JPS6056274B2 - レ−ザ式点火装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザのシャーアシドパルスを用いて
エンジンの着火を行なうようにしたレーザ式点火装置に
関する。

従来の４気筒エンジン用の代表的な点火装置としては、
（ｎ）山海堂発行「内燃機関」１８音９号（１９７師９
月号）第４５貢に示されているようによく知られている
。

第１図はこの点火装置を示しており、この点火装置にお
いては、エンジン回転に同期してオンオフするコンタク
トポイント１によつてバッテリー２からイグニッション
コイル３の１次側を流れる電流が断続され、２次側に尖
頭値−２０ＫＶないし−２５ＫＶを有する高圧パルスを
発生する。この高圧パルスはコンタクトポイント１と同
期して回転デイストリビユータ４によつて抵抗入りハイ
テンション・コード５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄに分配され
、ハイテンションコードを介して各気筒の点火プラグ６
ａ（１気筒）、６ｂ（３気筒）、６ｃ（４気筒）、６ｄ
（２気筒）に順次供給される。各点火プラグに供給され
る高圧パルスＶｓ（プラグ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄには
それぞれ高圧パルスＶｓｌ、Ｖｓ２、Ｖｓ３、Ｖｓ４が
印加される）の波形は第２図のようになり、その尖頭値
ｖｐ（容量放電電圧）は−１５〜−２０ＫＶにもなる。
各点火プラグに供給された高圧パルスＶｓが増大し、尖
頭値Ｖｐに達したとき、点火プラグの放電・電極間の混
合気が絶縁破壊を起してハイテンションコードに蓄積さ
れた電荷によつて点火プラグとの間で容量放電を生じ、
次いでイグニッションコイル３の誘導エネルギーの供給
を受けて放電電圧Ｖ１約−Ｏ、５Ｆ（Ｖの誘導放電を２
ＴＴ１Ｓ程度継続する。こ・れらの放電に伴うスパーク
によつて混合気は確実に着火燃焼される。このような点
火装置においては、比較的簡単な構成で確実に点火が行
なわれるが、点火に必要なエネルギーを得るのに−２０
ＫＶ前後の尖頭値を有する高圧パルスを周期的に発生し
、点火プラグの放電電極間およびデイストリビユータの
ロータと側方電極との間に放電を発生せしめているため
容量放電時すなわち放電開始時に該電極付近に蓄積され
た電荷が瞬時に放電されて尖頭値数１０アンペアでパル
ス幅数ナノ秒の衝撃電流Ｌ１が電極付近を流れる。

このとき点火プラグには第２図に示すような尖頭値ｈが
−８０〜−１００Ａでパルス幅が数ナノ秒の衝撃電流１
ｓ（プラグ６ａ，６ｂ，６ｃ９６ｄには衝撃電流１Ｓ１
９１Ｓ２９１ｓ３９１ｓ４が流れる）が流れる。この衝
撃電流Ｌは数メガヘルツないし数１００メガヘルツの広
帯域の周波数スペクトルを有するのでデイストリビユー
タや点火プラグに接続される点火回路から電磁波として
空中に放射され、広帯域に及ぶ電波雑音となつて各種通
信装置に影響を与えるという問題がある。そこでこのよ
うな雑音の問題を解決するために、特開昭５４−１０９
５３２号公報ではレーザ光を用い。

レーザ光を光導波路で各シリンダの点火部に導き順次点
火する点火装置を提案している。ところでエンジンの点
火には少なくとも数ＫＷの出力を必要とするが、従来、
この程度の出力のパルスレーザを発生する手段としては
、ＹＡＧレーザやＣＯ２レーザ（いずれも縦、横、奥行
のサイズは数１０ｃｍ）をＱスイッチで駆動するジヤイ
アントパルス発生装置が用いられているが、小型の電ｊ
子レンジ位の大きさになり車輪には適さない。本発明は
上記の点にかんがみなされたもので、車載に適した小型
の高出力レーザを有する点火装置を提供することを目的
とし、この目的を達成するために、半導体レーザ発生部
を、半導体レーザ！と、電源圧力を昇圧するＸ−Ｘイン
バータと、半導体レーザと並列に接続され■−Ｘインバ
ータの出力により充電されて高圧の高エネルギーを蓄え
るコンデンサと、半導体レーザと直列に接続されエンジ
ンの点火時期に同期してオンオフするな半導体スイッチ
ング素子とで構成したものである。以下第３図ないし第
１３図を参照して本発明を説明する。

第３図は本発明によるレーザ式点火装置の一実施例の全
体構成を示す。

エンジンの点火時期を検出する点火時期制御回路１０か
らの点火指示令信号をパルス駆動回路２０に入力し、半
導体レーザ発生器３０を高電圧源を用いてパルス変調し
、パルス幅が１０マイクロ秒で尖頭値数１０キロワット
のジヤイアントパルスのレーザビームを発生する。この
レーザビームをレンズ４０で光ファイバＦの開口端Ｐに
集光させて光ファイバＦに注入する。）ジヤイアントパ
ルス●レーザは光ファイバＦによつて光分配器５０に伝
送され、点火時期制御回路１０から出力された分配制御
信号の指示に従つて光ファイバＦｌ，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ，
に分配される。ジヤイアントパルス●レーザは光ファイ
バＦ１〜Ｆ，を・通つてエンジン６０の１〜４気筒の集
光器７０に順次（１→３→４→２気筒の順に）供給され
、燃焼室内の混合気を着火燃焼させる。なお光ファイバ
は尖頭値数１０キロワットのジヤイアントパルス・レー
ザを絶縁破壊なしに低損失で伝送する必要があり、コア
２．０％の石英ファイバを使用する。次に各部の動作を
追つて詳細に説明する。

（１）点火時期制御回路と光分配器の動作第４図は点火
時期制御回路１０および光分配器５０の詳細な回路構成
を示しており、第５図は第３図および第４図の各部にお
ける信号波形を示している。

さて、第４図において、エンジンの回転に同期してオン
オフするコンタクトポイント１１と直列に抵抗Ｒ。を接
続し、バッテリー１２に接続する。コンタクトポイント
１１の出力をツェナー電圧５Ｖの定電圧ダイオードＺＤ
で安定化し、エンジンの回転に同期して変化するパルス
信号Ｓ１を得る。なお第５図はエンジン回転が１５００
ｒ″Ｐｍの例を示す。このパルス信号Ｓ１を準安定時間
２ミリ秒を有する単安定マルチバイブレータ１３ａに入
力してその立下り時刻にパルス幅２ミリ秒のパルス信号
Ｓ２を発生させて２ビット２進カウンタ１４に供給して
その１１２分周パルス信号Ｓ３および１１４分周パルス
信号Ｓ４を発生する。これら２つのパルス信号Ｓ３およ
びＳ４を分配制御信号と呼ぶ。一方、パルス信号Ｓ１を
準安定時間５０マイクロ秒を有する単安定マルチバイブ
レータ１３ｂに入力してその立下り時刻にパルス幅５０
マイクロ秒のパルス信号■を発生させ、この信号Ｓ５を
準安定定時間１０マイクロ秒を有する単安定マルチバイ
ブレータ１３ｃに与え、その立下り時刻にパルス幅１０
マイクロ秒の点火指令信号Ｓ６を得る。次に分配制御信
号Ｓ３，Ｓ４は光分配器５０に導かれ、分配制御信号Ｓ
３をスイッチ駆動回路５１および５２に入力し、そのパ
ルスの前後縁で光スイッチ５３および５４をドライブす
る差動信号Ｓ７，Ｓ８（２つの信号の電圧■Ｄｌ，Ｖｄ
２の差Ｖｄｌ−Ｖｄ２によつて光スイッチの動作を制御
する）を発生し、光スイッチ５３および５４の光伝送経
路を分配制御放電Ｓ３の前縁で出力端子ｎ１からＮ２へ
切換え、また同信号Ｓ３の後縁で出力端をＮ２からｎ１
へ切換える。

また分配制御信号Ｓ４をスイッチ駆動回路５５へ入力し
そのパルスの前後縁で光スイッチ５６をドライブする差
動信号Ｓ９（Ｖｄｌ−Ｖｄ２）を発生し、光スイッチ５
６の光伝送経路を分配制御信号Ｓ４の前縁で出力端子を
ｎ１からＮ２へ切換え、また同信号の後縁で出力端子を
Ｎ２からｎ１へ切換える。点火指令信号Ｓ６はパルス駆
動回路２０に入力され、半導体レーザ発生器３０をパル
ス変調してジヤイアントパルス●レーザＳｌＯを得る。
このジヤイアントパルス●レーザは光ファイバＦで光ス
イッチ５６の入力端子ｍへ伝送される。（イ）第５図に
おいて、時間Ｔ１の期間中はジヤイアントパルス●レー
ザＳｌＯは光スイッチ５６の入力端子ｍから出力端子ｎ
１への経路で光ファイバＦ５に送られ、さらに光スイッ
チ５３の入力端子ｍから出力端子ｎ１への経路で光ファ
イバＦ１へ伝送されＳｌｌとして１気筒に供給される。

（ロ）時間Ｔ２の期間中は、ジヤイアントパルス●レー
ザＳｌＯは光スイッチ５６の入力端子ｍから出力端子ｎ
１への経路で光ファイバＦ５へ伝送され、さらに光スイ
ッチ５３の入力端子ｍから出力端子Ｎ２への経路で光フ
ァイバＦ２へ伝送されてＳｌ２として３気筒に伝送され
る。

（ハ）時間Ｔ３の期間中は、ジヤイアントパルス・レー
ザＳｌＯは光スイッチ５６の入力端子ｍから出力端子Ｎ
２への経路で光ファイバＦ６へ送られ、さらに光スイッ
チ５４の入力端子ｍから出力端子ｎ１への経路で光ファ
イバＦ３へ伝送されてＳｌ３として４気筒に供給される
。

（ニ）時間Ｔ４の期間中は、ジヤイアントパルス・レー
ザＳｌＯは光スイッチ５６の入力端子ｍから出力端子Ｎ
２への経路で光ファイバＦ６へ送られ、さらに光スイッ
チ５４の入力端子ｍから出力端子Ｎ２への経路で光ファ
イバＦ４へ伝送されてＳｌ４として２気筒に供給される
。

このように、ジヤイアントパルス・レーザＳｌＯよエン
ジンの回転に同期して順次光ファイバ゛１，Ｆ２，Ｆ３
，Ｆ４へ伝送され、エンジンの各気筒＼１気筒→３気筒
→４気筒→２気筒の順に供給さｔる。

光ファイバＦ１〜Ｆ４上を伝送するジヤイアノトパルス
・レーザの波形は第５図にＳｌｌ〜Ｓｌ４で氏すように
する。））スイッチ駆動回路と光スイッチの動作ｆ）
第４図に示されたスイッチ駆動回路の詳細な回路構成と
各部の信号波形を第６図と第７図に示す。

スイッチ駆動回路５１，５２，５５は同じ構成なのでス
イッチ駆動回路５１について説明する。分配制御信号Ｓ
３が入力されると、その前縁で準安定時間７ミリ秒を有
する単安定マルチバイブレータ５１ａが駆動されるパル
ス幅７ミリ秒のパルス信号Ｓｌ５が発生される。

パルス信号Ｓｌ５はＨ（Ｈｉｇｈ）レベルの時トランジ
スタＱ１は導通し、そのコレクタ電圧Ｖ１は電源電圧よ
り４Ｖ低下し、エミッタ電圧Ｖ２はアース電位より４Ｖ
増加する。このためトランジスタＱ２およびＱ３は導通
し、その出力■ｄ１は＋２４ボルト、出力■Ｄ２は０ボ
ルトとなり、差動信号Ｓ７（■ｄ１一■Ｄ２）は＋２４
ボルトとなる。このとき光スイッチ５６のコア５６ａに
巻かれたコイルレとコア５６ｂに巻かれたコイルＬ２に
は電流１＝１００ミリアンペアが流れてコア５６ａ，５
６ｂは励磁され、平行四辺形プリズム５６ｃを装着した
永久磁石５６ｄはコア５６ａには吸引されコア５６ｂに
は反発されてＡ方向に移動する。このとき光の伝送経路
は出力端子ｎ１からＮ２に第７図のような応答性て切換
わる。同様に、分配制御信号Ｓ３の後縁て準安定時間７
ミリ秒を有する単安定マルチバイブレータ５１ｂを駆動
してパルス幅７ミリ秒のパルス信号Ｓｌ６をつくる。

パルス信号Ｓｌ６がＨレベルになるとトランジスタＱ４
は非導通状態から導通状態になり、そのエミッタ電圧Ｖ
４はＯボルトから４ボルトに上昇、コレクタ電圧Ｖ３は
電源電圧２４ボルトから２０ボルトに低下する。このた
めトランジスタＱ５，Ｑ６は導通し、出力Ｖｄｌは０ボ
ルト、出力■６。は＋２４ボルトとなり、差動信号１１
（■ｄ１−Ｖｄ９）は−２４Ｖとなつて光スイッチ５６
のコイルＬ１とＬ２には前述の場合と反対の向きに電流
１＝ー１００ｎ１Ａが流れてコア５６ａ，５６ｂは前述
の場合と反対の極性に励磁される。このため永久磁石５
６ｄはコア５６ａには反発しコア５６ｂに吸引されてＢ
方向に移動し、光の伝送経路は出力端子ｆから出力端子
ｎ１に第７図のような応答性で切換わる。（ロ）次に光
スイッチの動作を説明する。

第４図に示された光スイッチの詳細な回路の構成を第８
図に示す。

光スイッチ５３，５４，５６は同じ構成なので光スイッ
チ５６について説明する。光スイッチ５６には低損失で
電磁制御方式の応答性の良いプリズム可動式、たとえば
ＮＥＣＯＤ８７５Ｏ（電子通信学会技術研究報告ＭＷ７
８−１０７参照）を使用する。光スイッチ５６はケース
５６ｅで密封され外部光の漏洩およびレーザ光の漏洩を
遮断し、入力光ファイバＦと２本の光ファイバＦ５，Ｆ
６とはコネクタ５６ｆ，５６ｇ，５６ｈを介して接続さ
れている。また光ファイバＦから入力したレーザ光はコ
ネクタ５６ｆを通つてセルフォックスレンズ５６ｉで平
行に変換されて平行四辺形プリズム５６ｃが実線で示す
位置Ｃにあればこのプリズム５６ｃに入射され、第８図
に実線で示すような光路で進み、三角プリズム５６ｊに
導かれる。従つてレーザ光はプリズム５６ｊにより今ま
でと逆方向に戻されてセルフォックスレンズ５６ｋに入
射しコネクタ５６ｈを通つて光ファイバＦ６へ送られる
。一方、平行四辺形プリズム５６ｃが破線で示す位置Ｄ
にあれば入射したレーザ光は破線で示すような光路を直
進して三角プリズム５６１に入射後このプリズム５６１
で逆方向に戻されてセルフォックレンズ５６ｍに入射し
コネクタ５６ｇを通して光ファイバＦ５へ送られる。（
３）パルス駆動回路および半導体レーザの動作（イ）
第３図に示されたパルス駆動回路の説明第９図はパルス
駆動回路の詳細な回路構成を示し、第１０図は各部の信
号波形を示す。

なお第１０図は第５図の時刻ＴＡ，ＴＢ間を拡大して示
すものである。点火指令信号Ｓ６をインバータ２１に加
えてその極性を反転すると、トランジスタＱ７のベース
電圧Ｖ．は点火指令信号Ｓ６がＨレベルの時に−０．８
ボルトとなり、トランジスタＱ７が非導通状態から導通
状態にする。このときトランジスタＱ７のコレクタ電圧
すなわち高耐圧大電力用ＦＥＴＱ８のゲート・ソース間
電圧ＶＯ，は−ＶｂからＯボルトに変化する。一方、前
述のバッテリー２２の１２ボルトの電圧は■−■インバ
ータ２３に加えられて昇圧され＋８００ボルトの直流電
圧を出力する。インバータ２３の出力端には容量５マイ
クロファラッドのコンデンサＣが接続されているためそ
の端子間電圧Ｖ。は負荷の状況によつて変化する。コン
デンサＣの負荷にはレーザダイオードＬＤを直列にｍ個
接続しそれらを並列にｎ列接続して構成した半導体レー
ザ発生器３０と半導体レーザ発生器３０を流れる電流１
を制御する高耐圧大電力用ＦＥＴＱ８（サイリスタまた
は高耐圧大電力用トランジスタでもよい）が直列に接続
されている。いまＦＥＴＱ８のピンチオフ電圧−Ｖｐに
対し電圧−Ｖｐを低くとればＦＥＴＱ８は通常遮断状態
にあり、点火指令信号Ｓ６がＨレベルの間だけＶｃｓが
Ｏボルトとなり、ＦＥＴＱ８は導通状態となる。

ＦＥＴＱ８が導通するとＦＥＴＱ８のドレイン●ソース
間をドレイン・ソース間の電圧とは無関係に飽和電流１
。ｓｓが流れる。半導体レーザ発生器３０を流れる電流
１は第１０図に示すように点火指令信号Ｓ６がＨレベル
の１０マイクロ秒の時間だけ流れ、ＩＯぉ＝２００Ａに
なるようＦＥＴＱ８を選べば、このときコンデンサＣに
蓄積された電荷は定電流１＝２００Ａで放電されてその
端子間電圧■。は＋８００ボルトから＋４００ボルトま
で低下する。それ故、半導体レーザ発生器３０の端子間
電圧■は点火指令信号Ｓ６がＨレベルの１０マイクロ秒
の時間だけ０ボルトから４００ボルトとなり、この間半
導体レーザ発生器３０に印加される電力は約８０ＫＷと
なりＭｘｎ個のレーザダイオードＬＤからなる半導体レ
ーザ発生器３０は総出力Ｐ。＝数１０ＫＷのレーザ光を
放射する。なお■−■インバータ２３はコンデンサＣの
端子間電圧■。を＋４００ボルトから＋８００ボルトま
で数ミリ秒で上昇できるような充電能力を有するものと
する。（ロ）半導体レーザ発生器の動作 半導体レーザ発生器３０の微細構造を第１１図に示す。

その構造は、銅のヒートシンク３１の上に、第１２図に
示すような構造のレーザ・ダイオードチップ３２をＭｘ
ｎ個（ｍ個直列に電気的に接続したものをｎ列電気的に
並列に接続させる）スタック状に積み上げたものである
。銅のヒートシンク３１の左上に熱伝導性のよいベリリ
ア磁石からなる絶縁体３３を取り付け、その上に正電極
リード３４を固定し、このリード３４から各列のレーザ
・ダイオードチップ３２のストライプ状陽電極３２ａに
金線３５でボンディングし、電気的接続をしている。ま
た銅のヒートシンク３１の右上には負電極リード３６が
取り付けられている。正電極リード３４と負電極リード
３６との間に高圧パルス（約４００ボルト）が印加され
て前述のパルス状電流１（約２００アンペア）が流れる
と、各レーザダイオードチップ３２のへき開面３２ｂか
らはレーザビームＬが放射される。レーザダイオードチ
ップ３２は第１２図に示されたように、サイズ１００μ
×３００μ程度のＧａＡｓの結晶であり、その表面に幅
２０μのストライプ状陽電極３２ａ１裏面に陰電極３２
ｃが形成されている。

またその構造はＡｅＧａ．Ａｓダブルヘテロ構造となつ
ており、厚さ約０．３μのＧａ，Ａｓの活性層３２ｄが
屈折率の異なるＡｆＧａＡｓ結晶によつてサンドイッチ
状にはさまれているため発生した光が閉じ込められて高
い発光効率が得られる。なおレーザビームＬはレーザダ
イオード・チップ３２のへき開面３２ｂにおいてＧａＡ
ｓ活性層３２ｄのストライプ状陽電極３２ａの直下付近
から放射される。（４）シリンダ内に装着したレーザ集
光器の動作第１３図にレーザ集光器７０（第３図参照）
のシリンダヘッドへの装着状況を示す。

図示した気筒はよく知られた構造のもので、内部には半
球形燃焼室７１を有し、燃焼室７１の斜め上方に吸気弁
７２と排気弁７３とが設けられ、気筒内をピストン７４
が上下動する。

レーザ集光装置７０は、気筒ヘッド７５内に形成された
ほぼ円維形状の空間７６の頂部に装着された光ファイバ
Ｆ１〜Ｆ４などの石英ファイバと、空間７６の下部近く
に固定された凸レンズ７７と（たとえば焦点距離５０Ｔ
ＳＲ）、空間７６の下端にはめ込まれた石英ガラス窓（
たとえば厚さ１０Ｔ！Ｒｌｎで直径が３０ｗｎ）７８と
により構成されている。レーザ集光器７０の動作につい
て説明すると、シリンダヘッド７５の中央部に装着され
た耐熱性の高い被覆を有する光ファイバＦ１〜Ｆ４の球
面状に加工された先端から尖頭値数１０ＫＷ１パルス幅
１０マイクロ秒のジヤイアントパルス・レーザＳｌＯが
放射されてレーザビームＬとなり、焦点距離４０〜６−
のレンズ７７で集光させて燃焼室７１の上端に設けられ
た厚さ１０悶、口径３０〜４『φの石英ガラス窓７８を
通し燃焼室７１内のレンズ７７の焦点Ｒにレーザビーム
Ｌのエネルギーを集中する。ジヤイアントパルス●レー
ザＳｌＯの数１００ミリジュールのエネルギーによつて
圧縮混合気の電離および絶縁破壊が生じてプラズマが瞬
時に発生し混合気を点火燃焼する。以上説明したように
、本発明においては半導体レーザ光源として用い、さら
にＤＣ−ＤＣインバータとコンデンサとを接続し、コン
デンサに蓄えた電気エネルギーを大電力半導体スイッチ
ング素子を用いて瞬間的に半導体レーザに注入するよう
に構成したので、半導体レーザ発生部が非常に小型化さ
れ車載に適したものになる。

本実施例によれば、ジヤイアントパルス・レーザを発生
するのに半導体レーザ発生器を使用すればコンデンサに
充電した高圧高エネルギーを利用してパルス変調するた
め、ＣＯ２レーザ、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザなどの
気体レーザ、固体レーザを使用する場合に比べてジヤイ
アントパルス●レーザを発生させるための電源効率が極
めて良いと同時に電源装置の構成が簡単である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の点火装置の概略回路構成図、第２図は従
来の点火装置の点火プラグの電圧、電流波形図、第３図
は本発明によるレーザ式点火装置の概略構成図を示すブ
ロック線図、第４図は第３図における点火時期制御回路
および光分光器の詳細な回路構成図、第５図は第４図に
示した回路の各部における信号波形図、第６図は第４図
に示したスイッチ駆動回路の詳細な回路構成図、第７図
は第６図に示したスイッチ駆動回路の各部における信号
波形図、第８図は本発明で用いる光スイツチの一実施例
の構造を示す概略図、第９図は第３図に示したパルス駆
動回路の詳細な回路構成図、第１０図はパルス駆動回路
の各部における信号波形図、第１１図は本発明で用いる
半導体レーザの二実施例の構造を示す斜視図、第１２図
は第１１図に示した半導体レーザの一構成部品としての
ＬＤチップの構造を示す斜視図、第１３図は本発明によ
る点火装置のレーザ集光器をシリンダとの関係で示す概
略断面図である。 １・・・コンタクトポイント、２・・・バッテリー、３
・・・イグニッションコイル、４・・・デイストリビユ
ータ、５ａ〜５ｄ・・・ハイテンション●コード、６ａ
〜６ｄ・・・点火プラグ、１０・・・点火時期制御回路
、２０・・・パルス駆動回路、３０・・・半導体レーザ
発生器、４０・・ルンズ、５０・・・光分配器、６０・
・・エンジン、７０・・ルーザ集光器、Ｌ，Ｌｌ〜！・
・・光ファイバ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ エンジンの点火時期に同期して半導体レーザ発生部
   によりジャイアントパルスのレーザを発生せしめ、該ジ
   ャイアントパルスのレーザを光伝送手段を介してエンジ
   ンの各気筒に所定の順序で分配し点火するレーザ式点火
   装置において、前記半導体レーザ発生部を、半導体レー
   ザと、電源電圧を昇圧するＤＣ−ＤＣインバータと、前
   記半導体レーザと並列に接続され且つ前記ＤＣ−ＤＣイ
   ンバータの出力により充電されて高圧の高エネルギーを
   蓄えるコンデンサと、前記半導体レーザと直列に接続さ
   れエンジンの点火時期に同期してオンオフする半導体ス
   イッチング素子とで構成したことを特徴とするレーザ式
   点火装置。 ２ 前記半導体レーザは複数個のレーザダイオードから
   成り、該レーザダイオードはそのチップを直列および並
   列に複数個接続したスタック状構造をなしていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のレーザ式点火
   装置。