JPS6048753A - Microwave treating device - Google Patents

Microwave treating device

Info

Publication number
JPS6048753A
JPS6048753A JP15686883A JP15686883A JPS6048753A JP S6048753 A JPS6048753 A JP S6048753A JP 15686883 A JP15686883 A JP 15686883A JP 15686883 A JP15686883 A JP 15686883A JP S6048753 A JPS6048753 A JP S6048753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
circuit
high frequency
transistor
treatment device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15686883A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6136933B2 (en
Inventor
鳥生 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ito Co ltd
Original Assignee
Ito Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ito Co ltd filed Critical Ito Co ltd
Priority to JP15686883A priority Critical patent/JPS6048753A/en
Publication of JPS6048753A publication Critical patent/JPS6048753A/en
Publication of JPS6136933B2 publication Critical patent/JPS6136933B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は人体に超短波を透射して7i’l療を行う超
短波治療器に係り、詳しくは導子が接続されていない場
合は自動的に発振動作を+S<止りる超’)、G波治療
器に関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to an ultrashort wave therapy device that performs 7i'l therapy by transmitting ultrashort waves to the human body, and more specifically, when a conductor is not connected, the oscillation operation automatically stops when +S<Super'), related to G-wave therapy equipment.

人体に超短波をjム則して治療を行う超短波治療器は、
家庭等において筒中に超710波治療が行えることから
、現在広く利用されている。第1図は従来の超短波治療
器のイj4成を示すブロック図である。
An ultrashort wave treatment device that uses ultrashort waves to treat the human body,
It is currently widely used because ultra-710 wave therapy can be performed in the home at home. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a conventional ultrashort wave treatment device.

この図においで、電源1ヘランス1、整(Aコ回路2 
Jjよび平滑コンデンサCItJ、治療用の超短波を発
生ずる超短波発生回路3の電源回路を(j4成してJj
す、電源スィッチ5が投入されるど、超短波発生回路3
に直流電源が供給されるJ、うになっている。
In this diagram, power supply 1 Herance 1, regulator (A circuit 2
Jj and smoothing capacitor CItJ, the power supply circuit of the ultrashort wave generation circuit 3 that generates ultrashort waves for treatment (j4 is formed and Jj
When the power switch 5 is turned on, the ultra high frequency generation circuit 3
J, where DC power is supplied to.

6は導子であり、コード7a 、711、−1ターンl
〕しくは2ターンの超り、(!波透口」用=1イル(双
手中にコイルという)8、J3よびコー〆ル8を覆うカ
バー9とから4?4成され、コード7a、7bの−裂か
各々超短波発生回路3の出力端子10a、10btこ接
続されるようになっている。またこの場合、超短波発生
回路3の発振周波数は導子6が接続されている状態に合
わけて同調がとられている。
6 is a conductor, code 7a, 711, -1 turn l
] or 2 turns, (! Wave opening) = 1 coil (called a coil in both hands) 8, J3 and a cover 9 that covers the coil 8, and the code 7a, 7b. The output terminals 10a and 10b of the ultra-high frequency generating circuit 3 are connected to each other.In this case, the oscillation frequency of the ultra-high frequency generating circuit 3 is adjusted according to the state in which the conductor 6 is connected. Synchronization is maintained.

ところで、出力端子10a、10bに導子6が接続され
ていない状態では、超短波発生回路3の0荷インピーダ
ンスは略無限大どなっており、発振周波数の同調はずれ
た状態にある。そして、このような状態の時に、電源ス
ィッチ5が投入されると、上述した従来の超短波治療器
にJ3いては、同調ずれに起因する奇生振動が発生して
しまい、周囲の(浅型に雑音等の悪影響を与えるという
問題が発生した。また、同調ずれ状態の時に、超短波発
生回路3が起動されると、同回路の出力段1〜ランジス
タの損失が増大り−るから、従来の超短波治療器におい
ては、上)ホの場合を想定して、出力段1へランジスタ
の放熱器や実装空間などを、余裕をとって大きく設定し
なければならず、装置の小型化が困t「どなる欠点があ
った。
By the way, when the conductors 6 are not connected to the output terminals 10a and 10b, the zero load impedance of the very high frequency generating circuit 3 is approximately infinite, and the oscillation frequency is out of tune. When the power switch 5 is turned on in such a state, in the above-mentioned conventional ultrashort wave treatment device J3, an abnormal vibration occurs due to out of synchronization, and the surrounding (shallow type) This has caused problems such as negative effects such as noise.Furthermore, when the VHF generator circuit 3 is activated in an out-of-tuning state, the loss of the circuit's output stage 1 to the transistors increases. In a treatment device, assuming the case (a) above, the radiator and mounting space for the transistor in the output stage 1 must be set large enough to allow for a large margin, making it difficult to miniaturize the device. There were drawbacks.

この発明は」口述した事情に鑑み、奇生振動の発生が防
止でき、まIζ、装置の小型化を計ることがて゛きる超
り、0波治療器を提供するもので、超シ10波発生回路
の出力端子に導子が接続されているが否かを検出し、接
続されていない場合に前記用り、(1波発生回路の動作
を禁止づ−る保護回路を具備づることを特徴としている
In view of the circumstances stated above, the present invention provides a 0-wave treatment device that can prevent the occurrence of paranormal vibrations, and can also reduce the size of the device. The present invention is characterized by being equipped with a protection circuit that detects whether or not a conductor is connected to the output terminal of the circuit and prohibits the operation of the single wave generation circuit when the conductor is not connected.

以下図面を参照してこの発明の実施例について説明する
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図はこの発明の第1のつ;施例の(j・1成を示−
4回路図であり、第1図の各部と対応する部分には同一
の符丹がイ]しである。
FIG. 2 shows the first embodiment of the present invention (j.1 configuration).
4 is a circuit diagram, and parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

この図において、抵抗Rl〜R4、二1ンデンザC3J
3よびグーリン1−ン接続されたトランジスタQl、Q
2は保護回路15を構成しており、この実施例は第1図
に示を超短波治療器にこの保護回路15をイ」加した4
ti成となっている。なd5、コンデンサC2は平滑用
のコンデンサである。
In this figure, resistors Rl to R4, 21 resistors C3J
3 and 1- connected transistors Ql, Q
2 constitutes a protection circuit 15, and in this embodiment, this protection circuit 15 is added to the ultrashort wave therapy device shown in FIG.
It is complete. d5 and capacitor C2 are smoothing capacitors.

次に保護回路15の動作を説明する。Next, the operation of the protection circuit 15 will be explained.

i)導子6が出力端子10a、10bに接続されている
場合。
i) When the conductor 6 is connected to the output terminals 10a and 10b.

この場合において、電源スイッチ5が投入されると、抵
抗R2→R3→[く4→出力端子10a→コイル8→出
)j端子101)なる経路で電流が流れてトランジスタ
Q2のベース電位が下がり、この結果、1〜ランジスタ
Q2にベース電流が流れてトランジスタQ2がオフ状態
になる。トランジスタQ2がオン状態になると、1ヘラ
ンジスクQ1がオンし、この結果、トランジスタQ1か
ら抵抗R1を介して超短波発生回路3に電流が供給され
、超短波発生回路3が動作を開始する。したがって、出
力端子10a、10bから導子6へ超短波が供給され、
これにJζす、コイル8から超短波が放射される。この
場合、抵抗1犬4に(よ超短波発生回路3の動作に影響
を与えない程瓜の高抵抗を使用し、また、コンデンリ゛
C3の値は超短波成分をバイパスさUる値に設定覆る。
In this case, when the power switch 5 is turned on, a current flows through the path of resistor R2→R3→[output terminal 10a→coil 8→output terminal 101), and the base potential of transistor Q2 decreases. As a result, base current flows through transistors 1 to Q2, turning transistor Q2 off. When the transistor Q2 turns on, the one-wavelength transistor Q1 turns on, and as a result, current is supplied from the transistor Q1 to the very high frequency generating circuit 3 via the resistor R1, and the very high frequency generating circuit 3 starts operating. Therefore, ultrashort waves are supplied from the output terminals 10a and 10b to the conductor 6,
In response to this, ultrashort waves are radiated from the coil 8. In this case, a high resistance is used for the resistor 1 and 4 so as not to affect the operation of the microwave generating circuit 3, and the value of the capacitor C3 is set to a value that bypasses the microwave component.

ii) 49子6が出力端子10a、、10bに接続さ
れていない場合。
ii) When the 49 child 6 is not connected to the output terminals 10a, 10b.

この場合は電源スィッチ5が投入されても、抵抗R2、
Ra、Raには電流は流れないから、トランジスタQ2
は常にオフ状態のままであり、この結果、1−ランジス
タQ+’b:4フ状態を維持づる。
In this case, even if the power switch 5 is turned on, the resistor R2,
Since no current flows through Ra and Ra, the transistor Q2
always remains in the off state, and as a result, the 1-transistor Q+'b:4 maintains the off state.

したがって、超短波発生回路3は電流が供給されないか
ら非動作状態を維持し、寄生振動が光生り−ることはな
い。
Therefore, the ultrahigh-frequency generating circuit 3 maintains a non-operating state since no current is supplied thereto, and no parasitic vibration is generated.

また、前述し7.: i)の状態から、導子6を取りは
ずした場合は、上述したii)の状態になり、超短波発
生回路3が直らに動作を停止づる。
In addition, as mentioned above, 7. : If the conductor 6 is removed from the state i), the state ii) described above will occur, and the very high frequency generating circuit 3 will immediately stop operating.

第3図はこの実施例の一変形例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a modified example of this embodiment.

この変形例は導子6′のカバー9−内にコイル8と、ヒ
ータ〈図示略)と、ヒータ渇庶をフィードバックづ−る
サーミスタ等の温度レンリ12とが設けられる場合の一
例である。この場合はセンリ−12の両端が各々コード
13a、13bを介して端子14a、14bに接続され
るようになっており、導子6−は4本の=斎−ドを右づ
る導子どなっている。マタ、コード7a 、7b 、1
3a 、131)の先端には各々プラグが設けられるど
どしに、各先端部は一体に形成されており、また、出力
端子10a、10bおよび端子14a、14blよジt
F ツク式に構成されている。したがってコード7a。
This modification is an example in which a coil 8, a heater (not shown), and a temperature regulator 12 such as a thermistor that feeds back heater depletion are provided inside the cover 9- of the conductor 6'. In this case, both ends of the sensor 12 are connected to the terminals 14a and 14b via cords 13a and 13b, respectively, and the conductor 6- is connected to the four conductors on the right side. ing. Mata, code 7a, 7b, 1
3a, 131) are each provided with a plug, and each tip is integrally formed, and the output terminals 10a, 10b and terminals 14a, 14bl are connected to
It is structured in the F-tsuku style. Therefore code 7a.

7bおよび13a、13bは各々出力端子IC)a、1
011および14a、141+に同時に着脱される。
7b, 13a, and 13b are output terminals IC) a, 1, respectively.
011, 14a, and 141+ at the same time.

ぞして、導子6′が出ツノ端子10a、10bおよび端
子14a、i4bに接続されている場合は、抵抗R2−
R3−→R4→レン1ノ゛12なる経路で電流が流れる
から、前述した実施例の1)の場合に相当し、超短波発
生回路3が動作状態となる。一方、導子6′が接続され
ていない場合は前述の旬の場合に相当し、超短波発生回
路3は動作しない。づなわら他の目的のために導子内に
設けられた抵抗性素子し本発明の実施に利用することが
できる。
Therefore, when the conductor 6' is connected to the prong terminals 10a, 10b and the terminals 14a, i4b, the resistor R2-
Since the current flows along the path R3-→R4→Ren 1 to 12, this corresponds to the case 1) of the above-described embodiment, and the very high frequency generating circuit 3 is in the operating state. On the other hand, when the conductor 6' is not connected, this corresponds to the above-mentioned case, and the very high frequency generating circuit 3 does not operate. However, resistive elements provided within the conductor for other purposes may also be utilized in the practice of the present invention.

なd3、この変形例にお9ノるセンサ12に代えて単な
るジャンパ線(類m線)を用いても同様の効果を157
ることができる。
d3, the same effect can be obtained even if a simple jumper wire (similar to m wire) is used in place of the sensor 12 in this modification.
can be done.

第4図はこの発明の第2の実施例の構成を示す回路図で
おり、第2図の各部と対応する部分には同一の符号が付
しである。
FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention, and parts corresponding to those in FIG. 2 are given the same reference numerals.

この第2の実施例は導子6が出力端子10a。In this second embodiment, the conductor 6 is the output terminal 10a.

10bに接続されていない状態で、電源スィッチ5が投
入された場合は、超短波発生回路3の動作を禁止すると
ともに、アラーム音を光リルトいう実施例であり、図に
示づ一ナンドグー1〜20,21、抵抗R+o・Ru・
コンデン4IC4J3よび圧電光音体22 k、lfi
 、アラーム回路23を構成している。
If the power switch 5 is turned on without being connected to the power source 10b, the operation of the very high frequency generation circuit 3 is prohibited and the alarm sound is emitted. , 21, resistance R+o・Ru・
Condenser 4IC4J3 and piezoelectric optical sound body 22k, lfi
, constitutes the alarm circuit 23.

以下、この実施例の動作を説明覆る。The operation of this embodiment will be explained below.

a)導子6が出力端子10a、10t+に接続されてい
る場合。
a) When the conductor 6 is connected to the output terminals 10a and 10t+.

この場合において電源スイッチ5が投入されると、抵抗
(犬2→R3→R4→出力端子10a→コイル8−)出
力端子10bなる経路C電流が流れ、トランジスタQ3
がオンする。この結果、トランジスタQ3→抵抗RI2
なる経路で電流が流れてトランジスタQ4のベース電位
が上がり、トランジスタQ4およびQ5がオフ状態とな
る1、トランジスタQ4がオフ状態になると、ダイオー
ドD+は順方向バイアスとなり、 抵抗R+s→ダイA
−ドD1→抵抗R13なる経路で電流が流れ、トランジ
スタQ2のベース電位が下がる。この結果、1〜ランジ
スタQ2はベース電流が流れてオフ状態となり、同時に
トランジスタQ+がオン状態となる。
In this case, when the power switch 5 is turned on, a current flows through the path C, which is the output terminal 10b of the resistor (dog 2 → R3 → R4 → output terminal 10a → coil 8-), and the transistor Q3
turns on. As a result, transistor Q3 → resistor RI2
Current flows through the path, raising the base potential of transistor Q4 and turning transistors Q4 and Q5 off. 1. When transistor Q4 turns off, diode D+ becomes forward biased, and resistor R+s → die A.
A current flows through the path from - node D1 to resistor R13, and the base potential of transistor Q2 decreases. As a result, base current flows through transistors 1 to Q2, turning them off, and at the same time transistor Q+ turns on.

これにJ:す、抵抗R1を介して超短波発生回路3に電
源が供給され、同回路が動作を開始する。一方、トラン
ジスタQ5がオフ状態になると、抵抗R14には電流が
流れず、ナントゲート20の一方の入力端はII L 
I+レベルとなる。この結果、ナンドグ−1−20の出
ノJ端は’ l−i ”レベルに固定され、さらに、ナ
ンドグー1〜21の出力端はli L IIのレベルに
固定される。したがって、圧電発音体22に印加される
電圧が変化しないから、圧電発音体22(ユ鳴動しイj
い。なJ3、ナンドグー1−20.21、抵抗R+o、
RnおよびコンデンサC4は図1こ示すよう←二発振回
路を構成している。
In response to this, power is supplied to the very high frequency generating circuit 3 via the resistor R1, and the circuit starts operating. On the other hand, when the transistor Q5 is turned off, no current flows through the resistor R14, and one input terminal of the Nant gate 20 becomes II L
It becomes I+ level. As a result, the output terminals of the Nandogoos 1-20 are fixed at the 'li-i' level, and furthermore, the output terminals of the Nandogoos 1-21 are fixed at the level of li L II. Since the voltage applied to the piezoelectric sounding body 22 does not change,
stomach. Na J3, Nandogoo 1-20.21, resistance R+o,
Rn and capacitor C4 constitute a two-oscillation circuit as shown in FIG.

b)導子6が出力端子10a、10bに接続されていな
い場合。
b) When the conductor 6 is not connected to the output terminals 10a and 10b.

この場合におい−r7Ui源スイッチ5が投入されると
、抵抗Rz 、R:+ 、R4には電流が流れず、した
がって、上述したa)の場合どは全く逆に、トランジス
タQ3がオフし、Q4、Q5がオンする。
In this case, when the -r7Ui source switch 5 is turned on, no current flows through the resistors Rz, R:+, and R4. Therefore, in the case of a) above, the transistor Q3 is turned off and the transistor Q4 is turned off. , Q5 turns on.

そして、1〜ランジスタQ4がオンすると、ダイオード
01が逆バイアスどなり、トランジスタQ2のベース電
位が上昇して、 トランジスタQ2、Qlがオフ状態に
なる。したがって、超短波発生回路3は電源が供給され
ず非動作状態どなる。一方、トランジスタQ5がオン状
態となると、ナンドグ−1〜20の一方の入力端が“’
 l−1”レベルになり、ナンドグ−1〜20.21、
抵抗R1G 、RoおよびコンデンサC4から成る発振
回路が動作し、圧電発音体22が鳴動する。したがって
、利用者は音によって導子6がはずれていることを知る
ことができる。なお、この実施例にJ3いてはアラーム
手段として発音体22を用いたが、これに代えて発光ダ
イオード等を点燈さぜる光アラーム手段等を用いてもよ
い。
Then, when transistor Q4 turns on, diode 01 becomes reverse biased, the base potential of transistor Q2 rises, and transistors Q2 and Ql turn off. Therefore, the very short wave generating circuit 3 is not supplied with power and becomes inactive. On the other hand, when the transistor Q5 is turned on, one input terminal of the Nandogs 1 to 20 is "'"
l-1” level, Nandogu-1~20.21,
An oscillation circuit consisting of resistors R1G, Ro, and capacitor C4 operates, and piezoelectric sounding body 22 makes a sound. Therefore, the user can know from the sound that the conductor 6 has come off. In this embodiment, the sounding body 22 is used as the alarm means in J3, but instead of this, an optical alarm means that lights up a light emitting diode or the like may be used.

以上説明したようにこの発明によれば、超短波発生回路
の出ツノ端子に導子が接続されているか否かを検出し、
接続されていない場合に前記超短波発生回路の動作を禁
止づる保護回路を具備したので、導子が接続されていな
い状Ω源で装置に電源が投入されたどしても、寄生振動
が発q:りることはなく、周囲の機器に雑&等の悪影響
をケえる心配がない。また、超短波発生回路の出力段ト
ランジスタの損失が増大するということがないので、出
力段トランジスタの放熱器が小さくて済み、装置を小型
化し得る利点が1uられる。また、導子が接続され(い
4Cい場合にアラームを発するようにJ“るど、利用者
に注意を促すことができ、より便利である。
As explained above, according to the present invention, it is possible to detect whether or not a conductor is connected to the output terminal of a very high frequency generation circuit,
Since it is equipped with a protection circuit that prohibits the operation of the ultrahigh frequency generation circuit when the conductor is not connected, parasitic vibration will not occur even if the device is powered on with an Ω source with no conductor connected. : There is no need to worry about any negative impact on surrounding equipment. Further, since the loss of the output stage transistor of the very high frequency generation circuit does not increase, the heat sink of the output stage transistor can be small, and the advantage that the device can be miniaturized is increased. In addition, if the conductor is not connected properly, an alarm can be issued to alert the user, which is more convenient.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図【よ従来の超短波治療器の(14成を示すブロッ
ク図、第2図はこの発明の第1の実施例の構成を示1′
回路図、第3図は同実施例の一変形例を示ず回路図、第
4図はこの発明の第2の実施例の4M成を承り回路図で
ある。 3・・・・・・超短波発生回路、6,6′・・・・・・
導子、8・・・・・・」イル、l Qa 、 i Qb
・・・・・・出力部;子、15・・・・・・保護回路、
23・・・・・・アラーム回路、Q1〜Q5・・・・・
・ト、ランジスタ(保護回路)、Dl・・・・・・ダイ
オード(保護回路)。
FIG. 1 is a block diagram showing the 14 configuration of a conventional ultrashort wave treatment device; FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a modified example of the same embodiment, and FIG. 4 is a circuit diagram of a 4M configuration of the second embodiment of the present invention. 3...Very short wave generation circuit, 6,6'...
Douko, 8...''Iru, l Qa, i Qb
...Output section; Child, 15...Protection circuit,
23...Alarm circuit, Q1-Q5...
・T, transistor (protection circuit), Dl... diode (protection circuit).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、冶療用の超短波を発生J′る超短波発生回路と、こ
の超短波発生回路の出力端子に接続される導子とをイi
する超短波治療器においで、前記導子が前記出力端に接
続されているか否かを検出し、接続されていない場合に
前記超短波発生[)]路の動作を禁止する1原調回路を
奥面することを特徴とする超短波ン0療器。 2、前記保護回路は前記超短波発生回路を禁止状態とし
た時に、アラームを発生づることを特徴とする特ニー′
[請求の範囲第1項記載の超り、0波治療器。 3、前記保護回路は前記出力端子から前記η予肉の超り
、()波透用用コイルへ通電を行い、通電が行なえた場
合に導子が接続されていると判断し、通電が行なえない
場合に導子が接続されていないと判断覆る特許請求の範
囲第1項または第2項記載の超短波治療器。
[Claims] 1. An ultrahigh-frequency generating circuit that generates ultrahigh-frequency waves for therapeutic use, and a conductor connected to the output terminal of this ultrahigh-frequency generating circuit.
In the ultra-high frequency treatment device, a first fundamental circuit is installed on the back side to detect whether or not the conductor is connected to the output end, and to prohibit operation of the ultra-high frequency generation [)] path if it is not connected. An ultrashort wave treatment device that is characterized by: 2. A special feature in which the protection circuit generates an alarm when the very high frequency generation circuit is prohibited.
[The ultra-zero wave treatment device according to claim 1. 3. The protection circuit energizes the wave transmission coil from the output terminal beyond the η pre-metal thickness, and if the energization is successful, it is determined that the conductor is connected, and the energization cannot be performed. The ultrashort wave treatment device according to claim 1 or 2, wherein if the conductor is not connected, it is determined that the conductor is not connected.
JP15686883A 1983-08-27 1983-08-27 Microwave treating device Granted JPS6048753A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15686883A JPS6048753A (en) 1983-08-27 1983-08-27 Microwave treating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15686883A JPS6048753A (en) 1983-08-27 1983-08-27 Microwave treating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6048753A true JPS6048753A (en) 1985-03-16
JPS6136933B2 JPS6136933B2 (en) 1986-08-21

Family

ID=15637141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15686883A Granted JPS6048753A (en) 1983-08-27 1983-08-27 Microwave treating device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6048753A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299078U (en) * 1985-12-13 1987-06-24
JPS636475U (en) * 1986-06-30 1988-01-16

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299078U (en) * 1985-12-13 1987-06-24
JPS636475U (en) * 1986-06-30 1988-01-16

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6136933B2 (en) 1986-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6048753A (en) Microwave treating device
US4034741A (en) Noise generator and transmitter
US5351149A (en) ASK optical transmitter
US4180808A (en) Alarm circuit
JPH0131723B2 (en)
JP2590298Y2 (en) High frequency lighting equipment
JP2715724B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPH04189002A (en) Local oscillating circuit for electronic tuner
US7215523B2 (en) Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof
US2705759A (en) Radio frequency noise elimination
JPH0328038B2 (en)
JPH10163786A (en) Attenuator
JPS5964067A (en) Dry battery type low frequency treating device
JP3004817B2 (en) Crystal oscillation circuit
KR960002298Y1 (en) Dc/ac conversion apparatus
JPS62264599A (en) Dimming type lighting apparatus
JPS61239594A (en) High frequency heater
JPS6340494B2 (en)
JP2998435B2 (en) Microwave oven safety circuit
JP3632954B2 (en) Driver circuit
JPS6134715Y2 (en)
JPH0479264A (en) Lsi package
JPH0755587B2 (en) IC card
JPS6229207A (en) Microwave monolithic integrated circuit
JP2002314332A (en) High frequency oscillator