JPS6038727A - Magnetic recording medium and its manufacture - Google Patents

Magnetic recording medium and its manufacture

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JPS6038727A
JPS6038727A JP58145193A JP14519383A JPS6038727A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A JP 58145193 A JP58145193 A JP 58145193A JP 14519383 A JP14519383 A JP 14519383A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A
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film
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magnetic
plasma
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Shinsaku Nagaoka
長岡 晋作
Sota Kawakami
壮太 川上
Hidenori Murata
秀紀 村田
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Konica Minolta Inc
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction

Abstract

PURPOSE:To obtain a thin film type magnetic recording medium havng an overcoat layer with superior wear and corrosion resistances by forming an org. plasma-polymerized layer contg. silicon on a magnetic layer so that the refractive index is adjusted to a specified value or above. CONSTITUTION:A support 10 having a magnetic metallic (alloy) film vapor-depodited on a polyethylene terephthalate film is sent from a sending reel 11 in a sending chamer 3 to a winding reel 13 through an electric discharge chamber 2. In the chamber 2, a mixture of a compound contg. silicon such as vinyltrimethoxysilane with O2, N2 and H2 as plasma-nonpolymerizable gases is fed from small holes in the edge of an upper electrode 6 to the chamber 2 through the slender pipe of the electrode 6, gaseous Ar or the like is sent from inlets 14 as required, and high frequency power is applied to a lower electrode 7 to form an evercoat layer of an org. plasma-polymerized substance contg. Si and having >=1.45 refractive index on the magnetic film. The thickness of the overcoat layer is 20-1,000Angstrom . Thus, a magnetic recording medium having a small spacing loss and superior traveling performance without reducing the reproduction output is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 産業上の利用分野: 本発明は磁気記録媒体の改良に関するものであり、特に
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
Detailed Description of the Invention (a) Industrial Application Field: The present invention relates to the improvement of magnetic recording media, and particularly to thin-film magnetic recording media with improved runnability, abrasion resistance, and corrosion resistance of the overcoat layer. Regarding.

[b) 従来技術: 磁気記録媒体を磁性層形成方法の面で分類すると、(1
)薄膜型のものと、(2)塗布型のものに分けられる。
[b) Prior art: If magnetic recording media are classified in terms of the method of forming the magnetic layer, (1)
) Thin film type and (2) coating type.

薄膜型磁気記録媒体は、支持体上に磁性材料を真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の
方法により磁性層を形成したものである。
A thin film magnetic recording medium has a magnetic layer formed on a support by a method such as vacuum evaporation, sputtering, ion blasting, or plating of a magnetic material.

塗布型磁気記録媒体は、支持体上に磁性粉をバインダー
で粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を形成したもので
ある。この塗布型磁気記録媒体は、バインダー含有分だ
け磁性層における単位容状当りの実質充填率が低い。ま
た、磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなる
ため再生出力が小さくなる。
A coated magnetic recording medium has a magnetic layer formed by coating a support with a magnetic paint made by adhering magnetic powder with a binder. In this coated magnetic recording medium, the actual filling rate per unit volume of the magnetic layer is low due to the content of the binder. Furthermore, since the spacing loss between the magnetic head and the magnetic head increases, the reproduction output decreases.

これに反し、薄膜型磁気記録媒体は、磁性層内での磁性
粉の実質的充填率は高いけれども、磁性層の耐食性が低
く、走行時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、ス
リ傷が付きやすく、ノイズ発生の原因となる。また摩擦
係数が大きく、走行性が悪く、機械的強度も弱い欠点が
ある。
On the other hand, thin-film magnetic recording media have a high effective filling rate of magnetic powder in the magnetic layer, but the corrosion resistance of the magnetic layer is low, and it comes into contact with magnetic heads, guide rollers, etc. during running, and is prone to scratches. easily and cause noise. It also has the disadvantages of a large coefficient of friction, poor running performance, and weak mechanical strength.

薄膜型磁気記録媒体における上述の欠点を改碧するため
、従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の方法によって、オーバコート
する方法が行われている。
In order to improve the above-mentioned drawbacks of thin-film magnetic recording media, vacuum deposition, sputtering,
Overcoating methods such as ion blating have been used.

すなわち、 ■ ロジウム、クロムなどの金属や、W %TiO2、
CaF2、yigF2 などの高硬度無機物:金属セッ
ケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコート
する方法: ■ 塗布法により、潤滑性有機物音有層をオーバコート
する方法: ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法: ■ 特開昭57−167132号、同57−16713
3号、同57−167134号公報り」細書に示されて
いるように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することによシ窒
化膜、酸化膜をオーバコートする方法: ■ 昭和56年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会において発表され、同大会予稿集r11175(19
81)に示されているように、コバルト膜(磁性層)上
に、オルガノシリコン系モノマによるプラズマ重合膜を
オーバコートさせること等が知られている。
That is, ■ Metals such as rhodium and chromium, W%TiO2,
High hardness inorganic substances such as CaF2 and yigF2: A method of overcoating a lubricating organic substance such as metal soap using a vacuum deposition method: ■ A method of overcoating a lubricating organic substance layer using a coating method: ■ Applying a prepolymer liquid After that, the coating film is irradiated with ultraviolet rays or electron beams to cause a polymerization reaction to form an overcoat layer: ■ JP-A-57-167132, JP-A-57-16713
No. 3, Publication No. 57-167134, the nitride film and oxide film are overlaid by plasma treatment of nitrogen gas or oxygen gas ions or these gases on the magnetic layer. Coating method: ■ Announced at the 1986 IEICE Semiconductor/Materials Division National Conference, and published in the proceedings of the same conference r11175 (19
As shown in 81), it is known to overcoat a cobalt film (magnetic layer) with a plasma polymerized film made of an organosilicon monomer.

しかし、前記のおよび■の方法で形成された蒸着膜およ
び塗布膜は膜強度が弱い。特に、■において高分子塗布
膜の場合は薄膜にするのが難しく、磁気ヘッドとの間に
スペーシングロスを生じ、再生出力が低下する欠点があ
る。
However, the vapor deposited films and coating films formed by the above methods and (2) have low film strength. In particular, in the case of (2), it is difficult to form a thin film using a polymer coating film, which causes a spacing loss between the film and the magnetic head, resulting in a reduction in reproduction output.

また、■の方法で形成される塗布硬化層は、長期にわた
り41コ滑性を保持しつづけるのが困難である。■の方
法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定性の点で満足
し難い。
Furthermore, it is difficult for the coated and cured layer formed by the method (2) to maintain the 41-coat lubricity for a long period of time. The nitride film and oxide film formed by method (2) are difficult to satisfy in terms of running stability.

さらに、■の方法で得られたオーバコート膜は、耐食性
は良好であるが、耐摩耗性を向上させるためにオーバコ
ート層を厚くしなければならない難点がある。この結果
、磁気ヘッドと磁性層間のスペーシングロスが増大し、
再生出力が小さくなる欠点がある。この点に関しては、
従来から知られている、たとえば1977年米国光学会
(OpticalSociaty of Americ
a )発行の学術雑誌「アブライドオプテノクス誌J 
(Applied 0ptics )第16巻&(3号
、第71゛1頁から第721頁にわたる論文[プラズマ
 ボリマライズド コーティング フォボリカーボネー
ト:シングル レイヤー、アブレーション レジスタン
ド、アンド アンナレフレクシコンJ (Plasma
 polymerlzed coating for 
polycarbonate: single 1ay
er+ abrall−ion resistant+
 and antireflectio++ )中ニ、
ヒニルトリメチルオキシシランフィルムの表面を酸素グ
ロー放電によシ5i−0結合(架411度)を増し、表
面硬度、摩耗性を高めることができると報告されている
ように重合の架橋度が変ずしすれば、当該重合膜の諸物
性が変化するであろうことを予想す“ることができる。
Further, although the overcoat film obtained by the method (2) has good corrosion resistance, it has the disadvantage that the overcoat layer must be thick in order to improve wear resistance. As a result, the spacing loss between the magnetic head and the magnetic layer increases,
The disadvantage is that the playback output is small. In this regard,
For example, in 1977, the Optical Society of America
a) Published academic journal “Abrid Optenox J”
(Applied Optics) Volume 16 & (No. 3, No. 71) Articles from pages 1 to 721 [Plasma Volumarized Coating Fobolycarbonate: Single Layer, Ablation Resistance, and Anna Reflexicon J (Plasma
polymerized coating for
polycarbonate: single 1ay
er+ abrall-ion resistant+
and antireflectio++) Middle D,
It has been reported that oxygen glow discharge on the surface of a hynyltrimethyloxysilane film increases the number of 5i-0 bonds (411 degrees) and changes the degree of crosslinking during polymerization, which can increase surface hardness and abrasion resistance. If so, it can be predicted that the various physical properties of the polymer film will change.

しかし、物性値の変化から、重合膜の架橋度を確実に把
握する方法は未だ知られ−Cいない。
However, there is still no known method for reliably determining the degree of crosslinking of a polymer film from changes in physical property values.

本発明者等は、重合の架橋度が増せば、屈折率も必然的
に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバコートに使用す
ることによシ耐摩性の高い磁気記録媒体を作製しうると
の推測の下に種々研究を重ね/こところ、プラズマ重合
膜の屈折率が1,45以上のオーバコート層を有する磁
気記録媒体は、屈折率1.45以下のオーバコート層を
有する磁気記録媒体に比べて、後述する動摩擦係数、ス
チル寿命が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に
至Iに全 し プこ 。
The present inventors have discovered that as the degree of crosslinking in polymerization increases, the refractive index will inevitably change, and by using a polymeric film with a high refractive index as an overcoat, it is possible to create a magnetic recording medium with high wear resistance. Various studies have been conducted based on the assumption that a magnetic recording medium having an overcoat layer of a plasma polymerized film with a refractive index of 1.45 or more is a magnetic recording medium having an overcoat layer with a refractive index of 1.45 or less. We have discovered that the coefficient of kinetic friction and still life, which will be described later, are dramatically improved compared to media, and we have developed the present invention.

〔c〕 発明の目的: 本発明は走行性、耐摩耗性および耐食性に優れ/ζオー
バコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
[c] Object of the invention: The object of the invention is to provide a thin film magnetic recording medium having excellent running properties, wear resistance and corrosion resistance/ζ overcoat layer.

また、本発明はこのような薄膜型磁気記録媒体の製造方
法を提供することをも目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a thin film magnetic recording medium.

(d) 発明の構成: 前記本発明の第1の目的は、支持体上に、磁性層とf・
n性層上に形成しだオーバコート層を有する磁気記録媒
体において、オーバコート層を屈折率が1.45以上の
含けい素有機プラズマ重合層で構成することによって達
成される。
(d) Structure of the invention: The first object of the invention is to provide a magnetic layer and an f.
In a magnetic recording medium having an overcoat layer formed on an n-type layer, this can be achieved by constructing the overcoat layer with a silicon-containing organic plasma polymerized layer having a refractive index of 1.45 or more.

本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層上に形成するオー
バコート層を構成する、屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層の組成は、■ プラズマ重合層が
主に、けい素(St)ノ他K、炭素(C)、酸素0)お
よび水素(財)によって構成されたものであれば、けい
素に対する炭素の組成比(C/St)が0.1〜2.0
、酸素の組成比(0/St)が1.0〜3,0であるこ
とが好ましい。
The composition of the silicon-containing organic plasma polymerized layer with a refractive index of 1.45 or more, which constitutes the overcoat layer formed on the magnetic layer of the magnetic recording medium according to the present invention, is as follows: (1) The plasma polymerized layer mainly contains silicon. If it is composed of (St), K, carbon (C), oxygen 0), and hydrogen (compound), the composition ratio of carbon to silicon (C/St) is 0.1 to 2.0.
, the oxygen composition ratio (0/St) is preferably 1.0 to 3.0.

Oまた、プラズマ重合層が主に、けい素、炭素、酸素、
窒素、水素で構成されたものであれば、けい素に対する
炭素、酸素、窒素の組成比は、それぞれ0.1〜2.0
:0.1〜2.0:0.1〜2oであることが好ましい
OAlso, the plasma polymerized layer mainly contains silicon, carbon, oxygen,
If it is composed of nitrogen and hydrogen, the composition ratio of carbon, oxygen, and nitrogen to silicon is 0.1 to 2.0, respectively.
:0.1-2.0: It is preferable that it is 0.1-2o.

含けい素プラズマ重合層の組成の好ましいものとして、
たとえば、co、as4(o11Sio5t : co
44)1o31Q0.32SiO,21: C0,20
1(0,08Q0.05Si0.67 : C0,37
)(0,02QolsSio4s : Co、+aHo
、osQo4eSio33:Co、os)loo2Qo
、5zSio、as : C0,111(0,03Q0
.41NO,11Si0.34 : C0,0500,
4ONo3oSio、2s : Co、o7Qo32N
o2aSio3a : Co、52Hoj。
Preferred compositions of the silicon-containing plasma polymerized layer include:
For example, co, as4(o11Sio5t: co
44) 1o31Q0.32SiO,21: C0,20
1 (0,08Q0.05Si0.67: C0,37
) (0,02QolsSio4s: Co, +aHo
,osQo4eSio33:Co,os)loo2Qo
,5zSio,as: C0,111(0,03Q0
.. 41NO,11Si0.34: C0,0500,
4ONo3oSio, 2s: Co, o7Qo32N
o2aSio3a: Co, 52Hoj.

()o、t5NO,273i0.16二CO,21)1
0.08Q0.18NO,263i0.27:C0,1
3J(o、oaQo、a5So、+ t3io33等が
あげられる。
()o,t5NO,273i0.162CO,21)1
0.08Q0.18NO,263i0.27:C0,1
3J(o, oaQo, a5So, +t3io33, etc.).

前記プラズマ重合層は、一部に全くけい素化合物を含ん
でいなくてもよく、膜厚は20〜1.00 OAの範囲
のものが好ましく、特に望ましい膜厚は100〜500
′Aの範囲である。20X未満の膜厚のものけ薄すぎて
オーバコート層としての効果がなく、1,000大を越
えると磁性層と磁気ヘッド間のスペーシングロスが大き
すぎ、再生出力が低下する。
The plasma-polymerized layer does not need to contain any silicon compound at all, and the film thickness is preferably in the range of 20 to 1.00 OA, and particularly preferably in the range of 100 to 500 OA.
'A range. If the thickness is less than 20X, it is too thin and has no effect as an overcoat layer, and if it exceeds 1,000X, the spacing loss between the magnetic layer and the magnetic head is too large, resulting in a reduction in reproduction output.

前記台けい素有機プラズマ重合層は、磁性層の上面だけ
でなく、磁性層形成面と反対側の支持体ハ面にも形成で
き、この方法に依り、支持体の「反り」を防ぐことがで
きる。
The silicon organic plasma polymerized layer can be formed not only on the upper surface of the magnetic layer, but also on the surface of the support opposite to the surface on which the magnetic layer is formed, and by this method, "warping" of the support can be prevented. can.

また、必要に応じ、含けい素有機プラズマ重合層上面に
、411滑層を形成してもよい。
Further, if necessary, a 411 slip layer may be formed on the upper surface of the silicon-containing organic plasma polymerized layer.

本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、支持体上に
磁性層を形成した後、該磁性層上において、けい素含有
化合物と非プラズマ重合性ガスとを同時にプラズマ重合
処理し、前記磁性層上に屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層をオーバコートすることによって
達成される。
In the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, after forming a magnetic layer on a support, a silicon-containing compound and a non-plasma polymerizable gas are simultaneously subjected to plasma polymerization treatment on the magnetic layer. This is achieved by overcoating a silicon-containing organic plasma polymerized layer with a refractive index of 1.45 or more.

本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におけるけい素
化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズマ重合処理は、
プラズマ重合法と称される重合方法なら、どのような方
法を行ってもよいが、けい素を含有する化合物のガスと
、必要に応じて他の化合物あるいはアルゴン(Ar)、
ネオン(Ne ) 等ノ不活性ガスを重合して、反応空
間に導入し、この空間においてグレー放電させ、支持体
上の磁性層上に析出させる方法が好ましい。
The plasma polymerization treatment of a silicon compound and a non-plasma polymerizable gas in the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention includes:
Any polymerization method called plasma polymerization method may be used, but a silicon-containing compound gas and, if necessary, other compounds or argon (Ar),
A preferred method is to polymerize an inert gas such as neon (Ne), introduce it into a reaction space, cause a gray discharge in this space, and deposit it on the magnetic layer on the support.

プラズマ重合に使用するけい素含有化合物のガスとして
は、モノシラン:ジシラン:テトラメチルシラン:ビニ
ルトリメチルシラン°アリルトリメチルシラン:フェニ
ルシラン:ジンエニルシランコトリフェニルシラン:ジ
メチルシラン。トリへキシルシラン:テトラメキシルシ
ラン:テトラエトキシシラン:メチルトリメトキシシラ
ン:ビニルトリメトキシシラン:ビニルトリエトキシシ
ラン:ジメチルジメトキシシラン:ヘキサメチルジシロ
キサン:ヘキサメチルジシラザン:へキサメチルシクロ
トリシロキサン:ヘキサメチルシクaトリシラザン:へ
キサメチルジシラン:ヘキサメチルジシルチアン:テト
ラフルオロシラン:テトラクロルシラン:メチルトリク
ロルシラン;ピニルトリクロルシラン:アリルトリクロ
ルシラン:フェニルトリクロルシラン:ジメチルジジク
ロルシラン:ジメチルジフルオロシラン:ブロモメチル
トリメチルシラン等およそ揮発性を有するけい素含有化
合物のガスであればなんでも良い。また、他の化合物と
しては、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等
の常温で気体の化合物であっても良いし、又はメチルメ
タクリレート:スチレン:アクリロニトリル:塩化ビニ
ル:四弗化エチレン二等のいわゆるモノマーであっても
よいし、ベンゼン°トルエンニI\キサン:アセトニト
リル:パーフルオロベンゼン:ピリジン°フラン:チオ
7エンコトリメチル7オス7アイト:トリメチルポレー
ト等一般には非重合性の化合物であってもよい。
Gases of silicon-containing compounds used in plasma polymerization include monosilane: disilane: tetramethylsilane: vinyltrimethylsilane ° allyltrimethylsilane: phenylsilane: dienylsilane cotriphenylsilane: dimethylsilane. Trihexylsilane: Tetramexylsilane: Tetraethoxysilane: Methyltrimethoxysilane: Vinyltrimethoxysilane: Vinyltriethoxysilane: Dimethyldimethoxysilane: Hexamethyldisiloxane: Hexamethyldisilazane: Hexamethylcyclotrisiloxane: Hexa Methylcyclotrisilazane: Hexamethyldisilane: Hexamethyldisilthian: Tetrafluorosilane: Tetrachlorosilane: Methyltrichlorosilane; Pinyltrichlorosilane: Allyltrichlorosilane: Phenyltrichlorosilane: Dimethyldidichlorosilane: Dimethyldifluorosilane: Any gas containing volatile silicon-containing compounds such as bromomethyltrimethylsilane may be used. In addition, other compounds may be compounds that are gaseous at room temperature such as ethylene, acetylene, diborane, and phosgene, or so-called monomers such as methyl methacrylate, styrene, acrylonitrile, vinyl chloride, and tetrafluoroethylene. Alternatively, it may be a generally non-polymerizable compound such as benzene ° toluene / xane: acetonitrile: perfluorobenzene: pyridine ° furan: thio-7-encotrimethyl-7-o-7-ite: trimethyl porate.

プラズマ重合に用いる化合物として操作上の観点から、
常温で沸点が20θ℃以下の化合物が好丑しく、150
U以下であるものがより好ましい。
From an operational point of view as a compound used in plasma polymerization,
Compounds with a boiling point of 20θ℃ or less at room temperature are preferable, and 150
It is more preferable that it is U or less.

また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法に使用で
きる非プラズマ性重合ガスとしで、酸素、水素、窒素が
好ましく、特に酸素・窒素は、プラズマ重合性ガスと反
応して架橋点を形成するのみならず自身も重合層中にと
り込まれ、強い結合を生成し、耐摩耗性を向上する点で
好ましい。
Further, as the non-plasma polymerization gas that can be used in the method for producing a magnetic recording medium according to the present invention, oxygen, hydrogen, and nitrogen are preferable, and oxygen and nitrogen are particularly preferred because they react with the plasma polymerization gas to form crosslinking points. This is preferable because it not only incorporates itself into the polymer layer, but also forms a strong bond and improves wear resistance.

本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法においては、プ
ラズマ重合条件を適宜調整することにより、プラズマ重
合層内に内部応力を発生さぜ、磁性層の反対側(すなわ
ち、支持体の裏面側)に向って支持体に反りを与えるこ
とができる。したがって、支持体上に磁性層を形成する
際、支持体が磁性層形成面に反る現象(いわゆるカッピ
ング)を相殺することができる。このカッピングを相殺
スルフラスマ重合膜を作製する際、アルボ7(Ar)等
の第2成分ガスの導入を少なくすることが望ましい。
In the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, by appropriately adjusting the plasma polymerization conditions, internal stress is generated in the plasma polymerized layer and the magnetic layer is applied to the opposite side of the magnetic layer (i.e., the back side of the support). In other words, the support can be warped. Therefore, when forming a magnetic layer on a support, it is possible to offset the phenomenon in which the support warps against the surface on which the magnetic layer is formed (so-called cupping). When producing a sulfur plasma polymerized membrane that cancels out this cupping, it is desirable to reduce the introduction of a second component gas such as Arbo7 (Ar).

本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層に使用できる磁性
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料としてγ−Fe2O3、Co含含有−F
e203、co板着r−Fe203、Fe3O4、CO
含有Fe3O4、CrO2等のいわゆる酸化物系磁性旧
旧:Fe −Ni−Co合金、Fe −Mn−Z11合
金、Fe−Ni−Zn合金、p6−C□−Ni−Cr合
金、F’e −Co −Ni−P合金、Co−Ni合金
等Fe XNi Coを主成分とする合金系磁性材料等
各村の磁性材料が挙げられる。
The magnetic material that can be used for the magnetic layer of the magnetic recording medium according to the present invention may be any conventionally used and known magnetic material.
Such magnetic materials include γ-Fe2O3, Co-containing -F
e203, co plated r-Fe203, Fe3O4, CO
Old and old oxide-based magnetic materials containing Fe3O4, CrO2, etc.: Fe-Ni-Co alloy, Fe-Mn-Z11 alloy, Fe-Ni-Zn alloy, p6-C□-Ni-Cr alloy, F'e -Co -Ni--P alloy, Co--Ni alloy, and other alloy-based magnetic materials containing Fe XNi Co as a main component, and other magnetic materials from each village.

支持体上に磁性層を形成する方法として、公知の真空蒸
着、スパツタリング、イオンブレーティング、メソギ法
等が挙げられる。酸化物系磁性拐料や合金系磁性材料の
中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が変
化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけれ
ばならない。
Examples of methods for forming the magnetic layer on the support include known vacuum deposition, sputtering, ion blasting, and Mesogi method. When using an alloy-based magnetic material among oxide-based magnetic materials and alloy-based magnetic materials, the composition must be controlled during vapor deposition or plating so that the composition does not change.

支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステル
類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック、C
u、、AI、Zn などの金属、ガラス、いわゆるニュ
ーセラミック(たとえば窒化はう素、炭化けい素等)な
どが使用される。
The material for the support is polyethylene terephthalate,
Polyesters such as polyethylene-2,6-naphthalate, polyolefins such as polypropylene, cellulose derivatives such as cellulose triacetate and cellulose diacetate, plastics such as polycarbonate, C
Metals such as u, AI, and Zn, glass, and so-called new ceramics (eg, boron nitride, silicon carbide, etc.) are used.

支持体の形態はテープ、シート、カード、ディスク、ド
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
The support may be in any form such as a tape, sheet, card, disk, or drum, and various materials may be selected as necessary depending on the form.

これらの支持体の厚みは、フィルム、シート状の場合は
約3〜100μ程度、好ましくは5〜50μであり、デ
ィスク、カード状の場合は30μ〜10■程度である。
The thickness of these supports is about 3 to 100 .mu.m in the case of a film or sheet, preferably 5 to 50 .mu.m, and about 30 .mu. to 10 .mu.m in the case of a disk or card.

(e) 実施例: 以下、本発明の実施例について説明する。(e) Example: Examples of the present invention will be described below.

実施例1゜ 第1図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置の要
部断面図を示す。
Embodiment 1 FIG. 1 shows a sectional view of a main part of a magnetic recording medium manufacturing apparatus according to the present invention.

製造装置は、全体符号1で示すケーシングがら成ってお
り、ケーシング1はベルジャ状の放電室2、支持体送出
室(以下、単に「送出室」とい気)3、支持体巻取り室
(以下、単に「巻取シ室」という。)4から成シ、放電
室2および巻取υ室4:放電室2および送出室3間には
筒管5が連結され、支持体通路を形成している。
The manufacturing apparatus consists of a casing indicated by the general reference numeral 1, and the casing 1 has a bell jar-shaped discharge chamber 2, a support delivery chamber (hereinafter simply referred to as the "delivery chamber") 3, and a support winding chamber (hereinafter referred to as "the delivery chamber"). (simply referred to as the "winding chamber") 4, consisting of a discharge chamber 2 and a winding chamber 4: A cylindrical pipe 5 is connected between the discharge chamber 2 and the delivery chamber 3, forming a support passage. .

送出室3、巻取り室4の側壁には導通管14が付設され
ており、筒管5には枝管15が連結されており、導通管
14の先端はキャリヤガス源(図示せず。)に接続して
おり、また枝管15の先端は排気系に(図示せず。)に
接続する。
A conduction pipe 14 is attached to the side walls of the delivery chamber 3 and the winding chamber 4, a branch pipe 15 is connected to the cylindrical pipe 5, and the tip of the conduction pipe 14 is connected to a carrier gas source (not shown). The tip of the branch pipe 15 is connected to an exhaust system (not shown).

また、必要に応じて巻取υ室4の底部に、排気系に連続
する他の枝管15′を付設する。
Further, if necessary, another branch pipe 15' connected to the exhaust system is provided at the bottom of the winding chamber 4.

さらに、放電管2には、上部電極6と下部電極7が配設
されており、上部電極6の内部は空洞に形成され、一方
の端部は細管を形成し、非プラズマ重合性ガスソース(
図示せず。)に連なり、他端は放電室空間と導通する多
数の蜂巣状導通孔が設けられており、前記細管を通して
空洞内に導入された非プラズマ重合性ガスを、放電室内
へ供給できる構造となっている。また、下部電極7は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に溝成さ
れており、電力は、マツチングボックス8を介して電源
9から高周波電力が供給される。
Further, the discharge tube 2 is provided with an upper electrode 6 and a lower electrode 7, the inside of the upper electrode 6 is formed into a cavity, one end forms a thin tube, and a non-plasma polymerizable gas source (
Not shown. ), and the other end is provided with a large number of honeycomb-shaped communication holes that communicate with the discharge chamber space, and the structure is such that the non-plasma polymerizable gas introduced into the cavity through the thin tube can be supplied into the discharge chamber. There is. Further, the lower electrode 7 is
A water-cooled groove is provided to cool the heat generated during discharge, and high-frequency power is supplied from a power source 9 via a matching box 8.

上記製造装置を使用し、磁気記録媒体を作製する場合は
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
予め公知の方法に依り、Co−Ni合金膜を蒸着した支
持体1oを送出用リール11に巻き取り、送出室3にセ
ットする。リール11に巻き取られた支持体1oの先端
部は、ガイドローラ12を通9筒管5内をガイドされ、
放電室2から巻取り室4へ送り込まれる。
When manufacturing a magnetic recording medium using the above-mentioned manufacturing apparatus, first, a support 1o on which a Co-Ni alloy film is deposited on a belt-shaped polyethylene terephthalate film by a known method is wound around a delivery reel 11. , set it in the delivery chamber 3. The tip of the support 1o wound up on the reel 11 is guided inside the cylindrical tube 5 through the guide roller 12,
It is sent from the discharge chamber 2 to the winding chamber 4.

巻取9室4内には他の巻取りリール13が取り付けられ
ておυ、前記送出室側のリール11小ら巻取り室4へ送
入された支持体1oを巻き取るように機能する。
Another take-up reel 13 is installed in the take-up chamber 4, and the reel 11 on the delivery chamber side functions to wind up the support 1o sent into the take-up chamber 4.

上述のようにして、ケーシング1内に七ノドされた支持
体10のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ
重合層をオーバコートするに当っては、先ず’HF気系
全作動して、枝管15がらケーシング1内を真空排気し
た後、樽通管14がらケーシング1内へArガスを供給
する。
In order to overcoat the silicon-containing organic plasma polymerized layer on the Co--Ni alloy film of the support 10 that has been deposited in the casing 1 as described above, first, the entire HF gas system is turned on. After evacuating the inside of the casing 1 through the branch pipe 15, Ar gas is supplied into the casing 1 through the barrel pipe 14.

次に、上部電極6をアースし、下部電極7に対してマツ
チングボックス8を介して、高周波電源9から13.5
6 MHz X 50Wの高周波電力で供給し、放電室
内にArプラズマを発生させ、支持体上のCo−Ni合
金膜表面を清浄にした。
Next, the upper electrode 6 is grounded, and the lower electrode 7 is connected to the high frequency power source 9 through the matching box 8.
A high frequency power of 6 MHz x 50 W was supplied to generate Ar plasma in the discharge chamber to clean the surface of the Co--Ni alloy film on the support.

ついで、上部電極6の細管部を通し、空洞室内へけい素
含有化合物ガス囚としてビニルトリメトキシシラン、非
プラズマ重合性ガスΦ)として酸素をモル比(1:4)
で混合したガスを導入し、ケーシング1内の圧力を0.
11 Torrに維持し、再び、下部電極7に300W
の高周波電力を供給し、放電室内にArガスの放電を発
生させ、放電室内に供給された上記ビニルトリメトキシ
シランガスおよび酸素ガスのプラズマが前記支持体10
上のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートされた。
Next, vinyltrimethoxysilane is introduced as a silicon-containing compound gas into the cavity through the thin tube part of the upper electrode 6, and oxygen is introduced as a non-plasma polymerizable gas (Φ) in a molar ratio (1:4).
The mixed gas is introduced and the pressure inside the casing 1 is reduced to 0.
11 Torr, and again applied 300W to the lower electrode 7.
high-frequency power is supplied to generate a discharge of Ar gas in the discharge chamber, and the plasma of the vinyltrimethoxysilane gas and oxygen gas supplied to the discharge chamber is applied to the support 10.
The Co-Ni alloy film above was overcoated as a silicon-containing organic plasma polymerized film.

その後、巻取り室4側導通管14から後処理ガスを導入
し、筒管5の枝管15を通じケーシング内の残留ガスを
排除した。
Thereafter, post-processing gas was introduced from the winding chamber 4 side conduction pipe 14, and residual gas inside the casing was removed through the branch pipe 15 of the cylindrical pipe 5.

さらに、ケーシング1内を常圧にもどした後、巻取υ室
4内のり−ル13を取外し、リールに巻かれた支持体1
0上のオーバコート層をタリステップ、E S CA 
(Electron 5pectroaeopy fo
r ChemicalAnaly@ig )および元素
分析法により分析した結果、膜厚は280Aであり、膜
組成はC0,2zf■o1100.493i0.1gで
あることが確認された。
Furthermore, after returning the inside of the casing 1 to normal pressure, the reel 13 in the winding chamber 4 is removed, and the support 1 wound around the reel is removed.
Talystep the overcoat layer on 0, E S CA
(Electron 5pectroaeopy fo
As a result of analysis by chemical analysis@ig) and elemental analysis, it was confirmed that the film thickness was 280A and the film composition was C0,2zf■o1100.493i0.1g.

かくしてイ(Iられた支持体を、12.65w1ll]
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ1とした。
In this way, the supported support is 12.65w1ll]
A videotape was made by cutting it into pieces. This sample tape was designated as Example Tape 1.

また、第1図に示す製造装置は、支持体10上に予め装
置外で磁性層を形成した後、当該支持体を装fjL内に
セットし、オーバコートする装置の一例を示したもので
あるが、第2図に示すように、放電室2以外に後述する
蒸着室16を具備する製造装置を使用することにより、
支持体上への磁性層の形成する工程と、磁性層上にオー
バコート層を形成する工程とを同一製造装置内で一貫し
て行うことができる。
The manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is an example of an apparatus in which a magnetic layer is previously formed on a support 10 outside the apparatus, and then the support is set in a housing fjL and overcoated. However, as shown in FIG. 2, by using a manufacturing apparatus equipped with a vapor deposition chamber 16, which will be described later, in addition to the discharge chamber 2,
The process of forming the magnetic layer on the support and the process of forming the overcoat layer on the magnetic layer can be performed consistently in the same manufacturing apparatus.

第2図に示す装置は、送出室3と巻取り室40両者を兼
用する室17を中央に配置し、室17の左右両側にそれ
ぞれ隔壁18を隔てて放電室2と蒸着室16を設けであ
る。
In the apparatus shown in FIG. 2, a chamber 17 that serves as both a delivery chamber 3 and a winding chamber 40 is arranged in the center, and a discharge chamber 2 and a vapor deposition chamber 16 are provided on the left and right sides of the chamber 17, separated by partition walls 18, respectively. be.

蒸着室16には、ガイドローラ12、冷却缶20、るつ
は21、電子ビーム発生装置22および遮へい板23が
設けられている。
The vapor deposition chamber 16 is provided with a guide roller 12, a cooling can 20, a melter 21, an electron beam generator 22, and a shielding plate 23.

リール11から送られる帯状支持体10は隔壁18に設
けられた細隙通路19を通り、ガイドロール12を介し
て冷却缶200周側面に導かれる。
The strip support 10 fed from the reel 11 passes through a narrow passage 19 provided in the partition wall 18 and is guided to the circumferential side of the cooling can 200 via the guide roll 12.

冷却缶20の周側面においては、冷却缶20の下方に設
置された電子ビーム発生装置の操作によって、るつぼ2
1内のCo−Ni合金粉を加熱し、支持体10面にCo
−Ni合金膜が蒸着される。
On the circumferential side of the cooling can 20, the crucible 2 is heated by operating an electron beam generator installed below the cooling can 20.
Co-Ni alloy powder in 1 is heated, and Co is applied to the support 10 surface.
-Ni alloy film is deposited.

co−Ni合金膜が形成された支1′つ°体10は、他
のガイドローラ12を介して、細隙通路24を通り、放
11宣2に送られ、第1図に示す製造装置と同様の手順
を経て、上部電極6内に導入されたビニルトリメトキン
シランと酸素の混合ガス(1:4)を、支持体10のC
o−Ni合金膜上でプラズマ重合せしめ、同一装置内で
支持体の磁性層と、オーバコート層の形成とを連続して
行うことができる。
The support 1' frame 10 on which the co-Ni alloy film is formed is sent through another guide roller 12, through a slit passage 24, to a release 11 and a manufacturing apparatus shown in FIG. Through the same procedure, a mixed gas (1:4) of vinyltrimethynesilane and oxygen introduced into the upper electrode 6 was added to the C of the support 10.
Plasma polymerization is performed on the o-Ni alloy film, and the magnetic layer of the support and the overcoat layer can be continuously formed in the same apparatus.

実施例2 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内において支持
体10上面に形成したCo−Ni合金膜上でビニルトリ
メトキシシラン及び酸素をモル比で(1:4)の割合で
混合したガスを、ガス圧0.1ITorrs高周波電力
300Wの条件でグロー放電させる代りに、下記の表−
1、ぬ2に示すビニルトリメトキシシランおよび酸素を
モル比(1:2)の割合で混合したガスを、 ガス圧二8鰭Torr 供給高周波電カニ10W の条件下でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上に含けい素有機プラズマ重合層を形成した。
Example 2 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film formed on the upper surface of a support 10 in a discharge chamber 2. Instead of glow discharging the mixed gas under the conditions of a gas pressure of 0.1 I Torrs and a high frequency power of 300 W, the following table -
Except for performing a glow discharge using a gas mixture of vinyltrimethoxysilane and oxygen shown in 1 and 2 at a molar ratio (1:2) under the conditions of a gas pressure of 28 Torr and a high-frequency electric crab supplied with a power of 10 W. Co-N on support 10 according to the same treatment and procedure as in Example 1
A silicon-containing organic plasma polymerized layer was formed on the i-alloy film.

上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体10を取外し、支持体上のco−N
i合金膜上に形成されたオーバコート層を、タリステッ
プ、ESCA及び元素分析法により分析したところ、 膜組成: (::o、tsHo、taQo4sSio、
ztであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized layer, remove the residual gas in the casing, remove the support 10, and remove the co-N on the support.
When the overcoat layer formed on the i-alloy film was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the film composition: (::o, tsHo, taQo4sSio,
It was confirmed that it was zt.

かくして得られた支持体を12.65惰巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
とした。
The thus obtained support was cut into a length of 12.65 mm to produce a videotape. This sample tape was designated as an example tape.

以下余白 表−1 実施例3 第1図に示す装造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波1カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、N[L3に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
3)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 12 t
xa Torr供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Below is a margin table-1 Example 3 Using the equipment shown in Figure 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in molar ratios on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided into a discharge chamber 2. (1:4) was mixed with vinyltrimethoxysilane shown in Table 1, N[L3] below to cause a glow discharge at a gas pressure of 0.11 Torr and a high frequency supply of 300W. Nitrogen in molar ratio (1:
Filled gas pressure: 12 t
Co--Ni on the support 10 was prepared in accordance with the same treatment and procedure as in Example 1, except that glow discharge was performed under the conditions of xa Torr supplied high-frequency electric crab 15W.
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体lO
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、E−8CA及び元素分析法により分析した
ところ、 膜厚:180人 膜組成: C0,19HO,,12QO,18N0.2
2SiO,29であることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
The overcoat layer on the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, E-8CA, and elemental analysis, and the results were as follows: Film thickness: 180 Film composition: C0, 19HO, 12QO, 18N0.2
It was confirmed that it was 2SiO,29.

かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
3とした。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 3.

実施例4 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧+ 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N114に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
1)の割合で混合したガスを、封入ガど圧: 16 w
 Torr 供給高周波遊カニ10W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 4 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided in a discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the gases mixed in the proportions using a 300W high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of + 0.11 Torr, vinyltrimethoxysilane and nitrogen shown in Table 1 below and N114 were mixed in a molar ratio (1:
The gas mixed at the ratio of 1) was filled in at a pressure of 16 W.
Co-Ni on the support 10 was prepared in accordance with the same treatment and procedure as in Example 1, except that glow discharge was performed under the conditions of Torr supply high frequency floating crab 10W.
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:160A 膜組成: C0,21H0,1500,16N0.19
Si O,29であることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the results were as follows: Film thickness: 160A Film composition: C0, 21H0, 1500, 16N0.19
It was confirmed that it was SiO,29.

かくして得られた支持体を12.65wm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ4とした。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 wm to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 4.

実施例5 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Ha 5に
示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比で(2:
1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 155 
m Torr 供給高周波電カニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 5 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided into a discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the gases mixed in the proportions using a high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr, vinyltrimethoxysilane and hydrogen shown in Table 1 below and Ha 5 were mixed in a molar ratio (2:
1) Filled gas pressure: 155
Co-Ni on the support 10 was prepared in accordance with the same treatment and procedure as in Example 1, except that glow discharge was performed under the conditions of 150 W of high-frequency electric power supplied to the Co-Ni
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:22OA 膜組成: CO,231(0,29Q0.25Si0.
23であることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the results were as follows: Film thickness: 22OA Film composition: CO, 231 (0,29Q0.25Si0.
I was able to confirm that it was 23.

かくしてKrJられた支持体を12.65mm巾に裁断
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ5とした。
The KrJ-coated support was cut to a width of 12.65 mm to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 5.

実施例6 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のC’o−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N116に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(l:4)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 15 vx Torr 供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 6 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio (1:4 ) Filled gas pressure: 0.11 Torr Instead of glow-discharging using a high-frequency electric crab supplied with 300 W, tetramethylsilane and oxygen shown in Table 1 below and N116 were mixed in the molar ratio (l: 4) The Co-co on the support 10 was subjected to the same treatment and procedure as in Example 1, except that the gas mixed at the ratio of 4) was glow-discharged under the conditions of sealed gas pressure: 15 vx Torr and high-frequency electric crab supplied 15 W. Ni
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッズESCA及び元素分析法により分析したとこ
ろ、 膜厚:160A 膜組成二co1s1(o、osQo、5zSio、z2
であることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talysteds ESCA and elemental analysis, the following results were obtained: Film thickness: 160A Film composition: 2co1s1(o, osQo, 5zSio, z2
It was confirmed that this was the case.

かくして得られた支持体を12.65m+巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ′6とした。
The thus obtained support was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape '6.

実施例7 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L7に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 140saTorr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 7 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided in a discharge chamber 2. Filled gas pressure: 0.11 Torr Instead of glow-discharging gases mixed at the same ratio using a high-frequency electric crab supplied with gas, the molar ratio of tetramethylsilane and oxygen shown in Table 1 below (N[L7) (1: Co-Ni on the support 10 was produced in accordance with the same treatment and procedure as in Example 1, except that the gas mixed at the ratio of 5) was glow-discharged under the conditions of a sealed gas pressure of 140 saTorr and a supplied high-frequency electric crab of 300 W.
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:180A 膜組成: Co2t、lo、osQo、4tSio、s
sであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the results were as follows: Film thickness: 180A Film composition: Co2t, lo, osQo, 4tSio, s
It was confirmed that s.

かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
7とした。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 7.

実施例8 第1図に示す製造装置を用い、放電室z内にガイドされ
た支持体lo上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随8に示す
ヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 25 m Torr供給高周波電カ
ニ200W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体lo上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 8 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support lo guided in a discharge chamber z. Instead of glow-discharging the gases mixed in the proportions using a 300W high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr, the molar ratio of hexamethyldisilazane and nitrogen shown in Tables 1 and 8 below (1: 5) Co on the support l was carried out according to the same treatment and procedure as in Example 1, except that the gas mixed at the ratio of -Ni
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚コ24OA 膜組成: C0,12H0,1400,02N0.36
8i o、a eであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 1o from the device, and remove the support 1o from the device.
When the overcoat layer on the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the film thickness was 24OA. Film composition: C0, 12H0, 1400, 02N0.36.
It was confirmed that 8i o, ae.

かくしてイ0られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ8とした。
A videotape was prepared by cutting the support thus obtained into a width of 12.65 mm. This sample tape was designated as Example Tape 8.

実施例9 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L9に
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:3
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 05 w Torr供給高周波電カ
ニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体io上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 9 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided into a discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the gases mixed at the same ratio using a 300W high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr, hexamethyldisilazane and oxygen shown in Table 1 below and N[L9 were mixed at a molar ratio of (1 :3
Co-coated on the support io according to the same treatment and procedure as in Example 1, except that the mixed gas at the ratio of Ni
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:260A 膜組成: Co1x)io、t4Qo、z2No、zs
Sio、zsであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 1o from the device, and remove the support 1o from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, it was found that: Film thickness: 260A Film composition: Co1x)io, t4Qo, z2No, zs
It was confirmed that it was Sio, zs.

かくして得られた支持体を12.65mm中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ9とした。
The thus obtained support was cut into 12.65 mm pieces to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 9.

実施例10 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na1Oに
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:1
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 22 rnyn ’I’orr供給高周
波亀カニ120W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 10 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided in a discharge chamber 2. To generate a glow discharge using a 300W high-frequency electric crab supplied with a gas pressure of 0.11 Torr, hexamethyldisilazane and oxygen shown in Table 1 below and Na1O were mixed at a molar ratio of 1: 1
) on the support 10 according to the same treatment and procedure as in Example 1, except that the gas mixed at the ratio of Co-Ni
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッゾ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:26OA 膜組成: Co、o9HolaQo、z4No、zaS
io2sであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystezzo, ESCA, and elemental analysis, it was found that: Film thickness: 26OA Film composition: Co, o9HolaQo, z4No, zaS
It was confirmed that it was io2s.

かくして得られた支持体を12.65mm中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ10とした。
The thus obtained support was cut into 12.65 mm pieces to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 10.

実施例11 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Nα11に
示すヘキサメチルジシロキサンとチオフェン及び酸素を
モル比で(20/1/10)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 5酊Torr 供給高周波電力=50W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 11 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1:4) on a Co-Ni alloy film on a support 10 guided in a discharge chamber 2. In order to cause the gases mixed in the proportions to glow discharge using a high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr, hexamethyldisiloxane, thiophene, and oxygen shown in Table 1 below, Nα11, were mixed in molar ratios ( The support 10 was prepared in accordance with the same treatment and procedure as in Example 1, except that a gas mixed in a ratio of 20/1/10) was glow-discharged under the following conditions: Filled gas pressure: 5 Torr High frequency power supplied: 50 W Co-Ni above
A plasma polymerized film was formed on the alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法によシ分析したと
ころ、 膜厚:240A 膜組成: Co、t*Ho、z4Qo2tSio、ts
3o、ttであることが確認できた。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
When the layer overcoated the Co-Ni alloy film above was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, the results were as follows: Film thickness: 240A Film composition: Co, t*Ho, z4Qo2tSio, ts
It was confirmed that it was 3o, tt.

かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
11とした。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape. This sample tape was designated as Example Tape 11.

実施例12 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給八周波へカニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随12に示
すヘキザメチルジシロキサンとトリメチルホスファイト
および酸素をモル比で(20/1/10)の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧: 10myaTorr 供給高周波電カニ80W の反応条件でグロー放電さゼる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 12 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed at a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided in the discharge chamber 2. Hexamethyldisiloxane, trimethylphosphite, and oxygen shown in Table 1 and Section 12 below were used instead of glow-discharging the gases mixed in the proportions at 300W to an eight-frequency wave supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr. The same treatment and procedure as in Example 1 was followed except that gases mixed at a molar ratio of (20/1/10) were glow discharged under the reaction conditions of a sealed gas pressure of 10 mya Torr and a high frequency electric crab supplied with 80 W. , Co-N on support 10
A plasma polymerized film was formed on the i-alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体lOを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分析し
たところ、 膜厚:280A 膜組成: C0,1ei(o、t 9Q0.28Si 
O,24p0.13であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, remove the support lO from the apparatus, and remove the support lO from the apparatus.
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
Analyzed by crystal tube, ESCA and elemental analysis, film thickness: 280A film composition: C0,1ei(o,t9Q0.28Si
It was confirmed that it was O,24p0.13.

かくして得られた支持体を12.65ax巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
The thus obtained support was cut to a width of 12.65 ax to produce a videotape.

この試料テープを実施例テープ12とした。This sample tape was designated as Example Tape 12.

実施例13 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメ1キシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Nα13に
示すフェニルシランとベンゼンおよび酸素をモル比で(
4/1/4)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 
205m1Torr 供給高周波電カニ300V、’ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成し、た。
Example 13 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided into the discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the mixed gas using a 300W high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr, phenylsilane, benzene, and oxygen shown in Table 1 below, Nα13, were mixed in the molar ratio (
Filled gas pressure: 4/1/4)
The Co-N on the support 10 was prepared by following the same treatment and procedure as in Example 1, except for glow discharge under the reaction conditions of 205 m1 Torr and high frequency electric crab supplied at 300 V,'.
A plasma polymerized film was formed on the i alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層ヲ、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:180A 膜組成: C0,25l(o、o 8Q0.21 S 
i O,43であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
An overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by crystal tube, ESCA, and elemental analysis, film thickness: 180A film composition: C0.25L (o, o 8Q0.21S
I confirmed that it was O,43.

かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 mm to produce a videotape.

この試料テープを実施例テープ13とした。This sample tape was designated as Example Tape 13.

実施例14 第1図に示す射造装置を用い、放%’、市2内にガイド
された支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素とをモル1、ヒで(1/4
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Na14に
示すフェニルシランとメチルメタクリレートおよび窒素
なモル比で(5/3/40 )の割合で混合したガスを
、 封入ガス圧: 135mmTorr 供給高周波電カニisow の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
Example 14 Using the injection molding apparatus shown in FIG. (1/4
) in the molar ratio of phenylsilane, methyl methacrylate and nitrogen ( The same treatment and procedure as in Example 1 was followed except that the gases mixed in the ratio of 5/3/40) were glow-discharged under the reaction conditions of sealed gas pressure: 135 mm Torr and high-frequency electric power supply.

上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。A plasma polymerized film was formed on the upper Co-Ni alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚−:160A 膜組成: C0,27H0,2800,19N0.10
S i O,16であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 1o from the apparatus, and
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by crystal tube, ESCA, and elemental analysis, film thickness: 160A Film composition: C0, 27H0, 2800, 19N0.10
It was confirmed that S i O,16.

かくして得られた支持体を12.65ym巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 ym to produce a videotape.

この試料テープを実施例テープ14とした。This sample tape was designated as Example Tape 14.

実施例15 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na15に
示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリメチルポ
レートおよび酸素をモル比で(10/1/20 )の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 135 m Torr 供給高周波電カニ180W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
Example 15 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed at a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 1o guided into the discharge chamber 2. Hexamethylcyclotrisiloxane, trimethylporate, and oxygen shown in Table 1 below, Na15, were mixed in a molar ratio of hexamethylcyclotrisiloxane, trimethylporate, and oxygen as shown in Table 1 below to generate a glow discharge using a high-frequency electric crab supplied with a sealed gas pressure of 0.11 Torr. The same treatment and procedure as in Example 1 was carried out, except that gases mixed in a ratio of (10/1/20) were glow-discharged under the reaction conditions of sealed gas pressure: 135 m Torr and high-frequency electric crab supplied at 180 W. Co-N on body 10
A plasma polymerized film was formed on the i-alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: C0,21J(0,14Q0.43Si O
,11130,11であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by Talystep, ESCA and elemental analysis, film thickness: 260A film composition: C0,21J (0,14Q0.43SiO
,11130,11.

かくして得られた支持体を12.65+mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
The support thus obtained was cut into a width of 12.65 mm to produce a videotape.

この試料テープを実施例テープ15とした。This sample tape was designated as Example Tape 15.

実施例16 第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N16に示
すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化ビニルおよ
び水素をモル比で(515/2)の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧: 11 vm Torr 供給高周波電カニ8W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
Example 16 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed at a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided in the discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the gas mixed in the proportions with a high-frequency electric crab supplied with a 300W high-frequency electric crab at a sealed gas pressure of 0.11 Torr, hexamethylcyclotrisiloxane, vinyl chloride, and hydrogen shown in Table 1 below, N16, were mixed in the molar ratios. The same treatment and procedure as in Example 1 was followed, except that a gas mixed in a ratio of (515/2) was glow-discharged under the reaction conditions of a gas pressure of 11 vm Torr and a high-frequency electric crab supplied with 8 W.

上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。A plasma polymerized film was formed on the upper Co-Ni alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: Co、a3■(o、osQo、xsSio、
as(Jo、o:+であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by Talystep, ESCA and elemental analysis, film thickness: 260A film composition: Co, a3 (o, osQo, xsSio,
It was confirmed that as(Jo, o:+).

かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape.

この試料テープを実施例テープ16とした。This sample tape was designated as Example Tape 16.

比較例1 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリーメトキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、FJ[
L 1に示すビニルトリメトキシシランを、封入ガス圧
: l 8 yen Torr供給高周波電カニ50W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
Comparative Example 1 Using the apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided into the discharge chamber 2. In order to cause the mixed gas to glow discharge under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and high frequency electric crab supplied 300W, the following Table-2, FJ[
The same treatment and procedure as in Example 1 was followed except that the vinyltrimethoxysilane shown in L 1 was glow discharged under the reaction conditions of a filled gas pressure: 1 8 yen Torr supplied high frequency electric crab 50 W, to prepare support 1.

上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコー
ト層た。
A plasma polymerized film was overcoated on the upper Co--Ni alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、E S CAおよび光重分析法によシ分
析したところ、 膜厚:260A 膜組成: (’0.31)(0,13si0.33Q0
.23であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 1o from the apparatus, and
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by Talystep, ES CA, and photogravimetric analysis, film thickness: 260A Film composition: ('0.31) (0,13si0.33Q0
.. I confirmed that it was 23.

かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作!ソした。
The support obtained in this way was cut into 12.65 mm width to make a videotape! I did it.

この試料テープを比較例テープlとした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 1.

以下余白 表−2 比較例2 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体lOのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、h2に
示すビニルトリメトキシシランおよびエチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 35 ws Torr 供給高周波電カニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例工と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
Margin Table 2 Comparative Example 2 Using the apparatus shown in Figure 1, vinyl trimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio (1/4 ), vinyltrimethoxysilane and ethylene shown in Table 2, h2 below were added in molar ratios to generate a glow discharge under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and high frequency electric power supply. The gases mixed at a ratio of (1/1) were placed on the support 10 according to the same process and procedure as in the example process, except for glow discharge under the reaction conditions of a sealed gas pressure: 35 ws Torr and a high frequency electric crab supplied at 100 W. Co-N
A plasma polymerized film was overcoated on the i-alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分赤し
たところ、 膜厚:220A 膜組成: Co4n)io、xsSio、zsQo、x
sであることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
Film thickness: 220A Film composition: Co4n)io, xsSio, zsQo, x
It was confirmed that s.

かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 m to produce a videotape.

この試料テープを比較例テープ2とした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 2.

比較例3 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のco−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、Nα3
に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧: 12 tm ’fOrr供給高周波電カ
ニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体重0上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
Comparative Example 3 Using the apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1/4) on the co-Ni alloy film of the support 10 guided into the discharge chamber 2. Instead of glow discharging the mixed gas under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and high frequency electric crab supplied 300W, the following Table-2, Nα3
Co-N on a support weight of 0 was carried out according to the same treatment and procedure as in Example 1, except that the tetramethylsilane shown in was glow-discharged under the reaction conditions of 12 tm'fOrr supplied high-frequency electric crab 100W.
A plasma polymerized film was overcoated on the i-alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート唇、′
を、クリステツブ、ESCAおよび元素分析法−より分
析したところ、 膜厚:180A 膜組成; (::o51Ho、o4Sio、+oQo、
osであることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
The overcoat lip formed on the upper Co-Ni alloy film,'
When analyzed by Christetsub, ESCA and elemental analysis, film thickness: 180A film composition; (::o51Ho, o4Sio, +oQo,
I confirmed that it was OS.

かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 mm to produce a videotape.

この試料テープを比較例テープ3とした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 3.

比較例4 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(,1/4 )の割合で混
合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波型カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
 4に示すテトラメチルシランおよびスチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 
125wmTorr 供給高周波電カニ300W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート層た。
Comparative Example 4 Using the apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided into the discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the mixed gas under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and supply high frequency type crab 300W, the following table-2, N[L
A gas mixture of tetramethylsilane and styrene shown in 4 at a molar ratio (1/1) was charged at a pressure of:
The same treatment and procedure as in Example 1 was followed except for glow discharge under the reaction conditions of 125 wm Torr and high frequency electric crab supplied with 300 W of Co-N on the support 10.
A plasma polymerized film was overcoated on the i-alloy film.

上記7’ラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガス
を排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体1
0上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を
、タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析
したところ、 膜厚:300A 膜組成: (:o、5sHo21Sio、+tQo、o
sであることを確認した。
After forming the 7' plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the device, and remove the support 10 from the device.
The overcoat layer formed on the Co-Ni alloy film on 0 was analyzed by Talystep, ESCA, and elemental analysis, and the results were as follows: Film thickness: 300A Film composition: (:o, 5sHo21Sio, +tQo, o
It was confirmed that s.

かくして得られた支持体を12.65m中に裁断してビ
デオテープを作製した。
The support thus obtained was cut into 12.65 m pieces to produce a videotape.

この試料テープを比較例テープ4とした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 4.

比較列5 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、F1α
5に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧: 140 mm Torr供給高周波電カニ250
W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコードンた。
Comparison row 5 Using the apparatus shown in FIG. 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed in a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 10 guided into the discharge chamber 2. Instead of glow discharging the mixed gas under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and high frequency electric crab supplied 300W, the following Table-2, F1α
Hexamethylcyclotrisilazane shown in No. 5 was charged using a high-frequency electric crab 250 gas pressure: 140 mm Torr supply.
Co--N on the support 10 was prepared by following the same treatment and procedure as in Example 1, except for glow discharge under the reaction conditions of W.
A plasma polymerized film was overcordoned onto the i-alloy film.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオ、(コート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たAころ、 膜厚:360A 膜組成: C0,31HO,1tsi o、3300.
08N0.17であることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 10 from the apparatus, and remove the support 10 from the apparatus.
The coating layer formed on the upper Co-Ni alloy film is
Roller A analyzed by Talystep, ESCA and elemental analysis, film thickness: 360A, film composition: C0,31HO,1tsio, 3300.
It was confirmed that it was 08N0.17.

かくして得られた支持体を12.65wra巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
The support thus obtained was cut to a width of 12.65 wra to produce a videotape.

この試料テープを比較例テープ5とした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 5.

比較例6 第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体1oのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
6に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧=18朋Torr 供給高周波型カニ30W の反応条件でグロー放電させる以外+ri、、実施例1
と1司じ処理および手JIUiにしたがって、支持体1
゜上のco−Ni合金膜上に7°ラズマ重合膜をオーバ
コートした。
Comparative Example 6 Using the apparatus shown in Figure 1, vinyltrimethoxysilane and oxygen were mixed at a molar ratio of (1/4) on the Co-Ni alloy film of the support 1o guided into the discharge chamber 2. Instead of glow-discharging the gas under the conditions of sealed gas pressure: 0.11 Torr and high-frequency electric crab supplied 300W,
Example 1 except that the hexamethylcyclotrisilazane shown in 6 was glow-discharged under the reaction conditions of sealed gas pressure = 18 Torr and high frequency type crab supplied 30W.
According to the process and hand JIUi, the support 1
A 7° lasma polymerized film was overcoated on the co-Ni alloy film on the 7°.

上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体lo
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:320A 膜組成 : (:o、zsHo、otsio2aQo、
tolyJo、azであることを確認した。
After forming the plasma polymerized film, remove the residual gas in the casing, take out the support 1o from the device, and remove the support 1o from the device.
The overcoat layer formed on the upper Co-Ni alloy film,
When analyzed by Talystep, ESCA and elemental analysis, film thickness: 320A film composition: (:o, zsHo, otsio2aQo,
It was confirmed that it was tolyJo and az.

かくして得られた支持体を12.65m中に裁断してと
デオテープを子ゝ[製した。
The support thus obtained was cut into pieces of 12.65 m to produce deo tape.

この試料テープを比較例テープ6とした。This sample tape was designated as Comparative Example Tape 6.

次に、実施例1〜16および比較例1〜6において得ら
れた各実施例テープト16および比較例テープト6のオ
ーバコート層の屈折率、動摩擦係数、as)劣化および
テープのスチル寿命の)について測定した結果を、表−
3に示す。
Next, we will discuss the refractive index, dynamic friction coefficient, as) deterioration, and tape still life of the overcoat layer of each Example Tape 16 and Comparative Example Tape 6 obtained in Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 6. The measured results are shown in the table below.
Shown in 3.

以下余白 表−3 係数、as劣化率およびステル寿命は次の方法にしたが
って評価した。
Margin Table 3 Below: Coefficient, AS deterioration rate, and stell life were evaluated according to the following methods.

(a) オーバコート層の屈折率: エリプソメータで…り定した。(a) Refractive index of overcoat layer: Determined using an ellipsometer.

(b) オーバコート層の動摩擦係数:テープを温!2
5℃、相対湿度55%の雰囲気下で24時間放置後、テ
ープの一端をテンション検出部に取り付け、他方の端に
は30?荷重をかけて静止しておき、さらに当該テープ
下面に回転ローラ(直径4門)を接触させて、周速度1
4mx/secで回転させたとき、上記テンション検出
部に検出される値をもって動摩擦係数とした。
(b) Coefficient of dynamic friction of overcoat layer: Warm up the tape! 2
After leaving the tape in an atmosphere of 5°C and 55% relative humidity for 24 hours, one end of the tape was attached to the tension detection part, and the other end was set to 30? A load is applied and the tape is held stationary, and a rotating roller (diameter 4 gates) is brought into contact with the bottom surface of the tape to increase the circumferential speed to 1.
When rotated at 4 mx/sec, the value detected by the tension detection section was defined as the dynamic friction coefficient.

(c) ’s劣化率: テープを高温多湿の条件下(温度60℃、相対湿腿80
φ)において1週間放置した後の、当該テープの飽和磁
化0sと、放置前のテープの飽和磁化’soとから、次
式に従ってめた、 σS劣比率=(シー−U−) x i o 。
(c)'s deterioration rate: The tape was exposed to high temperature and humidity conditions (temperature 60℃, relative humidity 80℃).
From the saturation magnetization 0s of the tape after being left for one week at φ) and the saturation magnetization 'so of the tape before being left, it is determined according to the following formula: σS inferiority ratio=(C-U-) x io.

0 をもって表示した。0 It was displayed with.

(d) スチル寿命: TV画面上の再生静止画像が消失するまでの時間を(6
)単位で表示した。また、前記実施例1〜16および比
較例1〜6におけるテープのオーバコート層の膜厚はR
ank talov llobson社製クリステツブ
を用い常法に従って測定した。
(d) Still life: The time it takes for a reproduced still image on the TV screen to disappear (6
) expressed in units. In addition, the film thickness of the overcoat layer of the tape in Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 6 was R
The measurement was carried out according to a conventional method using a crystal tube manufactured by ANK TALOV LLOBSON.

表−3に表わされた測定結果から、オーバコート層の屈
折率が1.45以下の試料テープ(比較例テープト6)
は、屈折率1.45以上の試料テープ(実施例テープト
16)に比べて、動摩擦係数、as劣化率がいずれも大
きく、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食性
(保存安定性)も劣ることが判る。
From the measurement results shown in Table 3, the sample tape whose overcoat layer has a refractive index of 1.45 or less (Comparative Example Tape 6)
Compared to the sample tape with a refractive index of 1.45 or higher (Example Tape 16), both the coefficient of dynamic friction and the AS deterioration rate were larger, the tape had poor runnability and was prone to scratches, and had poor corrosion resistance (storage stability). It turns out to be inferior.

さらに、オーバコート層の屈折率1.45以上の試料テ
ープは、屈折率1.45以下のオーバコート層を有する
試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れ
ていることが判る。
Furthermore, it can be seen that sample tapes with an overcoat layer having a refractive index of 1.45 or more have a longer still life and excellent abrasion resistance than sample tapes having an overcoat layer with a refractive index of 1.45 or less.

表−3に示された測定値に基づいて、試料テープの屈折
率とスチル寿命との関係をプロットすると、第3図に示
すごとき結果となる。図中X印は、屈折率1.45以下
の試料テープの特性値であり、・印は、屈折率1.45
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットしてみると、2種類の内挿線C1と
02が得られる。
When the relationship between the refractive index of the sample tape and the still life is plotted based on the measured values shown in Table 3, the results are shown in FIG. 3. In the figure, the X mark is the characteristic value of the sample tape with a refractive index of 1.45 or less, and the * mark is the refractive index of 1.45 or less.
The characteristic values of the above sample tapes are shown below. When interpolation lines are plotted based on this result, two types of interpolation lines C1 and 02 are obtained.

内挿線C工、C2から、屈折率が1.45以上のオーバ
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率1.4
5以下のオーバコート層を有するテープのスチル寿命に
比べて飛m的に増加しており、テープの耐摩耗性が向」
ニしたことが判る。
From the interpolated lines C and C2, the still life of the tape having an overcoat layer with a refractive index of 1.45 or more is 1.4.
This has significantly increased the still life of tapes with an overcoat layer of 5 or less, and the abrasion resistance of the tape has improved.
It turns out that I did it.

(f) 発明の効果: 以上のごとく、本発明によると、磁気記録媒体は、 ■ 走行性が改善され、走行不良に基づく画面あるいは
録音の乱れが少なくなる。
(f) Effects of the invention: As described above, according to the present invention, the magnetic recording medium has: (1) improved running performance, and fewer disturbances in the screen or recording due to poor running;

■ また、耐摩耗性が高いため、長時間使用しても、書
生出力信号の変動が少ない。
■ Also, because it has high wear resistance, there is little fluctuation in the output signal even when used for long periods of time.

■ さらに、耐食性に優れているため、長時間高温・多
湿の条件の下に放置しても、再生出力の劣化が少なく、
高い保存安定性が得られる。
■ Furthermore, because it has excellent corrosion resistance, there is little deterioration in the playback output even if it is left under high temperature and high humidity conditions for a long time.
High storage stability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

KrJ1図は、本発明の磁気記録媒体製造装置の要部断
面図、第2図は本発明の磁気記録媒体製造装置!父の他
の実施例の要部断面図、第3図は本発明にかかる磁気記
録媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折
率対スチル寿命のじピ1係を示すl庁性曲線図である。 2・・・・・・放電室、 3・・・・・・支持体送出室
4・・・・・・支持体巻取り室、 6・・・・・・上部
電極、7・・・・・・下部15極、 8・・・・・・マ
ツチングボックス9・・・・・・高周波電畝10・・・
・・・支持体、11・・・・・・支持体送出リール、 13・・・・・・支持体巻取リール 特許出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 第2図 5 箪3図 屈 折率 手続補正書(自発) 昭和58年9月14日 1、事件の表示 昭和58年 特 j’t 1第1.45 ]、 93号
゛2、発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法 3、ホに正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称 
(127)小西六写真工業株式会社6、補正の内容 別紙のとおり。 [1]@許請求の範囲値別紙裏示す如く訂正する。 [2]発明の詳細な説明の桐を以下の如く補正する。 (1)明細書第2頁1行目の「・・・薄膜型磁気記録媒
体に関する。」とある記載を「・・・薄膜型磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。」とする。 (2)明細筈第3頁8行目の1・・・W、Jとある記載
を「・・・WCl」とする。 (3)明細古第6頁3行目の1・・・耐摩性・・・」と
ある記載を「・・・耐摩耗性・・・」とする。 (4)明細書の第6頁下から1行目から第7頁2行目ま
での「−・・オーバーコート層を屈折率が1.45以上
の含けい素有機プラズマ重合層で構成すること・・・」
とある記載を「・・・オーバーコート層が屈折率1.4
5以上であり、含けい素有機プラズマ重合層で#j成さ
れたものであること・・・」とする。 (5)明細書第9頁1〜3行目の[・・・屈折率が1.
45以上の含けい素有機プラズマ重合層をオーバーコー
トすること・・・」とある記載を「・・・含けい素有機
プラズマ重合層で構成された屈折率1.45以上のオー
バーコート層を形成すること・・・」とする。 (G+ 明細瞥第9頁1から3行目の[・・・テトラメ
キシルシラ/・・・」とある記載を「・・・テトラメト
キシシラン・・・」とする。 (7) リjI!fi1!1.第12頁13〜14行目
の「・・・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも
、・・・」とある記載を削除する。 (8)明細扮第53頁6行目の「・−・Ran1c t
alov)io b s o n−Jとある記載を「=
・JLank talorno b s o n・−J
とする。 以上 (別紙) 特許請求の範囲 (1)支持体上に、磁性Hηと磁性層上に形成したオー
バーコート層を有する磁気記録媒体において、オーバー
コート層が屈折率1.45以上であり、含けい素有機プ
ラズマ重合層で構成されたt囚で。 緑ことを特徴とする磁気配録媒体。 (2)支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ亜合性ガスと含けい素化合物とを同R,′fに
プラズマ11ξ合処理し、磁性層上に1旦ヤとする磁気
記録媒体の製造方法。 手続補正書 5B、12.17 昭和 年 月 日 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第145193号41件との関
係 特許出紐1人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26査2号罠l″′
壱、オ;) (127)小西六写よ1.工梨口、式会社
代表取締役 川 本 信 彦 7、補正の対象 (1)「特許法第36糸」による出願を「特許法第38
条但し朋」の規定による特許出願に補正する。 (2、特許請求の範囲に記載された発明の数」について
、2と補正する。 以上
Figure KrJ1 is a sectional view of the main part of the magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention, and Figure 2 is the magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention! FIG. 3 is a sectional view of a main part of another embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows the relationship between the refractive index of the overcoat layer and the still life of a magnetic recording medium according to the present invention and a magnetic recording medium of a comparative example. It is a curve diagram. 2...Discharge chamber, 3...Support delivery chamber 4...Support winding chamber, 6...Upper electrode, 7...・Lower 15 poles, 8...Matching box 9...High frequency electric ridge 10...
...Support, 11...Support delivery reel, 13...Support take-up reel Patent applicant Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Written amendment to the commission procedure (voluntary) September 14, 1981 1, Indication of the case 1988 Special J't 1 No. 1.45], No. 93-2, Name of the invention Magnetic recording medium and its manufacturing method 3 , Relationship with the Case of Person Who Corrects H Patent Applicant Address 1-26-2 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Name
(127) Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. 6. Contents of the amendment as shown in the attached sheet. [1] @Claim range value amended as shown on the attached sheet. [2] Paulownia in the detailed description of the invention is amended as follows. (1) In the first line of page 2 of the specification, the statement "...relating to a thin film magnetic recording medium" is changed to "...relating to a thin film magnetic recording medium and its manufacturing method." (2) The descriptions 1...W, J on page 3, line 8 of the specification should be changed to "...WCl". (3) The statement "...abrasion resistance..." in the third line of page 6 of the specification is changed to "...abrasion resistance...". (4) From the first line from the bottom of page 6 to the second line of page 7 of the specification, the overcoat layer must be composed of a silicon-containing organic plasma polymerized layer with a refractive index of 1.45 or more. ...”
There is a description that ``...the overcoat layer has a refractive index of 1.4.
5 or more, and be made of a silicon-containing organic plasma polymerized layer. (5) Page 9 of the specification, lines 1 to 3 [...The refractive index is 1.
Overcoating with a silicon-containing organic plasma polymerized layer of 45 or more...'' was changed to ``...forming an overcoat layer composed of a silicon-containing organic plasma polymerized layer with a refractive index of 1.45 or more. I decided to. (G+ Specification page 9, lines 1 to 3, [...tetramexylsilane/...] is changed to "...tetramethoxysilane...". (7) RejI! fi1!1. Delete the statement "...among oxide-based magnetic materials and alloy-based magnetic materials..." on page 12, lines 13-14. (8) Specification, page 53, 6 Row ``...Ran1c t
alov) io b son-J
・JRank talorno bson・-J
shall be. Above (Attachment) Claims (1) A magnetic recording medium having a magnetic Hη and an overcoat layer formed on the magnetic layer on a support, wherein the overcoat layer has a refractive index of 1.45 or more and contains It is made up of organic plasma polymerized layer. A magnetic recording medium characterized by its green color. (2) After forming a magnetic layer on the support, a non-plasma submerged gas and a silicon-containing compound are treated with plasma 11ξ at the same R,'f on the magnetic layer, and once on the magnetic layer, A method of manufacturing a magnetic recording medium. Procedural amendment 5B, 12.17 Showa year, month, day 1 Indication of the case 1988 Relationship with Patent Application No. 145193, 41 cases Patent cord 1 person Address 1-26 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, No. 2 Trap l″′
1, O;) (127) Konishi Rokushayo 1. Kariguchi, Shikisha Representative Director Nobuhiko Kawamoto 7, Subject of amendment (1) Application based on ``Patent Act No. 36'' to ``Patent Act No. 38''
amend the patent application pursuant to the provisions of ``Proviso''. (2. Number of inventions stated in the scope of claims) shall be amended to 2.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)支持体上に、磁性層と磁性層上に形成したオーバ
コート層を有する磁気記録媒体において、オーバコート
層が屈折率1.45以上の含けい素有機プラズマ重合層
で構成されたことを%徴とする磁気記録媒体。
(1) In a magnetic recording medium having a magnetic layer and an overcoat layer formed on the magnetic layer on a support, the overcoat layer is composed of a silicon-containing organic plasma polymerized layer having a refractive index of 1.45 or more. A magnetic recording medium with a % characteristic of
(2)支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ重合性ガスと含けい素化合物とを同時にプラズ
マ重合処理し、磁性層上に屈折率が1.45以上の含け
い素有機プラズマ重合層をオーバコートすることを特徴
とする支持体上に、磁性層と磁性層上に形成した屈折率
が1.45以上の含けい素有機プラズマ重合層を有する
磁気記録媒体0
(2) After forming a magnetic layer on the support, a non-plasma polymerizable gas and a silicon-containing compound are simultaneously subjected to plasma polymerization treatment on the magnetic layer, and a silicon-containing compound having a refractive index of 1.45 or more is coated on the magnetic layer. Magnetic recording medium 0 having a magnetic layer and a silicon-containing organic plasma polymerized layer with a refractive index of 1.45 or more formed on the magnetic layer on a support characterized by overcoating a silicon organic plasma polymerized layer.
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