JPS6052260A - 研摩装置 - Google Patents
研摩装置Info
- Publication number
- JPS6052260A JPS6052260A JP58160764A JP16076483A JPS6052260A JP S6052260 A JPS6052260 A JP S6052260A JP 58160764 A JP58160764 A JP 58160764A JP 16076483 A JP16076483 A JP 16076483A JP S6052260 A JPS6052260 A JP S6052260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- polishing
- plate
- gap
- support plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被加工物の表面を無歪鏡面に研摩する研摩装置
に関するものである。
に関するものである。
被加工物として、半導体ウエノ・を例にとるとＬＳＩの
集積密度が高まるにつれて、半導体ウェハの表面層にお
ける結晶欠陥が素子の歩留りに大きく、影響されるため
、表面層を無歪に研摩する研摩装置を開発する要求が高
まっている。
集積密度が高まるにつれて、半導体ウェハの表面層にお
ける結晶欠陥が素子の歩留りに大きく、影響されるため
、表面層を無歪に研摩する研摩装置を開発する要求が高
まっている。
第１図に従来の研摩装置の一例を示す。第１図に示すご
とく、従来より用いられている研摩装置では支持板１１
に固定された被加工物１２を化学液に砥粒を懸濁した研
摩液１３を介して研摩板１４ζこ数百ｇ／ｃｕｔ２の圧
力で被加工物１２を研摩板１４に押しつけて、被加工物
１２と研摩板１４を相対運動することにより、被加工物
１２を研摩する装置である。
とく、従来より用いられている研摩装置では支持板１１
に固定された被加工物１２を化学液に砥粒を懸濁した研
摩液１３を介して研摩板１４ζこ数百ｇ／ｃｕｔ２の圧
力で被加工物１２を研摩板１４に押しつけて、被加工物
１２と研摩板１４を相対運動することにより、被加工物
１２を研摩する装置である。
しかし、従来の研摩装置を用いると、被加工物１２が砥
粒を介して研摩板１４に押しつけられて研摩されるため
、研摩板１４の砥粒が被加工物１２に押しこまれる結果
、被加工物１２の結晶に歪が入る欠点があった。
粒を介して研摩板１４に押しつけられて研摩されるため
、研摩板１４の砥粒が被加工物１２に押しこまれる結果
、被加工物１２の結晶に歪が入る欠点があった。
本発明の目的はこの欠点を除去し、被加工物を無歪鏡面
に研摩する装置を提供するものである。
に研摩する装置を提供するものである。
本発明の装置は支持板に保持された被加工物が研摩板と
があらかじめ設定された値以上の相対速度をもつ相対運
動する研摩装置において、前記支持板は被加工物の加工
面に垂直方向に移動が自在に支持されており、研摩板か
ら離れる方向で被加工物と研摩板の間隙が大きくなると
小さくなる傾向を示す力が前記支持板に働く手段を備え
、かつ前記被加工物は研摩液に浸されていることを特徴
とする研摩装置である。
があらかじめ設定された値以上の相対速度をもつ相対運
動する研摩装置において、前記支持板は被加工物の加工
面に垂直方向に移動が自在に支持されており、研摩板か
ら離れる方向で被加工物と研摩板の間隙が大きくなると
小さくなる傾向を示す力が前記支持板に働く手段を備え
、かつ前記被加工物は研摩液に浸されていることを特徴
とする研摩装置である。
本発明の装置を用いた場合の効果および加工原理を説明
する。本装置は被加工物の加工面に垂直方向に移動が自
在に支持された支持板に被加工物を保持し、研摩板から
離れる方向で、被加工物と研摩板の間隙が大きくなると
小さくなる傾向を示す力が前記支持板に働く手段を備え
てあり、被加工物は研摩液に浸されていることを特徴と
しており、前記支持板に働く力で被加工物と研摩板に間
隙が維持されている。
する。本装置は被加工物の加工面に垂直方向に移動が自
在に支持された支持板に被加工物を保持し、研摩板から
離れる方向で、被加工物と研摩板の間隙が大きくなると
小さくなる傾向を示す力が前記支持板に働く手段を備え
てあり、被加工物は研摩液に浸されていることを特徴と
しており、前記支持板に働く力で被加工物と研摩板に間
隙が維持されている。
被加工物と研摩板に間隙を設けた状態で被加工物と研摩
板を被加工物を研摩液に浸した状態であらかじめ設定さ
れた相対速度以上で相対運動させると、被加工物と研摩
板の間隙を流れる研摩液の流れが生じ、被加工物と研摩
板の相対速度が大きくなればなるほど、被加工物と研摩
板の間に介在する研摩液の圧力が小さくなり、被加工物
を固定している支持板に加わっている研摩板より離そう
とする力に抗して、被加工物と研摩板は微小な間隙にな
る。研摩液中に含まれる砥粒が被加工物と研摩板の間を
高速で通過することにより、被加工物の表面を摩擦し、
原子オーダーの加工を行なう結果、被加工物は研摩され
る。なお、被加工物と研摩板の間隙が小さくなると支持
板をｂｔｔ摩板より離そうとする力も大きくなるため、
間隙が０になることはない。
板を被加工物を研摩液に浸した状態であらかじめ設定さ
れた相対速度以上で相対運動させると、被加工物と研摩
板の間隙を流れる研摩液の流れが生じ、被加工物と研摩
板の相対速度が大きくなればなるほど、被加工物と研摩
板の間に介在する研摩液の圧力が小さくなり、被加工物
を固定している支持板に加わっている研摩板より離そう
とする力に抗して、被加工物と研摩板は微小な間隙にな
る。研摩液中に含まれる砥粒が被加工物と研摩板の間を
高速で通過することにより、被加工物の表面を摩擦し、
原子オーダーの加工を行なう結果、被加工物は研摩され
る。なお、被加工物と研摩板の間隙が小さくなると支持
板をｂｔｔ摩板より離そうとする力も大きくなるため、
間隙が０になることはない。
また、被加工物と研摩板の相対運動を止めれば、被加工
物と研摩板の間の研摩液の圧力は研摩前の値になり、被
加工物と研摩板の間隙は研摩前の状態に復元する。従っ
て、本発明の装置を用いると研摩前も（ｌＩＩ摩中も被
加工物は研摩板に接触しないため、被加工物表面に歪が
入らない利点を有している。
物と研摩板の間の研摩液の圧力は研摩前の値になり、被
加工物と研摩板の間隙は研摩前の状態に復元する。従っ
て、本発明の装置を用いると研摩前も（ｌＩＩ摩中も被
加工物は研摩板に接触しないため、被加工物表面に歪が
入らない利点を有している。
以下実施例により、詳細に説明する。
第２図は本発明の装置を示す断面図である。図に従って
、本発明の詳細な説明する。
、本発明の詳細な説明する。
被加工物２１を保持する支持板２２は固定されたベアリ
ンク２３により支持され、フランジ２４に固定されてい
る。フランジ２４の他方には厚み方向に着磁している磁
石２５が固定されている。磁石２５と磁力線の向きが反
対な固定された磁石２６を設けており、磁石２５吉磁石
２６の反発力を利用して、支持板２２は被加工物２１の
加工面に垂直方向の移動が自在であるとともに被加工物
２１と研摩板２７との間隙が小さくなると矢印２８方向
の力は大きくなる傾向をもつ、また前記傾向をもつ力を
支持板２２に働かせる手段とじては本実施例の磁石を用
いた場合の外にバネまたは流体を用いた方法を用いても
よい。磁石２５と磁石２６の反発力により支持板２２と
研摩板２７とに間隙２９を設りてあり、被加工物２１は
研摩液３０１こ浸されている。ここで、研摩板２７を矢
印３１の方向に回転させると研摩板２７と被加工物２１
の間にあらかじめ設定された値以上の相対速度をもつ相
対連動が生じ、被加工物２１と研摩板２７との間隙２９
に研摩液３０の流れが生じ、相対速度が大きくなればな
るほど、間隙２９の圧力は丁かり、支持板２２は研摩板
２７の方に吸引され間隙２９は微小になる。そのため研
摩液３０に含まれる砥粒が間隙２９を高速で通過する際
、被加工物２１を摩擦し被加工物２１は原子オーダーで
加工される。そして、研摩板２７の回転を止めれば被加
工物２１と研摩板２７の相対速度がなくなり、間隙２９
の研摩液３０の圧力は研摩前の値になり、間隙は研摩前
の状態にもどる。従って、被加工物２１の表面は研摩板
２７に接触しないため被加工物２１に歪が入ることはな
い利点がある。
ンク２３により支持され、フランジ２４に固定されてい
る。フランジ２４の他方には厚み方向に着磁している磁
石２５が固定されている。磁石２５と磁力線の向きが反
対な固定された磁石２６を設けており、磁石２５吉磁石
２６の反発力を利用して、支持板２２は被加工物２１の
加工面に垂直方向の移動が自在であるとともに被加工物
２１と研摩板２７との間隙が小さくなると矢印２８方向
の力は大きくなる傾向をもつ、また前記傾向をもつ力を
支持板２２に働かせる手段とじては本実施例の磁石を用
いた場合の外にバネまたは流体を用いた方法を用いても
よい。磁石２５と磁石２６の反発力により支持板２２と
研摩板２７とに間隙２９を設りてあり、被加工物２１は
研摩液３０１こ浸されている。ここで、研摩板２７を矢
印３１の方向に回転させると研摩板２７と被加工物２１
の間にあらかじめ設定された値以上の相対速度をもつ相
対連動が生じ、被加工物２１と研摩板２７との間隙２９
に研摩液３０の流れが生じ、相対速度が大きくなればな
るほど、間隙２９の圧力は丁かり、支持板２２は研摩板
２７の方に吸引され間隙２９は微小になる。そのため研
摩液３０に含まれる砥粒が間隙２９を高速で通過する際
、被加工物２１を摩擦し被加工物２１は原子オーダーで
加工される。そして、研摩板２７の回転を止めれば被加
工物２１と研摩板２７の相対速度がなくなり、間隙２９
の研摩液３０の圧力は研摩前の値になり、間隙は研摩前
の状態にもどる。従って、被加工物２１の表面は研摩板
２７に接触しないため被加工物２１に歪が入ることはな
い利点がある。
次に本発明の一実施結果を説明する。
被加工物としてシリコンウェハを用い、粒径０．０１μ
ｍの二酸化シリコンを砥粒として用いた液中で研摩板を
５０Ｏｒｐｍで回転したところ、シリコンウェハと研摩
板との間隙は１０μｍ程度になり、シリコンの研摩速度
はＩＯＡ／ｍｍが得られた。
ｍの二酸化シリコンを砥粒として用いた液中で研摩板を
５０Ｏｒｐｍで回転したところ、シリコンウェハと研摩
板との間隙は１０μｍ程度になり、シリコンの研摩速度
はＩＯＡ／ｍｍが得られた。
研摩されたシリコンウェハの欠陥を調べるために、１方
法としてウェット酸化とＳｉｒゎ１トエッチングを用い
たＯＳチェックを行なったところシリコンウェハに欠陥
の発生はみられず、シリコンウェハは無歪であることが
わかった。従って、本発明の装置は被加工物を研摩液に
浸して−かつ被加工物り研摩板に間隙を設けるような手
段を備えているため、被加工物に歪を発生させることな
く、被加工物を研摩することができる。
法としてウェット酸化とＳｉｒゎ１トエッチングを用い
たＯＳチェックを行なったところシリコンウェハに欠陥
の発生はみられず、シリコンウェハは無歪であることが
わかった。従って、本発明の装置は被加工物を研摩液に
浸して−かつ被加工物り研摩板に間隙を設けるような手
段を備えているため、被加工物に歪を発生させることな
く、被加工物を研摩することができる。
以上の実施例では被加工物としてシリコンウェハを例に
とって説明したが、シリコンウェハに限らす、例えば砒
化ガリウムウェハあるいはインジウムリンウェハ等の半
導体ウェハに対しても本発明の装置が有効であることは
いうまでもない。
とって説明したが、シリコンウェハに限らす、例えば砒
化ガリウムウェハあるいはインジウムリンウェハ等の半
導体ウェハに対しても本発明の装置が有効であることは
いうまでもない。
なお、被加工物の研摩速度を増加することを目的として
、研摩液に被加工物のエツチング作用のある化学液を用
いてもよい。また、被加工物を保持している支持板を回
転させてもよいし、本実施例においては研摩板を回転さ
せることにより、被加工物と研摩板の相対速度をあらか
じめ設定した値以上に保った相対運動を行なったが、ド
ラム形状の研摩板を用いた一次元的な相対速度をもつ相
対運動に対しても有効である。
、研摩液に被加工物のエツチング作用のある化学液を用
いてもよい。また、被加工物を保持している支持板を回
転させてもよいし、本実施例においては研摩板を回転さ
せることにより、被加工物と研摩板の相対速度をあらか
じめ設定した値以上に保った相対運動を行なったが、ド
ラム形状の研摩板を用いた一次元的な相対速度をもつ相
対運動に対しても有効である。
以上の結果から、本発明の装置を用いることにより、従
来にない無歪鏡面の被加工物を得ることができ、例えば
、半導体ウェハに対しては、素子工程における微細化に
充分対応できるウェハを得ることができ、素子形成の歩
留りが飛躍的に向上する。
来にない無歪鏡面の被加工物を得ることができ、例えば
、半導体ウェハに対しては、素子工程における微細化に
充分対応できるウェハを得ることができ、素子形成の歩
留りが飛躍的に向上する。
第１図は従来の研摩装置の断面図であり、第２図は本発
明のＱ１摩装置の断面図である。 図中、１１・・・支持板、１２・・・被加工物、１３・
・研摩液、１４・・・研摩板、２１・・・被加工物、２
２・・・支持板、２３・ベアリング、２４・・・フラン
ジ、２５・・磁石、２６・・・磁石、２７・・研摩板、
２８・・・力の方向、２９・・間隙、３０・・・１ｌＩ
Ｉ摩液、３１・・・回転方向を示す。 オ １ 図 （） （つ ７ｉ′２ 図 つ４
明のＱ１摩装置の断面図である。 図中、１１・・・支持板、１２・・・被加工物、１３・
・研摩液、１４・・・研摩板、２１・・・被加工物、２
２・・・支持板、２３・ベアリング、２４・・・フラン
ジ、２５・・磁石、２６・・・磁石、２７・・研摩板、
２８・・・力の方向、２９・・間隙、３０・・・１ｌＩ
Ｉ摩液、３１・・・回転方向を示す。 オ １ 図 （） （つ ７ｉ′２ 図 つ４
Claims (1)
- 支持板に保持された被加工物が研摩板とがあらかじめ設
定された値以上の相対速度をもつ相対運動する研摩装置
において、前記支持板は被加工物の加工面に垂直方向に
移動が自在に支持されており、研摩板から離れる方向で
被加工物と研摩板の間隙が大きくなると小さくなる傾向
を示す力が前記支持板に働く手段を備えかつ前記被加工
物は研摩液に浸されていることを特徴とする研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160764A JPS6052260A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 研摩装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160764A JPS6052260A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 研摩装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052260A true JPS6052260A (ja) | 1985-03-25 |
| JPS6219984B2 JPS6219984B2 (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=15721949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160764A Granted JPS6052260A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 研摩装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052260A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437675U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-30 | ||
| KR100469363B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 씨엠피설비 |
| CN103252712A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-21 | 浙江工业大学 | 晶片研磨磁加载夹持装置 |
| CN103252713A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-21 | 浙江工业大学 | 一种磁加载晶片研磨方法及装置 |
-
1983
- 1983-09-01 JP JP58160764A patent/JPS6052260A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437675U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-30 | ||
| KR100469363B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 씨엠피설비 |
| CN103252712A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-21 | 浙江工业大学 | 晶片研磨磁加载夹持装置 |
| CN103252713A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-21 | 浙江工业大学 | 一种磁加载晶片研磨方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219984B2 (ja) | 1987-05-01 |
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