JPS6032320B2 - プラズマトロン - Google Patents

プラズマトロン

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JPS6032320B2
JPS6032320B2 JP51102151A JP10215176A JPS6032320B2 JP S6032320 B2 JPS6032320 B2 JP S6032320B2 JP 51102151 A JP51102151 A JP 51102151A JP 10215176 A JP10215176 A JP 10215176A JP S6032320 B2 JPS6032320 B2 JP S6032320B2
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JP
Japan
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electrode
cylindrical hollow
plasmatron
hollow electrode
coil
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JP51102151A
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JPS5326757A (en
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ユリ−・ヤコフレヴイツチ・キセレフ
アレクサンドル・ミハイロヴイツチ・メルヘル
スタニスラフ・アントノヴイツチ・ソコロフスキ−
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KISHINEFUSUKII HORITEKUNICHESUKII INST IMENI ESU RAZO
PUROIZUBODOSUTOBENNOE OBIEDEINENIE MORUDAFUGIDOROMASHU
Original Assignee
KISHINEFUSUKII HORITEKUNICHESUKII INST IMENI ESU RAZO
PUROIZUBODOSUTOBENNOE OBIEDEINENIE MORUDAFUGIDOROMASHU
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマアーク発生器に係り、特にプラズマト
ロンに係る。
本発明は金属の切断、蒸着、塗装、金属の表面処理、並
びに治金学的及び他の処理に利用する事ができる。色々
な技術的処理に広範に用いられているのは内部ロッド電
極が耐火金属、例えばタングステンで作られた事を特徴
とするプラズマトロンである。
これらのプラズマトロンは不活性ガス即ち酸素のないガ
スがプラズマ形成ガスとして用いられた時に良好に作動
する事ができる。プラズマ形成ガスにおける酸素の含有
量が例えわずかであってもか)る電極に著しい劣化を生
じる。最も安価で且つ最も容易に入手できるガスである
例えば空気の様な酸素を含んだガスを利用できる様な、
ジルコニウム及びハフニウムカソードを持ったプラズマ
トロンが案出されている。
然し乍ら、か)るプラズマトロンは小さな値の作動電流
(通常は300Aまで)で作動する時には信頼性があり
そして或る限定された数のプラズマトロン切換には耐え
得る。これはジルコニウム及びハフニウムのカソードが
作動中にそれらの酸化物及び窒化物の薄い膜によって被
覆され、これが深いところまで層を劣化するのを防ぐと
いう事によって説明される。このプラズマトロンがオン
及びオフに切換えられる時は、この被覆が特に300A
以上の電流によって侵食される。大電流で作動しそして
オン及びオフに頻繁に切換えられるプラズマトロンに対
しては、中空の円筒状コップとして熱伝導性金属例えば
銅で作られた電極がより信頼性がある。
か)るプラズマトロンにおけるアークスポットは電極の
内面上を急速に移動してその局所的な加熱及び破壊を避
ける傾向がある。水冷却される円筒状中空電極をケース
が収容し、その底部が電力引込み端に対面しそしてその
衝嬢部が環状の絶縁渦発生器と接触し、該発生器が次い
で、これ又水冷却されるノズルと接触する様なプラズマ
トロンが知られている(例えば米国特許第319494
1号cl.219一121参照)。
上記したプラズマトロンにおいては、電流が管状部材に
よって円筒状中空電極に供給される。上言己チューブを
通して流れる電流によって誘起される磁界はアークには
何ら影響を及ぼさずそしてそのラジアル部分を形成でき
ず、スポットは電極の内面上を移動する。アークが渦状
のガス流のみによって移動する場合にはプラズマトロン
の必要とされる有効寿命を常に得る事ができず、特に大
電流及び大電力においては得る事ができない。適正に形
成されたガスの渦は特定の電気的な電極侵食を/2〜5
、10‐6夕/k内に保つ事ができるという事を実験が
示している。渦の移動と−致した、電極の表面上でのア
ークスポットの移動を生じる外部磁界を与える事によっ
て2倍乃至は5倍の侵食の低下を達成する事ができる。
然し乍ら、この外部磁界は更に別の電源を必要とするィ
ンダクタンスコィルの使用によって得られ、従ってプラ
ズマトロンの大きさを増加してしまう。更に、これらィ
ンダクタンスコィルの使用は作動電流の増加に比例して
超磁力を増加する事がきず、複雑化されたコイル給電回
路から作動電流回路を電気的に絶縁しなければならず、
これが最終的にプラズマトロンの信頼性を低下する。そ
こで本発明の目的は、アークの作動電流によって誘起さ
れた磁界とガスの渦との結合された作用によってァーク
スポットが円筒状中空電極の内面上を移動する様なプラ
ズマトロンを提起する事である。
本発明の別の目的は、起磁力が作動電流の値に比例して
増加され、従って電極の有効寿命が2倍乃至5倍増加さ
れ且つプラズマトロンの信頼性が確保される様なプラズ
マトロンを提起する事である。
本発明の更に別の目的は円筒状中空電極の外面の優れた
水冷却系統が設けられたプラズマトロンを提起する事で
ある。
これは、水冷却される円筒状中空電極をケースが収容し
その底部が電力引込み端に対面しそしてその衝援部が環
状の絶縁渦発生器と接触し、該渦発生器が次いで水冷却
されるノズルと接触する様なプラズマトロンにおいて、
上記円筒状中空電極を包囲し且つ該電極から或るすき間
を持って位置定めさせるコイルを具備して成り、上記コ
イルの1端は上記電力引込み端に接続されそしてその他
端は上記円筒状中空電極の上記嬢部に接続されるプラズ
マトロンによって達成される。
上記引込みコイルのループが均一なピッチを有している
のが適当である。
上記引込みコイルの上記端部は支持リングによって上記
円筒状中空電極の上記衝嬢部に接続され、そして上記支
持リングは上記電極の上記衝援部に導かれて該衝嬢部と
接触するラグを持っている事が適当である。
か)る構成により本プラズマトロンは有効寿命がより長
く、出力が同きく且つ効率が高い。
本発明のこれらの目的及び他の目的は添付図面を参照と
した以下の説明より明らかとなろう。本発明によるプラ
ズマトロンは金属の切断のために意図された実施例につ
いて説明する。プラズマトロンは本発明によれば絶縁材
料で作られたケース1(第1図)を備えている。
このケース1は水冷却される円筒状中空電極2と、引込
みコイル3と、引込みパイプ接続体4として作られた電
力引込み端とを収容する。引込みコイル3は円筒状中空
電極2を包囲し、その1端は引込みパイプ接続体4に接
続されそしてその他端は支持リング6によって円筒状中
空電極2の衝嬢部5に接続され、支持リング6は衝薮部
5(第1図)に向って導かれて該衝薮部に接触するラグ
7(第2図)を有している。
電極2の外面と引込みコイル3との間にはすき間8(第
3図)が設けられている。引込みコイル3(第1図)の
ループは均一のピッチを有しており、これは電極2の良
好な冷却と超磁力の最大値とを与える。
然し乍ら、引込みコイルのループは磁界の或る形状を整
形する様にピッチが非均一でもよい。円筒状中空電極2
は引込みパイプ接続体4に対面しそこから或る距離のと
ころに位置定められた底部9を有している。
電極2の衝藤部5は絶縁材料で作られた環状の渦発生器
10と接触し、該渦発生器は環状内面に正懐する6個の
通路11を有している。この環状の渦発生器10は次い
で水冷却されるノズル12と接触している。ケースーは
機械的な損傷に対してこれを保護するため金属カバー1
3内に収容される。
空気供給のためパイプ接続体14及び冷却水の出口のた
めのパイプ接続体15がカバー13に溶接されている(
第3図)。カバー13(第1図)はその上方部にネジ1
6を備えており、これにナット17がネジ込まれる。
引込みパイプ接続体4並びにパイプ接続体14及び15
(第3図)には水及び空気の供給並びに冷却水の排出用
のパイプ(図示せず)と対応的に結合するためネジ18
,19及び20(第3図)が設けられている。引込みパ
イプ接続体4(第1図)はナット21及びワッシャ22
によってケースーに固定される。
プラズマトロンの水及び空気コンジットはパッキング2
3及び24によってシールされる。
カバー13には冷却水を保持するためにスペース25が
設けられており、該スペースは関口26によって水出口
用パイプ接続体15に蓮通されている。関口(図示せず
)によって圧縮空気供総合用パイプ接続体14(第3図
)に蓮通された空気用スペース27もある。ケース1(
第4図)は上記収容部27(第1図)のスペース29に
接続する空気供給のための2つの関口28と、冷却水を
通流するための閉口30及び31(第4図)とを有して
いる。
ケース1の上方部における開□30(第1図)は上記ケ
ースの内側に出口を備えており、1方開□31(第4図
)はカバー13のスペース25の前方でケース1の外側
に出口を備えている。関口30(第1図)及びケース1
(第1図)の底部の閉口31(第4図)はノズル12を
冷却するためのスペース32に結合されている。電源(
図示せず)の1方の極は引込みパイプ接続体4に接続さ
れ、そして他方の極は被加工片33に接続されそして同
時に安定抵抗34及びコンタクタ35を経てカバー13
とノズル12に接続され、該ノズルはカバーと電気的に
接触している。
こ)に提案したプラズマトロンは次の様に動作する。
円筒状中空電極2(第1図)及びノズル12を冷却する
ための通流水がパイプ(図示せず)によって引込みパイ
プ接続体4に供給される。
この冷却水は円筒状中空電極2と引込みコイル3との間
並びに引込みコイル3(第1図)のループ間のすき間8
(第3図)を通流し、従って電極2は相当冷却される。
電極2を冷却した後、冷却水は支持リング6のラグ7(
第2図)間を通り、ケース1の閉口30(第1図)を経
てノズル12の冷却スペース32へと至り、そしてケー
スーの閉口31(第4図)を経てカバー13のスペース
25へと流れ込み、プラズマトロンからのパイプ接続体
15(第1図)とパイプ(図示せず)によって排出され
る。次いで圧縮空気(通常はP=2−4気圧)がパイプ
(図示せず)によってパイプ接続体14(第3図)に供
給される。
この空気はパイプ接続体14からカバー13のスペース
27(第1図)及びケース1の関口28(第4図)を経
てスペース29(第1図)へと通過する。この圧縮空気
は渦発生器10の正接遇路11から電極2とノズル12
との間のすき間36へ至る。このすき間36において渦
状の空気流が形成されそして円筒状中空電極2の内面上
をその全垂直範囲に沿って流れて、ノズル出口37(通
常は直径3〜5側)から出、そしてプラズマトロンを出
る。その後、電源(図示せず)からの無負荷電圧が引込
みパイプ接続体4及び金属被加工片33に供給され、そ
して安定抵抗34及び閉成したコンタクタ35を通して
供給される。
開始装置(図示せず)が電極2とノズル12との間のす
き間36に供給される大気圧パルス(通常は周波数も高
い)を発生し、これが上記すき間36の電気的な破壊を
引き起こしそしてイオン化されたチャンネルを形成する
。このチャンネルにおいて強力ではない(通常は30〜
100Aまで)開始アークが確立される。電流はこの回
路、即ち電源、引込みパイプ接続体4、引込みコイル3
、円筒状中空電極2、ノズル12、カバー13、コンタ
クタ35、安定抵抗34、そして電源、に沿って流れる
強力ではない開始アークは渦状空気流の力によって円筒
状中空電極2の衝援部5とノズル12との間のすき間3
6から押し出され、そして電極2及びノズル12の全長
に亘つて広げられそしてそれらの軸に沿って安定化され
る。この強力でない開始アークは又引込みコイル3の磁
束によって円筒状中空電極2の軸に沿って安定化される
。ノズル12から出て来る強力ではない開始アークのプ
ラズマ流が金属被加工片33に接する否や、作動出力ア
ーク38が確立されて円筒状中空電極2と被加工片33
との間に延び、プラズマトロンが移動されるに従って加
工片を切断する。
この場合の電流回路は電源、引込みパイプ接続体4、引
込みコイル3、円筒状中空電極2、被加工片33、そし
て電源である。作動アーク38が確立された時は被加工
片33とノズル12との間の電気的接続がコンタクタ3
5によって遮断される。ァーク38のスポット39は渦
状空気流の作用の下で円筒状中空電極2の内側を移動し
そしてその内面のまわりで激しく回転する。
引込みコイル3は電極2の衝薮部5に接続されそしてこ
れを包囲しているので、発生される電気力も又アーク3
8のスポット39を電極2の内面に沿って移動させる様
に関与する。この力は作動電流の増加に比例して増加す
る。というのは作動電流が引込みパイプ接続体4、引込
みコイル3及び円筒状中空電極2を経て次々と流れるか
らである。2つの力の作用において渦状の移動と結合さ
れたアークスポット39の円形移動はプラズマトロンが
120−150Kwtまでの大出力負荷で作動される時
に特に重要である。
円筒状中空電極の外面及び引込みコイルのまわりでの冷
却水の循環はプラズマトロンの広範な作動出力において
効果的な冷却を生じる。
こ)に提案したプラズマトロンは酸素を含有したガスを
含むところのいかなるガスでもつてプラズマアークを確
立できる。
本プラズマトロンを製造するために特別の或いは高価な
材料を必要としない。円筒状中空電極及びノズルは普通
の銅で作ってもよい。このプラズマトロンは完全に分解
する事ができ、そしてその細部を容易に交換できる。電
極を包囲する引込みコイルの使用は、円筒状中空電極の
内面に沿ってァークスポットをより強力に移動でき且つ
その外面を水冷却できる様にし、これがプラズマトロン
の有効寿命を2乃至5倍長くできる様にする。金属の空
気−プラズマ切断に利用される時は、作業能率が1.5
乃至2倍高く且つ電極の連続作動時間が20乃至4凪時
間までゞある。こ)に述べたプラズマトロンは技術的な
条件が頻繁な切換えと大出力操作を必要とする時に特に
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるプラズマトロンの部分的に破断し
た一般的な図、第2図は本発明による、ラグを持った支
持リングの部分的に破断した一般的な図、第3図は第1
図の0一0線に沿った断面図、及び第4図は第1図のW
−W線に沿った断面図である。 1・・・・・・ケース、2・・・・・・円筒状中空電極
、3,..,..引込みコイル、4・・・・・・引込み
パイプ接続体、5・・・・・・衝髪部、6・・・・・・
支持リング、7・・・・・・ラグ、8・・・・・・すき
間、9・・・・・・電極2の底部、10…・・・渦発生
器、1 1・・・・・・通路、12・・・・・・ノズル
。 〃8’〃丘2 〃G7 兄役ぐ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 水冷却され円筒状の中空電極2をケース1が収容し
    、その底部9は電力引込み端4に対面しておりそしてそ
    の衝接部5は環状の絶縁渦発生器10と接触し、該渦発
    生器10は次いで水冷却されるノズル12と接触し、そ
    して引込みコイル3が上記円筒状中空電極2を包囲し且
    つ該電極に対して或るすき間8を持つて位置定めさせ、
    その1端は上記電力引込み端4に接続されそしてその他
    端は上記円筒状中空電極2の上記衝撃部5に接続され、
    上記引込みコイル3のループのピツチが均一であり、上
    記円筒状の中空電極2の上記衝接部5への上記引込みコ
    イル3の上記端部の接続が支持リング6によつて達成さ
    れ、該支持リングは上記電極2の上記衝接部5に導かれ
    て上記衝接部と接触するラグ7を有している事を特徴と
    するプラズマトロン。
JP51102151A 1976-08-26 1976-08-26 プラズマトロン Expired JPS6032320B2 (ja)

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JPS5326757A JPS5326757A (en) 1978-03-13
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221006U (ja) * 1985-07-23 1987-02-07
RU2754817C1 (ru) * 2021-03-24 2021-09-07 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение «Полигон» Плазмотрон

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6015390A (ja) * 1983-07-04 1985-01-26 富士塗油器株式会社 エスカレ−タ踏段ライザの潤滑剤塗布装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3194941A (en) * 1962-09-13 1965-07-13 Union Carbide Corp High voltage arc plasma generator
US3543084A (en) * 1968-01-22 1970-11-24 Ppg Industries Inc Plasma arc gas heater

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3194941A (en) * 1962-09-13 1965-07-13 Union Carbide Corp High voltage arc plasma generator
US3543084A (en) * 1968-01-22 1970-11-24 Ppg Industries Inc Plasma arc gas heater

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221006U (ja) * 1985-07-23 1987-02-07
RU2754817C1 (ru) * 2021-03-24 2021-09-07 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение «Полигон» Плазмотрон

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