抗状態へ変換する以外は第2図と同様に作動する。
このシステであり、この装置は、交換機で電源を変える
ことによって遠隔的に接続を切ることができるので、電
話線は電話機と無関係に試験できる。そのような試験は
第2N源を用いて実施でき、または該試験のために第2
電源に代えて第3電源を使用できる。第3電源を用いる
場合、PTCデバイスを高抵抗状態に保つ必要はない。
ことによって遠隔的に接続を切ることができるので、電
話線は電話機と無関係に試験できる。そのような試験は
第2N源を用いて実施でき、または該試験のために第2
電源に代えて第3電源を使用できる。第3電源を用いる
場合、PTCデバイスを高抵抗状態に保つ必要はない。
PTCデバイスが冷却して低抵抗状態になるまで有限の
遅延があり、その遅延の間、電話装置が分離しているか
らである。よって、開路状態において試験を実施する場
合、試験のため、少なくとも遅延の間に第1電源を同じ
極性の直流電源(または第1電源自体)を用いることが
可能である。更にPTCデバイスが高抵抗状態にラッチ
されており、ラッチされた状態にPTCデバイスを保つ
に十分である(第2状態においてPTCデバイスを流れ
る電流より小さくてよい)PTCデバイスを流れる電流
が第3電源によって発生する場合、負荷は効果的に分離
された状態を保つ。
遅延があり、その遅延の間、電話装置が分離しているか
らである。よって、開路状態において試験を実施する場
合、試験のため、少なくとも遅延の間に第1電源を同じ
極性の直流電源(または第1電源自体)を用いることが
可能である。更にPTCデバイスが高抵抗状態にラッチ
されており、ラッチされた状態にPTCデバイスを保つ
に十分である(第2状態においてPTCデバイスを流れ
る電流より小さくてよい)PTCデバイスを流れる電流
が第3電源によって発生する場合、負荷は効果的に分離
された状態を保つ。
第4図を参照すると、制御デバイス1はPTC抵抗体で
あり、感温デバイス2はNTC抵抗体である。通常作動
条件下でシステムは第2安定状態にあり、PTCならび
にNTC抵抗体の周囲温度は、PTC抵抗子が低抵抗を
有しNTC抵抗体が高抵抗を有するような温度である。
あり、感温デバイス2はNTC抵抗体である。通常作動
条件下でシステムは第2安定状態にあり、PTCならび
にNTC抵抗体の周囲温度は、PTC抵抗子が低抵抗を
有しNTC抵抗体が高抵抗を有するような温度である。
周囲温度を上昇させると、PTC抵抗子は高抵抗状態へ
変換し、NTC抵抗体は低抵抗状態へ変換し、システム
は第1安定状態に到達する。この種の回路の一例におい
て、負荷は抵抗的+00Ωの装置の一部分であり、電源
は交流または直流約50Vであり、PTC抵抗体は第1
状態において抵抗的100.000Ωおよび第2状態に
おいて抵抗的0.1Ωを有する電導性ポリマーデバイス
であり、NTC抵抗体は第1状態において抵抗的lΩお
よび第2状態において抵抗的1000Ωを有する電導性
ポリマーデバイスである。
変換し、NTC抵抗体は低抵抗状態へ変換し、システム
は第1安定状態に到達する。この種の回路の一例におい
て、負荷は抵抗的+00Ωの装置の一部分であり、電源
は交流または直流約50Vであり、PTC抵抗体は第1
状態において抵抗的100.000Ωおよび第2状態に
おいて抵抗的0.1Ωを有する電導性ポリマーデバイス
であり、NTC抵抗体は第1状態において抵抗的lΩお
よび第2状態において抵抗的1000Ωを有する電導性
ポリマーデバイスである。
第5図を参照すると、電源から負荷への流路において不
均合がある場合に電源から負荷への接続を切る回路が示
されている。制御デバイスはトライアック1であり、そ
れぞれPTCデバイスである2つの感温デバイス2があ
り、トライアック1と直列でありPTCデバイス2それ
ぞれと熱的に接触するPTC抵抗体4がある。PTCデ
バイス2のスイッチング温度はPTC抵抗体4のスイッ
チング温度より低い。システムは、負荷Rへつながる流
路10ならびに11を包囲し、かつ流路が均合っていな
い場合に信号を発生する従来設計のトロイドループ5を
も存する。この信号はトライアック1 のゲート上にある増幅器6を流れ、流路10ならびに1
1において(例えば、接地欠陥によって生じた)不均合
がある場合にそのトリアツク1を開状態にする。よって
、流路lOならびに11が均合う場合、トライアック1
は閉状態にあり、システムは第1安定状態にある。しか
し、流路か不均合になる場合、トライアックIは開状態
にあり、PTC抵抗体4へ電流を流し、抵抗体4の発熱
■2Rによる熱はPTCデバイスへ移動し、PTCデバ
イスを高抵抗状態にする。次でシステムは第2安定状態
に到達する。この種の回路の一例において、負荷は抵抗
的10Ωの装置の一部分であり、電源は交流または直流
約1+5Vであり、PTCデバイス2はスイッチング温
度約100℃、第1状態において抵抗的0,05Ωおよ
び第2状態において抵抗的100,000Ωを有する電
導性ポリマーデバイスであり、PTCデバイス4はスイ
ッチング温度約125℃、第1状聾において抵抗的IΩ
お3にび第2状態において抵抗的100,000Ωを有
する電導性ポリマーデバイスである。
均合がある場合に電源から負荷への接続を切る回路が示
されている。制御デバイスはトライアック1であり、そ
れぞれPTCデバイスである2つの感温デバイス2があ
り、トライアック1と直列でありPTCデバイス2それ
ぞれと熱的に接触するPTC抵抗体4がある。PTCデ
バイス2のスイッチング温度はPTC抵抗体4のスイッ
チング温度より低い。システムは、負荷Rへつながる流
路10ならびに11を包囲し、かつ流路が均合っていな
い場合に信号を発生する従来設計のトロイドループ5を
も存する。この信号はトライアック1 のゲート上にある増幅器6を流れ、流路10ならびに1
1において(例えば、接地欠陥によって生じた)不均合
がある場合にそのトリアツク1を開状態にする。よって
、流路lOならびに11が均合う場合、トライアック1
は閉状態にあり、システムは第1安定状態にある。しか
し、流路か不均合になる場合、トライアックIは開状態
にあり、PTC抵抗体4へ電流を流し、抵抗体4の発熱
■2Rによる熱はPTCデバイスへ移動し、PTCデバ
イスを高抵抗状態にする。次でシステムは第2安定状態
に到達する。この種の回路の一例において、負荷は抵抗
的10Ωの装置の一部分であり、電源は交流または直流
約1+5Vであり、PTCデバイス2はスイッチング温
度約100℃、第1状態において抵抗的0,05Ωおよ
び第2状態において抵抗的100,000Ωを有する電
導性ポリマーデバイスであり、PTCデバイス4はスイ
ッチング温度約125℃、第1状聾において抵抗的IΩ
お3にび第2状態において抵抗的100,000Ωを有
する電導性ポリマーデバイスである。
第6図を参照すると、制御デバイス1はこれと直列であ
る誘導子IAならびにコンデンサ−IBを有して成る直
列共振デバイスであり、感温デバイスはPTCデバイス
であり、制御デバイスと直列でありPTCデバイス2と
熱的に一体となっている固定抵抗子4かある。PTCデ
バイスが低温低抵抗状態になるような直流電圧を電源が
有する場合、システムは第1状態にある。デバイスlの
共振周波数と一致する周波数の交流電圧が直流電源に加
えて印加される場合、電流が抵抗体4を流れ、抵抗体4
はI2R発熱によって加熱される。
る誘導子IAならびにコンデンサ−IBを有して成る直
列共振デバイスであり、感温デバイスはPTCデバイス
であり、制御デバイスと直列でありPTCデバイス2と
熱的に一体となっている固定抵抗子4かある。PTCデ
バイスが低温低抵抗状態になるような直流電圧を電源が
有する場合、システムは第1状態にある。デバイスlの
共振周波数と一致する周波数の交流電圧が直流電源に加
えて印加される場合、電流が抵抗体4を流れ、抵抗体4
はI2R発熱によって加熱される。
抵抗体4からPTCデバイス2への熱移動によってPT
Cデバイス2は高抵抗状態へ変換する。次いでシステム
は、Rを流れる電流が非常に低いし 第2状態に到達する。第6図に示すシステムにおいて、
制御デバイスIと抵抗体4との間に増幅器を設置できる
。矢印で示すように、第6図のシステムにおいて複数の
LC回路を加えることができる。I、C回路は種々の共
振周波数を有する。この場合、種々のLC回路における
1つまたはそれ以上の負荷全ては、適切な周波数の1つ
またはそれ以」二の交流電圧を更に印加することによっ
て接続できまたは接続を切ることができる。
Cデバイス2は高抵抗状態へ変換する。次いでシステム
は、Rを流れる電流が非常に低いし 第2状態に到達する。第6図に示すシステムにおいて、
制御デバイスIと抵抗体4との間に増幅器を設置できる
。矢印で示すように、第6図のシステムにおいて複数の
LC回路を加えることができる。I、C回路は種々の共
振周波数を有する。この場合、種々のLC回路における
1つまたはそれ以上の負荷全ては、適切な周波数の1つ
またはそれ以」二の交流電圧を更に印加することによっ
て接続できまたは接続を切ることができる。
第1図ないし6図は、それぞれ本発明の電気回路の実施
例を示す図である。 ■・・・制御デバイス、2・・感温デバイス、3 電源
、4・・抵抗体、5 ・トロイドル〜ブ、6 増幅器、
10.I!・・・流路、IA・・・誘導子、IB・・コ
特許出噺人 レイケム・コーポ1ノインヨン代理人弁理
士 前出 葆外2名 図面の浄書(内容に変更なし) Fig・2・ 〜・3・ 手続補正書(自発) 昭和59年9月27日 昭和59年特許願第 172329 号2発明の名称 電気回路システム 3、補正をする考 事件との関係 特許出願人 住所 アメリカ合衆国94025 カリフォルニア、メ
ンロパーク、コンヌチチューション・ドライブ300番 名称 レイケム・コーポレイション 4、代理人 「内容に変更なし」
例を示す図である。 ■・・・制御デバイス、2・・感温デバイス、3 電源
、4・・抵抗体、5 ・トロイドル〜ブ、6 増幅器、
10.I!・・・流路、IA・・・誘導子、IB・・コ
特許出噺人 レイケム・コーポ1ノインヨン代理人弁理
士 前出 葆外2名 図面の浄書(内容に変更なし) Fig・2・ 〜・3・ 手続補正書(自発) 昭和59年9月27日 昭和59年特許願第 172329 号2発明の名称 電気回路システム 3、補正をする考 事件との関係 特許出願人 住所 アメリカ合衆国94025 カリフォルニア、メ
ンロパーク、コンヌチチューション・ドライブ300番 名称 レイケム・コーポレイション 4、代理人 「内容に変更なし」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(+)PTCエレメントまたはNTCエレメントを
有して成る感温デバイス; (2)感温デバイスと直列である負荷。 (38a)感温デバイスおよび負荷と並列であり、(b
)比較的高レベルから比較的低レベルへ、または比較的
低レベルから比較的高レベルへ充電され得る抵抗を有す
る 制御デバイス を有して成る電気回路であり、感温デバイス、負荷およ
び制御デバイスは電源に接続でき、(A)2つの安定な
状態、即ち (a)制御デバイスの抵抗が該比較的高レベルにあり、
感温デバイスの抵抗より実質的に高く、感温デバイスが
低抵抗状態にある第1状態、および(b)制御デバイス
の抵抗が該比較的低レベルにあり、感温デバイスの抵抗
より実質的に低く、感温デバイスが高抵抗状態にある第
2状態のうちの1つの状態をとり、 (B)システムの電源を変えること、または制御デバイ
スの物理的環境を変えること、またはこれら両方によっ
て第1状態と第2状態との間を変換し得る 電気システムを形成することを特徴とする電気回路。 2、感温デバイスは電導性粒子か分散しノこポリマーを
含んで成るPTCエレメントを有して成るPTCデバイ
スである特許請求の範囲第1項記載の回路。 3 制御デバイスと直列であり、PTCデバイスおよび
負荷と並列であり、PTCデバイスと熱的に接触してい
る抵抗体を有して成る回路であって、これによって第1
状態から第2状態へのシステムの変換時、抵抗体の抵抗
発熱がPTCデ)<イスの高温高抵抗状部への変換を生
じさせるかまたは助1することを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の回路。 42つのPTCデバイスを有して成る回路であって、P
TCデバイスそれぞれは負荷と直列であり、制御デバイ
スおよび抵抗体と並列であり、抵抗体と熱的に接触し゛
ており、負荷は2つのPTCデバイスの間にあることを
特徴とする特許請求の範囲第3項記載の回路。 5、通信システムの一部である回路であって、(i)負
荷は通信装置を有して成り: (ii)システムが第1
状態にある時、PTCデバイスは実質的に電気的に同じ
であり; (iii) 1つのPTCデバイスはシステ
ムの1本の脚の中にあり、他のPTCデバイスはシステ
ムの他の脚の中にあり;および(1v)制御デバイスお
よびPTCデバイスは通信装置に物理的に接近している
ことを特徴とする特許請求の範囲第4瑣に記載の回路。 6、制御デバイスは一方向にのみ直流を通過させ、回路
は電流糸制御デバイスを全く流れないような極性の直流
電源を包含し、回路はそれによって第1安定状態にあり
、電源を逆極性の第2直流電源に交換することによって
第2安定状態に変換できることを特徴とする特許請求の
範囲第1〜5項のいずれかに記載の回路。 7、制御デバイスはその抵抗が、デバイスのバイアス手
段へ供給される電気信号に依存するデバイスであり、そ
れによって回路は、デバイスへ供給される信号を変える
と第1状態と第2状態との間を変換することを特徴とす
る特許請求の範囲第1〜5項のいずれかに記載の回路。 8、制御デバイスは高電圧より低電圧に対して実質的に
高い抵抗を有し、それによって回路は、デバイスへの電
圧を増加させると第1状態と第2状態との間を変換する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1〜5項いずれかに
記載の回路。 9、第1および第2脚を有する通信システムである回路
であって、 (i)負荷は通信装置を含んで成り、および(ii)感
温デバイスは回路の第1脚にある第1PTCデバイスお
よび回路の第2脚にある第2PTCデバイスを有して成
り、回路が第1状態にある場合、PTCデバイスは通信
装置と接近しており、実質的に電気的に同じであり、P
TCデバイスそれぞれは負荷と直列、制御デバイスと並
列であり;回路は、制御デバイスと直列、PTCデバイ
スおよび負荷と並列で、PTCデバイスと熱的に接触す
る抵抗体を有して成り;それによって第1状態から第2
状態への回路の変換時、抵抗体の抵抗発熱がPTCデバ
イスの高温高抵抗状態への変換を生じさせるかまたは助
けることを特徴とする特許請求の範囲第1〜8項のいず
れかに記載の回路。 10 交換機から遠隔位置にある通信装置の接続を遠隔
的に切る方法であって、通信システムの役割を果たす装
置は、 (AXE)通信装置; (2)交換機におけるDC電源; (3)電源と通信装置とを接続する一対のワイヤ。 (4)該一対ノワイヤの1本において装置と直列であり
、該遠隔位置にある第1 PTCデバイス:(5)該一
対のワイヤの他方において装置と直列であり、該遠隔位
置にある第2PTCデバイス:(6)該遠隔位置にあり
、装置および第1ならびに第2PTCデバイスと並列で
あり、一方向にのみ直流を通し、該電源から電流が流れ
ないように接続されている制御デバイス:および(7)
該遠隔位置にあり、制御デバイスと直列、装置および第
1ならびに第2PTCデバイスと並列であり、第1なら
びに第2PTCデバイスと熱的に接触する抵抗体 を有1.て成り、 (BXa)制御デバイスおよびそれと直列の抵抗体を電
流が全く流れず、(b)第1ならびに第2PTCデバイ
スが低温低抵抗状態にある第1安定状態の通常作動条件
において、 (1)該電源を切り;および (2)逆極性の別の電源を挿入し、それによって該抵抗
体に電流を流し、抵抗体の発熱1’Hによる熱によって
第1ならびに第2PTC抵抗体を高温高抵抗状態に変換
し、電流が装置を実質的に全く流れない第2安定状態に
システムを到達させることを特徴とする特許
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/524,482 US4562313A (en) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | Electrical systems comprising temperature-sensitive devices |
US524482 | 1983-08-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6059922A true JPS6059922A (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=24089389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59172329A Pending JPS6059922A (ja) | 1983-08-18 | 1984-08-17 | 電気回路システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4562313A (ja) |
EP (1) | EP0134145A3 (ja) |
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