JPS6057779B2 - output buffer circuit - Google Patents

output buffer circuit

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JPS6057779B2
JPS6057779B2 JP53061073A JP6107378A JPS6057779B2 JP S6057779 B2 JPS6057779 B2 JP S6057779B2 JP 53061073 A JP53061073 A JP 53061073A JP 6107378 A JP6107378 A JP 6107378A JP S6057779 B2 JPS6057779 B2 JP S6057779B2
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circuit
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達彰 上野
志朗 馬場
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、MISEET(絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタ)で構成され、時間的に競合することのない入
力信号と出力信号との端子を共用し−たディジタル制御
回路における出力バッファ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides an output in a digital control circuit that is configured with MISEETs (insulated gate field effect transistors) and shares a terminal for an input signal and an output signal that do not compete in time. Regarding buffer circuits.

ディジタル制御回路の端子数の削減を図るため、時間的
に競合することのない入力信号と出力信号の授受を行な
う端子を共用することが考えら一れる。
In order to reduce the number of terminals in a digital control circuit, one idea is to share terminals for transmitting and receiving input signals and output signals that do not conflict in time.

この場合、第2図に示すように、出力バッファ回路1と
して、非出力タイミングにおいて、高出力インピーダン
ス状態とするプッシュプル出力回路Q。
In this case, as shown in FIG. 2, the output buffer circuit 1 is a push-pull output circuit Q that is in a high output impedance state at non-output timing.

、Q、を用いることが考えられる。トランジスタQ。、
Q、は第1電源電圧端子Vccと第2電源電圧端子(回
路の基準電位点)との間に接続される。なお、同図の回
路において、MISFETはnチャンネル型であり、論
理は正論理とする。この出力バッファ回路1は、入力側
にNORゲート回路NR3、NR4を設け、出力タイミ
ングパルスφcが’’1’’レベルのときを非出力タイ
ミング”とし、この時には、プッシュプルMISFET
Q、、Qを無条件にオフとして、入出力端子P、を高イ
ンピーダンスとし、この端子を他のディジタル回路の出
力回路4の出力レベルのみにより規定されるレベルとし
て、入力バッファ回路2を動作させるものである。なお
、出力回路4は、そのベースに入力信号が印加されその
エミッタが回路の基準電位に結合される駆動トランジス
タQ、2と、負荷トランジスタR3とによつて構成され
る。
,Q, may be used. Transistor Q. ,
Q, is connected between the first power supply voltage terminal Vcc and the second power supply voltage terminal (reference potential point of the circuit). Note that in the circuit shown in the figure, the MISFET is of an n-channel type, and the logic is positive logic. This output buffer circuit 1 is provided with NOR gate circuits NR3 and NR4 on the input side, and when the output timing pulse φc is at the ``1'' level is the non-output timing, and at this time, the push-pull MISFET
The input buffer circuit 2 is operated by turning off Q, , Q unconditionally, making the input/output terminal P high impedance, and setting this terminal to a level defined only by the output level of the output circuit 4 of the other digital circuit. It is something. Note that the output circuit 4 is constituted by a drive transistor Q, 2 to which an input signal is applied to its base and whose emitter is coupled to a reference potential of the circuit, and a load transistor R3.

これにより、上記入力信号の反転信号が端子P、に供給
される。ただし、出力バッファ回路1の出力タイミング
時においては、その出力信号と競合しない様に、上記駆
動トランジスタQ、2はオア状態にされる。この出力バ
ッファ回路1で、′Π゛L(TransistorTr
ansistorLogic)で構成された他のディジ
タル制御回路の入力バッファ回路を駆動する場合には次
の様になる。
As a result, an inverted signal of the input signal is supplied to the terminal P. However, at the timing of the output of the output buffer circuit 1, the drive transistors Q and 2 are put into the OR state so as not to compete with the output signal thereof. In this output buffer circuit 1, ′Π゛L(TransistorTr
In the case of driving the input buffer circuit of another digital control circuit configured with ansistorLogic, the following procedure is performed.

すなわち、T’■、回路3の入力トランジスタQ、Oは
、そのエミッタがローレベルにされると、ベース●エミ
ッタ間が順方向にバイアスされる。従つて、入力トラン
ジスタQl。のベース・エミッタには電源電圧■。から
抵抗R3を介して電流が流れる。この場合、出力トラン
ジスタQllのベース側には電流が供給されないので、
トランジスタQllはオフ状態にされる。次に入力トラ
ンジスタQl。のエミッタがハイレベルにされると、入
力トランジスタQlOのベース・コレクタ間が順方向に
バイアスされる。従つて出力トランジスタQllのベー
スに電流が供給され、出力トランジスタQllはオン状
態にされる。以上の動作から明らかな様に、出力バッフ
ァ回路1がローレベルの信号を端子P1に供給するため
には、MISFETQ5をオンとして、TTL入力電流
(たとえば1.6mA以下)の他、外部のデジタル回路
4の負荷抵抗R3からの電流を流しローレベルを確保す
る必要があるため、MISFETQ5のサイズを大きく
して大電流を流すようにしなければならない。そこで、
第3図に示すように、出力タイミングパルスφCにより
、66r1レベルの非出力タイミング時においても、電
源側のMISFETQ4をオンさせて、これを外部のデ
ジタル回路4の負荷としても用いるようにすることが考
えられる。
That is, when the emitters of the input transistors Q and O of the circuit 3 are brought to a low level, the base and emitter regions of the input transistors Q and O of the circuit 3 are biased in the forward direction. Therefore, the input transistor Ql. The base and emitter of the power supply voltage■. A current flows from the resistor R3 through the resistor R3. In this case, since no current is supplied to the base side of the output transistor Qll,
Transistor Qll is turned off. Next is the input transistor Ql. When the emitter of QlO is brought to a high level, the base-collector of the input transistor QlO is forward biased. Therefore, a current is supplied to the base of the output transistor Qll, and the output transistor Qll is turned on. As is clear from the above operation, in order for the output buffer circuit 1 to supply a low level signal to the terminal P1, MISFET Q5 must be turned on, and in addition to the TTL input current (for example, 1.6 mA or less), the external digital circuit Since it is necessary to flow current from the load resistor R3 of No. 4 to ensure a low level, it is necessary to increase the size of MISFET Q5 to allow a large current to flow. Therefore,
As shown in FIG. 3, the output timing pulse φC turns on the MISFET Q4 on the power supply side even at the non-output timing of the 66r1 level, so that it can also be used as a load for the external digital circuit 4. Conceivable.

これにより、出力バッファ回路1の゜“0゛レベル出力
時におけるMISFETQ5に流れる電流をTTL側の
入力電流(1.6mA)だけとすることができる。しか
し、このMISFETQ,は、外部TTL側からの入力
時における負荷として用いるものであるため、このとき
の電流(たとえば167TLA)以上流すことができな
い。すなわち、外部TI′L側の出力トランジスタQl
2のコレクタ電流は、そのベース入力電流て規定される
ものであり、これ以上の電流を流すと、MIS論理回路
側の入力バッファ回路2の゜゜0゛レベルを確保するこ
とができなくなるためである。したがつて、上記出力バ
ッファ回路1のハイレベル出力時においても、MISF
ETQ4にはQl2のコレクタ電流定格以上の電流が流
せなくなるため、゜゜1゛レベル出力時の遅延時間が大
きくなる。
As a result, the current flowing through MISFETQ5 when the output buffer circuit 1 outputs the ``0'' level can be reduced to only the TTL side input current (1.6mA).However, this MISFETQ is Since it is used as a load at the time of input, it is not possible to flow more than the current (for example, 167TLA) at this time.In other words, the output transistor Ql on the external TI'L side
The collector current of No. 2 is defined by its base input current, and if more current flows, it will not be possible to secure the ゜゜0゛ level of the input buffer circuit 2 on the MIS logic circuit side. . Therefore, even when the output buffer circuit 1 outputs a high level, the MISF
Since a current exceeding the collector current rating of Ql2 cannot flow through ETQ4, the delay time when outputting the ゜゜1゛ level increases.

この発明は、TTL論理回路のように、入出力電流が規
定される論理回路との信号の授受を行ない、かつ、入出
力端子を共用するMISFETで構成された出力バッフ
ァ回路において、相手方の電流定格の制約を受けること
なく出力MISFETのサイズが決定できるとともに、
出力信号の高速化が図られる出力バッファ回路を提供す
るためになさた。
This invention provides an output buffer circuit configured with MISFETs that exchanges signals with a logic circuit whose input/output current is regulated, such as a TTL logic circuit, and also shares input/output terminals. The size of the output MISFET can be determined without being constrained by
This invention was made in order to provide an output buffer circuit that can increase the speed of output signals.

この発明の一実施例においては、非出力タイミングにお
いて高インピーダンスとなるプッシュプル出力回路と、
相手方の出力電流を供給し、出力タイミングにおける電
源側レベル出力時の電流を供給するMISFETとによ
り出力バッファ回路が構成される。
In one embodiment of the present invention, a push-pull output circuit that has high impedance at non-output timing;
An output buffer circuit is constituted by the MISFET which supplies the output current of the other party and supplies the current when the power supply side level is output at the output timing.

以下、実施例により、この発明を具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

同図において、1は出力バッファ回路である。In the figure, 1 is an output buffer circuit.

この回路は、MISFETQl,Q2で構成されたプッ
シュプル出力回路と、出力タイミング信号φcで制御さ
れるNORゲート回路NRl,NR2と、電源電圧端子
P2と出力端子P1との間に設けられたMISFETQ
3と、インバータ回路1N1とで構成され、出力すべき
信号Dは、上記NORゲート回路NRlを介して、プッ
シュプル出力回路の接地側MISFETQ2のゲートに
印加し、このNOR回路NRlの出力をNORゲート回
路NR2を介して、プッシュプル出力回路の電源側MI
SFETQlのゲートに印加し、インバータ回路FsJ
lを介して、上記■SFETQ3のゲートに印加するも
のである。上記NORゲート回路NRl,NR2は、非
出力タイミングにおける出力タイミング信号φCf)6
6r゛レベルにより、無条件に上記■SFETQl,Q
2をオフとする。また、出力タイミングには、出力タイ
ミング信号φcを゜“0゛レベルとし、出力すべき情報
Dに応じて、相補的にRvISFETQl,Q2を制御
する。すなわち、出力すべき情報Dが“゜0゛のときは
、MISFETQ2がオンして、660゛レベルを出力
し、出力すべき信号Dが“1゛レベルのときは、MIS
FETQ2がオンして、66r3レベルを出力する。ま
た、NORゲート回路NRlの出力がインバータ回路1
N1を介してゲートに印加されるMISFET9は、出
力タイミング信号φcが“゜1゛レベルの非出力タイミ
ングにおいては、オンして、相手方の出力回路の出力電
流を供給する。
This circuit consists of a push-pull output circuit composed of MISFETQl and Q2, a NOR gate circuit NRl and NR2 controlled by an output timing signal φc, and a MISFETQ provided between a power supply voltage terminal P2 and an output terminal P1.
The signal D to be output is applied to the gate of the ground side MISFETQ2 of the push-pull output circuit via the NOR gate circuit NRl, and the output of this NOR circuit NRl is applied to the gate of the ground side MISFETQ2 of the push-pull output circuit. Power supply side MI of the push-pull output circuit via circuit NR2
Applied to the gate of SFETQl, inverter circuit FsJ
The voltage is applied to the gate of the SFET Q3 through 1. The NOR gate circuits NRl and NR2 output the output timing signal φCf)6 at the non-output timing.
Due to the 6r゛ level, the above ■SFETQl,Q
2 is off. Furthermore, regarding the output timing, the output timing signal φc is set to the ゜“0゛ level, and RvISFETQl and Q2 are controlled in a complementary manner according to the information D to be output.In other words, the information D to be output is “゛0゛” When this happens, MISFET Q2 turns on and outputs a 660° level, and when the signal D to be output is at a 1° level, the MISFET Q2 turns on and outputs a 660° level.
FETQ2 turns on and outputs 66r3 level. Also, the output of the NOR gate circuit NRl is connected to the inverter circuit 1.
The MISFET 9, which is applied to its gate via N1, turns on at the non-output timing when the output timing signal φc is at the "°1" level, and supplies the output current of the output circuit of the other party.

そして、出力タイミング信号φcが660′5レベルの
出力タイミングにおいては、NORゲート回路NRlの
出力が出力すべき情報Dに応じて変化するため、MIS
FETQlと同じく、電源側レベルである66r3レベ
ル出力時にオンして、′6r5レベル出力電流の供給を
助けるものである。
Then, at the output timing when the output timing signal φc is at the 660'5 level, the output of the NOR gate circuit NRl changes according to the information D to be output, so the MIS
Like FETQl, it is turned on when outputting the 66r3 level, which is the power supply side level, to help supply the '6r5 level output current.

なお、この実施例において、2は、■S論理回路側の入
力バッファ回路であり、インバータ回路IN2等で構成
される。
In this embodiment, 2 is an input buffer circuit on the S logic circuit side, which is composed of an inverter circuit IN2 and the like.

また、3は、相手方の入力バッファ回路であり、バイポ
ーラトランジスタQlO,Qll及び抵抗Rl,R2で
構成されたTTL8路である。
Further, 3 is an input buffer circuit of the other party, which is a TTL 8 circuit composed of bipolar transistors QlO, Qll and resistors Rl, R2.

そして、4は、この相手方の出力バッファ回路であり、
オープンコレクタのトランジスタQl2で構成される。
この実施例回路においては、非出力タイミング時には、
前述したように、出力バッファ回路1ではMISFET
Q3のみがオンしている。
4 is the output buffer circuit of this other party,
It is composed of an open collector transistor Ql2.
In this example circuit, at non-output timing,
As mentioned above, in the output buffer circuit 1, the MISFET
Only Q3 is on.

したがつて、このMISFETQ3は、相手方の出力ト
ランジスタQS2のコレクタ電流の規格(たとえば最大
167T1,A)を満足するように設計されたものであ
る。また、出力タイミング時においてC6O″レベル出
力時は、出力バッファ回路1のMISFETQ2のみが
オンするものであるため、第2図の場合に比較しサイズ
を大きくすることなく、相手方の入力トランジスタQl
Oの入力電流(たとえば1.6Tr1.A以上)を流す
ように設定するものである。一方C′R5レベル出力時
には、出力バッファ回路1の■SFETQl,Q3が共
にオンするものであるため、MISFETQlは、■S
FETQ3の出力電流を考慮して、ハイレベル(゜゜1
゛)の出力時の高速化に必要な電流を流すように設定す
るものである。この実施例に示す出力バッファ回路1は
、TrL回路のように、入出力電流が規定されるものに
おいて、この定格によるMISFETのサイズ、出力遅
延時間の制約を受けることなく、最小の■SFETサイ
ズでの高速化が実現できる。
Therefore, this MISFET Q3 is designed to satisfy the collector current standard (for example, maximum 167T1, A) of the output transistor QS2 of the other party. Also, at the time of output timing, when the C6O'' level is output, only the MISFET Q2 of the output buffer circuit 1 is turned on, so the size of the other input transistor Ql can be changed without increasing the size compared to the case of FIG.
It is set so that an input current of 0 (for example, 1.6Tr1.A or more) flows. On the other hand, when the C'R5 level is output, both SFETQl and Q3 of the output buffer circuit 1 are turned on, so MISFETQl is
Considering the output current of FETQ3, high level (゜゜1
It is set to flow the current necessary for increasing the speed of output in (2). The output buffer circuit 1 shown in this embodiment has the minimum SFET size without being constrained by the MISFET size and output delay time according to the rating in a circuit such as a TrL circuit where the input/output current is regulated. It is possible to achieve faster speeds.

この発明は、前記実施例に限定されず、ゲート回路は、
NORゲート回路の他、NAND回路等他の論理回路も
利用できる。
The present invention is not limited to the above embodiments, and the gate circuit is
In addition to NOR gate circuits, other logic circuits such as NAND circuits can also be used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図であり、第
2図、第3図は、それぞれ出力バッファ回路として考え
られる一例を示す回路図である。 1・・・・・・出力バッファ回路、2・・・・・・入力
バッファ回路、3・・・・・・相手方入力バッファ回路
、4・・・・・・相手方出力バッファ回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams each showing an example of a possible output buffer circuit. 1... Output buffer circuit, 2... Input buffer circuit, 3... Opposite input buffer circuit, 4... Opposite output buffer circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1電源電圧端子と第2電源電圧端子との間に結合
されるプッシュプル出力回路と、出力タイミング信号に
よつて制御され上記プッシュプル出力回路の入力信号を
出力するためのゲート回路と、上記第1電源電圧端子と
上記プッシュプル出力回路の出力端子との間に設けられ
少くとも上記プッシュプル出力回路が高出力インピーダ
ンス状態にされているときに導通状態にされるMISF
ETと、上記プッシュプル出力回路の出力信号及びこれ
と時間的に競合しない入力信号が共通に印加される端子
であつて上記MISFETから供給される電流を第2電
源電圧側に送出するか否かによつて上記入力信号を形成
するための回路が接続されるようにされた端子とを有す
ることを特徴とする出力バッファ回路。
1 a push-pull output circuit coupled between a first power supply voltage terminal and a second power supply voltage terminal; a gate circuit controlled by an output timing signal and outputting an input signal of the push-pull output circuit; A MISF provided between the first power supply voltage terminal and the output terminal of the push-pull output circuit and rendered conductive at least when the push-pull output circuit is in a high output impedance state.
ET, a terminal to which the output signal of the push-pull output circuit and an input signal that does not compete with these in time are commonly applied, and whether or not the current supplied from the MISFET is sent to the second power supply voltage side. and a terminal to which a circuit for forming the input signal is connected.
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JPS6278915A (en) * 1985-10-02 1987-04-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device
JPH0685495B2 (en) * 1985-12-05 1994-10-26 ロ−ム株式会社 Input / output circuit

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