JPS6055672A - Structure of pressure-electric converter - Google Patents

Structure of pressure-electric converter

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JPS6055672A
JPS6055672A JP16397483A JP16397483A JPS6055672A JP S6055672 A JPS6055672 A JP S6055672A JP 16397483 A JP16397483 A JP 16397483A JP 16397483 A JP16397483 A JP 16397483A JP S6055672 A JPS6055672 A JP S6055672A
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pressure
pedestal
sensor chip
pressure sensor
silicone rubber
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JP16397483A
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Tatsuo Nitta
達夫 新田
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Citizen Watch Co Ltd
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Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure

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Abstract

PURPOSE:To contrive the simplification of the mounting of a pressure sensor chip by a method wherein a pedestal and said chip are sealed hermetically by application of silicon rubber on the pedestal formed by hardening silicon rubber. CONSTITUTION:The pedestal 8 formed by hardening of silicon rubber is hermetically fixed to a hermetic terminal 4 with silicon rubber, organic adhesive, etc. After the silicon rubber 9 is uniformly applied on the pedestal 8, the pressure sensor chip 1 is placed on the rubber 9. The chip 1 and the pedestal 8 are hermetically fixed with the rubber 9 and then sealed. The use of silicon rubber as a pedestal having a moderate thickness enables the absorption of stresses except the pressure displacement to the chip 1 such as the thermal strain from the hermetic terminal, and the mechanical strain of the terminal itself due to the installation of this converter, outer forces, and the like.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して
圧力を電気信号に変換する圧力電気変換器の構造に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the structure of a pressure-electric transducer that converts pressure into an electrical signal by utilizing the piezoresistance effect of a semiconductor diffused resistor.

近年、IC製造技術の発達とあいまって、単結晶シリコ
ンチップの表面に半導体拡散抵抗を形成し、該半導体拡
散抵抗をひずみゲージとして利用する圧力電気変換器が
作られる様になった。
In recent years, with the development of IC manufacturing technology, pressure-electric transducers have been produced in which a semiconductor diffused resistor is formed on the surface of a single crystal silicon chip and the semiconductor diffused resistor is used as a strain gauge.

前記圧力電気変換器は、導体又は半導体に加えられた外
力の応力によって電気抵抗が変化するというピエゾ抵抗
効果を利用したもので、前記ひずみゲージをブリッジ型
回路に構成することにより。
The pressure-electric transducer utilizes the piezoresistance effect in which electrical resistance changes due to the stress of an external force applied to a conductor or semiconductor, by configuring the strain gauge into a bridge type circuit.

圧力変化を電気抵抗変化に変換し、さらにこれをブリッ
ジ型回路の電圧変化としてとらえようとするもので、そ
の性能が従来の圧力計あるいは圧力電気変換器に比べ、
非常にすぐれているために、主に工業計測用として、開
発、製造され、利用されてきた。
It converts pressure changes into electrical resistance changes, which are then captured as voltage changes in a bridge-type circuit, and its performance is superior to that of conventional pressure gauges or pressure-electric transducers.
Because of its excellent properties, it has been developed, manufactured, and used primarily for industrial measurement.

最近では、IC製造技術を駆使することにより量産が可
能なことから、自動車用をはじめとし。
Recently, it has become possible to mass produce products by making full use of IC manufacturing technology, including applications for automobiles.

民生用としても需要が増えてきている。Demand is also increasing for consumer use.

第1図は1以上の様な需要から開発された従来のピエゾ
抵抗型圧力電気変換器の構造を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a conventional piezoresistive pressure electric transducer developed in response to one or more of the following needs.

1は半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を
電気信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサチ
ップ、2は台座であり、例えば#7740ホウ硅酸塩ガ
ラスで、圧力センサチップ1と台座2は気密に固着され
ている。4は気密端子体、5は前記圧力センサチップ1
の電源端子および出力端子となるステムで、ステム5は
封止ガラス6を使って気密端子体4に気密に固着されて
いる。
1 is a diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip that converts pressure into an electrical signal using the piezoresistance effect of semiconductor diffused resistors; 2 is a pedestal; for example, the pressure sensor chip 1 and pedestal 2 are made of #7740 borosilicate glass; is hermetically sealed. 4 is an airtight terminal body, 5 is the pressure sensor chip 1
The stem 5 serves as a power supply terminal and an output terminal, and the stem 5 is hermetically fixed to the airtight terminal body 4 using a sealing glass 6.

以上の様なステム5が固着された気密端子体4と、圧力
センサチップ1が固着された台座2は気密に固着され、
さらに圧力センサチップ1とステム5間はワイヤボンド
により電気的に接続されている。
The airtight terminal body 4 to which the stem 5 is fixed as described above and the pedestal 2 to which the pressure sensor chip 1 is fixed are airtightly fixed.
Further, the pressure sensor chip 1 and the stem 5 are electrically connected by wire bonding.

6は圧力導入孔つきのキャップで、圧力センサチップ1
とステム5間がワイヤボンドにより電気的に接続された
後、気密端子体4に対して気密に固着され、こうして相
対圧(差圧)型の圧力電気変換器10が構成される。
6 is a cap with a pressure introduction hole, and the pressure sensor chip 1
After the stem 5 and the stem 5 are electrically connected by wire bonding, they are hermetically fixed to the airtight terminal body 4, thereby forming a relative pressure (differential pressure) type pressure-electric transducer 10.

以上の様に構成される圧力電気変換器10の製造工程に
おいて、一番重要な工程は圧力センサチップ1と台座2
の固着であり、次に重要な工程は台座2と気密端子体4
との固着である。
In the manufacturing process of the pressure-electric transducer 10 configured as described above, the most important process is to prepare the pressure sensor chip 1 and the pedestal 2.
The next important process is fixing the base 2 and the airtight terminal body 4.
It is a fixation with.

すなわち、圧力センサチップ1は、シリコン。That is, the pressure sensor chip 1 is made of silicon.

ゲルマニムなどのダイヤモンドキー−ビック構造の単結
晶の各結晶軸方向に対するピエゾ抵抗効果の異方性を利
用してゲージ率の非常に大きな値(金属ひずみゲージが
2であるのに対し100以上)を持つひずみゲージをそ
のチップ表面に形成したものであるから、ひずみに対し
て非常に敏感となっており、圧力変位以外の応力の影響
1例えば、圧力センサチップ1を固着する時の機械的ひ
ずみ、あるいは圧力センサチップ1と台座2の熱膨張係
数の差に起因する熱歪等−を排除してやらなければなら
ない。
Utilizing the anisotropy of the piezoresistance effect in each crystal axis direction of a single crystal with a diamond key-vic structure such as germanium, a very large value of gauge factor (more than 100 compared to 2 for a metal strain gauge) can be obtained. Since the strain gauge is formed on the surface of the chip, it is very sensitive to strain, and the influence of stress other than pressure displacement 1. For example, mechanical strain when fixing the pressure sensor chip 1, Alternatively, it is necessary to eliminate thermal distortion caused by the difference in coefficient of thermal expansion between the pressure sensor chip 1 and the pedestal 2.

このため、台座2の材料としては前述のごとく圧力セン
サチップ1の熱膨張係数と比較して差の小さい:#77
40ホウ硅酸塩ガラスや、圧力センサチップ1と同じ材
質であるシリコン単結晶等が選択されているのである。
Therefore, as mentioned above, the material for the pedestal 2 has a small difference in thermal expansion coefficient compared to the pressure sensor chip 1: #77
40 borosilicate glass, silicon single crystal which is the same material as the pressure sensor chip 1, etc. are selected.

又、圧力センサチップ1が台座2を介して気密端子体4
に固着されるのは、気密端子体4からの熱ひずみ、ある
いは圧力電気変換器10の取付けや、外力等に起因する
気密端子体4そのもののひずみの影響を取り除くためで
、最近では電子計算機を駆使し、有限要素法等を用いて
その必要最低限の厚さがめられている。
Moreover, the pressure sensor chip 1 is connected to the airtight terminal body 4 via the pedestal 2.
The reason for this is to remove the influence of thermal strain from the airtight terminal body 4 or distortion of the airtight terminal body 4 itself due to mounting of the pressure-electric transducer 10 or external force. The minimum necessary thickness has been determined using the finite element method.

以上の様な台座2の材料や厚さをうまく選んでやること
によりかなり余分なひずみの要素を取り除くことが可能
となるが、圧力センサチップ1と台座2.あるいは台座
2と気密端子体4との固着方法が悪いと、どんなに良い
台座2を使ってもすべてがむだになってしまう。このた
め、いろいろな固着方法が検討され、要求される精度や
コストに見合った固着方法が採用されている。固着方法
を数例あげると。
By carefully selecting the material and thickness of the pedestal 2 as described above, it is possible to remove a considerable amount of unnecessary strain. Alternatively, if the method of fixing the pedestal 2 and the airtight terminal body 4 is incorrect, no matter how good the pedestal 2 is, everything will be wasted. For this reason, various fixing methods have been studied, and a fixing method that meets the required accuracy and cost has been adopted. Here are some examples of fixing methods.

■ 静電気力で固着する方法・・・・・・金属とガラス
を気密封止する時に利用できる方法で、金属とガラスを
温め、直流電圧を金属−ガラス間に印加すると金属とガ
ラスの界面に静電気力が発生し、その静電気力で金属と
ガラスが気密封止される。
■ Fixing using electrostatic force: A method that can be used to airtightly seal metal and glass. When the metal and glass are heated and a DC voltage is applied between the metal and glass, static electricity is generated at the interface between the metal and glass. A force is generated, and the electrostatic force hermetically seals the metal and glass.

■ 低融点ガラスで固着する方法 ■ 有機接着剤で固着する方法 等がある。■ Method of fixing with low melting point glass ■ Method of fixing with organic adhesive etc.

■の静電、気力で気密封止する方法は、金属とガラス間
に接着材等の介在物が何も存在しないため。
(2) The method of airtight sealing using electrostatic force or energy is because there are no inclusions such as adhesives between the metal and glass.

理想的な固着方法であるが、固着技術そのものがまだ一
般的なものでなく、理論面と合わせて完全に掌握されて
いないため、非常にむずかしい技術である。
Although this is an ideal fixing method, it is extremely difficult because the fixing technology itself is not yet common and is not completely understood in conjunction with the theoretical aspects.

■の低融点ガラスで固着する方法は、第1図の様な圧力
電気変換器10では良く使われる方法であるが、低融点
ガラスと言ってもその作業温度を400℃前後に押さえ
るとなると圧力センサチップ1との熱膨張係数の差はぬ
ぐいきれず、どうしても熱ひずみの問題が残ってしまう
。又、低融点ガラスは、印刷するために使用した溶液(
バインダー)を、仮焼結という工程を設けて分解しなけ
ればならず、固着するのに非常に時間がかかってしまう
面をもっている。
The method of fixing with low melting point glass (2) is a method often used in the pressure-electric converter 10 as shown in Fig. The difference in thermal expansion coefficient with the sensor chip 1 cannot be eliminated, and the problem of thermal distortion inevitably remains. In addition, low melting point glass is
The binder must be disassembled through a process called temporary sintering, and it takes a very long time for it to solidify.

■の有機接着剤で固着する方法は、手軽に、短時間に固
着できるが、有機接着剤の剛性が小さいために安定した
特性が得られず、接着剤そのものの経時変化、気密性等
信頼性の問題が残っている。
The method of fixing with an organic adhesive can be easily and quickly fixed, but due to the low rigidity of the organic adhesive, stable properties cannot be obtained, and the reliability of the adhesive itself due to changes over time and airtightness etc. The problem remains.

その他半田で気密封止する方法等、いろいろな方法で圧
力センサチップ1と台座2.あるいは台座2と気密端子
体4との固着が行なわれているが。
The pressure sensor chip 1 and the pedestal 2 can be sealed in various ways, such as by hermetically sealing them with solder. Alternatively, the pedestal 2 and the airtight terminal body 4 are fixed together.

それぞれ一長一短があり、圧力電気変換器の製造メーカ
ー各社の長期にわたる自主研究開発によるノウハウの蓄
積により製品化されているのが現状である。
Each has its own advantages and disadvantages, and the current state of the art is that pressure-electric transducer manufacturers have accumulated know-how through long-term independent research and development to produce products.

台座2の加工に関して言えば、相対圧型の圧力電気変換
器を構成する場合は、台座2に穴あけ加工をする必要が
あり1台座2の厚さが前述の如くある程度の厚さが必要
となるとその加工に時間がかかり1部品単価を引き上げ
る結果となっている。
Regarding the processing of the pedestal 2, when configuring a relative pressure type pressure electric transducer, it is necessary to drill holes in the pedestal 2, and if the thickness of the pedestal 2 needs to be a certain degree as described above, then Processing takes time, resulting in an increase in the price of each part.

以上の様に、圧力センサチップ1の熱膨張係数と比較し
て差の小さいホウ硅酸塩ガラスやシリコン単結晶等の台
座2を用いて構成される従来の圧力電気変換器10では
、圧力センサチップ1と台座2、あるいは台座2と気密
端子体4との固着に関して十分な技術ノウノ・つの蓄積
が必要であるため、その製造がむすかしく・ばかりでな
く、製造メーカも限定されてしまうため、これが台座2
の加工コストがらみで製品単価を引き上げる原因となっ
ていた。
As described above, in the conventional pressure-electric transducer 10 configured using the pedestal 2 made of borosilicate glass, silicon single crystal, etc., which has a small difference in thermal expansion coefficient compared to the pressure sensor chip 1, the pressure sensor chip 1 Since it is necessary to accumulate sufficient technical know-how and knowledge regarding fixing the chip 1 and the pedestal 2, or the pedestal 2 and the airtight terminal body 4, it is not only difficult to manufacture it, but also the number of manufacturers is limited. This is pedestal 2
This caused the unit price of the product to increase due to processing costs.

本発明は1以上の様な欠点を除去するために。The present invention obviates one or more such drawbacks.

あらかじめシリコーンゴムを硬化させて形成した台座を
用意し、前記台座の上にさらにシリコーンゴムを塗布す
ることにより、前記台座と圧力センサチップとを気密に
封止しようとしたもので、その目的は圧力センサチップ
の実装の簡素化にあり。
A pedestal made of hardened silicone rubber is prepared in advance, and silicone rubber is further applied onto the pedestal to airtightly seal the pedestal and the pressure sensor chip. This is due to the simplification of mounting the sensor chip.

以下図面に基づいて詳細に説明する。A detailed explanation will be given below based on the drawings.

第2図は、本発明の一実施例を示す圧力電気変換器の断
面図、第3図は1本発明の他の実施例を示す圧力電気変
換器の断面図であって、第2図は相対圧(差圧)型の圧
力電気変換器、第3図は絶対圧型の圧力電気変換器を示
している。第4図は第2図の圧力電気変換器の製造方法
を説明するために示した圧力電気変換器の要部の斜視図
であり。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a pressure-electric transducer showing one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a pressure-electric converter showing another embodiment of the present invention. A pressure-electric transducer of relative pressure (differential pressure) type, and FIG. 3 shows a pressure-electric transducer of absolute pressure type. FIG. 4 is a perspective view of the main parts of the pressure-electric transducer shown for explaining the method of manufacturing the pressure-electric transducer of FIG. 2. FIG.

第1図と同番号は同じ部材を示す。The same numbers as in FIG. 1 indicate the same members.

8は第4図(A)の例で示した様に、一定の厚さを確保
するために成形型等を使ってシリコーンゴムを硬化させ
て形成した台座で、該台座8はシリコーンゴム、有機接
着剤等により気密端子体4に気密に固着される。この状
態が第4図(B)であるが、もちろん気密端子体4の上
で直接シリコーンゴムを成形、硬化させ台座8を形成し
ても良い。第4図CB)に於いて16はシリコーンゴム
が注入さねているカー) IJッジ、9は台座8の上に
均一に塗布されるシリコーンゴムで、第4図(B)では
、工程を示す意味でシリコーンゴム9がカートリッジ1
6から絞り出されている状態を示しておいた。
As shown in the example of FIG. 4(A), 8 is a pedestal formed by curing silicone rubber using a mold or the like to ensure a constant thickness. It is hermetically fixed to the airtight terminal body 4 with adhesive or the like. This state is shown in FIG. 4(B), but the pedestal 8 may of course be formed by molding and curing silicone rubber directly on the airtight terminal body 4. In Fig. 4 (CB), 16 is a car in which silicone rubber is injected, and 9 is silicone rubber that is uniformly applied on the pedestal 8. Fig. 4 (B) shows the process. In the meaning shown, silicone rubber 9 is cartridge 1.
I have shown the state where it is being squeezed out from 6.

こうしてシリコーンゴム9が台座8の上に均一に塗布さ
れた後、シリコーンゴム9が硬化する前に1次の工程で
圧力センサチップ1がシリコーンゴム9の上にのせられ
る。その結果、圧力センサチップ1と台座8はシリコー
ンゴム9により気密に固着され、封止される様になって
いる。
After the silicone rubber 9 is uniformly applied onto the base 8 in this way, the pressure sensor chip 1 is placed on the silicone rubber 9 in a first step before the silicone rubber 9 is cured. As a result, the pressure sensor chip 1 and the pedestal 8 are hermetically fixed and sealed by the silicone rubber 9.

又第3図に於いて7は気密端子体14にロウ付。Also, in Fig. 3, 7 is soldered to the airtight terminal body 14.

接着剤による接着等の手段を使って気密に固着される圧
力導入パイプ、16は封止管、15はステムである。
A pressure introduction pipe is airtightly fixed using adhesive bonding or the like, 16 is a sealing tube, and 15 is a stem.

以上の様な工程を経て構成されたものが、第2図の相対
圧型の圧力電気変換器11であり、又第3図の絶対圧型
の圧力電気変換器12である。第3図の絶対圧型の圧力
電気変換器12は、真空中において封止管13を気密端
子体14にハンダ付は等により気密に固着することによ
り、封止管16と気密端子体14および圧力センサチッ
プ1で囲まれた空間を真空にし、基準となる圧力を絶対
圧としたものである。
What is constructed through the above steps is the relative pressure type pressure electric transducer 11 shown in FIG. 2, and the absolute pressure type pressure electric converter 12 shown in FIG. 3. The absolute pressure type pressure electric transducer 12 shown in FIG. The space surrounded by the sensor chip 1 is evacuated, and the reference pressure is absolute pressure.

第5図は、本発明のさらに他の実施例を示す圧力電気変
換器の断面図とその要部の斜視図である。
FIG. 5 is a sectional view and a perspective view of essential parts of a pressure-electric transducer showing still another embodiment of the present invention.

24はジルコン(ZrO2・5in2)系セラミックス
よりなる気密端子体で、その線膨張係数は40〜400
℃で3.7 X 10−’ /’C以下に押さえられて
おり、その表面には印刷技術により電極25が形成され
ている。28は気密端子体24の上に印刷技術等により
シリコーンゴムを一定の厚さになる様に直接塗布し、あ
らかじめ硬化させて形成した台座で、この状態で台座2
8は気密端子体24に気密に固着される。
24 is an airtight terminal body made of zircon (ZrO2.5in2) ceramics, and its linear expansion coefficient is 40 to 400.
The temperature is kept below 3.7 x 10-'/'C, and electrodes 25 are formed on the surface by printing technology. Reference numeral 28 denotes a pedestal formed by applying silicone rubber directly onto the airtight terminal body 24 to a certain thickness using a printing technique or the like, and curing it in advance.
8 is hermetically fixed to the airtight terminal body 24.

21はダイヤフラム型半導体圧力センサチップであり、
第4図(B)と同様にシリコーンゴム9が台座28の上
に均一に塗布された後、シリコーンゴム9が硬化する前
に前記圧力センサチップ21はシリコーンゴム9の上に
のせられる。
21 is a diaphragm type semiconductor pressure sensor chip;
After the silicone rubber 9 is uniformly applied onto the base 28 as in FIG. 4(B), the pressure sensor chip 21 is placed on the silicone rubber 9 before the silicone rubber 9 hardens.

その結果、圧力センサチップ21と台座28とはシリコ
ーンゴム9により気密に固着され、封止される。そして
この後、ワイヤボンドにより圧力センサチップ21と電
極25は電気的に接続される。
As a result, the pressure sensor chip 21 and the pedestal 28 are hermetically fixed and sealed by the silicone rubber 9. After this, the pressure sensor chip 21 and the electrode 25 are electrically connected by wire bonding.

27は圧力導入パイプ、23はキャップであり。27 is a pressure introduction pipe, and 23 is a cap.

圧力導入パイプ27はロウ付、接着剤による接着等によ
りキャップ23に気密に固着されており。
The pressure introduction pipe 27 is airtightly fixed to the cap 23 by brazing, adhesive, or the like.

ワイヤボンドの完了した気密端子体24とキャンプ26
はこの状態で低融点ガラス、有機接着剤等で気密に固着
され、圧力電気変換器2oが構成されている。
Airtight terminal body 24 and camp 26 with completed wire bonding
In this state, the pressure-electric transducer 2o is configured by being hermetically fixed with low melting point glass, organic adhesive, or the like.

さて1本発明で使用するシリコーンゴムというのは1例
えば、−50〜+250℃といった広範囲な温度範囲に
わたってゴム弾性を維持する耐熱性・耐寒性にすぐれた
材料で、適度な伸びを有し。
The silicone rubber used in the present invention is, for example, a material with excellent heat and cold resistance that maintains rubber elasticity over a wide temperature range of -50°C to +250°C, and has appropriate elongation.

かつ歪復元性にすぐわており、振動や衝撃を吸収してし
まう性質がある。
It also has excellent strain recovery properties and has the property of absorbing vibrations and shocks.

従って、本発明の実施例で示した様に、シリコーンゴム
を適度な厚さを持つ台座として使用すれば、気密端子体
からの熱ひずみ、あるいは圧力電気変換器の取付けや、
外力等に起因する気密端子体そのものの機械的なひずみ
といった様な圧力セ/サチノブ1あるいは21に対する
圧力変位以外の応力を、シリコーンゴムからなる台座で
吸収することが可能となる。
Therefore, as shown in the embodiments of the present invention, if silicone rubber is used as a pedestal with an appropriate thickness, thermal strain from the airtight terminal body or mounting of a pressure-electric transducer can be prevented.
It becomes possible to absorb stress other than pressure displacement on the pressure control knob 1 or 21, such as mechanical strain of the airtight terminal body itself due to external force, etc., with the pedestal made of silicone rubber.

もちろん気密端子体として、第5図の実施例の様に線膨
張係数が3.7 X 10−’ /’c以下のジルコン
系セラミックス等、圧力センサチップ1あるいは210
線膨張係数との差の小さい材料を選択すれば、より余分
な熱ひずみを除去することは明らかである。
Of course, as the airtight terminal body, the pressure sensor chip 1 or 210, such as zircon-based ceramics with a linear expansion coefficient of 3.7 x 10-'/'c or less, as shown in the embodiment shown in FIG.
It is clear that if a material with a small difference in coefficient of linear expansion is selected, excess thermal strain can be more effectively removed.

同様にして1台座と圧力センサチップとを固着するため
に台座に塗布されるシリコーンゴム9も。
Similarly, silicone rubber 9 is applied to the pedestal in order to fix the pedestal and the pressure sensor chip.

当然上記の通りの性質を有しているため、圧力センサチ
ップとシリコーンゴムの線膨張係数の差に起因する熱ひ
ずみの影響は除去されることになる。
Naturally, since it has the properties described above, the influence of thermal strain caused by the difference in linear expansion coefficient between the pressure sensor chip and the silicone rubber is eliminated.

さらに、シリコーンゴムは、従来からの印刷技術を利用
して印刷が可能のため、簡単に、かつ大量に同じ品質の
台座を印刷により形成することができる。
Furthermore, since silicone rubber can be printed using conventional printing techniques, pedestals of the same quality can be easily formed in large quantities by printing.

又、#7740ホウ硅酸塩ガラス、シリコン単結晶等か
らなる台座を使用しないですむため1台座の材料費や加
工費が不要となり、実質的なコストダウンが図れるとと
もに、薄型化を図ることができる。
In addition, since there is no need to use a pedestal made of #7740 borosilicate glass, silicon single crystal, etc., the material and processing costs for one pedestal are eliminated, making it possible to substantially reduce costs and make the product thinner. can.

以上の様に1本発明の圧力電気変換器の構造によれば、
圧力センサチップと台座、あるいは台座と気密端子体と
の固着に関する十分な技術ノウハウの蓄積がなくても、
簡単に、かつ大量に生産できるため、製造メーカも限定
されず、製造単価の安い圧力電気変換器を供給すること
ができるという効果をもっている。
As described above, according to the structure of the pressure-electric transducer of the present invention,
Even if you do not have sufficient technical know-how regarding fixing the pressure sensor chip and the pedestal, or the pedestal and the airtight terminal body,
Since it can be produced easily and in large quantities, there are no restrictions on manufacturers, and it has the effect of being able to supply pressure-electric transducers at low manufacturing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の圧力電気変換器の構造を示す断面図、第
2図は本発明の一実施例を示す圧力電気変換器の断面図
、第3図は本発明の他の実施例を示す圧力電気変換器の
断面図、第4図は第2図の圧力電気変換器の要部の斜視
図、第5図は本発明のさらに他の実施例を示す圧力電気
変換器の断面図とその要部斜視図である。 1.21・・・・・・ダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ。 8.28・・・・・・台座。 9・・・・・・シリコーンゴム。 11.12.20・・・・・・圧力電気変換器。 第1図 第2図 第3図 第4図 (A) 第5図 (A) ソ (B)
Fig. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional pressure-electric transducer, Fig. 2 is a cross-sectional view of a pressure-electric transducer showing one embodiment of the present invention, and Fig. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of the main parts of the pressure-electric transducer shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the pressure-electric converter showing still another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view of main parts. 1.21...Diaphragm type semiconductor pressure sensor chip. 8.28...Pedestal. 9...Silicone rubber. 11.12.20... Pressure electric transducer. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 (A) Figure 5 (A) So (B)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を電気
信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサチップ
と、該圧力センサチップを圧力変位以外の歪から保護す
るための台座を有する圧力電気変換器において、シリコ
ーンゴムを硬化させて形成した台座を設け、前記圧力セ
ンサチップと台座とをシリコーンゴム接着剤にて気密封
止したことを特徴とする圧力電気変換器の構造。
A pressure-electric transducer having a diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip that converts pressure into an electrical signal using the piezoresistance effect of a semiconductor diffused resistor, and a pedestal for protecting the pressure sensor chip from distortion other than pressure displacement, 1. A structure of a pressure-electric transducer, characterized in that a pedestal made of hardened silicone rubber is provided, and the pressure sensor chip and the pedestal are hermetically sealed with a silicone rubber adhesive.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5422634A (en) * 1991-12-27 1995-06-06 Zexel Corporation Locking system using a key including an IC memory
US5436491A (en) * 1992-10-19 1995-07-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pressure sensor for high temperature vibration intense environment
JP2012027022A (en) * 2010-07-22 2012-02-09 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor
CN113091996A (en) * 2021-04-22 2021-07-09 广东电网有限责任公司 Pressure sensor and preparation method and application thereof

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