JPS6040681A - Laser processing device - Google Patents

Laser processing device

Info

Publication number
JPS6040681A
JPS6040681A JP58146359A JP14635983A JPS6040681A JP S6040681 A JPS6040681 A JP S6040681A JP 58146359 A JP58146359 A JP 58146359A JP 14635983 A JP14635983 A JP 14635983A JP S6040681 A JPS6040681 A JP S6040681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
processed
laser processing
resistance value
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58146359A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Sasaya
笹谷 鐵雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58146359A priority Critical patent/JPS6040681A/en
Publication of JPS6040681A publication Critical patent/JPS6040681A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate under- and over-cutting and to perform working with hith accuracy to improve yield by providing inspecting mechanisms which inspect a material to be processed and enabling selection of the optimum conditions for irradiating a laser for the purpose of the working process. CONSTITUTION:A laser processing device consists of inspecting mechanisms 2, 5 which inspect the desired characteristic of a material 1 to be processed, a laser control mechanism 9 which controls a laser processing function according to the information on the result of the inspection emitted from the mechanisms 2, 5 and a laser generating mechanism 4. Said mechanism 4 irradiates laser light 3 controlled by the mechanism 9 to at least a part of the material 1. Under- and over-cutting is eliminated and working with high accuracy is accomplished by the above-mentioned device, by which the yield is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、レーザー処理装置、たとえばトリミング装置
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a laser processing device, such as a trimming device.

〔背景技術〕[Background technology]

IC、LSI技術に伴い、半導体ICv搭載してコンパ
クトに構成したサブシステム回路としてのハイブリット
Ic化により電子機器の小型化が進められている。こう
したハイプリッ)ICは、チップ抵抗搭載品も増つつあ
るが、一般には膜抵抗が基板上に形成されている。この
膜抵抗体の製造プロセスの一工程として、抵抗値を調整
するトリミング工程がある・トリミング方式には大別し
て抵抗値を測定しながらトリミングする素子トリミング
と、組み上げた後、回路定数を補正するための機能トリ
ミング(ファンクショナルトリミング)とがある。
BACKGROUND ART With the advancement of IC and LSI technology, the miniaturization of electronic devices is progressing by using hybrid ICs as subsystem circuits that are compactly configured by mounting semiconductor ICvs. Although the number of such high-voltage ICs equipped with chip resistors is increasing, film resistors are generally formed on the substrate. As one step in the manufacturing process of this film resistor, there is a trimming process to adjust the resistance value.Trimming methods can be broadly divided into element trimming, which trims while measuring the resistance value, and element trimming, which trims while measuring the resistance value, and element trimming, which corrects the circuit constants after assembly. There is a function trimming (functional trimming).

膜抵抗体としては、アルミナ基板上に酸化ルテニウム系
のグレーズ抵抗ペーストをスクリーン印刷し、高温焼成
した厚膜抵抗体とアルミナ基板上に、タンタルなどを蒸
着またはスパッタし、エツチングしてパターン形成した
薄膜抵抗体とが主体となりでいる。
The film resistor is made by screen printing a ruthenium oxide-based glaze resistance paste on an alumina substrate and baking it at a high temperature.A thin film is formed by vapor depositing or sputtering tantalum or the like on the alumina substrate and etching it to form a pattern. The main body is the resistor.

抵抗トリミングの必要性は、印刷、蒸着、メ、。The need for resistor trimming can be achieved by printing, vapor deposition, metallization, etc.

キなどの方法で抵抗体を形成した場合、そのままでは抵
抗値を所望の範囲内に入れることが極めて困難なことに
よる。
This is because when a resistor is formed using a method such as 1, it is extremely difficult to keep the resistance value within a desired range.

レーザートリミング法は、集光性のよいレーザー光源を
用いて、膜抵抗体をレーザービームでカッティングして
抵抗値を高める方向に調整しょうとするものである。従
来のレーザートリミング装置は、セミコンダクタ・ワー
ルド、1983年。
The laser trimming method uses a laser light source with good convergence to cut the film resistor with a laser beam to adjust the resistance value. Conventional laser trimming equipment was developed by Semiconductor World, 1983.

1月号、90頁に記載されている。従来のレーザートリ
ミング装置では、コンピューターに大刀する初期値によ
りレーザーパワーが設定される。被処理物の物理的変化
たとえば膜抵抗体の膜厚変化や物質的変化に対して初期
値により設定固定されたレーザーパワーで処理するため
に不良が生じる。
It is described in the January issue, page 90. In conventional laser trimming equipment, the laser power is set by an initial value entered into a computer. Defects occur because physical changes in the object to be processed, such as changes in the film thickness or material changes of a film resistor, are processed using a laser power set and fixed at an initial value.

たとえば、膜抵抗体の膜厚が部分的に厚く形成された場
合、設定されたレーザーパワーで厚くなっている部分の
膜は十分にカットできずカット不良となったり・また・
 カリト部分に焼き切れずに残った不揮性成分が吸湿し
たり、熱ストレスが加わると抵抗の変化を生じさせる。
For example, if the film resistor is formed thick in some parts, the thick part of the film cannot be cut sufficiently with the set laser power, resulting in poor cutting.
When non-volatile components that remain unburned in the kalito part absorb moisture or are subjected to heat stress, the resistance changes.

一方、膜抵抗体の膜厚が薄く成形された場合、設定され
たレーザーパワーは膜なカットするには強力すぎカット
過剰の状態となる。そして・膜自体だけでなく基板をも
カットし、基板にも囲障を与える。また、レーザーパワ
ーが強力なため、膜抵抗体の切り口付近に与える熱スト
レスが大きく、膜抵抗体上にマイクロクラックが発生し
、経年変化あるいは、後工程時に加わる熱ストレスによ
ってマイクロクラックが拡がり所望の抵抗値が得られな
くなる。以上の結果、製品歩留の低下や製品特性の経時
変化による信頼度の低下が膜抵抗体の膜厚ばらつきとレ
ーザパワーの固定により発生するという問題点が生じる
ということが本出願人に、虹ってあきらがとされた。
On the other hand, when the film resistor is formed to have a thin film thickness, the set laser power is too powerful to cut the film, resulting in excessive cutting. And - cut not only the film itself but also the substrate, providing an enclosure to the substrate as well. In addition, because the laser power is strong, the thermal stress applied to the vicinity of the cut end of the film resistor is large, and microcracks are generated on the film resistor, and the microcracks spread due to aging or thermal stress added during post-processing, resulting in the desired result. Resistance value cannot be obtained. As a result of the above, the applicant has discovered that a problem arises in that a decrease in product yield and a decrease in reliability due to changes in product characteristics over time occur due to variations in film resistor film thickness and fixed laser power. Akira was criticized.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、電子部#+の高46S度加工、高信頼
度加工を可能とするンーザ〜処理装置のBl術を提供す
ることにある。
An object of the present invention is to provide a Bl technique for a sensor processing device that enables high 46S degree processing and highly reliable processing of the electronic part #+.

本発明の前記ならびにその雌かの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単釦説明すれば、下記のとおりである。
A brief summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、レーザー処理装置において%被処り物の所望
特性検査又は(外形検査)を行なう検査機構を設け、そ
の検査結果に基づいて、被処理物を加工処理するための
最適なレーザー照射条件を選定することにより、前記目
的を達成するものでおる。
In other words, an inspection mechanism is installed in the laser processing equipment to perform a desired characteristic inspection or (external shape inspection) of the workpiece, and based on the inspection results, the optimal laser irradiation conditions for processing the workpiece are selected. By doing so, the above objective will be achieved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、本発明のレーザー処理装置の概要を示すブロ
ック図、第2図は全体構成を示す概略図、第3図は処り
手J@を示すフローチャートである。
FIG. 1 is a block diagram showing an overview of the laser processing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing the overall configuration, and FIG. 3 is a flow chart showing the processing method.

この実施例のレーザー処理装置は大別して第2図に示す
ように、被処理物である膜抵抗体1の外形(膜厚)を検
査する検査機構2と、検査機構2の検査情報に基づいて
膜抵抗体1の被処理面にレーザー光3を照射するレーザ
ー機構4と、膜抵抗体1がレーザー処理されている間膜
抵抗体lが所望の電気特性を有するかを検査する検査機
構5と膜抵抗体lが形成された配線基板6を搬入搬出す
るパーツハンドラ7と、からなっている。
The laser processing apparatus of this embodiment is roughly divided into two parts, as shown in FIG. A laser mechanism 4 that irradiates the surface of the film resistor 1 to be treated with laser light 3; and an inspection mechanism 5 that inspects whether the film resistor 1 has desired electrical characteristics while the film resistor 1 is being laser-treated. It consists of a parts handler 7 that carries in and out a wiring board 6 on which a film resistor l is formed.

以下本発明のレーザー処理装置について第1図。FIG. 1 shows the laser processing apparatus of the present invention below.

第2図を参照し詳しく説明する。第2図において点線で
示された領域紀被処匪物である膜抵抗体1の形成された
配線基板6がパーツハンドラ7によって搬入される。次
に、外形検査機構2は光学顕微鏡を用い光切断方式で、
配線基板6上にある膜抵抗体1の膜厚を測定する。配線
基板6上に形成された全ての膜抵抗体1の膜厚を測定し
終えるとその測定結果を信号のとじて制御用中央処理装
置9 (制御用CPU)に送るととも例制御用CPU9
は信号■をパーツハンドラ71C送る。パーツハンドラ
7は信号■に基づき配線基板6をレーザー照射領域に移
動、固定する。制御用CPU9は、測定結果信号■を演
算処理し、制御用CPU9に前もってストアされている
膜厚とレーザー照射条件との最適関係と演算処理結果を
比較し、最適レーザー照射条件を決定する。レーザー照
射条件はレーザーパワー制御だけではなく、たとえば、
ビーム径制御、超音波Qスイッチ周波数制御、ビーム−
ポジショナの移動速度制御等よりなっている。
This will be explained in detail with reference to FIG. A wiring board 6 on which a film resistor 1, which is an object to be processed and is indicated by a dotted line in FIG. 2, is carried in by a parts handler 7. Next, the external shape inspection mechanism 2 uses an optical microscope and uses a light cutting method.
The film thickness of the film resistor 1 on the wiring board 6 is measured. After measuring the film thickness of all the film resistors 1 formed on the wiring board 6, the measurement results are sent as a signal to the control central processing unit 9 (control CPU).
sends a signal ■ to the parts handler 71C. The parts handler 7 moves and fixes the wiring board 6 to the laser irradiation area based on the signal (2). The control CPU 9 performs arithmetic processing on the measurement result signal (2), compares the result of the arithmetic processing with the optimum relationship between the film thickness and the laser irradiation conditions previously stored in the control CPU 9, and determines the optimum laser irradiation conditions. Laser irradiation conditions include not only laser power control, but also
Beam diameter control, ultrasonic Q-switch frequency control, beam-
It consists of controlling the moving speed of the positioner, etc.

また、認識装置(図示されない)を具備させることによ
り、被処理物の物質変化に対しても制御用CPU9に物
質とレーザー照射条件との関係をストアしておけば、最
適レーザー照射条件が得られる。そして制御用CPU9
より、レーザーパワー調整装置12.ビーム径調整装置
13.超音波Qスイッチ周波数調整装置14.ビームポ
ジシ目す移動速度調整装置15にそれぞれ信号3a、3
b。
Furthermore, by providing a recognition device (not shown), the optimum laser irradiation conditions can be obtained by storing the relationship between substances and laser irradiation conditions in the control CPU 9 even when the material of the object to be treated changes. . and control CPU9
From the laser power adjustment device 12. Beam diameter adjustment device 13. Ultrasonic Q-switch frequency adjustment device 14. Signals 3a and 3 are sent to the beam position moving speed adjusting device 15, respectively.
b.

3c、3dが送られる。今度は、制御用CPU9よりグ
ローブ10に信号■が送られプローブ端子10a−10
bは膜抵抗体10両側に設けられた電極11a−11b
に接触するように配置される。このグローブ端子ioa
・10bは、膜抵抗体1の抵抗値を測定するための端子
であり、検査機構5に接続されていて、検査機構5は前
記プローブ端子10a争10b間の抵抗値を測定するこ
とになる。次に制御用CPU9からレーザー照射命令信
号■とともにビームポジショナ12には端末機8から初
期圧入力された信号■に基づいたカッティング情報信号
のが送られる。一方検査機構5には測定開始信号■が発
せられ、レーザー光3が膜抵抗体IVc照射されるとと
もに・それに同期して検査機構5&まプローブ10a−
10b間の膜抵抗体1の抵抗値を測定する。そして、検
査機@5から測定結果を信号■として、制御用CPU9
に送る。この時、制御用CPU9は測定結果信号■を処
理して抵抗値を算出し、該抵抗値と端末機8↓り入力さ
れている信号■に基づいた膜抵抗体1の所望の抵抗値と
を比較する。もし、測定結果信号■より算出される抵抗
値が膜抵抗体1の所望抵抗値より小さい場合は、レーザ
ー光3は照射されつづける。信号■より算出される抵抗
値と膜抵抗体lの所望抵抗値とが一到した場合、ただち
に制御用CPU9よりレーザー機構4にレーザー照射停
止筒金が送られ、トリミング作業が終了する。そして、
制御用CPU9から端末機8にトリミング結果情報信号
[株]が送ら端末機8に設けられたディスプレイ (図
示されない)にトリミング結果が表示される。
3c and 3d are sent. This time, a signal ■ is sent from the control CPU 9 to the globe 10, and the probe terminal 10a-10
b indicates electrodes 11a-11b provided on both sides of the membrane resistor 10;
placed in contact with. This glove terminal ioa
- 10b is a terminal for measuring the resistance value of the membrane resistor 1, and is connected to the inspection mechanism 5, and the inspection mechanism 5 measures the resistance value between the probe terminals 10a and 10b. Next, the control CPU 9 sends a cutting information signal based on the signal (2) input from the terminal 8 to the beam positioner 12 together with the laser irradiation command signal (3). On the other hand, a measurement start signal (2) is issued to the inspection mechanism 5, and the laser beam 3 is irradiated to the membrane resistor IVc.
The resistance value of the film resistor 1 between the resistors 10b and 10b is measured. Then, the measurement result from the inspection machine @5 is sent as a signal ■ to the control CPU 9.
send to At this time, the control CPU 9 processes the measurement result signal (■) to calculate the resistance value, and calculates the resistance value and the desired resistance value of the membrane resistor 1 based on the signal (■) input from the terminal 8↓. compare. If the resistance value calculated from the measurement result signal (2) is smaller than the desired resistance value of the film resistor 1, the laser beam 3 continues to be irradiated. When the resistance value calculated from the signal (2) and the desired resistance value of the membrane resistor (1) match, the control CPU 9 immediately sends a laser irradiation stop barrel to the laser mechanism 4, and the trimming operation is completed. and,
A trimming result information signal [Inc.] is sent from the control CPU 9 to the terminal 8 and the trimming result is displayed on a display (not shown) provided in the terminal 8.

次に各部について説明する。レーザー機構4は、レーザ
ー発生器16とレーザー光3の位置決めのためのビーム
ポジショナ17に設けられたミラー18−19と集光レ
ンズ20とからなっている。
Next, each part will be explained. The laser mechanism 4 includes a laser generator 16, mirrors 18-19 provided on a beam positioner 17 for positioning the laser beam 3, and a condenser lens 20.

レーザー発生器16として〜たとえば・ イツトリウム
・アルミニウム・ガーネット (YttriumAnm
inum Garnet以下YAGと称す。)レーザー
を用いる。YAGレーザーは、YAG結晶中にネオジウ
ム(Nd) イオンをドープし、そのNdイオンをクリ
プトンランプで励爬してレーザー光3を発生させるもの
である。このレーザー光3?:超音波Qスイッチ14に
より、尖頭出力+数KWのパルスrl−+の狭いパルス
発振を得る。該レーザー光3は、ビームポジショナ16
のミラー17.18により被処理物上に位置決めされ、
そしてミラー17゜18の移動によりレーザー光3を被
処理物上で移動させる。ミラー17.18の移動方向は
、端末機8よりfltU御用CPU9に入力する情報信
号■により決定される。そして、集光レンズ19に達し
たレーザー光3は集光され、彼処n物に照射されること
になる。
As the laser generator 16, for example, yttrium aluminum garnet (YttriumAnm
inum Garnet is hereinafter referred to as YAG. ) using a laser. In the YAG laser, neodymium (Nd) ions are doped into a YAG crystal, and the Nd ions are excited with a krypton lamp to generate laser light 3. This laser light 3? :Using the ultrasonic Q-switch 14, a narrow pulse oscillation of peak output + pulse rl-+ of several kilowatts is obtained. The laser beam 3 is transmitted through a beam positioner 16
is positioned on the workpiece by mirrors 17 and 18 of
Then, the laser beam 3 is moved on the object to be processed by moving the mirrors 17 and 18. The direction of movement of the mirrors 17 and 18 is determined by the information signal (2) input from the terminal 8 to the fltU patron CPU 9. The laser beam 3 reaching the condensing lens 19 is condensed and irradiated onto an object thereon.

次に、配線基板6y!′搬入搬出するパーツハンドラ7
は、第4図に示されるような構造となっている。すなわ
ち、搬送台面21は水平部となり、搬送台面21に設け
られたエアー噴出口22より噴出されるエアー流23に
よって、配線基板6が搬送さる。搬送台面21上の膜厚
測定領域24.および、レーザー照射領域(図示さhな
い)上には抑圧板25が設けられている。また、搬出側
に位置する抑圧板25には下部にストッパ26が設けら
れていて、配線基板6が搬送されてきた際、このストッ
パ26によって配線基板6の搬送が止められる・そして
、押圧板25が配線基板6を固定し、外形検査またはレ
ーザー照射が始贅る。
Next, the wiring board 6y! 'Parts handler 7 for loading and unloading
has a structure as shown in FIG. That is, the carrier surface 21 becomes a horizontal portion, and the wiring board 6 is transported by the air flow 23 ejected from the air outlet 22 provided on the carrier surface 21. Film thickness measurement area 24 on the transport table surface 21. A suppression plate 25 is provided above the laser irradiation area (h not shown). Further, a stopper 26 is provided at the lower part of the suppressing plate 25 located on the unloading side, and when the wiring board 6 is transported, the transport of the wiring board 6 is stopped by this stopper 26. The wiring board 6 is fixed, and external inspection or laser irradiation begins.

外形検査機構2は、光学顕微鏡を用いて、光切断方式で
測定される。光切断方法の原理は以下のようである。調
べようとする面に対して45°の角度で細いスリットの
像を投影する二その結果表面をスリットと光軸とを含む
平面で切断したような断面が作られ、面の凸凹が測定さ
れるものである。
The external shape inspection mechanism 2 is measured by a light cutting method using an optical microscope. The principle of the optical cutting method is as follows. An image of a thin slit is projected at a 45° angle to the surface to be examined.As a result, a cross section is created that looks like the surface is cut along a plane that includes the slit and the optical axis, and the unevenness of the surface is measured. It is something.

次に、第3図で示される処耶手順フローチャトを説明す
る。まず、被処理物である配線基板6が外形検査領域に
パーツハンドラ7によって搬入供給され、押圧板25に
よりて該外形検査領域にセツティングされる。次に、外
形検査が行なわれる。
Next, the processing procedure flowchart shown in FIG. 3 will be explained. First, a wiring board 6, which is an object to be processed, is carried into and supplied to the external shape inspection area by the parts handler 7, and set in the external form inspection area by the press plate 25. Next, an external shape inspection is performed.

前記外形検査が終了し配線基板6が移動して、レーザー
照射領域に抑圧板25によって固定されるとともに、制
御用CPU9はレーザー照射条件を選定する。配線基板
6上の膜抵抗体lの抵抗値を測定するためにプローブl
Oがセツティングされ、測定が開始され、それとともに
レーザー照射が開始される。次に、測定された抵抗値と
所望の抵抗値とを比較判定し、−到しなければレーザー
照射はつづけられる。−到した場合、レーザー照射、抵
抗値測定は終了し、配線基板6はレーザー照射領域から
移動し次の工程に送られる。
When the external shape inspection is completed, the wiring board 6 is moved and fixed to the laser irradiation area by the suppression plate 25, and the control CPU 9 selects the laser irradiation conditions. A probe l is used to measure the resistance value of the film resistor l on the wiring board 6.
O is set, measurement is started, and laser irradiation is started at the same time. Next, the measured resistance value and the desired resistance value are compared and judged, and if the desired resistance value is not reached, laser irradiation is continued. - When the laser irradiation and resistance value measurement are completed, the wiring board 6 is moved from the laser irradiation area and sent to the next process.

第5図は、本実施例のレーザー処理装置によって加工さ
れた厚膜配線基板6を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing the thick film wiring board 6 processed by the laser processing apparatus of this embodiment.

配線基板6上の膜抵抗体R,,R,,R,,R,。Film resistors R,,R,,R,,R, on the wiring board 6.

R5の膜厚は、レイアウトの特性等によりばらついてお
り、個々にレーザー照射条件を最適条件として加工され
ている。
The film thickness of R5 varies depending on the characteristics of the layout, etc., and is processed with the laser irradiation conditions being optimized individually.

以上説明した如く本実施例のレーザー処理装置において
は、レーザー処り前に、被処理物の膜厚を測定し、その
測定結果より最適レーザー照射条件を選定して〜 レー
ザー処理することより従来のレーザー処理装置に見られ
たような、被処理物の膜厚ばらつきによる力・ソト不足
、あるいは力、シト過剰の発生などの初期不良としての
歩留低下、経時変化あるいは後工程での熱ストレスによ
る4゛コを性不良は無くなる。
As explained above, in the laser processing apparatus of this embodiment, before laser processing, the film thickness of the object to be processed is measured, and the optimum laser irradiation conditions are selected from the measurement results. As seen in laser processing equipment, there is a decrease in yield due to initial failures such as insufficient force and tension due to variations in the film thickness of the processed object, or excessive force and scattering, changes over time, or heat stress in post-processing. There will be no more sexual defects for 4-year-olds.

〔効 果〕〔effect〕

(1) 本発明によれば、レーザー処理前に被処理物の
外形検査を行ないその外形検査の結果によって、レーザ
ー照射の最適条件を選定しレーザー処理するため一カッ
ト不足およびカット過剰が無くなり、高精度加工、高信
頼度加工が達成できるという効果が得られる。
(1) According to the present invention, the outer shape of the workpiece is inspected before laser processing, and based on the result of the outer shape inspection, the optimum conditions for laser irradiation are selected and laser processing is performed. The effect is that precision machining and highly reliable machining can be achieved.

(2)上記(1)より、抵抗トリミング工程において、
抵抗値不良がなくなり、歩留りの向上かはかhるという
結果が得られる。
(2) From (1) above, in the resistor trimming process,
The result is that resistance value defects are eliminated and the yield is improved.

(3) 上記(1)より、後工程特に、熱ストレスが加
えられる工程において抵抗基板不良がなくなり1歩留り
の向上がはかれるという効果が得られる@以上本発明者
によってなされた発明を実施例にもとづき具体的に説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく
、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であること
はいうまでもない。たとえば、被処理物の外形検査ステ
ージと・レーザー照射ステージとを兼用踵検査終了後、
ウェハーを動かすことなく同じ場所でレーザー照射を行
ってト11ミンクを行なってもよい。すた、外形検査機
構は、光切断方式を用いたが、偏光解析方式や繰り返し
反射干渉計あるいは、ノくターン認識装置を用いてもよ
い。また、本発明しま外形(膜厚等)だけでなく、目的
に応じ被処理物の温度、硬度などの所望特性を検査し、
そσ)特性検査結果に応じてレーザー処理を行うことも
できるO〔利用分野〕 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるレーザートリミング
装置技術に適用した場合について説明し7たが、それに
限定されるものではなく、レーサースクライバ−、レー
ザーマカー、レーザーマスクリペア、レーザー溶接機等
し−ザーヲ利用した処理装置技術などに適用できる。本
発明は、少なくとも、被処理物を高精度に処理加工する
条件のものには適用することができる・
(3) From (1) above, it is possible to obtain the effect that resistor board defects are eliminated in post-processes, particularly in processes where thermal stress is applied, and the yield is improved. Although the present invention has been specifically described, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways without departing from the spirit thereof. For example, after the heel inspection is completed, the stage for inspecting the outer shape of the processed object and the laser irradiation stage are
Minking may also be performed by laser irradiation at the same location without moving the wafer. Although a light cutting method was used as the external shape inspection mechanism, a polarization analysis method, a repeating reflection interferometer, or a no-turn recognition device may also be used. In addition, the present invention not only inspects the outer shape of the stripes (film thickness, etc.), but also inspects desired characteristics such as temperature and hardness of the processed material depending on the purpose.
σ) Laser processing can also be performed according to the characteristic test results O [Field of Application] In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the field of application of the invention, which is the background of the invention, which is the laser trimming device technology. Although the case has been described above, the present invention is not limited thereto, and can be applied to processing equipment techniques using lasers such as a laser scriber, a laser marker, a laser mask repair, and a laser welder. The present invention can be applied at least to conditions where objects to be processed are processed with high precision.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例によるレーザー処理装置の
概要を示すブロック図である。 第2図は、同じく全体構成を示す概略図である。 第3図は、同じく処理手順を示すフローテヤトである。 第4図は、同じくパーツハンドラの要部を示す断面図で
ある。 第5図は、被処理物である膜抵抗体の形成された配線基
板の加工後の平面図である。 1・・、膜抵抗体、2・・・外形検査機構、3・・・レ
ーザー光、4・・レーザー機構、5・・・検査機構、6
・・・配線基板、7・・・パーツハンドラ、8・・・端
末機、9・・・制御用CPU、10・・・プローブ、i
oa・10b・・・プローブ端子、lla・llb・・
・配線電極、12・・・レーザー調整装置、13・・・
ビーム径調整装置、14・・・超音波Qスイッチ周波数
調整装置% 15・・・ビームポジショナ移動速度調整
装置、16・・・レーザー発生器、17・・・ビームポ
ジショナ、18◆19・・・ミラー、20・・・集光レ
ンズ、21・・・搬送台、22・・・エアー噴出口、2
3・・・エアー、24・・・外形検査領 −域(レーザ
ー照射領域)、25・・・抑圧板、26・・・ストッパ
ー。 第 3 図 第 4 図 第 5 図 / /
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram showing the overall configuration as well. FIG. 3 is a flow chart showing the same processing procedure. FIG. 4 is a sectional view showing the main parts of the parts handler. FIG. 5 is a plan view after processing of a wiring board on which a film resistor, which is an object to be processed, is formed. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Film resistor, 2... External shape inspection mechanism, 3... Laser light, 4... Laser mechanism, 5... Inspection mechanism, 6
... Wiring board, 7... Parts handler, 8... Terminal, 9... Control CPU, 10... Probe, i
oa/10b...probe terminal, lla/llb...
・Wiring electrode, 12... Laser adjustment device, 13...
Beam diameter adjustment device, 14... Ultrasonic Q switch frequency adjustment device % 15... Beam positioner movement speed adjustment device, 16... Laser generator, 17... Beam positioner, 18◆19... Mirror , 20... Condensing lens, 21... Transport platform, 22... Air jet port, 2
3...Air, 24...External inspection area - area (laser irradiation area), 25...Suppression plate, 26...Stopper. Figure 3 Figure 4 Figure 5 / /

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 16 被処理物の所望特性を検査する検査機構と、前記
検査機構から発せられる所望特性の検査結果情報に応じ
てレーザー処理機能を制御するレーザー制御tI機構と
、該レーザー制御機構に制御されてレーザー光を被処理
物の少なくとも一部に照射するレーザー発生機構とを具
備することを特徴とするレーザー処理装置。
16 An inspection mechanism that inspects desired characteristics of a processed object, a laser control tI mechanism that controls a laser processing function according to inspection result information of the desired characteristics issued from the inspection mechanism, and a laser control mechanism that controls a laser processing function under the control of the laser control mechanism. A laser processing apparatus comprising: a laser generating mechanism that irradiates at least a portion of an object to be processed with light.
JP58146359A 1983-08-12 1983-08-12 Laser processing device Pending JPS6040681A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58146359A JPS6040681A (en) 1983-08-12 1983-08-12 Laser processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58146359A JPS6040681A (en) 1983-08-12 1983-08-12 Laser processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6040681A true JPS6040681A (en) 1985-03-04

Family

ID=15405930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58146359A Pending JPS6040681A (en) 1983-08-12 1983-08-12 Laser processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6040681A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2654662A1 (en) * 1989-11-20 1991-05-24 Bertin & Cie Method and installation for cutting food products, such as vegetables, in particular for the purposes of marketing them
CN114131215A (en) * 2021-12-13 2022-03-04 新沂市华洋金属制品有限公司 High-precision automatic metal corner cutting equipment and working method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2654662A1 (en) * 1989-11-20 1991-05-24 Bertin & Cie Method and installation for cutting food products, such as vegetables, in particular for the purposes of marketing them
CN114131215A (en) * 2021-12-13 2022-03-04 新沂市华洋金属制品有限公司 High-precision automatic metal corner cutting equipment and working method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4843212B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
KR20140146666A (en) Method and apparatus for laser processing
US20090035879A1 (en) Laser dicing device and laser dicing method
US20170221780A1 (en) Packaged wafer processing method
JP3193678B2 (en) Semiconductor wafer repair apparatus and method
US10468255B2 (en) Wafer processing method
US20060055928A1 (en) Test device and method for laser alignment calibration
JPS6040681A (en) Laser processing device
JP2004106048A (en) Processing method and processing apparatus
JP3543731B2 (en) Laser trimming method and laser trimming apparatus
US11114341B2 (en) Laser processing method
KR20090013476A (en) Laser trimming apparatus and method using image processing
JP3926620B2 (en) Laser processing apparatus and method
KR20180098810A (en) Annealing apparatus and annealing method
KR100622835B1 (en) pattern amendment appratus and method
JPH07204876A (en) Device for drilling hole in protective film on ic surface and method for drilling hole by using the method
US10985060B2 (en) Laser processing method using plasma light detection for forming a pore in a substrate
US20070012666A1 (en) Laser trimmed semiconductor device and a method of manufacturing the same
US20230377971A1 (en) Method of processing wafer and laser applying apparatus
US20230369117A1 (en) Method of processing wafer and laser applying apparatus
JP7570787B2 (en) Laser processing method and laser processing device
JP2004009074A (en) Laser beam machining method and laser beam machining apparatus
JPH0982784A (en) Method for processing wafer
JP3009157B2 (en) Method and apparatus for forming wiring film
JP2596250B2 (en) Resist forming equipment