JPS6036A - マイクロ波管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子ビーム源としての電子銃部と、電子ビー
ムにマイクロ波との相互作用を行なわせるだめの高周波
回路部と、電子ビームを捕集するためのコ１／クターと
、高周波回路部を通じて電子ビームを所要の径に集束す
るための集束磁石等を備えたクライストロンをはじめと
する直紛ビームマイクロ波宮の構造に関するものである
。

第１図＆工、従来のマイクロ波管の一例の全体図であシ
、１が電子銃部、２が高周波回路部、３が電子ビーム、
４が集束コイル、５が出力部導波管、６がヨーク、７が
コ１／クター、８が出力空胴である。

第１図の様に出力部導波管５をヨーク６の下を通して真
横に出すと、導波管がある所には集束コイルをおけなく
なるから身！東コイル４から山伏Ｅｒつ８が離れてしま
い出力空胴８に於け−”　４Ｒ六が弱くなる。

しかるに、集群作用を受６）こＭ子の空間；Ｌ荷力が一
番大きい出力空胴８での収束磁界が□□□いと、電子ビ
ーム径がひろが９、出力空胴８に、Ｌ電子ビームの一部
が、衝突するという欠点が生ずる。

第２図は、前記したマイクロ波管の欠点にｉ１与、出力
部導波管５の一部をヨーク６の上ばｌに出る構造にした
従来のマイクロ波管の全体図である。

第２図の様に、出力部導波管５か、ヨーク６の上面に出
る構造にすると、第１図のものに比べ集尿コイル４と出
力部′Ｂｉ＋ｉ　８の軸上位置を大巾に近づけることが
できるので、出力部ｊ：ｌ＠　８に於る磁界の低下が非
常に少なくできる。そのため、第１図の例で述べた様な
欠点が軽減される。

しかしながら、第２図の構造のマイクロ波管で（・工、
どうしても第３１２の様に３−り６に切シ欠き１３がで
きてしまうために、集束コイル４で発生した磁界の一部
が第４図の球に切シ欠き１３部分から漏れてしまう。こ
こで、１３は、導波管５を通すだめの切り欠きで１４は
他の必要な部品を通すため穴、１５は、もれ磁界を示し
ている。

一般に、ソ〕７ノイド東束泥マイクロ波管のコ１／クタ
ー７には、横磁界は、はとんど存在しない。

しかし、ヨーク６の切シ欠き１３及び仕上げのだめの穴
１４からの漏れ磁界１５が、横磁界を発生せしめ、これ
がコレクター７の入口付近で多く存在する。

同時に高周波回路部２の出口付近にも、このような横磁
界が存在してしまう。一方大電力マイクロ波管において
は、コレクター７に大電力の電子ビーム３が捕集され、
熱に変換される。

しかし、前記した構造をもつマイクロ波管においては、
コレクター７の入口付近及び高周波回路部２の出口付近
にもかなシの横磁界が存在しているために、この大電力
の電子ビーム３が、横磁界によって偏向され、コレクタ
ー７の片側、極端に言えば、狭い領域で大電力の電子ビ
ーム３の捕集が行なわれるために、その部分に熱が集中
し、特に大電力を扱うマイクロ波管においてはコ１／ク
ター７が熱によって破損してしまう欠点があった。

本発明の目的は、電子銃から発射された電子ビームがコ
１／クタ一の入口付近で横磁界の影響を受けて偏向され
ずまたコレクターに熱的障害を引き起こさないマイクロ
波管を提供することである。

第５図は、本発明の一実施例である。

第５図で、９，１０．１２は磁性体、１１は磁性体片を
示す。第５図に示す様に、出力部導波管５の上、下、側
面を、磁性体９及び磁性体１０で包囲すると、コレクタ
ー７の入口付近の横磁界が大巾に、減少する。更に、仕
上げのだめの穴１４を、第５図の様に磁性体１２でふさ
ぐと、集束コイル４で発生する磁界の漏れを減少するこ
とができるので、コレクター７の入口付近の横磁界が減
少する。また、高周波回路部２の出口付近の横磁界は、
第５図の様に出力部導波管５の近傍に、磁性体片１１を
設置する事により、減少する。

第６図は、ビーム電圧８０ＫＶにおける、本発明実施以
後と実施以後の電子ビーム中心軌跡である。（ａ）は、
本発明実施以後の電子ビーム中心軌跡、（ｂ）は、本発
明実施以後の電子ビーム中心軌跡である。

我々の実願の一例によると、本発明実施以前は、ビーム
電圧８０ＫＶにおいて、電子ビーム３が高周波回路部２
の出口付近及びコ１／クター７の入口付近の横磁界によ
って、コレクター７の軸に対して第６図（ａ）に示す様
に約１２°曲げられていたが、本発明実施後は、第６図
（ｂ）に示す様に約１°曲げられるだけで設計上とほと
んど差はなくなった。よって、従来の様に電子ビーム３
が横磁界によって偏向されコレクター７の狭い領域に集
中してコレクター７に熱的障害を引き起こす様な事はな
くなった。

本発明は、クライストロンに限らず、第４図の様にヨー
ク６を切シ欠き、切シ欠き部分から、ヨーク６の上面に
出力部導波管５が出る様になっている構造を有する直線
ビームマイクロ波管全てに適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、出力導波管が、電磁石上ヨーク下から、出て
いる従来のクライストロンの全体断面図、第２図は、出
力導波管が、電磁石上ヨーク上から出ている従来のタラ
イストロンの全体断面図、第３図、第４図は、第２図の
上ヨーク付近の断面図、第５図は、本発明実施例のクラ
イストロン断面図、第６図は、コレクタ内電子ビーム軌
道を示すだめのコレクタ断面図である。 １・・・・・・電子銃部、２・・・・・・高周波回路部
、３・・・・・・電子ビーム、４・・・・・・集束コイ
ル、５・・・・・・出力部導波Ｌ　６・・・・・・ヨー
ク、７・・・・・・コレクター、８・・・・・・出力空
胴、９，１０．１２・・・・・・磁性体、１１・・・・
・・磁性体片、１３・・・・・・切り欠き、１４・・・
・・・仕上げのだめの穴、１５・・・・・・漏れ磁界。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電子ビーム源としての電子銃部と、該電子ビームにマイ
   クロ波との相互作用を行なわせるだめの高周波回路部と
   、該電子ビームを補集するためのコＩ／クターと、計画
   周波回路部を通じて、電子ビームを所要の径に制御する
   だめの集束コイルを備え、更に出力部導波管がヨークの
   上面に出る様にした構造を備えたマイクロ波管において
   、出力部導波管と磁性体で包囲したことを４３［とする
   マイクロ波管。