JPS6059916B2 - Method for producing 1,2-disilylalkene compound - Google Patents

Method for producing 1,2-disilylalkene compound

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JPS6059916B2
JPS6059916B2 JP52154203A JP15420377A JPS6059916B2 JP S6059916 B2 JPS6059916 B2 JP S6059916B2 JP 52154203 A JP52154203 A JP 52154203A JP 15420377 A JP15420377 A JP 15420377A JP S6059916 B2 JPS6059916 B2 JP S6059916B2
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disilanes
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acetylene compound
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浜夫 渡辺
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、1申2ージシリルアルケン化合物、すなわち
炭素一炭素二重結合の両側にシリル基のついたアルケン
化合物の製造方法に関し、ジシラン類のケイ素−ケイ素
結合の間に炭素一炭素二重結合を挿入する方法に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a mono-disilyl alkene compound, that is, an alkene compound having silyl groups on both sides of a carbon-carbon double bond. The present invention relates to a method of inserting a carbon-carbon double bond between carbon-carbon double bonds.

直接法によつてメチルクロロシラン類を合成する際に副
生する高沸点留分は、主としてメチルクロロジシラン類
、特に3〜4個の塩素原子を含むジシラン類から成り、
直接これを有効に利用する道は限られていた。
The high-boiling fraction produced as a by-product when synthesizing methylchlorosilanes by the direct method mainly consists of methylchlorodisilanes, especially disilanes containing 3 to 4 chlorine atoms,
There were limited ways to directly utilize this effectively.

そこで、従来これらのジシラン類を反応せしめて、工業
的に有用な有機ケイ素化合物に変換する方法が数多く研
究されてきた。その主要なものとしては、1アミン、ア
ンモニウム塩、ホスホニウム塩、または遷移金属錯体な
どの存在下に、これらのジシラン類を塩化水素またはハ
ロゲン化炭化水素と反応させて、ヒドロシラン類や各種
の炭化水素置換シラン類を得る方法、2アルコキシ化し
たジシラン類をアセチレン誘導体と400〜450℃の
高温で反応させて、アルケニルシラン類を得る方法であ
る。しかし、1、2とも、目的とするヒドロシラン、ア
ルケニルシランなどとして利用し得るのは、ジシラン類
のケイ素原子の半分に過ぎず、特に4官能性ジシラン類
を出発物質とする場合は、工業的に利用度の低いメチル
トリクロロシランやメチルトリアルコキシシランを大量
に生ずるという欠点がある。また、1の場合は反応の制
御がむずかしく、その多くは高圧反応装置を必要とする
。2の場合はすべて高圧反応装置中でなされ、かつ高温
で反応せしめる必.要があり、やはり反応の制御がむず
かしいという問題がある。
Therefore, many studies have been conducted on methods of reacting these disilanes to convert them into industrially useful organosilicon compounds. The main method is to react these disilanes with hydrogen chloride or halogenated hydrocarbons in the presence of amines, ammonium salts, phosphonium salts, or transition metal complexes to produce hydrosilanes and various hydrocarbons. A method for obtaining substituted silanes is a method for obtaining alkenylsilanes by reacting di-alkoxylated disilanes with an acetylene derivative at a high temperature of 400 to 450°C. However, for both 1 and 2, only half of the silicon atoms in disilanes can be used as the desired hydrosilane, alkenylsilane, etc., and especially when tetrafunctional disilanes are used as a starting material, industrially It has the disadvantage of producing large amounts of methyltrichlorosilane and methyltrialkoxysilane, which are of low utilization. In addition, in case 1, it is difficult to control the reaction, and most of them require a high-pressure reactor. In case 2, all reactions must be carried out in a high-pressure reactor and at high temperatures. However, there is a problem in that it is difficult to control the reaction.

一方、ビニルシラン類以外の炭素一炭素脂肪族二重結合
を有するシラン誘導体の合成には、次のような方法が知
られている。
On the other hand, the following method is known for synthesizing silane derivatives having a carbon-carbon aliphatic double bond other than vinylsilanes.

すなわち、1アルケ.ニル有機金属試薬とハロシラン類
との反応、2アセチレンとクロロシラン類をマグネシウ
ム−ヘキサメチルホスホリックトリアミド中で反応させ
る方法、8アルコキシジシラン類とアセチレン化合物を
高温で反応させる方法、4塩化白金酸などの−触媒の存
在下にアセチレン化合物をヒドロシリル化する方法であ
る。しかし、1の方法はアルケニル有機金属試薬の合成
が困難であり、2の方法では限定されたタイプのアルケ
ニルシラン類しか得られず、3の方法では400〜45
(代)という高温を必要とし、かつ反応の制御が困難で
あり、4の方法は全般に収率が低いうえに副反応を伴う
場合が多いという、いくたの問題点がある。本発明は、
ジシラン類とアセチレン化合物を、テトラキス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウムを触媒として用い、おだ
やかな反応条件、すなわち比較的低い温度で反応させて
、収率よく1・2ージシリルアルケン化合物を製造する
方法を提”供するものである。
That is, 1 arche. Reactions between organic metal reagents and halosilanes, methods for reacting 2-acetylene and chlorosilanes in magnesium-hexamethylphosphoric triamide, methods for reacting 8-alkoxydisilanes and acetylene compounds at high temperatures, tetrachloroplatinic acid, etc. - This is a method of hydrosilylating an acetylene compound in the presence of a catalyst. However, method 1 makes it difficult to synthesize alkenyl organometallic reagents, method 2 yields only limited types of alkenylsilanes, and method 3 yields 400 to 45
There are a number of problems with method 4, such as requiring a high temperature of 100 yen (200 yen), making it difficult to control the reaction, and generally having low yields and often involving side reactions. The present invention
A method for producing 1,2-disilyl alkene compounds in good yield by reacting disilanes and acetylene compounds with tetrakis(triphenylphosphine)palladium as a catalyst under mild reaction conditions, that is, at relatively low temperatures. This is what we provide.

すなわち本発明は、一般式 (たSt,.Rl〜R6は、アルキル基、アルコキシ基
、フェノキシ基、アシロキシ基、およびハロゲン原子か
ら成る群より選ばれた互に同一または相異なる1価の基
を表わす)で示されるジシラン類(4)と、一般式(た
St..R7およびR8は水素原子、アルキル基、フェ
ニル基、トリメチルシリル基、およびアルコキシカルボ
ニル基から成る群より選ばれ、かつ、その少くとも1個
はアルキル基、フェニル基、トリメチルシリル基、また
はアルコキシカルボニル基である互に同一または相異な
る1価の基を表わす)で示されるアセチレン化合物(B
)とを、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウムの存在下に、160℃以下の温度て反応させること
を特徴とする、一般式(たSt,.Rl〜R8は前述の
とおり)で示される、1・2ージシリルアルケン化合物
の製造方法に関する。
That is, the present invention provides the following formulas: Disilanes (4) represented by the general formula (St... R7 and R8 are selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a phenyl group, a trimethylsilyl group, and an alkoxycarbonyl group; Acetylene compounds (B
) in the presence of tetrakis(triphenylphosphine)palladium at a temperature of 160°C or less, represented by the general formula (St, .Rl to R8 are as described above), 1 -Related to a method for producing a 2-disilylalkene compound.

本発明で用いられるジシラン類(4)は、一般式RlR
2R3SiSiR4R5R6で示される。ここでR1−
R6は前記のとおりであり、互に同一であつても相異つ
てもよい。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基など、アルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など、ア
シロキシ基としてはアセトキシ基など、ハロゲン原子と
しては塩素原子などが例示される。これらのうち、原料
の入手のしやすさ、合成のしやすさから、直接法による
メチルクロロシラン類の合成の際に副生する。R1〜R
6がメチル基および/または塩素原子であるものが望ま
しく、特に、入手のしやすさからは1・2−ジメチルー
1●1・2●2−テトラクロロジシランおよび1●1●
2−トリメチルー1●2●2−トリクロロジシラン、生
成物が最も有用性の高い2官能性化合物であることから
は、1・1・2・2−テトラメチルー1●2−ジクロロ
ジシランであることが望ましい。また、これらのジシラ
ン類をアルコリシスすることによつて容易に得られる、
R1〜R6がメチル基および/またはメトキシ基ないし
エトキシ基であるジシラン類も、入手のしやすさと、水
によつて強酸性の副生物を生じない点から望ましい。こ
のようなジシラン類としては、などが例示される。たS
tl上記ならびに以下の組成式において、簡単化のため
に次の略号を用いる。本発明で用いられるアセチレン化
合物(B)は、一般式R7CミCR8で示される。
The disilanes (4) used in the present invention have the general formula RlR
2R3SiSiR4R5R6. Here R1-
R6 is as described above and may be the same or different. Alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, and butyl groups; alkoxy groups include methoxy, ethoxy, propoxy, and butoxy groups; acyloxy groups include acetoxy; and halogen atoms include chlorine. Illustrated. Among these, due to the ease of obtaining raw materials and ease of synthesis, they are produced as by-products during the synthesis of methylchlorosilanes by direct methods. R1~R
Those in which 6 is a methyl group and/or a chlorine atom are desirable, and in particular, from the viewpoint of availability, 1,2-dimethyl-1●1,2●2-tetrachlorodisilane and 1●1●
2-trimethyl-1●2●2-trichlorodisilane, 1,1,2,2-tetramethyl-1●2-dichlorodisilane is preferable since the product is the most useful bifunctional compound. . In addition, these disilanes can be easily obtained by alcoholysis,
Disilanes in which R1 to R6 are a methyl group and/or a methoxy group or an ethoxy group are also desirable because they are easily available and do not produce strongly acidic by-products when mixed with water. Examples of such disilanes include the following. S
tl In the above and below compositional formulas, the following abbreviations are used for simplicity. The acetylene compound (B) used in the present invention is represented by the general formula R7CmiCR8.

ここでR7およびR8は前記のとおりであり、互に同一
であつても相異つていてもよい。アルキル基としてはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など、アルコ
キシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基などが
例示される。合成のしやすさ、取扱の容易さから、R7
およびR8のうちの少くとも一方が、フェニル基、n−
ブチル基、トリメチルシリル基、またはメトキシカルボ
ニル基であることが好ましい。このようなアセチレン化
合物としては、PhCミCH,.PhC=CMesn−
圧℃=CHsn−BuC=CMe,.Me3SiC=C
H.sMeOCOC=CCOOMeなどが例示される。
ジシラン類(4)に対するアセチレン化合物(B)の使
用量は任意でよいが、アセチレン化合物の反応性を考慮
して、ジシラン類に対して0.4〜1.5等量の間であ
ることが望ましく、0.7〜1.σ亭量の間がさらに望
ましい。本発明で用いられるテトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウムは、ジシラン類(4)とアセチ
レン化合物(B)との反応の触媒である。
Here, R7 and R8 are as described above, and may be the same or different. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, and butyl group, and examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group. Because of its ease of synthesis and handling, R7
and at least one of R8 is a phenyl group, n-
Preferably, it is a butyl group, a trimethylsilyl group, or a methoxycarbonyl group. Such acetylene compounds include PhCmiCH, . PhC=CMesn-
Pressure °C=CHsn-BuC=CMe,. Me3SiC=C
H. An example is sMeOCOC=CCOOMe.
The amount of the acetylene compound (B) to be used relative to the disilanes (4) may be arbitrary, but considering the reactivity of the acetylene compound, it is preferably between 0.4 and 1.5 equivalents relative to the disilanes. Desirably, 0.7 to 1. It is more desirable that the temperature be between the amount of σ. Tetrakis(triphenylphosphine)palladium used in the present invention is a catalyst for the reaction between disilane (4) and acetylene compound (B).

この反応は、ニッケル、パラジウム、または白金の金属
、またはこれらの金属の(0)価ないし2基のホスフィ
ン錯体の存在下で進行するが、反応収率の優れている点
でパラジウム錯体、とくにテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)が選択される。本発明で用いられるテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの量は、特に
限定的なものではないが、きわめて少量で有効であり、
アセチレン化合物(B)に対して0.5〜5モル%また
はそれ以下で十分である。本発明の反応は、室温から反
応体の還流温度、すなわち約160℃までの温度範囲で
行われるが、一般に80〜150′Cの間が最も収率が
良いので望ましい。
This reaction proceeds in the presence of a metal such as nickel, palladium, or platinum, or a (0) or divalent phosphine complex of these metals, but palladium complexes, especially tetrakis (triphenylphosphine) is selected. The amount of tetrakis(triphenylphosphine)palladium used in the present invention is not particularly limited, but a very small amount is effective;
0.5 to 5 mol% or less based on the acetylene compound (B) is sufficient. The reaction of the present invention is carried out at a temperature range from room temperature to the reflux temperature of the reactants, that is, about 160 DEG C., but generally a temperature between 80 DEG and 150 DEG C. is preferred because it provides the best yield.

この反応は大気圧、大気圧以下、または大気圧以上の条
件で実施することができるが、装置上の考慮を払う必要
の少ない大気圧での反応が有利である。反応が激しい場
合や、各成分を均一に混合するのを容易ならしめるため
に、必要に応じて溶媒を用いてもさしつかえない。溶媒
としてはベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭
化水素類、およびヘキサンなどの脂肪族炭化水素類が例
示される。本発明によつて、直接法によるメチルクロロ
シラン類の合成の際に下可避的に副生するジシラン類を
出発原料として、比較的温和な条件で1・2ージシリル
アルケン化合物を得ることができる。
This reaction can be carried out at atmospheric pressure, sub-atmospheric pressure or above-atmospheric pressure, but the reaction at atmospheric pressure is advantageous as it requires less consideration regarding equipment. A solvent may be used as necessary when the reaction is vigorous or to facilitate uniform mixing of each component. Examples of the solvent include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene, and aliphatic hydrocarbons such as hexane. According to the present invention, it is possible to obtain a 1,2-disilylalkene compound under relatively mild conditions using disilanes, which are inevitably produced as a by-product during the synthesis of methylchlorosilanes by a direct method, as a starting material. can.

また、これをハロゲン化水素、アルカリ金属塩、または
アルカリ金属のアルコラートで切断することにより、従
来法に比べてはるかに容易に、また高温ないし高圧を用
いることなしに、広範囲のアルケニルシラン類を得るこ
とができる。本発明によつて得られた1・2ージシリル
アルケン化合物は、それ自体、接着助剤やポリオルガノ
シロキサンの硬化剤として有用である。
Furthermore, by cleaving this with hydrogen halides, alkali metal salts, or alkali metal alcoholates, a wide range of alkenylsilanes can be obtained much more easily than with conventional methods, and without using high temperatures or pressures. be able to. The 1,2-disilylalkene compound obtained by the present invention is itself useful as an adhesion aid or a curing agent for polyorganosiloxane.

また、”これより切断反応によつて得られるアルケニル
シラン類も、接着助剤などの成分として用いられるほか
、各種ポリオルガノシロキサンにアルケニル基を導入す
るための中間体として用いられる。か)るポリオルガノ
シロキサンは、常温硬化ないし熱硬化によつてゴム状弾
性体や樹脂状物を与え、広く耐熱性、耐寒性材料として
用いられる。以下、本発明を実施例によつて説明するが
、本発明は実施例によつて限定されるべきではない。実
施例中、部はすべての重量部を表わす。実施例1 フェニルアセチレン102部、1●2−ジメチルー1・
1●2・2−テトラクロロジシラン24部、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.5mの混合
物を、大気圧の窒素気流中で140℃に加熱した。
In addition, alkenylsilanes obtained by cleavage reactions are also used as components of adhesion aids, etc., and as intermediates for introducing alkenyl groups into various polyorganosiloxanes. Organosiloxane gives a rubber-like elastic body or a resin-like substance by curing at room temperature or by heat curing, and is widely used as a heat-resistant and cold-resistant material. should not be limited by the examples. In the examples, all parts represent parts by weight. Example 1 102 parts of phenylacetylene, 1●2-dimethyl-1.
1●A mixture of 24 parts of 2,2-tetrachlorodisilane and 0.5 m of tetrakis(triphenylphosphine)palladium was heated to 140°C in a nitrogen stream at atmospheric pressure.

5時間の加熱後、フェニルアセチレンは完全に消費され
、蒸留により、シスー1・2−ビス(ジクロロメチルシ
リル)スチレンを20m得た。
After 5 hours of heating, the phenylacetylene was completely consumed and 20 m of cis-1,2-bis(dichloromethylsilyl)styrene was obtained by distillation.

これは理論収率の60%に相当した。生成したシスー1
・2−ビス(ジクロロメチルシリル)スチレンの物理的
性質および元素分析結果は下記のとおりであつた。物理
的性質 沸点114〜115℃/2wtHg 元素分析 実測値C43.62%H4.3O% 理論値C43.8O%H4.38% 実施例2 実施例1と同様の反応を、フェニルアセチレン102部
と各種ジシランの間で行つた。
This corresponded to 60% of the theoretical yield. Generated Sisu 1
- The physical properties and elemental analysis results of 2-bis(dichloromethylsilyl)styrene were as follows. Physical properties Boiling point 114-115°C/2wtHg Elemental analysis Actual value C43.62%H4.3O% Theoretical value C43.8O%H4.38% Example 2 The same reaction as in Example 1 was carried out with 102 parts of phenylacetylene and various I went among the Jishirans.

ジシラン類はフェニルアセチレンに対して120〜20
0モル%用い、触媒としてテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウムをフェニルアセチレンに対して0
.1〜0.5モル%用いた。反応式は次式のとおりであ
る。用いたジシラン類と反応条件を第1表、生成物とそ
の収率、物理的性質、および分析結果を第2表に示す。
Disilane is 120 to 20 compared to phenylacetylene.
Tetrakis(triphenylphosphine)palladium was used as a catalyst at 0% by mole for phenylacetylene.
.. It was used in an amount of 1 to 0.5 mol%. The reaction formula is as follows. The disilanes used and reaction conditions are shown in Table 1, and the products, their yields, physical properties, and analysis results are shown in Table 2.

実施例3 実施例1と同様の反応を、種々のジシラン類とアセチレ
ン化合物の間で行つた。
Example 3 Reactions similar to those in Example 1 were conducted between various disilanes and acetylene compounds.

触媒はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ムをアセチレン化合物に対して0.1モル%用いた。反
応に用いたアセチレン化合物とジシラン類および反応条
件を第3表に、生成物とその収率、物理的性質および元
素分析結果を第4表に示す。実施例4 フェニルアセチレン102部、1・1・2・2ーテトラ
メチルー1●2ージメトキシジシラン21.5部、およ
び第5表に示される各種の触媒を用いて、第5表に示さ
れる反応条件で、窒素気流中、大気圧で反応を行つたと
ころ、第5表のような収率で、シスー1●2−ビス(ジ
メチルメトキシシリル)スチレンを得た。
As a catalyst, tetrakis(triphenylphosphine)palladium was used in an amount of 0.1 mol % based on the acetylene compound. Table 3 shows the acetylene compound, disilane, and reaction conditions used in the reaction, and Table 4 shows the product, its yield, physical properties, and elemental analysis results. Example 4 Using 102 parts of phenylacetylene, 21.5 parts of 1,1,2,2-tetramethyl-1●2-dimethoxydisilane, and various catalysts shown in Table 5, under the reaction conditions shown in Table 5. When the reaction was carried out in a nitrogen stream at atmospheric pressure, cis-1●2-bis(dimethylmethoxysilyl)styrene was obtained in the yield shown in Table 5.

たStl実験41は本発明によるものであり、実験42
〜47は比較例である。実施例5実施例1と同様の反応
を、フェニルアセチレン102部と各種ジシランの間で
行い、第6表のような結果を得た。
Stl experiment 41 is according to the present invention, experiment 42
-47 are comparative examples. Example 5 A reaction similar to that of Example 1 was carried out between 102 parts of phenylacetylene and various disilanes, and the results shown in Table 6 were obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一般式 R^1R^2R^3SiSiR^4R^5R^6(たゞ
し、R^1〜R^6は、アルキル基、アルコキシ基、フ
ェノキシ基、アシロキシ基、およびハロゲン原子から成
る群より選ばれた互に同一または相異なる1価の基を表
わす)で示されるジシラン類(A)と、一般式R^7C
≡CR^8 (たゞし、R^7およびR^8は水素原子、アルキル基
、フェニル基、トリメチルシリル基、およびアルコキシ
カルボニル基から成る群より選ばれ、かつ、その少なく
とも1個はアルキル基、フェニル基、トリメチルシリル
基、またはアルコキシカルボニル基である互に同一また
は相異なる1価の基を表わす)で示されるアセチレン化
合物(B)とを、テトラキズ(トリフェニルホスフィン
)パラジウムの存在下に、160℃以下の温度で反応さ
せることを特徴とする、一般式(R^1R^2R^3S
i)(R^7)C=C(R^8)(SiR^4R^5R
^6)(たゞし、R^1〜R^8は前述のとおり)で示
される1・2−ジシリルアルケン化合物の製造方法。 2 ジシラン類(A)のR^1〜R^6が、メチル基お
よび塩素原子から選ばれた1価の基である、特許請求の
範囲第1項記載の製造方法。 3 ジシラン類(A)が1・2−ジメチル−1・1・2
・2−テトラクロロジシランである、特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。 4 ジシラン類(A)が1・1・2−トリメチル−1・
2・2−トリクロロジシランである、特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。 5 ジシラン類(A)が1・1・2・2−テトラメチル
−1・2−ジクロロジシランである、特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。 6 ジシラン類(A)のR^1〜R^6が、メチル基、
メトキシ基およびエトキシ基から選ばれた1価の基であ
る、特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 7 アセチレン化合物(B)のR^7およびR^8のう
ち少くとも1個がフェニル基である、特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。 8 アセチレン化合物(B)のR^7およびR^8のう
ち少くとも1個がn−ブチル基である、特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 9 アセチレン化合物(B)のR^7およびR^8のう
ち少くとも1個がトリメチルシリル基である、特許請求
の範囲第1項記載の製造方法。 10 アセチレン化合物(B)のR^7およびR^8の
うち少くとも1個がメトキシカルボニル基である、特許
請求の範囲第1項記載の製造方法。 11 80〜150℃の温度で反応を行う、特許請求の
範囲第1項記載の製造方法。
[Claims] 1 General formula R^1R^2R^3SiSiR^4R^5R^6 (where R^1 to R^6 are an alkyl group, an alkoxy group, a phenoxy group, an acyloxy group, and a halogen Disilanes (A) represented by (representing mutually identical or different monovalent groups selected from the group consisting of atoms) and the general formula R^7C
≡CR^8 (However, R^7 and R^8 are selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a phenyl group, a trimethylsilyl group, and an alkoxycarbonyl group, and at least one of them is an alkyl group, and an acetylene compound (B) represented by a phenyl group, a trimethylsilyl group, or an alkoxycarbonyl group, which are the same or different monovalent groups, in the presence of tetrakis(triphenylphosphine)palladium at 160°C. The general formula (R^1R^2R^3S
i) (R^7)C=C(R^8)(SiR^4R^5R
^6) A method for producing a 1,2-disilylalkene compound represented by (R^1 to R^8 are as described above). 2. The manufacturing method according to claim 1, wherein R^1 to R^6 of the disilanes (A) are monovalent groups selected from a methyl group and a chlorine atom. 3 Disilane (A) is 1,2-dimethyl-1,1,2
- The manufacturing method according to claim 1, which is 2-tetrachlorodisilane. 4 Disilanes (A) are 1,1,2-trimethyl-1,
The manufacturing method according to claim 1, which is 2,2-trichlorodisilane. 5. The manufacturing method according to claim 1, wherein the disilane (A) is 1,1,2,2-tetramethyl-1,2-dichlorodisilane. 6 R^1 to R^6 of disilane (A) are methyl groups,
The manufacturing method according to claim 1, wherein the monovalent group is selected from methoxy and ethoxy groups. 7. The manufacturing method according to claim 1, wherein at least one of R^7 and R^8 of the acetylene compound (B) is a phenyl group. 8. The manufacturing method according to claim 1, wherein at least one of R^7 and R^8 of the acetylene compound (B) is an n-butyl group. 9. The manufacturing method according to claim 1, wherein at least one of R^7 and R^8 of the acetylene compound (B) is a trimethylsilyl group. 10. The manufacturing method according to claim 1, wherein at least one of R^7 and R^8 of the acetylene compound (B) is a methoxycarbonyl group. 11. The manufacturing method according to claim 1, wherein the reaction is carried out at a temperature of 80 to 150°C.
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