JPS6036661A - 非晶質シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン薄膜の製造方法Info
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- JPS6036661A JPS6036661A JP14444383A JP14444383A JPS6036661A JP S6036661 A JPS6036661 A JP S6036661A JP 14444383 A JP14444383 A JP 14444383A JP 14444383 A JP14444383 A JP 14444383A JP S6036661 A JPS6036661 A JP S6036661A
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- amorphous silicon
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- reaction chamber
- thin film
- film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高次シラン含有原料ガスをグロー放電下に分
解し、基板上にシリコンを堆積せしめることによる非晶
質シリコン薄膜の製造方法の改良に関する。
解し、基板上にシリコンを堆積せしめることによる非晶
質シリコン薄膜の製造方法の改良に関する。
非晶質シリコン薄膜は、半導体の性質を有し、太陽電池
、電子写真用感光体等様々の分野に用いられることが知
られ、特に、近年、モノシラン等珪素化合物ガスをグロ
ー放電下に分解し、基板上に薄膜状にシリコンを堆積せ
しめる方法（以下、）０ラズマＣＶＤ法という。）によ
って効率よく製造し得ることが見出されて以来、俄かに
その有用性も高まっている。
、電子写真用感光体等様々の分野に用いられることが知
られ、特に、近年、モノシラン等珪素化合物ガスをグロ
ー放電下に分解し、基板上に薄膜状にシリコンを堆積せ
しめる方法（以下、）０ラズマＣＶＤ法という。）によ
って効率よく製造し得ることが見出されて以来、俄かに
その有用性も高まっている。
従来、プラズマＣＶＤ法によって非晶質シリコン薄膜を
得るには、原料ガスとして５ＩＨａ若しくはＳ＋馬とＳ
ｉＦ４の混合物又はこれらに更にＨ２或いはアルゴン
等希釈ガスを混じたモノシラン系ガスを用い、反応室内
で数＋ｍＴｏｒｒ或いはそれ以上の圧力下、電源周波数
１３５６メガヘルツで製造されていたが、この方法では
膜厚の増大速度が小さいために、原料ガスをジシラン５
１２Ｈ６等高次シラン含有ガスに代替して製造する改良
方法が提案されている。しかし、この改良法によっては
、性状が一定である薄膜を得難く、例えば、得られた非
晶質シリコン薄膜は、電気伝導度の再現性に乏しく、ま
た場合によっては粉粒が副生ずることもある。本発明者
らは、上記方法において、反応室内の圧力をかなり低下
させて、例えば、数ｍＴｏｒｒの圧力下電源周波数１３
．５６メガヘルツでプラズマＣＶＤ法を行なうと、上記
欠点を解消できることを実験によって知ったが、かかる
低圧を維持するには抽気ポンプに著大な出力を要し、効
率的製法でないことも知った。本発明者らは、更に研究
を重ねた結果、意外にも、電源周波数１０メガヘルツ以
下、例えば５メガヘルツで、反応室内圧力数十ｍＴｏｒ
ｒにおいてジシランを用いてプラズマＣＶＤ法を行なう
と、良質の非晶質シリコン薄膜が再現性良好に、しかも
高い膜厚増大速度で得られることを見出し本発明を完成
した。
得るには、原料ガスとして５ＩＨａ若しくはＳ＋馬とＳ
ｉＦ４の混合物又はこれらに更にＨ２或いはアルゴン
等希釈ガスを混じたモノシラン系ガスを用い、反応室内
で数＋ｍＴｏｒｒ或いはそれ以上の圧力下、電源周波数
１３５６メガヘルツで製造されていたが、この方法では
膜厚の増大速度が小さいために、原料ガスをジシラン５
１２Ｈ６等高次シラン含有ガスに代替して製造する改良
方法が提案されている。しかし、この改良法によっては
、性状が一定である薄膜を得難く、例えば、得られた非
晶質シリコン薄膜は、電気伝導度の再現性に乏しく、ま
た場合によっては粉粒が副生ずることもある。本発明者
らは、上記方法において、反応室内の圧力をかなり低下
させて、例えば、数ｍＴｏｒｒの圧力下電源周波数１３
．５６メガヘルツでプラズマＣＶＤ法を行なうと、上記
欠点を解消できることを実験によって知ったが、かかる
低圧を維持するには抽気ポンプに著大な出力を要し、効
率的製法でないことも知った。本発明者らは、更に研究
を重ねた結果、意外にも、電源周波数１０メガヘルツ以
下、例えば５メガヘルツで、反応室内圧力数十ｍＴｏｒ
ｒにおいてジシランを用いてプラズマＣＶＤ法を行なう
と、良質の非晶質シリコン薄膜が再現性良好に、しかも
高い膜厚増大速度で得られることを見出し本発明を完成
した。
本発明の目的は、内部歪みが極めて少ない均一な性状の
非晶質シリコン半導体薄膜を、高い膜厚増大速度で、再
現性良好に、しかも効率よく基板上に形成せしめること
による非晶質シリコン薄膜の製造方法を提供することに
ある。本発明の非晶質７リコン薄膜の製造方法は、内部
にカソード電極と基板電極を備えた反応室内に高次シラ
ン含有原料ガスを供給すると共に前記反応室から排気し
ながら１０〜２００ ＋ｎＴｏｒｒの前記反応室内圧力
下に電源周波数１〜１０メガヘルツでグロー放電を起さ
せることを特徴とする。
非晶質シリコン半導体薄膜を、高い膜厚増大速度で、再
現性良好に、しかも効率よく基板上に形成せしめること
による非晶質シリコン薄膜の製造方法を提供することに
ある。本発明の非晶質７リコン薄膜の製造方法は、内部
にカソード電極と基板電極を備えた反応室内に高次シラ
ン含有原料ガスを供給すると共に前記反応室から排気し
ながら１０〜２００ ＋ｎＴｏｒｒの前記反応室内圧力
下に電源周波数１〜１０メガヘルツでグロー放電を起さ
せることを特徴とする。
本発明に用いられる高次シラン含有原料ガスとして（ｄ
：、制御畢以外の不純分を含まない高純度のガスであり
、これによって本発明により得られる非晶質シリコン薄
膜は、実用性を有する半導体性能を示す。高次シランは
、一般式として５ｉｎＨ２ｎ＋２（但し、ｎは２以上の
整数を表わす。）で表わされるが、本発明に用いられる
高次シランの例としては、シリコン、テトラシラン、ペ
ンタンラン等が挙げられ、特にジシランが好寸しい。こ
れら高次シランは、グロー放電下に分解させると、基板
上にシリコンが堆積する速度が高く、従ってモノ７ラン
を用いた場合よりもはるかに短時間に、］」的物の非晶
質シリコン薄膜が得られる。本発明に用いられる高次シ
ラン含有原Ｌ（ガスとしては、上記高次７ラン単独の他
、場合によっては、これにモノシラン、）・ロケ゛ン化
７ラン、水素、希釈ガス、ドーピングガス等を混じたも
のも用いられる。ハロケゝン化シランの例としては、ク
ロロシラン、フルオロシラン等が、希釈ガスの例として
は、アルゴン、ネオン、ヘリウム等が、また、ドーピン
グガスの例として（弓：、ツボラン、ホスフィン、アー
シン等が挙げられる。これら高次シラン含有原料ガスの
組成は、コスト面のみならず、目的物薄膜の性状と生成
速度の面から、或いは、ドーピングによるｐ型、ｉ型、
ｎ型等の半導体シリコン薄膜を得る目的に合せて適宜選
定される。
：、制御畢以外の不純分を含まない高純度のガスであり
、これによって本発明により得られる非晶質シリコン薄
膜は、実用性を有する半導体性能を示す。高次シランは
、一般式として５ｉｎＨ２ｎ＋２（但し、ｎは２以上の
整数を表わす。）で表わされるが、本発明に用いられる
高次シランの例としては、シリコン、テトラシラン、ペ
ンタンラン等が挙げられ、特にジシランが好寸しい。こ
れら高次シランは、グロー放電下に分解させると、基板
上にシリコンが堆積する速度が高く、従ってモノ７ラン
を用いた場合よりもはるかに短時間に、］」的物の非晶
質シリコン薄膜が得られる。本発明に用いられる高次シ
ラン含有原Ｌ（ガスとしては、上記高次７ラン単独の他
、場合によっては、これにモノシラン、）・ロケ゛ン化
７ラン、水素、希釈ガス、ドーピングガス等を混じたも
のも用いられる。ハロケゝン化シランの例としては、ク
ロロシラン、フルオロシラン等が、希釈ガスの例として
は、アルゴン、ネオン、ヘリウム等が、また、ドーピン
グガスの例として（弓：、ツボラン、ホスフィン、アー
シン等が挙げられる。これら高次シラン含有原料ガスの
組成は、コスト面のみならず、目的物薄膜の性状と生成
速度の面から、或いは、ドーピングによるｐ型、ｉ型、
ｎ型等の半導体シリコン薄膜を得る目的に合せて適宜選
定される。
ｐ型及びｎ型半導体は、暗電気伝導度が１×１０−４〜
１×１０−２０−１・ｄ１程度訣＋であり、またｉ型半
導体の暗電気伝導度は１×１０〜１０ Ω・ｃｒＩＬ−
’ 程度である。本発明により得られる非晶質シリコン
薄膜は、ダンＪリングポンドターミネータ−として珪素
原子に結合した形態の水素、弗素等を含有し、これによ
って効率の高い光起電力特性を示す。用途によって相違
するが、例えば、太陽電池用非晶質シリコン薄膜として
は、厚さ０．１〜１μ程度が必要である。
１×１０−２０−１・ｄ１程度訣＋であり、またｉ型半
導体の暗電気伝導度は１×１０〜１０ Ω・ｃｒＩＬ−
’ 程度である。本発明により得られる非晶質シリコン
薄膜は、ダンＪリングポンドターミネータ−として珪素
原子に結合した形態の水素、弗素等を含有し、これによ
って効率の高い光起電力特性を示す。用途によって相違
するが、例えば、太陽電池用非晶質シリコン薄膜として
は、厚さ０．１〜１μ程度が必要である。
プラズマＣＶＤ法は、一般に、内部にカソード電極と基
板電極が備えられた反応室内で行なわれるが、本発明の
非晶質シリコン薄膜の製造方法は、その際グロー放電の
電源周波数１〜１０メガヘルツの印加電界の下、上記高
次シラン含有原料ガスを反応室内に供給すると共に排気
を行なうことによって反応室内圧力１０〜２００ｍＴｏ
ｒｒの一定圧に保って行なうことを特徴とする。上記周
波数が１０メガヘルツ以」二高くなると、良質の非晶質
シリコン薄膜を得るには内圧を著しく低める必要があり
、排気ポンプに高い出力を要し効率的でない。また、上
記周波数が１メガヘルツ以下では、得られた膜にも内部
歪みが生じ易い。膜内に生じた歪みは、現実の使用にお
いて、膜が基板からはがれるという重大な事故の原因に
なり易い。また、２００ ｍＴｏｒｒ以上の高い内圧下
にプラズマＣＶＤ法を行なうと、やはシ、性状一定の膜
を得難く、場合によっては、粉粒状シリコンが副生ずる
こともある。
板電極が備えられた反応室内で行なわれるが、本発明の
非晶質シリコン薄膜の製造方法は、その際グロー放電の
電源周波数１〜１０メガヘルツの印加電界の下、上記高
次シラン含有原料ガスを反応室内に供給すると共に排気
を行なうことによって反応室内圧力１０〜２００ｍＴｏ
ｒｒの一定圧に保って行なうことを特徴とする。上記周
波数が１０メガヘルツ以」二高くなると、良質の非晶質
シリコン薄膜を得るには内圧を著しく低める必要があり
、排気ポンプに高い出力を要し効率的でない。また、上
記周波数が１メガヘルツ以下では、得られた膜にも内部
歪みが生じ易い。膜内に生じた歪みは、現実の使用にお
いて、膜が基板からはがれるという重大な事故の原因に
なり易い。また、２００ ｍＴｏｒｒ以上の高い内圧下
にプラズマＣＶＤ法を行なうと、やはシ、性状一定の膜
を得難く、場合によっては、粉粒状シリコンが副生ずる
こともある。
本発明の非晶質シリコン薄膜の製造方法に用いられる反
応室は、従来からプラズマＣＶＤ法に用いられているも
のでよい。通常、ステンレス鋼、石英等の材質からつく
られ、生成半導体に汚染を生じさせないもので充分であ
る。また、この反応室内でグロー放電を起させるための
電極に用いられる基板としても通常のものでよく、材質
の例としては、ガラス、ステンレス鋼、耐熱性プラスチ
ック等が挙げられる。基板の温度は、通常４００℃以下
、好ましくは２００〜３５０℃程度であるから、この温
度に加熱するためのヒーターが付備されている。更に、
この反応室は、前記原料ガスの導入口と、グロー放電に
よって分解生成したガス及び未分解層別ガスからなる反
応混合物ガスを排出するための排気口及びこのガスを排
気するための吸引ポンプか導管及び気密型パルプと共に
伺備されている。グロー放電を起させるための印加電圧
は通常数百ポルト乃至千ボルト程度でよく、反応室内の
前記圧力は１其給原料ガスと排気の流速を調節すること
により制御される。従って、上記プラズマＣＶＤ法に従
って正常運転をするための側帯装置、計器等は勿論伺備
されている。
応室は、従来からプラズマＣＶＤ法に用いられているも
のでよい。通常、ステンレス鋼、石英等の材質からつく
られ、生成半導体に汚染を生じさせないもので充分であ
る。また、この反応室内でグロー放電を起させるための
電極に用いられる基板としても通常のものでよく、材質
の例としては、ガラス、ステンレス鋼、耐熱性プラスチ
ック等が挙げられる。基板の温度は、通常４００℃以下
、好ましくは２００〜３５０℃程度であるから、この温
度に加熱するためのヒーターが付備されている。更に、
この反応室は、前記原料ガスの導入口と、グロー放電に
よって分解生成したガス及び未分解層別ガスからなる反
応混合物ガスを排出するための排気口及びこのガスを排
気するための吸引ポンプか導管及び気密型パルプと共に
伺備されている。グロー放電を起させるための印加電圧
は通常数百ポルト乃至千ボルト程度でよく、反応室内の
前記圧力は１其給原料ガスと排気の流速を調節すること
により制御される。従って、上記プラズマＣＶＤ法に従
って正常運転をするための側帯装置、計器等は勿論伺備
されている。
−Ｊ二記本発明による好ましい実施態様として、電源周
波数３〜７メガヘルツで、反応室内圧力２０〜８０ｍＴ
ｏｒｒとなるように・ジシラン含有原料ガスの充分な供
給と排気をしながら、投入電力密度００２〜１ワツト／
ａｍ２でグロー放電を継続すると、基板上に１５０〜１
８００Ｘ／分の膜厚成長速度で、無歪みの均一な非晶質
シリコン薄膜が効率よく、また再現性も良好に得られる
。
波数３〜７メガヘルツで、反応室内圧力２０〜８０ｍＴ
ｏｒｒとなるように・ジシラン含有原料ガスの充分な供
給と排気をしながら、投入電力密度００２〜１ワツト／
ａｍ２でグロー放電を継続すると、基板上に１５０〜１
８００Ｘ／分の膜厚成長速度で、無歪みの均一な非晶質
シリコン薄膜が効率よく、また再現性も良好に得られる
。
以下、比較例と共に実施例を挙げて更に詳しく説明せる
が、本発明の技術的範囲はこれに限定されない。
が、本発明の技術的範囲はこれに限定されない。
実施例１
内部にカソード電極とアノード電極を有し、原料ガス導
入口と高性能真空ポンプに連結する排気口を備えたステ
ンレス鋼製反応室内の上記アノード電極上にコーニング
７０５９ ｆラス板を設置し、上記真空、＋５７ノを作
動させて排気すると共に基板をヒーターにより３００℃
に加熱した。次いで原料ガス導入口から、ソシランガス
を標準状態換算８ ｍｌ ７分の速度で供給１−ながら
、排気ロバルプの開度を調節し、反応室内圧力を５０
ｍＴｏｒｒに保ちつつ、投入電力密度１０ワツト／ｃｍ
２、電源周波数５メガヘルツでグロー放電を１５分間継
続したところ、基板上に厚さ約１μの膜が生成］７た。
入口と高性能真空ポンプに連結する排気口を備えたステ
ンレス鋼製反応室内の上記アノード電極上にコーニング
７０５９ ｆラス板を設置し、上記真空、＋５７ノを作
動させて排気すると共に基板をヒーターにより３００℃
に加熱した。次いで原料ガス導入口から、ソシランガス
を標準状態換算８ ｍｌ ７分の速度で供給１−ながら
、排気ロバルプの開度を調節し、反応室内圧力を５０
ｍＴｏｒｒに保ちつつ、投入電力密度１０ワツト／ｃｍ
２、電源周波数５メガヘルツでグロー放電を１５分間継
続したところ、基板上に厚さ約１μの膜が生成］７た。
次いで、反応室から上記膜のイ」着した基板をとり出し
、膜−ヒに真空蒸着法によりアルミニラムラ蒸着させ、
ギヤ７ノ０型アルミニウム電極を形成させ、ケスレー社
製エレクトロメーターを用いて、２５℃で上記膜の暗電
気伝導度を」１４定したところ、７．４ ｘ １０ ”
Ｑ−１・ｃｍ−’であった。−また、同じく２５℃で
、波長６３２）３Ｘの−、リウムーオオンレーザー光を
照射光強度３００μＷ／／Ｃｍ２で照射しながら上記膜
の光電気伝４度を測定（〜たところ６．ＯＸ ］、 ０
Ω ・α であった。
、膜−ヒに真空蒸着法によりアルミニラムラ蒸着させ、
ギヤ７ノ０型アルミニウム電極を形成させ、ケスレー社
製エレクトロメーターを用いて、２５℃で上記膜の暗電
気伝導度を」１４定したところ、７．４ ｘ １０ ”
Ｑ−１・ｃｍ−’であった。−また、同じく２５℃で
、波長６３２）３Ｘの−、リウムーオオンレーザー光を
照射光強度３００μＷ／／Ｃｍ２で照射しながら上記膜
の光電気伝４度を測定（〜たところ６．ＯＸ ］、 ０
Ω ・α であった。
−」二記実験を繰り返したが、再現性良好であり、膜の
変形も粉粒の副生も認められなかった。
変形も粉粒の副生も認められなかった。
比較例１
実施例１におけるグロー放電の宙、源周波数を１３５６
メＩｆヘルツに変えた他は実施例１と同様基板上に厚さ
約ｉ Ｉｔの膜を生成させた。繰り返し実験を行々い、
得られた膜について実施例１と同様にして暗電気伝導度
及び光電気伝導度を測定したところ、４箇の平均値とし
て前者の値２．６Ｘ１０ Ω ’ｂａｒｎ、％後者の値
４．．１ｘ１．ＯΩ’ｃｍであったが、この平１句値に
対し士約７０係の範囲に変動していた。
メＩｆヘルツに変えた他は実施例１と同様基板上に厚さ
約ｉ Ｉｔの膜を生成させた。繰り返し実験を行々い、
得られた膜について実施例１と同様にして暗電気伝導度
及び光電気伝導度を測定したところ、４箇の平均値とし
て前者の値２．６Ｘ１０ Ω ’ｂａｒｎ、％後者の値
４．．１ｘ１．ＯΩ’ｃｍであったが、この平１句値に
対し士約７０係の範囲に変動していた。
比較例２
実施例１におけるグロー放電の電源周波数を１３．５ｆ
ｉメガヘルツに、また投入電力密度を０．０．＋３ワ、
ト／ＣＴｎ２に変えてグロー放電を約２時間継続した他
は実施例１と同様にして基板上に厚さ約１μの膜を生成
させた。繰９返し実験を行ない、得られた膜について実
施例１と同様にして暗電気伝導度及び光電気伝導度を測
定したところ、４箇の甲−均値と（−て前者の値２．１
Ｘ１０−１０Ω ・ｌ ）後者の値５．０Ｘ１０ Ω
・篩 であったが、この平均値に対し十約６０係の範囲
に変動していｆｃ 。
ｉメガヘルツに、また投入電力密度を０．０．＋３ワ、
ト／ＣＴｎ２に変えてグロー放電を約２時間継続した他
は実施例１と同様にして基板上に厚さ約１μの膜を生成
させた。繰９返し実験を行ない、得られた膜について実
施例１と同様にして暗電気伝導度及び光電気伝導度を測
定したところ、４箇の甲−均値と（−て前者の値２．１
Ｘ１０−１０Ω ・ｌ ）後者の値５．０Ｘ１０ Ω
・篩 であったが、この平均値に対し十約６０係の範囲
に変動していｆｃ 。
比較例３
実施例１におけるグロー放電の電源周波数を１３５６メ
ガヘルツに変え、更にアルゴンガスを標準状態換算２ｍ
１１分の速度で原料ガスと共に反応室内に供給した他は
実施例１と同様にして基板上に厚さ約１μの膜を生成さ
せた。繰り返し実験を行ない、得られた膜について実施
例１と同様にして暗電気伝導度及び光電気伝導度を測定
したところ、４箇の平均値として前者の値７．５Ｘ１０
Ω ・囁 、後者の値５．２Ｘ１０ Ω ・函であっ
たが、この平均値に対し士約７０％の範囲に変動してい
た。
ガヘルツに変え、更にアルゴンガスを標準状態換算２ｍ
１１分の速度で原料ガスと共に反応室内に供給した他は
実施例１と同様にして基板上に厚さ約１μの膜を生成さ
せた。繰り返し実験を行ない、得られた膜について実施
例１と同様にして暗電気伝導度及び光電気伝導度を測定
したところ、４箇の平均値として前者の値７．５Ｘ１０
Ω ・囁 、後者の値５．２Ｘ１０ Ω ・函であっ
たが、この平均値に対し士約７０％の範囲に変動してい
た。
実施例２
実施例１における投入電力密度を０．０１３ワツト／σ
２に変えて、グロー放電を約２時間継続した他は実施例
１と同様の実験を行なったところ、暗電気伝導度２．８
Ｘ１０ Ω ・園 、光電気伝導度６．１． Ｘ １０
−６Ω−１・ｃｆｒＬ−’であった。繰シ返し実験の結
果、再現性は良好であった。
２に変えて、グロー放電を約２時間継続した他は実施例
１と同様の実験を行なったところ、暗電気伝導度２．８
Ｘ１０ Ω ・園 、光電気伝導度６．１． Ｘ １０
−６Ω−１・ｃｆｒＬ−’であった。繰シ返し実験の結
果、再現性は良好であった。
実施例３
実施例１における原料ガスの供給と共に、更にアルゴン
ガスを標準状態換算２ｍ１Ｚ分供給した他は実施例１と
同様の実験を行なったところ、暗電気伝導度８．０ｘｌ
Ｏ”Ω−１・鑵−１、光電気伝導度４．８ｘｌＯ’Ω−
１・Ｃｍ−１であった。繰り返し実験の結果、再現性も
良好であった。
ガスを標準状態換算２ｍ１Ｚ分供給した他は実施例１と
同様の実験を行なったところ、暗電気伝導度８．０ｘｌ
Ｏ”Ω−１・鑵−１、光電気伝導度４．８ｘｌＯ’Ω−
１・Ｃｍ−１であった。繰り返し実験の結果、再現性も
良好であった。
実施例４
実施例１における原料ガスの供給と共に、更に水素ガス
を標準状態換算２ｍ１Ｚ分供給した他は実施例１と同様
の実験を行なったところ、暗電気伝導度８．０ＸｉＯΩ
・菌 、光電気伝導度５．７×１０−７０−１・儂−
１であった。繰シ返し実験の結果も良好であった。
を標準状態換算２ｍ１Ｚ分供給した他は実施例１と同様
の実験を行なったところ、暗電気伝導度８．０ＸｉＯΩ
・菌 、光電気伝導度５．７×１０−７０−１・儂−
１であった。繰シ返し実験の結果も良好であった。
実施例５
実施例１における反応室内圧力を２００ ｍＴｏｒｒに
変えた他は実施例１と同様にして５回の繰り返し実験を
行なったところ、平均値として暗電気伝導度１，５ｘ１
．ＯΩ ・儂 、光電気伝導度１．８Ｘ’ｌＯΩ ・濃
であったが、平均値に対し一１ｌ＝ ±約３０％の変動がみられ、やや一定品質の膜を得難い
傾向にあり、また、膜の表面もやや平滑度が減少した。
変えた他は実施例１と同様にして５回の繰り返し実験を
行なったところ、平均値として暗電気伝導度１，５ｘ１
．ＯΩ ・儂 、光電気伝導度１．８Ｘ’ｌＯΩ ・濃
であったが、平均値に対し一１ｌ＝ ±約３０％の変動がみられ、やや一定品質の膜を得難い
傾向にあり、また、膜の表面もやや平滑度が減少した。
実施例６
実施例１における電源周波数を１メガヘルツに変えた他
は実施例１と同様にして実験を行なったところ、時折り
グロー放電の中断が起った。
は実施例１と同様にして実験を行なったところ、時折り
グロー放電の中断が起った。
繰り返し実験の結果、得られた膜の電気伝導度はやや変
動する傾向を示したが、この膜は基板からそりかえって
はがれることはなかった。
動する傾向を示したが、この膜は基板からそりかえって
はがれることはなかった。
特許出願人 工 業 技 術 院 長
特許出願人 日産化学工業株式会社
１２−
Claims (1)
- 内部にカソード電極と基板電極を備えた反応室内に高次
シラン含有原料ガスを供給すると共に前記反応室から排
気しながら１０〜２００ ｍＴｏｒｒの前記反応室内圧
力下に電源周波数１〜１０メガヘルツでグロー放電を起
させることを特徴とする非晶質シリコン薄膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14444383A JPS6036661A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14444383A JPS6036661A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036661A true JPS6036661A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15362333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14444383A Pending JPS6036661A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54155046A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Canon Inc | Method of manufacturing electrophotographic image forming material |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14444383A patent/JPS6036661A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54155046A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Canon Inc | Method of manufacturing electrophotographic image forming material |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
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