JPS6049636A - Mounting method of chip - Google Patents
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- JPS6049636A JPS6049636A JP15648783A JP15648783A JPS6049636A JP S6049636 A JPS6049636 A JP S6049636A JP 15648783 A JP15648783 A JP 15648783A JP 15648783 A JP15648783 A JP 15648783A JP S6049636 A JPS6049636 A JP S6049636A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のチップをリードフレーム上にマウ
ントする方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for mounting a semiconductor chip on a lead frame.
従来、チップのマウント方法としてはペースト状の導電
性接着剤をリードフレーム上にディスペンサー、スタン
ピング、スクリーン印刷などによシ所要量を所定の位置
に塗布し、次いでチップをその上に塔載し、熱盤上また
はオーブン中で加熱硬化させることによシチップをマウ
ントする方法がとられていた。これに対しチップに分割
する前にシリコーンウェハーに導電ペーストを塗布し、
適宜加熱して半硬化させた後、チップに分割しこれをリ
ードフレーム上に圧着し加熱硬化させることにより、チ
ップをマウントする別法が提案されている。後者の方法
は明らかに前者の方法に比し、工数の節減、レジンの立
上りによるチップ汚染の防止などの面ではすぐれたよい
方法である。しかしペースト状樹脂を加熱して半硬化さ
せる条件の調整が困難であるのが欠点である。即ち半硬
化が不十分であると樹脂の塗布面がタックフリーになら
ないし、半硬化が進みすぎると加熱しても樹脂の塗布面
が十分に粘着せず、所謂再活性化が十分でなく、チップ
マウントの接着力が著しく低下するのでいずれも望まし
くない。Conventionally, the chip mounting method involves applying a required amount of paste-like conductive adhesive onto a lead frame using a dispenser, stamping, screen printing, etc. at a predetermined position, and then mounting the chip on top of it. The conventional method was to mount the chip by heating and curing it on a hot plate or in an oven. In contrast, conductive paste is applied to silicone wafers before dividing them into chips.
Another method has been proposed in which the chip is mounted by semi-curing it by heating appropriately, dividing it into chips, pressing the chips onto a lead frame, and heating and curing them. The latter method is clearly superior to the former method in terms of reducing man-hours and preventing chip contamination due to resin build-up. However, the drawback is that it is difficult to adjust the conditions for heating and semi-curing the paste resin. In other words, if the semi-curing is insufficient, the surface to which the resin is applied will not become tack-free, and if the semi-curing progresses too much, the surface to which the resin will be applied will not stick sufficiently even when heated, and the so-called reactivation will not be sufficient. Both are undesirable because the adhesive strength of the chip mount is significantly reduced.
本発明者らはこれらの点について種々検討した結果、塗
布後単に溶剤を揮発させるだけでタックフリーの樹脂塗
布面が直ちに得られるように、用いる熱硬化性樹脂組成
物として可溶可融性の固形樹脂を用いるとよいことを見
出し本発明をなすに至った。即ち本発明の方法に於いて
は樹脂塗布面をタックフリーにするのに全く半硬化の工
程を必要としないものである。As a result of various studies on these points, the present inventors decided to use a soluble and fusible thermosetting resin composition so that a tack-free resin-coated surface could be obtained immediately by simply volatilizing the solvent after coating. The present inventors have discovered that it is advantageous to use a solid resin and have accomplished the present invention. That is, the method of the present invention does not require any semi-curing process to make the resin-coated surface tack-free.
本発明は可溶可融性の固形エポキシ樹脂組成物、銀粉及
び溶剤よりなる導電性接着剤を用いることを特長とする
ものであり、該導電性接着剤を分割前のシリコーンウニ
・・−に塗布した後、溶剤を揮発させ粘着性がなく々る
まで乾燥し、次いでチップに分割し、更に得られた個々
のチップの樹脂塗布面を加熱したリードフレーム上に圧
着させ、硬化させることによるチップのマウント方法で
ある。The present invention is characterized by using a conductive adhesive made of a soluble solid epoxy resin composition, silver powder, and a solvent, and the conductive adhesive is applied to silicone sea urchins before dividing. After coating, the solvent is evaporated and the adhesive is dried until it is no longer sticky, then it is divided into chips, and the resin-coated surface of each chip is pressed onto a heated lead frame and cured. This is the mounting method.
本発明のチップマウント方法の特長は、塗布面の乾燥は
単に溶剤の揮発のみで十分であり、樹脂の反応の調整を
要する半硬化は全く必要としないことであり、従って半
硬化条件の詳細な検討は全く必要でなく、再活性が容易
でしかもタックフリーな樹脂塗布面が容易に得られるこ
とである。しかも樹脂塗布面の厚さの調整が容易で均一
な厚さのものが得やすいこと、従って樹脂層がはみ出し
てチップ汚染をおこすおそれがないことなどの特長がお
る。このように本発明のチップのマウント方法は数々の
利点があり、半導体部品製造工業に於いて極めて有用な
ものである。The feature of the chip mounting method of the present invention is that simply volatilizing the solvent is enough to dry the coated surface, and there is no need for semi-curing that requires adjustment of the resin reaction. No consideration is required, and a resin-coated surface that is easy to reactivate and is tack-free can be easily obtained. Moreover, it has the advantage that it is easy to adjust the thickness of the resin-coated surface, making it easy to obtain a uniform thickness, and there is no risk of the resin layer protruding and causing chip contamination. As described above, the chip mounting method of the present invention has many advantages and is extremely useful in the semiconductor component manufacturing industry.
また本発明のチップマウント用の導電ペーストに於いて
はクロルイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物は勿論のこと、プレッシャークツカーテストの際加水
分解されて出て来る加水分解性のクロル基を可及的に含
まないことが、半導体部品の信頼性向上、特に耐湿通電
テストによる性能劣化のないことのためには必須条件で
ある。In addition, the conductive paste for chip mounting of the present invention not only contains ionic impurities such as chlorine ions and alkali metal ions, but also contains hydrolyzable chloride groups that are hydrolyzed and released during the pressure courier test. It is essential to avoid including as much of it as possible in order to improve the reliability of semiconductor components, especially to avoid performance deterioration in humidity resistance current tests.
従りて用いるエポキシ樹脂組成物としては、クロルイオ
ン、アルカリ金属イオンなどのイオン性不純物がそれぞ
れ10 ppm以下であること、加水分解性り0.A/
基が500ppm、好ましくは300 ppm以下であ
ることが好ましい。本発明の用途のためにはその高度信
頼性は上記の含有不純物量に比例して劣化していくこと
が知られているので、用いるエポキシ樹脂組成物として
高純度のものを用いることが望ましい。Therefore, the epoxy resin composition used must contain ionic impurities such as chlorine ions and alkali metal ions of 10 ppm or less, and have a hydrolyzability of 0. A/
It is preferred that the group is present at less than 500 ppm, preferably 300 ppm. For the purpose of the present invention, it is known that the high reliability thereof deteriorates in proportion to the amount of impurities contained, so it is desirable to use a highly pure epoxy resin composition.
本発明に用いる銀粉としては、ハロゲンイオン、アルカ
リイオン等のイオン性不純物の含有量がそれぞれ10
ppm以下であり、粒径は0.1乃至50μの範囲であ
り、要すればやや粗なフレーク状または樹枝状のものと
やや細い粒状のものとが適宜混合したものである。The silver powder used in the present invention has a content of ionic impurities such as halogen ions and alkali ions of 10% each.
ppm or less, and the particle size is in the range of 0.1 to 50 μm, and if necessary, it is an appropriate mixture of slightly coarse flaky or dendritic particles and slightly fine granular particles.
まだ銀粉製造に際しては適宜滑剤として金属石鹸などを
添加してもよいが、その場合には熱水洗滌などによシ除
去することが好ましい。また洗滌は銀粒子表面の汚染の
除去、活性化にも効果があるが、粒度分布をかなシ変化
させることがあるので注意を要する。Metal soap or the like may be added as a lubricant when producing silver powder, but in that case it is preferable to remove it by washing with hot water or the like. Washing is also effective in removing contamination from the surface of silver particles and in activating it, but care must be taken as it may drastically change the particle size distribution.
本発明に於ける銀粉の混合割合としては、組成5−
物に対して70〜95重量%であることが望ましい。こ
れより少ないと沈降分離し易くなること、導電性が低く
なるとと々どで望ましくなく、それ以上用いても導電性
がさほど向上しないのにコストが著しく増大する上に接
着力などの低下をおこすので望ましくない。The mixing ratio of silver powder in the present invention is preferably 70 to 95% by weight based on composition 5-. If the amount is less than this, it becomes easy to settle and separate, and if the conductivity becomes low, it is undesirable at times, and even if it is used in excess, the conductivity does not improve much, but the cost increases significantly and the adhesive strength etc. decreases. Therefore, it is undesirable.
本発明に用いるエポキシ樹脂組成物としては、可溶可融
性の固形であり、軟化点は60℃以上であることが必要
である。液状または固形でも軟化点60℃以下の場合に
はいずれも溶剤を揮発させただけではタックフリーの塗
布面を与え離いので好ましくない。上記要件を充たすた
めにはエポキシ樹脂が液状であっても硬化剤がやや高い
軟化点の固形であること、または硬化剤が液状であって
もエポキシ樹脂がやや高軟化点の固形であることなどに
よシ両者を配合した組成物として反応を併なわないで粘
着性のない固形となるものであればよい。しかし、本発
明の目的のためにはエポキシ樹脂、硬化剤共に軟化点6
0℃以上の固形のものであることが更に好ましい。更に
、本発明のエボ6−
キシ樹脂組成物に於いては、硬化促進剤を含んでいるこ
とが硬化特性を適宜調整する上で好ましいのであるが、
硬化促進剤の使用量は少ないので、液状のものを使用し
ても固形の樹脂組成物の軟化点を大幅に低下させるおそ
れはない。なお、従来の導電性接着剤に於いては溶剤を
用いないか寸たは可及的に少なく用い、しかも可及的低
粘度であることが要望されていたので、上記エポキシ樹
脂組成としては液状のものが用いられて来たのである。The epoxy resin composition used in the present invention needs to be a soluble solid and have a softening point of 60°C or higher. Even if it is liquid or solid, if the softening point is 60° C. or lower, simply evaporating the solvent is not preferable because a tack-free coated surface is not obtained. In order to meet the above requirements, the hardening agent must be solid with a slightly high softening point even if the epoxy resin is liquid, or the epoxy resin must be solid with a slightly high softening point even if the hardening agent is liquid. It is sufficient that the composition is a mixture of the two, which does not react and forms a non-tacky solid. However, for the purpose of the present invention, both the epoxy resin and the curing agent have a softening point of 6.
It is more preferable that it is solid at a temperature of 0°C or higher. Furthermore, in the EVO 6-oxy resin composition of the present invention, it is preferable to contain a curing accelerator in order to appropriately adjust the curing characteristics.
Since the amount of curing accelerator used is small, even if a liquid one is used, there is no risk of significantly lowering the softening point of the solid resin composition. It should be noted that in conventional conductive adhesives, it was desired that no solvent be used, or that the solvent be used as little as possible, and that the viscosity be as low as possible. have been used.
また本発明に用いるエポキシ樹脂は、加水分解性ハロゲ
ン基含有量が600 ppm以下、好ましくは300
ppm以下であることが望ましい。そのために予めアル
カリ洗滌などの精製を行ってハロゲン含有量の減少をは
かったものであることが好ましい。またクロルイオン、
アルカリ金属イオンなどのイオン性不純物が10 pp
m以下であるととが望ましい。これらの条件を充たさ々
いて上記の不純物を多く含むものを用いると耐湿通電テ
ストなどの信頼性に於いて著しい劣化をきたすので好ま
しくない。更に本発明に用いるエポキシ樹脂は分子当り
平均2.5ケ以−ヒのエポキシ基を含有するものである
ことが望ましい。これよ多官能性が低すと硬化性が劣化
し、硬化物の耐熱性が著しく低下するので好ましくない
。Further, the epoxy resin used in the present invention has a hydrolyzable halogen group content of 600 ppm or less, preferably 300 ppm or less.
It is desirable that the amount is less than ppm. For this purpose, it is preferable that the halogen content be reduced by performing purification such as alkaline washing in advance. Also, chlor ion,
10 pp of ionic impurities such as alkali metal ions
It is desirable that it be less than m. If these conditions are met and a material containing a large amount of the above-mentioned impurities is used, it is not preferable because it will cause a significant deterioration in reliability in tests such as humidity resistance current testing. Further, the epoxy resin used in the present invention preferably contains an average of 2.5 or more epoxy groups per molecule. If the polyfunctionality is lower than this, the curability deteriorates and the heat resistance of the cured product decreases significantly, which is not preferable.
本発明に用いるエポキシ樹脂としては上記の要件を充た
すものであればいずれも同様に用いることが出来る。代
表的なものとしては次のようである。フロログルシシー
ルドリグリシジールエーテル、トリヒドロキシビフェニ
ルのトリグリシシールエーテル、テトラヒドロキシビス
フェノールFのテトラグリシシールエーテル、テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンのテトラグリシシールエーテル
、テトラフェノールのテトラグリシシールエーテル、エ
ポキシ化ノボラック、エポキシ化ポリビニルフェノール
、トリグリシシールイソシアヌレート、トリグリシシー
ルS−1リアジン、テトラグリシジールビロメリット酸
エステル、トリグリシシールトリメリット酸エステルな
どの3またはそれ以上の多官能のもの及びジグリシジー
ルレゾルシン、ジグリシジールビスフェノールA1ジグ
リシジールビスフェノールF1ジグリシジールビスフェ
ノ−/l、51ジヒドロキシベンゾフエノンのジグリシ
ジールエーテル、ジグリシジールオキシ安息香酸、ジグ
リシジールフタル酸類、ジグリシジールヒダントインな
どの2官能のものであり、官能性が2.5以上となるよ
うにとれらを適宜配合して用いることが耐熱性向上のた
めには望ましい。また特殊なタイプとしてアリル化ポリ
フェノールまだはメタアリル化ポリフェノールの過酸に
よるエポキシ化物のようにグリシシールエーテル基と核
置換のグリシシール基とを有しているものも上記の条件
を充たしているならば同様に用いることが出来る。Any epoxy resin that satisfies the above requirements can be used in the present invention. Typical examples are as follows. Phloroglucicyl triglycidyl ether, triglycyl ether of trihydroxybiphenyl, tetraglycyl ether of tetrahydroxybisphenol F, tetraglycyl ether of tetrahydroxybenzophenone, tetraglycyl ether of tetraphenol, epoxidized novolac, epoxidized Tri- or more polyfunctional ones such as polyvinylphenol, triglycidyl isocyanurate, triglycidyl S-1 riazine, tetraglycidyl biromellitic acid ester, triglycidyl trimellitic acid ester, diglycidyl resorcin, diglycidyl Bifunctional ones such as Diglycidyl bisphenol A1 Diglycidyl bisphenol F1 Diglycidyl bisphenol, diglycidyl ether of 51 dihydroxybenzophenone, diglycidyloxybenzoic acid, diglycidyl phthalates, diglycidyl hydantoin In order to improve heat resistance, it is desirable to appropriately mix and use these so that the functionality is 2.5 or more. In addition, special types of allylated polyphenols, such as epoxidized products of meta-allylated polyphenols made with peracid, which have a glycysyl ether group and a nuclear-substituted glycysyl group, are also similar if they meet the above conditions. It can be used for.
とれらの中、固形で軟化点60’C以上のエポキシ化ノ
ボラック、特にオルソクレゾールノボラック系のものが
好ましい。Among these, solid epoxidized novolacs having a softening point of 60'C or higher, particularly orthocresol novolacs, are preferred.
本発明に用いる硬化剤はエポキシ基と反応して架橋にあ
ずかる活性水素基を分子当り2.5ケ以上有する多官能
性のものであることが好ましい。このような活性水素を
有する化合物としては、多価9−
フェノール類が特に好寸しい。多価フェノール類として
はフェノール類とホルマリンなどのアルデヒド類との縮
合物であシ、フリーフェノール類は5重量係以下、好ま
しくはIM量係以下のものであることが望ましい。寸だ
フェノール類としては特にオルソクレゾールを用いたも
のが軟化点が高く、しかも溶融粘度の低いものが得やす
いので特に好ましい。The curing agent used in the present invention is preferably a polyfunctional one having 2.5 or more active hydrogen groups per molecule that react with epoxy groups and participate in crosslinking. As such a compound having active hydrogen, polyvalent 9-phenols are particularly suitable. The polyhydric phenols are preferably condensates of phenols and aldehydes such as formalin, and the free phenols preferably have a weight ratio of 5 or less, preferably IM weight ratio or less. Among the phenols, those using orthocresol are particularly preferred because they have a high softening point and a low melt viscosity.
まだ硬化剤としてジシアンジアミドの微粉末を用いても
よい。何れの硬化剤を用いる場合にも、硬化促進剤とし
て、第3級アミンの有機酸またはフェノールの塩を用い
ることが好ましい。これらの硬化剤、硬化促進剤はいず
れもクロルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオン性
不純物はそれぞれ10 ppm以下であるととが好まし
い。Finely divided dicyandiamide powder may still be used as a curing agent. Regardless of which curing agent is used, it is preferable to use a tertiary amine organic acid or phenol salt as the curing accelerator. The content of ionic impurities such as chloride ions and alkali metal ions in each of these curing agents and curing accelerators is preferably 10 ppm or less.
本発明に用いる溶剤としては、沸点120℃乃至150
℃の非芳香族系のものが好ましく、セロソルブ類、カル
ピトール頻々とのようにグリコール類の低級アルキルモ
ノエーテル、ジエーテル、エーテルアセテートなどであ
る。芳香族系のもの10−
はリード線などの汚染をおこすおそれがあるので好まし
くない。またこれよシ沸点が低いと使用中過度に揮発し
易くて粘度、流動性が変動し易くなるので好ましくない
。逆に高いと硬化工程で完全に揮発しないで残存し硬化
物の物性を劣化させるので好ましくない。また本発明に
用いる溶剤はクロルイオン、ナトリウムイオンなどのイ
オン性不純物の含有量が10 ppm以下であることが
好ましい。更にエポキシ樹脂のように加水分解性ハロゲ
ン基を不純物として本質的に含まないものを溶剤として
選ぶことが好ましい。用いる溶剤の量は所望の流動性が
得られ、所望の厚さの塗布が容易となるように適宜調整
することが出来る。The solvent used in the present invention has a boiling point of 120°C to 150°C.
C. non-aromatic ones are preferred, such as lower alkyl monoethers, diethers, and ether acetates of glycols, such as cellosolves and carpitol. Aromatic materials 10- are not preferred because they may contaminate lead wires and the like. Further, if the boiling point is lower than this, it is undesirable because it tends to volatilize excessively during use and the viscosity and fluidity tend to fluctuate. On the other hand, if it is too high, it will not completely volatilize during the curing process and will remain, deteriorating the physical properties of the cured product, which is not preferable. Further, it is preferable that the content of ionic impurities such as chloride ions and sodium ions in the solvent used in the present invention is 10 ppm or less. Furthermore, it is preferable to select a solvent that essentially does not contain hydrolyzable halogen groups as impurities, such as epoxy resins. The amount of solvent used can be adjusted as appropriate so as to obtain the desired fluidity and facilitate the application of the desired thickness.
本発明においては要すれば脱泡剤を適宜用いてもよい。In the present invention, a defoaming agent may be appropriately used if necessary.
脱泡剤としては、シリコーン系、弗素系その他のものの
いずれでもほぼ同様に用られる。As defoamers, silicone-based, fluorine-based, and other defoaming agents can be used in almost the same way.
但し芳香族系の低沸点の溶剤に含まれていないことが好
ましい。また、接点不良の原因にならないようにシリコ
ーン系のものは用いない方がよい。However, it is preferable that it is not contained in aromatic low boiling point solvents. Also, it is better not to use silicone-based materials to prevent contact failure.
イオン性不純物の試験方法は次のようである。The test method for ionic impurities is as follows.
クロルイオンは、試料15S+をトルエン30mQに溶
かし、純水100m1!と2時間振盪復水層を遠心分離
し検液とする。次に検液15ccをホールピペットで採
取し、これに鉄メヨウバン6重量%の水溶液4.mQ、
チオシアン酸水銀0.3重量%のエタノール溶液2me
を加え、25mCになるまで純水で稀釈する。得られた
検液は分光光度用で460nmの波長に於ける吸光度を
測定し、ブランクテストとの対比に於いて予め作成した
検量線を用いて不純物として含まれるクロルイオンの濃
度をめる。For the chlorine ion, dissolve sample 15S+ in 30mQ of toluene and add 100ml of pure water! Shake for 2 hours, centrifuge the condensate layer, and use it as a test solution. Next, 15 cc of the test solution was collected with a whole pipette, and 4. mQ,
Mercury thiocyanate 0.3% by weight ethanol solution 2me
Add and dilute with pure water until the temperature reaches 25mC. The obtained test solution is used for spectrophotometry to measure the absorbance at a wavelength of 460 nm, and in comparison with a blank test, the concentration of chlorine ions contained as impurities is determined using a calibration curve prepared in advance.
ナトリウムイオンは、上記検液をフレームレス原子吸光
分析装置を用いて330.2nmの波長の吸光度より、
ブランクテストとの対比において、予め作成した検量線
を用いて不純物として含まれるナトリウムイオン濃度を
める。Sodium ions were determined by measuring the absorbance of the above test solution at a wavelength of 330.2 nm using a flameless atomic absorption spectrometer.
In comparison with a blank test, the concentration of sodium ions contained as impurities is determined using a calibration curve prepared in advance.
エポキシ樹脂の加水分解性クロル基の定量法は、樹脂1
0fをジオキサン3Qmuに溶かし、更に0.INKO
H−xタノール溶液50mcと共に30分間加熱還流さ
せ、次に生成したクロルイオンの量を001NAgNO
3でめ加水分解性塩素量とする。The method for quantifying hydrolyzable chlorine groups in epoxy resins is as follows: Resin 1
Dissolve 0f in dioxane 3Qmu and add 0. INKO
Heat to reflux for 30 minutes with 50mc of H-x ethanol solution, then measure the amount of chlorine ions generated as 001NAgNO
3. Set the amount of hydrolyzable chlorine.
プレッシャークツカーテストによる熱分解性クロルイオ
ンの測定法は次のようである。導電ペーストを200℃
、30分で硬化させ、次に硬化物を粉砕する。得られた
粉末試料2グを分解ルツボ中で、エタノール3mCを加
えて十分浸漬させる。The method for measuring thermally decomposable chlorine ions using the pressure Kutzker test is as follows. Conductive paste at 200℃
, harden for 30 minutes, and then crush the cured product. 2 g of the obtained powder sample is thoroughly immersed in a decomposition crucible with 3 mC of ethanol added.
次に純水40mQを加えた後、完全に密封し125℃、
20時間処理する。処理後要すれば遠心分離し上澄液を
検液とする。Next, after adding 40 mQ of pure water, completely seal and heat at 125℃.
Process for 20 hours. After treatment, if necessary, centrifuge and use the supernatant as the test solution.
検液中のイオン性不純物の測定法は上記の通シである。The method for measuring ionic impurities in a test solution is the same as described above.
本発明の導電ペーストの製造方法は次のようである。The method for manufacturing the conductive paste of the present invention is as follows.
先ず所定量のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、溶剤
をそれぞれ秤取し混練し均一溶液または分散液とする。First, predetermined amounts of epoxy resin, curing agent, curing accelerator, and solvent are each weighed out and kneaded to form a uniform solution or dispersion.
この場合混練には通常の攪拌槽、捕潰器、インクミルの
ような三本ロールなどを単独または適宜組合せて用いて
もよい。In this case, for kneading, a conventional stirring tank, crusher, three rolls such as an ink mill, etc. may be used alone or in an appropriate combination.
次に所定量の銀粉を秤取し、上記樹脂溶液と混練し完全
に均一なペースト状にする。この場合にも攪拌槽、抽潰
器、三本ロールなどを適宜用いる。Next, a predetermined amount of silver powder is weighed out and kneaded with the resin solution to form a completely uniform paste. In this case as well, a stirring tank, extractor, three rolls, etc. are used as appropriate.
13−
得られたペースト状樹脂組成物を真空チャンバー中で脱
泡する。この場合樹脂組成物の液体の層が厚いと十分に
脱泡出来なくなるので100mm、好ましくは50mm
以下の薄い層に拡げてから真空脱泡することが好ましい
。13- Defoaming the obtained pasty resin composition in a vacuum chamber. In this case, if the liquid layer of the resin composition is thick, sufficient defoaming will not be possible, so the thickness should be 100 mm, preferably 50 mm.
It is preferable to spread the mixture into a thin layer and then vacuum defoaming.
以上のようにして得られた導電ペーストは一15℃また
はそれ以下の温度で貯蔵し輸送することが必要である。The conductive paste thus obtained needs to be stored and transported at a temperature of -15°C or lower.
これよ少高い温度では貯蔵寿命が著しく低下するので好
ましくない。Temperatures slightly higher than this are not preferred because the shelf life is significantly reduced.
本発明の導電ペーストは従来品に比し次のような特長を
有している。The conductive paste of the present invention has the following features compared to conventional products.
■高純度であること、即ちイオン性不純物は勿論のこと
、加水分解性クロル基の量が極めて少ない。その結果プ
レッシャークツカーテストに於けるイオン性不純物の溶
出量は少なく、実用上の信頼性は極めて高いものである
。(2) It has high purity, that is, it has extremely low amount of hydrolyzable chlorine groups as well as ionic impurities. As a result, the amount of ionic impurities eluted in the pressure courier test is small, and the reliability in practical use is extremely high.
■作業性がすぐれていること、即ちチップに分割前のシ
リコンウェハーに塗布後浴剤を揮発させると直ちにタッ
クフリーの塗布面を与える。しかもこの塗布面は室温数
ケ月保存しても安定であシ、14−
120℃乃至200℃に加熱すると溶融して粘着しゃす
い粘稠液状を呈し活性化が容易である。しかもオーブン
中200℃、40分;180℃、60分;150℃、1
20分以内に、熱盤上350℃、30秒以内に、いずれ
も硬化可能である。(2) Excellent workability, that is, a tack-free coating surface is immediately obtained by volatilizing the bath agent after coating the silicon wafer before dividing into chips. Furthermore, this coated surface is stable even when stored at room temperature for several months, and when heated to 14-120°C to 200°C, it melts into a sticky viscous liquid and is easy to activate. Moreover, in the oven 200℃, 40 minutes; 180℃, 60 minutes; 150℃, 1
Both can be cured within 20 minutes at 350°C on a hot platen within 30 seconds.
■その他の特性はいずれも従来品とほぼ同等である。■All other characteristics are almost the same as conventional products.
本発明の導電ペーストを用いたチップマウント方法は次
のようである。The chip mounting method using the conductive paste of the present invention is as follows.
チップに分割する前のシリコーンウエノ・−の接合ずべ
き面に本発明の導電ペーストを一面に均一の厚さに塗布
する。塗布はロールコータ−、スピンナー、スクリーン
印刷様々どにより自動的に精度よく行うことが出来る。The conductive paste of the present invention is applied to a uniform thickness on the surface of the silicone wafer that is to be bonded before being divided into chips. Coating can be performed automatically and accurately using various methods such as a roll coater, spinner, and screen printing.
次にこのようにして得られた塗布膜より溶剤を揮発させ
ることによシタツクフリーとなるようにする。用いる溶
剤の沸点、種類、量などによシ乾燥条件は多少異るが乾
燥した風まだは熱風を当てること力どによシ速やかに乾
燥させるこ゛とが出来る。この場合、本発明の樹脂組成
物に於いては、この開始んど反応の進行は々く樹脂の性
状は殆んど変化しないにも拘らず、本来固形の樹脂組成
物を用いているので溶剤の揮発のみで再活性が容易であ
り、かつ所望のタックフリー性を有する樹脂塗布膜が容
易に、安定して、直ちに得られることが大きな特長の1
つである。Next, the solvent is evaporated from the coating film thus obtained to make it dust-free. Drying conditions vary somewhat depending on the boiling point, type, amount, etc. of the solvent used, but drying can be done quickly by applying dry air or hot air. In this case, in the resin composition of the present invention, the reaction progresses quickly even after initiation, and the properties of the resin hardly change. One of the major features is that it is easy to reactivate just by volatilization, and a resin coating film with the desired tack-free properties can be easily, stably, and immediately obtained.
It is one.
即ち、この間所謂半硬化させることによυ樹脂塗布膜の
タックフリー化をはかることは不要である。That is, it is not necessary to make the υ resin coating film tack-free by so-called semi-curing during this period.
一般に熱硬化性樹脂に於いて、A状態の液状の樹脂を半
硬化させて再活性可能なり状態となし、更に高温に加熱
して不溶不融化して硬化させC状態となすことはよく行
われるととである。しかし、このような半硬化に基〈従
来品は、その調整は極めて困難でアシ、やや不十分であ
るとタックフリー性が不十分となり、やや行き過ぎると
タックフリー性は十分であっても再活性が不十分となり
、安定した接着性が得られ難くなるおそれがあるのが大
きな欠点であった。Generally, in the case of thermosetting resins, it is common practice to semi-cure the liquid resin in state A to make it reactivable, and then heat it to a high temperature to make it insoluble and harden it to state C. It is toto. However, with conventional products, it is extremely difficult to adjust the degree of semi-curing. A major drawback was that there was a risk that the adhesiveness would be insufficient, making it difficult to obtain stable adhesion.
本発明に於いては工程上のこの点を大幅な改善をはから
うとするものである。The present invention attempts to significantly improve this point in the process.
本発明の塗膜乾燥の条件は室温でも十分であり、適宜温
度を上げて促進してもよい。Room temperature is sufficient for drying the coating film of the present invention, and the drying may be accelerated by raising the temperature as appropriate.
このようにしてシリコーンウェハー−の面にタックフリ
ーな樹脂塗布膜を形成せしめた後、所定の大きさのチッ
プに分割する。分割されたチップは予め120℃乃至1
80℃に加熱したリードフレーム上の所定の位置に圧着
することによシ、チップの樹脂塗布面を再活性化させ粘
着させる。更に200℃乃至350℃に加熱して硬化さ
せ接着させる。この際再活性化が安定してすぐれている
ので、接着性も極めて安定してすぐれている。After forming a tack-free resin coating film on the surface of the silicone wafer in this manner, the silicone wafer is divided into chips of a predetermined size. The divided chips are preheated to 120℃ to 1
By pressing the chip into a predetermined position on a lead frame heated to 80° C., the resin-coated surface of the chip is reactivated and becomes adhesive. Furthermore, it is heated to 200° C. to 350° C. to cure and bond. At this time, since the reactivation is stable and excellent, the adhesion is also extremely stable and excellent.
以上のように本発明のチップマウント方法は作業性が特
に安定してすぐれていること、及び得られた半導体部品
の信頼性が極めて高いことが従来法に比し大きな特長で
ある。As described above, the chip mounting method of the present invention has great advantages over conventional methods in that the workability is particularly stable and excellent, and the reliability of the obtained semiconductor components is extremely high.
以下実施例につき説明する。Examples will be explained below.
実施例
固形のクレゾールノボラックのグリシシールエーテル型
エポキシ樹脂のエチルセロソルブアセテートによる50
重爺チ溶液30重量部、固形のクレゾール系ノボラック
のエチルセロソルブアセテ−1フー
ートによる50重量−の溶液25重量部、トリエチレン
ジアミンのレゾルシン塩0.02重量部よシなるエポキ
シ樹脂組成物の溶液と銀粉78重量部とを3本ロールで
混練して銀ペーストを得る。この場合用いたエポキシ樹
脂は軟化点70℃、エポキシ当量205、数平均分子量
580、加水分解性クロル基400 ppmであシ、用
いたノボラックは数平均分子量は4101軟化点60℃
のものである。しかも溶剤、樹脂、硬化剤、硬化促進剤
は何れもクロルイオン、ナトリウムイオンはそれぞれ5
ppm以下のものである。得られた銀ペーストを直径
3インチのシリコーンウェハーの裏面ニスクリーン印刷
機でコーティングする。80℃、30分間乾燥し、溶剤
を揮発させると、樹脂コート面はタックフリーとな゛る
。一旦タツクフリーとなった樹脂は室温数ケ月は安定で
あり、加熱により再活性化が可能である。次にスクライ
バ−を用いてこのシリコーンウェハーを2m角に個芹化
しチップとする。このチップのコート面を200℃に加
熱したリードフレーム上に約10秒間圧着し、更=18
−
に200℃のオーラフ940分間加熱して硬化させるこ
とによりチップをリードフレームにマウントする。銀ペ
ーストの硬化物の性能は第1表に、タンクフリーの樹脂
コート面の保存性は第1図に示す通りである。Example Solid cresol novolac glycysyl ether type epoxy resin 50% by ethyl cellosolve acetate
A solution of an epoxy resin composition consisting of 30 parts by weight of a chlorinated acid solution, 25 parts by weight of a 50 part by weight solution of solid cresol-based novolak in ethyl cellosolve acetate, and 0.02 parts by weight of a resorcinol salt of triethylenediamine. A silver paste is obtained by kneading 78 parts by weight of silver powder using three rolls. The epoxy resin used in this case had a softening point of 70°C, an epoxy equivalent of 205, a number average molecular weight of 580, and a hydrolyzable chloro group of 400 ppm, and the novolak used had a number average molecular weight of 4101 and a softening point of 60°C.
belongs to. Furthermore, the solvent, resin, curing agent, and curing accelerator all contain 5 chloride ions and 5 sodium ions.
ppm or less. The resulting silver paste is coated on the back side of a 3 inch diameter silicone wafer using a Niscreen printer. After drying at 80° C. for 30 minutes to evaporate the solvent, the resin-coated surface becomes tack-free. Once the resin becomes tack-free, it remains stable for several months at room temperature and can be reactivated by heating. Next, using a scriber, this silicone wafer is diced into 2 m square pieces to form chips. The coated surface of this chip was pressed for about 10 seconds on a lead frame heated to 200°C, and
- Mount the chip on a lead frame by heating and curing at 200° C. for 40 minutes. The performance of the cured silver paste is shown in Table 1, and the shelf life of the tank-free resin coated surface is shown in Figure 1.
比較例
液状のビスフェノールAのグリシシールエーテル形エポ
キシ樹脂20重量部、ジシアンジアミド1重量部、トリ
スジメチルアミノメチルフェノールのレゾルシン塩00
2重量部よりなる樹脂組成物と銀粉79重量部とを3本
ロールで混練して銀ペーストを得る。この場合用いたエ
ポキシ樹脂はエポキシ当量195、数平均分子量400
、加水分解性クロル基800 ppmである。得られた
銀ペーストを実施例と同様に直径3インチのシリコーン
ウェハーの裏面にスクリーン印刷機でコーティングし、
次に80℃、30分間加熱しだがコート表面は粘着性が
残シタツクフリーの面は得られなかった。タックフリー
の面が得られないと重ねた場合に互に粘着したり、異物
が付着したシして汚染し易いので、後の工程を行うのに
不適出である。Comparative Example: 20 parts by weight of liquid glycysyl ether type epoxy resin of bisphenol A, 1 part by weight of dicyandiamide, 00 parts by weight of resorcinol salt of trisdimethylaminomethylphenol.
A silver paste is obtained by kneading 2 parts by weight of a resin composition and 79 parts by weight of silver powder using three rolls. The epoxy resin used in this case had an epoxy equivalent of 195 and a number average molecular weight of 400.
, 800 ppm of hydrolyzable chloro groups. The obtained silver paste was coated on the back side of a 3-inch diameter silicone wafer using a screen printing machine in the same manner as in the example.
Next, the coating was heated at 80° C. for 30 minutes, but the coated surface remained sticky and no stain-free surface was obtained. If a tack-free surface is not obtained, they may stick to each other when stacked, or they may be contaminated with foreign matter, making them unsuitable for subsequent steps.
更に加熱条件を強くし150℃、15分で樹脂は半硬化
しタックフリーのコート面が得られた。但し一旦タツク
フリーとなった樹脂は不安定であり、室温3週間の保存
で再活性化が困難となる。次にスクライバ−を用いてこ
のシリコーンウェハーを2箇角に個片化しチップとする
。このチップのコーテイング面を200℃に加熱したリ
ードフレーム上に約10秒押l−付はペーストを溶融し
粘着させ、更に200℃のオーラフ940分間加熱して
硬化させることによシチップをリードフレーム上にマウ
ントする。Furthermore, the heating conditions were increased to 150° C. for 15 minutes, and the resin was semi-cured and a tack-free coated surface was obtained. However, once the resin becomes tack-free, it is unstable and difficult to reactivate even after being stored at room temperature for three weeks. Next, this silicone wafer is divided into two pieces using a scriber to form chips. The coated surface of this chip is pressed onto a lead frame heated to 200°C for about 10 seconds to melt and stick the paste, and then heated at 200°C for 940 minutes to harden it, and then the chip is placed on the lead frame. mount it.
銀ペーストの硬化物の性能は第1表に、半硬化状態の樹
脂コート面の保存性は第1図に示す通りである。The performance of the cured silver paste is shown in Table 1, and the shelf life of the semi-cured resin coated surface is shown in Figure 1.
第1表 銀ペースト硬化物の性能
プレッシャークツカーテスト125℃、48時間処理で
溶出するクロルイオン量が極めて多く、このことはIC
チップ上のアルミ電極の腐食を起し易いことを意味し実
用上の信頼性を著しく低下させている。また、一旦タツ
クフリーとなった樹脂コート面の室温での安定性が悪い
こと及びこれと関連して保存期間と共にマウント強度が
急激に低下するので、室温保存可能な期間が短がい。Table 1: Performance of cured silver paste Pressure tester test The amount of chlorine ions eluted during treatment at 125°C for 48 hours was extremely large, which indicates that IC
This means that the aluminum electrodes on the chip are likely to corrode, which significantly reduces practical reliability. Furthermore, once the resin coated surface has become tack-free, it has poor stability at room temperature, and related to this, the mounting strength rapidly decreases with the storage period, so the period of storage at room temperature is short.
21−21-
第1図はチップにコートし乾燥させタックフリーとした
樹脂層の25℃の保存期間に対するチップマウント強度
/350℃の変化を示す。
実線は実施例、破線は比較例である。
特許出願人 住友ベークライト株式会社22−FIG. 1 shows the change in chip mounting strength/350°C with respect to the storage period at 25°C of the resin layer coated on the chip and dried to make it tack-free. The solid line is an example, and the broken line is a comparative example. Patent applicant Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 22-
Claims (3)
30重量部、[F])銀粉70〜95重量部、及び(C
)溶剤よ、9−&る導電性接着剤を、分割前のシリコー
ンウェハーに塗布した後、溶剤を揮発させ粘着性がなく
なるまで乾燥し、次いでチップに分割し、更に得られた
個々のチップの樹脂塗布面を加熱したリードフレーム上
に圧着させ硬化させることを特徴とする半導体チップの
マウント方法。(1) (A) Soluble and fusible solid epoxy resin composition 5-
30 parts by weight, [F]) 70 to 95 parts by weight of silver powder, and (C
) After applying a conductive adhesive using a solvent to silicone wafers before dividing, the solvent is volatilized and dried until the tackiness disappears, then the conductive adhesive is divided into chips, and the resulting individual chips are separated. A semiconductor chip mounting method characterized by pressing a resin-coated surface onto a heated lead frame and curing it.
以上の固形エポキシ化ノボラック、固形ノボラック及び
硬化促進剤よシなるものである特許請求の範囲第(1)
項記載のマウント方法。(2) All solid epoxy resin compositions have a softening point of 60°C.
Claim (1) consists of the solid epoxidized novolak, solid novolak, and curing accelerator as described above.
Mounting method described in section.
500 ppm以下である特許請求の範囲第(1)項ま
たは第(2)項記載のマウント方法。(3) The mounting method according to claim (1) or (2), wherein the solid epoxy resin composition has a hydrolyzable chlorine group of 500 ppm or less.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15648783A JPS6049636A (en) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Mounting method of chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15648783A JPS6049636A (en) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Mounting method of chip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6049636A true JPS6049636A (en) | 1985-03-18 |
Family
ID=15628826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15648783A Pending JPS6049636A (en) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Mounting method of chip |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6049636A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6419735A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive tape for die-bonding |
JP2008120915A (en) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Liquid-like resin composition, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor element with adhesive layer and semiconductor package |
CN103000251A (en) * | 2012-11-10 | 2013-03-27 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | Solar cell silver-backed slurry with wide sintering process window |
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1983
- 1983-08-29 JP JP15648783A patent/JPS6049636A/en active Pending
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