JPS6051778B2 - X-ray generator - Google Patents

X-ray generator

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Publication number
JPS6051778B2
JPS6051778B2 JP53050834A JP5083478A JPS6051778B2 JP S6051778 B2 JPS6051778 B2 JP S6051778B2 JP 53050834 A JP53050834 A JP 53050834A JP 5083478 A JP5083478 A JP 5083478A JP S6051778 B2 JPS6051778 B2 JP S6051778B2
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JP
Japan
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electron beam
target
ray
image
angle
Prior art date
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Expired
Application number
JP53050834A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS54143089A (en
Inventor
至誠 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
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Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はX線発生装置に関し、特にX線発生ターゲッ
ト上の電子線照射位置を変化させ得、更には該ターゲッ
トから発生したX線をピンホールレンズの微小開口を介
してマイクロビームとして取り出すようにしたX線発生
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an X-ray generator, and particularly to an X-ray generator that can change the electron beam irradiation position on an X-ray generating target, and further transmits the X-rays generated from the target through a microscopic aperture of a pinhole lens. The present invention relates to an X-ray generator which extracts a micro beam as a micro beam.

近年人体等の被写体の断層像を取得する装置(CT装
置)が開発され注目を浴ひている。
2. Description of the Related Art In recent years, devices (CT devices) for acquiring tomographic images of objects such as human bodies have been developed and are attracting attention.

このCT装置においてはX線源とX線検出器とを被写体
の周りて平行移動あるいは回転移動させ、被写体に対し
多数の異つた角度でX線を照射するようにしている。第
1図はX線源としてターゲット上で電子線を走査すると
共にターゲットから発生したX線をピンホールレンズの
微小開口を介して取り出すようにしたX線マイクロビー
ム発生器を用いたCT装置を示している。図中1は電子
銃であり該電子銃1から発生し加速された電子線は、図
示していないが適宜な収束レンズによつてX線発生ター
ゲット2上に収束される。該ターゲット2 1−腰1フ
!lmlml!LLμJヨILIヨ −11、りlァレ
′゛ア唇IZ線を偏向することにより変えられる。該タ
ーゲット2への電子線の照射により発生したX線はピン
ホールレンズ4の微小開口を通つてマイクロビームとさ
れ、被写体5に投射される。ここで該ターゲット2上の
電子線照射位置を変化させればピンホールレンズ4の微
小開口を通過するX線マイクロビームの投射方向が変化
し、その結果被写体5はX線ビームによつて走査される
ことになる。該被写体5を透過したX線はX線検出器6
に入射して検出され、該検出信号は図示外の電子計算機
に供給されて処理される。このような配置において電子
銃1、ターゲット2、偏向コイル3、ピンホールレンズ
4等より成るX線マイクロビーム発生器とX線検出器6
とを被写体5の周りて回転させれは被写体5には多数の
異つた照射角度でX線が投射され検出器6からは断層像
を得るに十分な検出データが得られる。 さて上述した
如きCT装置において得られる断層像の濃度分解能ある
いはSN比は被写体に照射゜されるX線ビーム強度を大
きくすることすなわちターゲット2に照射される電子線
のパワーを大きくすることにより向上させることができ
、又ピンホールレンズ4の微小開口から見たターゲット
2上の電子線像の幅を狭くすることによつて像の空・間
分解能を上げることができる。
In this CT apparatus, an X-ray source and an X-ray detector are moved in parallel or rotationally around an object, so that the object is irradiated with X-rays at many different angles. Figure 1 shows a CT system that uses an X-ray microbeam generator as an X-ray source that scans an electron beam over a target and extracts the X-rays generated from the target through a microscopic aperture of a pinhole lens. ing. In the figure, reference numeral 1 denotes an electron gun, and an accelerated electron beam generated from the electron gun 1 is converged onto an X-ray generation target 2 by a suitable converging lens (not shown). Target 2 1-waist 1f! lmlml! LLμJ and ILI can be changed by deflecting the IZ line. X-rays generated by irradiating the target 2 with an electron beam pass through a small aperture of a pinhole lens 4 to become a microbeam, and are projected onto a subject 5. If the electron beam irradiation position on the target 2 is changed here, the projection direction of the X-ray microbeam passing through the microscopic aperture of the pinhole lens 4 changes, and as a result, the subject 5 is scanned by the X-ray beam. That will happen. The X-rays transmitted through the subject 5 are sent to an X-ray detector 6.
The detection signal is supplied to an electronic computer (not shown) and processed. In this arrangement, an X-ray microbeam generator consisting of an electron gun 1, a target 2, a deflection coil 3, a pinhole lens 4, etc. and an X-ray detector 6 are installed.
When the X-rays are rotated around the subject 5, X-rays are projected onto the subject 5 at many different irradiation angles, and the detector 6 obtains detection data sufficient to obtain a tomographic image. Now, the density resolution or S/N ratio of a tomographic image obtained with the above-mentioned CT apparatus can be improved by increasing the intensity of the X-ray beam irradiated to the subject, that is, by increasing the power of the electron beam irradiated to the target 2. Furthermore, by narrowing the width of the electron beam image on the target 2 seen through the minute aperture of the pinhole lens 4, the spatial and spatial resolution of the image can be increased.

しかしながら、電子線パワーを増大させ、あるいは電子
線像の幅を狭くすると、それに伴つてターゲット2の電
子線照射部分の温度が上昇し、ターゲットが破損してし
まう。J 本発明は上述した点に鑑みてなされたもので
あり、ターゲットの破損なしに電子線のパワーを増大さ
せ、被写体に投射されるX線ビーム強度を大きくし得、
更にはターゲット上の電子線像の幅を狭くし得るX線発
生装置を提供する。
However, when the electron beam power is increased or the width of the electron beam image is narrowed, the temperature of the electron beam irradiated portion of the target 2 increases, resulting in damage to the target. J The present invention has been made in view of the above points, and is capable of increasing the power of an electron beam without damaging the target, increasing the intensity of the X-ray beam projected onto the subject,
Furthermore, the present invention provides an X-ray generating device that can narrow the width of an electron beam image on a target.

本発明においてX線発生ターゲット上に照射される電子
線の断面形状は細長くされ、該ターゲットは該電子線の
偏向される平面に対し傾いて配置される。
In the present invention, the cross-sectional shape of the electron beam irradiated onto the X-ray generating target is elongated, and the target is arranged at an angle with respect to the plane on which the electron beam is deflected.

第2図Aは幅がb1長さがhの電子線FGを紙面に対し
て垂直方向の偏向面に直角に配置されたターゲットT1
に照射する場合、第2図Bは同様な電子線を該偏向面に
対し角θ傾斜させて配置させたターゲットTbに照射し
た場合を示している。第2図Aにおいて、ターゲットT
a上の電子線像の長さはhであるが、第2図Bにおいて
ターゲットTb上の電子線像の長さh″はh/Sinθ
となる。ここで、ターゲットに照射される電子線のパワ
ーPについては近似的に次式の関係が成立つ。PCX:
)(電子線像の長さ)×l(電子線像の幅)この結果、
第2図Aと第2図Bの場合を比較すると、θ=30図で
あればh″=々となり両者の電子線像の幅が同じとする
と、第2図Bの配置では、電子線のパワーを2倍に上げ
ることができ、ターゲットから発生したX線を小さな取
り出し角で取り出せば、大なる強度のX線を得ることが
できる。
Figure 2A shows an electron beam FG with a width of b1 and a length of h at a target T1 placed perpendicular to the deflection plane perpendicular to the plane of the paper.
FIG. 2B shows a case where a similar electron beam is irradiated onto a target Tb arranged at an angle θ with respect to the deflection plane. In Figure 2A, target T
The length of the electron beam image on a is h, but in FIG. 2B, the length h'' of the electron beam image on the target Tb is h/Sinθ
becomes. Here, the following relationship approximately holds true for the power P of the electron beam irradiated onto the target. PCX:
) (length of electron beam image) x l (width of electron beam image) As a result,
Comparing the cases of Fig. 2A and Fig. 2B, if θ = 30 figures, h'' = h'', and assuming that the width of the electron beam images in both cases is the same, in the arrangement of Fig. 2B, the electron beam The power can be doubled, and if the X-rays generated from the target are taken out at a small extraction angle, X-rays of high intensity can be obtained.

又2種の配置において同じパワーの電子線を照射する場
合、第2図Bでは電子線像の幅を114にすることがで
きる。さて上述した如く、ターゲットを電子線の偏向面
に対して傾斜させて配置すれば、ターゲットの.破損な
しに大なる強度のX線が得られ、又ターゲット上の電子
線像の幅を狭くし得るが、この傾斜ターゲット上では電
子線を走査すると、ピンホールから見た電子線像は場所
的に傾いて見える。
Furthermore, when irradiating electron beams of the same power in two types of arrangements, the width of the electron beam image can be set to 114 in FIG. 2B. Now, as mentioned above, if the target is placed at an angle with respect to the deflection plane of the electron beam, the target's . High intensity X-rays can be obtained without damage, and the width of the electron beam image on the target can be narrowed, but when scanning the electron beam on this tilted target, the electron beam image seen through the pinhole is It looks like it's leaning towards.

第3図は平面Sに対して垂直な電子線(線分GF).を
平面Sに対して角度θ傾けて配置されたターゲット面T
に照射した場合を示しているが、線分GFの電子線のタ
ーゲット面T上の像はBCとなる。このターゲット上の
像BCはピンホールP側から見るとIJのように角度ψ
だけ傾いて見える。このようなピンホールから見たター
ゲット上の電子線像の傾きは実質的に電子線像の幅を広
くすると同じ影響を与え、好ましくない。本発明におい
て細長い断面形状の電子線は該電子線の偏向面に対し、
ある角度傾けられてターゲットに照射される。ここで電
子線を偏向面に対してある角度傾けたときにピンホール
から見たターゲット上の電子線像の傾きが無い場合につ
いて第4図に基づき考察する。第4図において、長さが
hの細長い電子線FGは電子線の偏向面に垂直な方向に
対してψだけ傾けられている。この電子線の!面に対す
る成分匝は″となる。
Figure 3 shows an electron beam (line segment GF) perpendicular to the plane S. The target surface T is arranged at an angle θ with respect to the plane S.
The image of the electron beam on the target surface T of the line segment GF is BC. The image BC on this target has an angle ψ like IJ when viewed from the pinhole P side.
It looks tilted. Such an inclination of the electron beam image on the target as viewed from the pinhole has substantially the same effect as widening the width of the electron beam image, and is not preferable. In the present invention, the electron beam with an elongated cross-sectional shape has the following characteristics for the deflection plane of the electron beam:
It is tilted at a certain angle and irradiated onto the target. Here, the case where there is no inclination of the electron beam image on the target as seen from the pinhole when the electron beam is tilted at a certain angle with respect to the deflection plane will be considered based on FIG. 4. In FIG. 4, an elongated electron beam FG having a length h is tilted by ψ with respect to a direction perpendicular to the plane of deflection of the electron beam. This electron beam! The component weight for the surface is ``.

このような電子線が偏向面に対しθ傾けられたターゲッ
ト面Tに照射されるがターゲット上の電子線像の偏向面
と平行な成分は図中ABで示される。該電子線像の成分
ABはピンホールの中心点Pから見た場合傾きが無い。
尚図中Hの部分はターゲットを電子線の偏向面に垂直な
方向から見た場合の関係を示している。この第4図に示
した関係から次式が導かれる。上記2式より となる。
Such an electron beam is irradiated onto a target surface T tilted by θ with respect to the deflection plane, and the component of the electron beam image on the target parallel to the deflection plane is indicated by AB in the figure. Component AB of the electron beam image has no inclination when viewed from the center point P of the pinhole.
Note that the portion H in the figure shows the relationship when the target is viewed from a direction perpendicular to the deflection plane of the electron beam. The following equation is derived from the relationship shown in FIG. From the above two equations.

更にとなり又、匝は近似的に次のように表わされる■−
従つて次の関係式が得られる。
Furthermore, the box can be approximately expressed as follows ■−
Therefore, the following relational expression is obtained.

上式は更に以下のように書き換えられる。The above equation can be further rewritten as follows.

この(4)式を満足するようにターゲットを角度0傾け
れば、ピンホール側から見た電子線像の傾きは無くなる
ことになる。
If the target is tilted at an angle of 0 so as to satisfy equation (4), the tilt of the electron beam image seen from the pinhole side will disappear.

この(4)式から明らかな如く、電子線を偏向すれば、
それに伴つて角度αとβが変化するが、この角度αとβ
の変化に応じてターゲットの傾き角度θを場所的に変え
ておけば、ピンホール中心Pから見た電子線像は電子線
の偏向により、ターゲット上の電子線照射位置が変化し
ても常に傾きがなく、極めて幅の狭い像となる。第5図
は本発明の一実施例を示しており、11は細長い断面形
状の電子線を発生し得る電子線源である。
As is clear from equation (4), if the electron beam is deflected,
The angles α and β change accordingly, but the angles α and β
If the inclination angle θ of the target is changed locally according to changes in This results in an extremely narrow image. FIG. 5 shows an embodiment of the present invention, in which reference numeral 11 denotes an electron beam source capable of generating an electron beam with an elongated cross-section.

該電子線源11より発生した細長い電子線は適宜なる偏
向信号発生回路(図示せず)から偏向信号が供給される
静電偏向器12によつて偏向され、X線発生ターゲット
13に照射される。該ターゲット13への電子線の照射
により発生したX線はピンホールレンズ14の微小開口
15を通つて取り出され、被写体(図示せず)に向け投
射される。ここで該ターゲット13は電子線の偏向面に
対して傾いて配置されており、更にその傾きの角度は、
前述した(4)式を略満足するように場所的に異つてい
る。この結果ピンホールレンズ14の微小開口15から
見たターゲット上の電子線像は傾きがなく、被写体には
幅の狭いX線ビームが投射される。以上本発明を詳述し
たが、本発明においてはX線発生ターゲットに細長い断
面形状の電子線を照射し、該電子線の偏向面に対し、該
ターゲットを傾けて配置するようにしているため、該電
子線のパワーを増大せしめることができ、又ターゲット
上の電子線像の幅を狭くし得るため本発明に基づくX線
発生装置をCT装置に用いれば、極めて分解能の高い断
層像を得ることができる。
The elongated electron beam generated by the electron beam source 11 is deflected by an electrostatic deflector 12 to which a deflection signal is supplied from an appropriate deflection signal generation circuit (not shown), and is irradiated onto an X-ray generation target 13. . X-rays generated by irradiating the target 13 with an electron beam are extracted through a minute aperture 15 of a pinhole lens 14 and projected toward a subject (not shown). Here, the target 13 is arranged at an angle with respect to the deflection plane of the electron beam, and the angle of the inclination is as follows:
They differ from place to place so that the above-mentioned equation (4) is substantially satisfied. As a result, the electron beam image on the target seen through the minute aperture 15 of the pinhole lens 14 has no inclination, and a narrow X-ray beam is projected onto the object. The present invention has been described in detail above, but in the present invention, an X-ray generating target is irradiated with an electron beam having an elongated cross section, and the target is arranged at an angle with respect to the deflection plane of the electron beam. Since the power of the electron beam can be increased and the width of the electron beam image on the target can be narrowed, if the X-ray generator according to the present invention is used in a CT device, it is possible to obtain a tomographic image with extremely high resolution. I can do it.

尚上述した実施例ては細長い形状の電子線を発生する電
子線源を用いたが適宜な電子線源を用い非点装置によつ
て細長い電子線を形成し、ターゲットに照射するように
しても良い。
In the above-mentioned embodiment, an electron beam source that generates an elongated electron beam is used; however, an appropriate electron beam source may be used to form an elongated electron beam using an astigmatism device, and the target may be irradiated with the elongated electron beam. good.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のX線断層像を得る装置を示す図、第2図
は電子線の偏向面に対し垂直に配置されたターゲットと
該偏向面に傾斜して配置されたターゲットを示す図、第
3図はピンホール位置から見たターゲット上の電子線像
を示す図、第4図は本発明の原理を説明するための図、
第5図は本発明の一実施例を示す図である。 11・・・・・・電子線源、12・・・・・・偏向器、
13・・X線発生ターゲット、14・・・・・・ピンホ
ールレン”ズ。
FIG. 1 is a diagram showing a conventional apparatus for obtaining an X-ray tomographic image, and FIG. 2 is a diagram showing a target arranged perpendicularly to the deflection plane of the electron beam and a target arranged at an angle to the deflection plane. FIG. 3 is a diagram showing an electron beam image on the target seen from the pinhole position, FIG. 4 is a diagram for explaining the principle of the present invention,
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the present invention. 11... Electron beam source, 12... Deflector,
13...X-ray generation target, 14...pinhole lenses.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 細長い断面形状の電子線をX線発生ターゲットに照
射し、該ターゲットより発生したX線をピンホールレン
ズの開口を介して取り出すと共に該電子線を偏向し、該
ターゲット上の電子線照射位置を変え得るように構成し
たX線発生装置において、該ターゲットの電子線照射面
は電子線の偏向面に対して傾斜させて配置されており、
該傾斜の角度は電子線の偏向角度に応じ場所的に異つて
いることを特徴とするX線発生装置。
1. An electron beam with an elongated cross section is irradiated onto an X-ray generation target, and the X-rays generated from the target are taken out through the opening of a pinhole lens, and the electron beam is deflected to determine the electron beam irradiation position on the target. In the X-ray generator configured to be variable, the electron beam irradiation surface of the target is arranged to be inclined with respect to the electron beam deflection surface,
An X-ray generator characterized in that the angle of inclination varies depending on the deflection angle of the electron beam.
JP53050834A 1978-04-28 1978-04-28 X-ray generator Expired JPS6051778B2 (en)

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JPS54143089A JPS54143089A (en) 1979-11-07
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CN104545955B (en) * 2013-10-14 2017-06-20 上海西门子医疗器械有限公司 A kind of x-ray imaging method and apparatus

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