JPS602747B2 - イオン打込機 - Google Patents
イオン打込機Info
- Publication number
- JPS602747B2 JPS602747B2 JP8915680A JP8915680A JPS602747B2 JP S602747 B2 JPS602747 B2 JP S602747B2 JP 8915680 A JP8915680 A JP 8915680A JP 8915680 A JP8915680 A JP 8915680A JP S602747 B2 JPS602747 B2 JP S602747B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- ion
- magnetic field
- ion beam
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置用イオン打込機の改良に関する
ものである。
ものである。
２第１図は従来の大電流イオン打
込機の概念を示す系統図である。加速電圧が印加されて
いるイオン源１で発生したイオンビーム２は質量分離用
電磁石３で特定のイオン種だけが分離選択され、スリッ
ト４を通過する。このスリット４を通過した特定イオン
種のイオンビーム２は、×偏向電場とＹ偏向電場８によ
って偏向走査されて回転円板９上に設置された多数のウ
ェハ５の表面に打込まれる。この偏向電場７，８は、イ
オンビーム２中に混在する中性粒子６を直進させて分離
し、イオンビーム２を偏向走査して均一なイオン打込み
を行わせる作用をなすものである。このようなイオン打
込機は、一応均一なイオン打込みの要素を備えてはいる
が、次のような問題点を持っている。
込機の概念を示す系統図である。加速電圧が印加されて
いるイオン源１で発生したイオンビーム２は質量分離用
電磁石３で特定のイオン種だけが分離選択され、スリッ
ト４を通過する。このスリット４を通過した特定イオン
種のイオンビーム２は、×偏向電場とＹ偏向電場８によ
って偏向走査されて回転円板９上に設置された多数のウ
ェハ５の表面に打込まれる。この偏向電場７，８は、イ
オンビーム２中に混在する中性粒子６を直進させて分離
し、イオンビーム２を偏向走査して均一なイオン打込み
を行わせる作用をなすものである。このようなイオン打
込機は、一応均一なイオン打込みの要素を備えてはいる
が、次のような問題点を持っている。
‘１）偏向電場７，８はイオンビーム２中の電子も除去
するので正イオンだけとなり、正イオン同志の反溌が生
じてイオンビーム２が拡大する。
するので正イオンだけとなり、正イオン同志の反溌が生
じてイオンビーム２が拡大する。
即ち、空間電荷効果によってイオンビーム２の密度が低
下し打込み効率が低下する。‘２１ スリット４の後側
に設置した偏向電場７，８でイオンビーム２を走査して
いるので、偏向点とウェハ５との距離が小となり、打込
角度の差が大となりウェハ５の打込み深さが不均一とな
る。
下し打込み効率が低下する。‘２１ スリット４の後側
に設置した偏向電場７，８でイオンビーム２を走査して
いるので、偏向点とウェハ５との距離が小となり、打込
角度の差が大となりウェハ５の打込み深さが不均一とな
る。
即ち、打込み精度が低下する。‘３１‘２１の欠点を避
けるために偏向角を小にするには偏向電場７，８とウェ
ハ５との間隔を大きくしなければならないので、イオン
打込機は大形となる。
けるために偏向角を小にするには偏向電場７，８とウェ
ハ５との間隔を大きくしなければならないので、イオン
打込機は大形となる。
このことはイオンビーム２の軌道距離を増大してイオン
透過率を低下させることになり、ウェハ５に到達するイ
オン量が減少してイオン打込能率を低下させる結果とな
る。ｔ４｝ 偏向電場７，８によって偏向角が変化させ
られるので、ゥェハ５に到達するイオンビームの断面積
が変化する。
透過率を低下させることになり、ウェハ５に到達するイ
オン量が減少してイオン打込能率を低下させる結果とな
る。ｔ４｝ 偏向電場７，８によって偏向角が変化させ
られるので、ゥェハ５に到達するイオンビームの断面積
が変化する。
したがって、ウェハ５に到達するイオンビーム２の電流
密度分布が異なって打込み精度は低下する。これら従来
の問題点を解決するために次の方式のイオン打込機も使
用されていた。
密度分布が異なって打込み精度は低下する。これら従来
の問題点を解決するために次の方式のイオン打込機も使
用されていた。
第２図は従来の他の大電流イオン打込機の系統図で、第
３図は第２図の要部側面図である。
３図は第２図の要部側面図である。
この場合はスリット４の後側に偏向磁場１１を設置して
イオンビーム２を紙面に垂直な方向に偏向させ、第３図
に示すごとく回転円盤９と第２回転円盤１０上のゥェハ
５にイオン打込みを可能にしている。偏向磁場１１はス
リット４側を平面とし、ウェハ５側を半径Ｒの円筒面に
Ｎ、Ｓ極を形成し、その長さを２Ｒとした電磁石を用い
ている。
イオンビーム２を紙面に垂直な方向に偏向させ、第３図
に示すごとく回転円盤９と第２回転円盤１０上のゥェハ
５にイオン打込みを可能にしている。偏向磁場１１はス
リット４側を平面とし、ウェハ５側を半径Ｒの円筒面に
Ｎ、Ｓ極を形成し、その長さを２Ｒとした電磁石を用い
ている。
したがって、イオンビーム２の偏向点はほぼ偏向磁場１
１の中央となるが、この偏向点とウェハ５までの間隔Ｌ
は第１図の偏向電場７，８を用いた場合よりも長くする
ことができる。即ち、スリット４と回転円盤９との間隔
が同じであっても偏向距離を大きくすることができる。
このイオン打込機の場合は、イオンに比べて質量の小さ
い電子は磁力線の周囲にトラツブされているので、空間
電荷効果は生じにくい。
１の中央となるが、この偏向点とウェハ５までの間隔Ｌ
は第１図の偏向電場７，８を用いた場合よりも長くする
ことができる。即ち、スリット４と回転円盤９との間隔
が同じであっても偏向距離を大きくすることができる。
このイオン打込機の場合は、イオンに比べて質量の小さ
い電子は磁力線の周囲にトラツブされているので、空間
電荷効果は生じにくい。
即ち、イオンビーム２の密度はあまり低下しないので、
打込み効率は向上する。これによって第１図の装置の｛
１｝の欠点が解決する。次に、上記■のゥェハ５のイオ
ン打込み深さの３不均一は、上記のようにイオンビーム
の偏向点とゥェハ５との距離が伸びているのでイオン打
込角度が小になることによって減少している。
打込み効率は向上する。これによって第１図の装置の｛
１｝の欠点が解決する。次に、上記■のゥェハ５のイオ
ン打込み深さの３不均一は、上記のようにイオンビーム
の偏向点とゥェハ５との距離が伸びているのでイオン打
込角度が小になることによって減少している。
即ち、打込み精度は向上している。また、上記■のイオ
ンビームの断面積の変化に３よる打込み精度の低下は、
偏向磁場１１の後側端面を円筒状凸面にすることによっ
てイオンビーム２の出射方向を偏向端面に対してほぼ直
角とすることができるので、イオンビームの断面積は一
定となり打込み精度は向上する筈である。
ンビームの断面積の変化に３よる打込み精度の低下は、
偏向磁場１１の後側端面を円筒状凸面にすることによっ
てイオンビーム２の出射方向を偏向端面に対してほぼ直
角とすることができるので、イオンビームの断面積は一
定となり打込み精度は向上する筈である。
４しかるに偏向磁場１１を用いるこの方式には
次のような問題点が残っている。｛１｝ 偏向磁場の出
射端面が第３図の様に凸面としたときは、偏向角が異な
るとしンズ作用が異なつてくるので、必らずしもビーム
断面積が一定にはならない。
次のような問題点が残っている。｛１｝ 偏向磁場の出
射端面が第３図の様に凸面としたときは、偏向角が異な
るとしンズ作用が異なつてくるので、必らずしもビーム
断面積が一定にはならない。
【２｝ スリット４から回転円盤９，１１までの距離を
短縮すると偏向角８が大となり、レンズ作用夕 も大き
く働らいてビーム断面積の変化を増し、均一なイオン打
込みを困難にする。
短縮すると偏向角８が大となり、レンズ作用夕 も大き
く働らいてビーム断面積の変化を増し、均一なイオン打
込みを困難にする。
糊 イオンビーム２の偏向角０が大きく変化することは
ウェハ５への打込角が変化し、打込み深さに影響する（
チャンネリング効果）。
ウェハ５への打込角が変化し、打込み深さに影響する（
チャンネリング効果）。
これを０ 防ぐには打込角を変更させる磁場が必要とな
り、装置は更に複雑となる。本発明は従来技術の問題点
を解決して均一なイオン打込みを可能にするイオン打込
機を提供することを目的とし、その特徴とするところは
し質量ょ分離用電磁石とスリットとの間に質量分離用電
磁石による偏向方向と垂直な方向にイオンビームを偏向
走査する偏向磁場を設け、この偏向磁場の磁極端面をイ
オンビームの通過方向に沿った磁極長さに等し寸法の曲
率半径の凸面に形成し「かつ、０併設した回転円盤の一
方のイオン打込みを終了したときは、偏向磁場の樋性を
反転させて他方の回転円盤上のウヱハにイオン打込みを
行うごとく構成したことにある。
り、装置は更に複雑となる。本発明は従来技術の問題点
を解決して均一なイオン打込みを可能にするイオン打込
機を提供することを目的とし、その特徴とするところは
し質量ょ分離用電磁石とスリットとの間に質量分離用電
磁石による偏向方向と垂直な方向にイオンビームを偏向
走査する偏向磁場を設け、この偏向磁場の磁極端面をイ
オンビームの通過方向に沿った磁極長さに等し寸法の曲
率半径の凸面に形成し「かつ、０併設した回転円盤の一
方のイオン打込みを終了したときは、偏向磁場の樋性を
反転させて他方の回転円盤上のウヱハにイオン打込みを
行うごとく構成したことにある。
第４図は本発明の一実施例であるイオン打込機５の系統
図で、第５図は第４図の要部側面図である。
図で、第５図は第４図の要部側面図である。
第２図と同じ部分には同一符号を付してあるが、この場
合は偏向磁場１１を質量分離用電磁石３とスリット４と
の間に設置している。この偏向磁場１１によるイオンビ
ーム２の偏向方向は、質量分離用電磁石３の偏向方向と
は垂直な方向としている。即ち、第２図の場合と同機に
紙面に対して垂直な方向にイオンビーム２を偏向させて
スリット４を通過させ、回転円盤９上のゥェハ５に特定
種のイオン打込みを行う。回転円盤９上のゥェハ５の打
込みを終了したときは、偏向磁場１１の樋性を交換して
第５図に破線で示すイオンビーム２の方向に偏向させる
と共にその励磁力を変化させてイオンビーム２を走査し
、第２回転円盤１１上のウェハ５にイオン打込みを行う
。偏向磁場１１の円筒凸面の曲率半径Ｒは磁石の長さ（
イオンビームの進行方向）と等しく形成し、極性の変化
が可能であるように励磁電源に接続されている。
合は偏向磁場１１を質量分離用電磁石３とスリット４と
の間に設置している。この偏向磁場１１によるイオンビ
ーム２の偏向方向は、質量分離用電磁石３の偏向方向と
は垂直な方向としている。即ち、第２図の場合と同機に
紙面に対して垂直な方向にイオンビーム２を偏向させて
スリット４を通過させ、回転円盤９上のゥェハ５に特定
種のイオン打込みを行う。回転円盤９上のゥェハ５の打
込みを終了したときは、偏向磁場１１の樋性を交換して
第５図に破線で示すイオンビーム２の方向に偏向させる
と共にその励磁力を変化させてイオンビーム２を走査し
、第２回転円盤１１上のウェハ５にイオン打込みを行う
。偏向磁場１１の円筒凸面の曲率半径Ｒは磁石の長さ（
イオンビームの進行方向）と等しく形成し、極性の変化
が可能であるように励磁電源に接続されている。
即ち、打込み回転円盤の選択機構と偏向磁場の極性切換
えを連動させるようにしている。このように構成したイ
オン打込機は、次のような特長を持っている。
えを連動させるようにしている。このように構成したイ
オン打込機は、次のような特長を持っている。
【１｝ 偏向磁場１ １をスリット４の前の空所に設置
しているので、装置全体は小形となる。
しているので、装置全体は小形となる。
また、偏向磁場１１とウェハ５までの距離が大きくなっ
ているので偏向角のま小となり、打込み角を修正する手
段を必要としない。なお、イオンビーム２が収束される
スリット４の近くに偏向磁場１１を設置しているので、
偏向磁場１１は比較的小形となり、磁場強度が得易くな
っている。【２｝ 偏向磁場１１の収束作用を計算する
と、或条件を満足したときにイオンビーム２の断面積の
変化を最小にすることができる。
ているので偏向角のま小となり、打込み角を修正する手
段を必要としない。なお、イオンビーム２が収束される
スリット４の近くに偏向磁場１１を設置しているので、
偏向磁場１１は比較的小形となり、磁場強度が得易くな
っている。【２｝ 偏向磁場１１の収束作用を計算する
と、或条件を満足したときにイオンビーム２の断面積の
変化を最小にすることができる。
第６図〜第９図は偏向磁場とイオンビームの断面積との
関係を説明する図である。
関係を説明する図である。
第６図は偏向角０とビーム断面積の変化率との関係を偏
向磁場１１よりの出射角ごをパラメータとして表わした
線図である。即ち、線Ａはご＝０の場合で、第９図に示
すごとくこのときの磁極の出射面の曲率半径はＲである
。線Ｂはど＝８／２の場合で、第８図に示すごとくこの
ときの磁極の出射面の曲率半径は派である。また、線Ｃ
はご＝０の場合で、第７図に示すごとくこの場合の磁極
の出射面の曲率半径はので、イオンビーム２の方向に対
して垂直な平面となっている。縦軸に示すビーム断面積
の変化は偏向磁場１１により収束作用を計算して求めた
。
向磁場１１よりの出射角ごをパラメータとして表わした
線図である。即ち、線Ａはご＝０の場合で、第９図に示
すごとくこのときの磁極の出射面の曲率半径はＲである
。線Ｂはど＝８／２の場合で、第８図に示すごとくこの
ときの磁極の出射面の曲率半径は派である。また、線Ｃ
はご＝０の場合で、第７図に示すごとくこの場合の磁極
の出射面の曲率半径はので、イオンビーム２の方向に対
して垂直な平面となっている。縦軸に示すビーム断面積
の変化は偏向磁場１１により収束作用を計算して求めた
。
即ち、偏向角８、磁場強度に対応する軌道半径、出射面
の曲率半径の違いによる偏向磁場１ １よりの出射角ご
を求め、Ｌの距離に存在するウェハ５面上のイオンビー
ム２のＸ、Ｙ方向の像倍率をイオン光学理論によって算
出し、実際上のイオンビーム２の拡がりを想定してイオ
ンビームの断面積の変化を算出している。第６図より明
らかなように、出射角ごが偏向角８の半分である線Ｂの
場合がビーム断面積の変化は最小となっている。
の曲率半径の違いによる偏向磁場１ １よりの出射角ご
を求め、Ｌの距離に存在するウェハ５面上のイオンビー
ム２のＸ、Ｙ方向の像倍率をイオン光学理論によって算
出し、実際上のイオンビーム２の拡がりを想定してイオ
ンビームの断面積の変化を算出している。第６図より明
らかなように、出射角ごが偏向角８の半分である線Ｂの
場合がビーム断面積の変化は最小となっている。
このような理論的根拠によって第５図の偏向磁場１１の
出射面の曲率半径を駅とし偏向磁場１１の長さと等しい
寸法としている。‘３’ 偏向磁場１１と回転円盤９，
１１との距離Ｌは大となっているので、中心偏向角８を
８０に設定することができる。
出射面の曲率半径を駅とし偏向磁場１１の長さと等しい
寸法としている。‘３’ 偏向磁場１１と回転円盤９，
１１との距離Ｌは大となっているので、中心偏向角８を
８０に設定することができる。
この角度はシリコンウェハではチヤンネリング効果を防
ぐのに最適の条件である。また、打込み処理枚数を増加
させるために一対の回転円盤９，１１を併置し、交互に
打込む場合にはイオンビーム２の偏向方向を切換える必
要があるが、この方式に依ればスリット４の長さを増す
だけで可能となる。なお、質量分離用電磁石３の収束点
は偏向磁場１１には関係がないので、スリット４を移動
させる機構を必要としない。本実施例のイオン打込機は
、偏向磁場を質量分離用電磁石とスリットとの間に設置
すると共に、偏向磁場の偏向方向を質量分離用電磁石の
分散方向と垂直な方向とし、偏向磁場の出射面の磁極形
状をその長さと同じ曲率半径の凸面とすることによって
、偏向磁極と装置全体を小形化できるし、ゥェハ打込み
角の変化とイオンビームの電流密度の変化を減少して均
一なイオン打込みを可能とし、かつ、一対の回転円盤上
のウェハに対するイオン打込みの切換えを容易にする等
の効果が得られる。
ぐのに最適の条件である。また、打込み処理枚数を増加
させるために一対の回転円盤９，１１を併置し、交互に
打込む場合にはイオンビーム２の偏向方向を切換える必
要があるが、この方式に依ればスリット４の長さを増す
だけで可能となる。なお、質量分離用電磁石３の収束点
は偏向磁場１１には関係がないので、スリット４を移動
させる機構を必要としない。本実施例のイオン打込機は
、偏向磁場を質量分離用電磁石とスリットとの間に設置
すると共に、偏向磁場の偏向方向を質量分離用電磁石の
分散方向と垂直な方向とし、偏向磁場の出射面の磁極形
状をその長さと同じ曲率半径の凸面とすることによって
、偏向磁極と装置全体を小形化できるし、ゥェハ打込み
角の変化とイオンビームの電流密度の変化を減少して均
一なイオン打込みを可能とし、かつ、一対の回転円盤上
のウェハに対するイオン打込みの切換えを容易にする等
の効果が得られる。
５ 本発明のイオン打込機は、一対の回転円盤上に設置
したウェハに対して均一なイオン打込みを可能とし、生
産性を向上させるという効果が得られる。
したウェハに対して均一なイオン打込みを可能とし、生
産性を向上させるという効果が得られる。
０ 第１図は従来の大電流イオン打込機の系統図、第２
図は従来の他の大電流イオン打込機の系統図、第３図は
第２図の要部側面図、第４図は本発明の一実施例である
イオン打込機の系統図、第５図は第４図の要都側面図、
第６図〜第９図は偏向タ磁場とイオンビームの断面積と
の関係を説明する図である。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……質量分離
用電磁石、４・・・・・・スリット、５・・…・ゥェハ
、６・・…・中性粒子、９，１０・・・・・・回転円盤
、１０ １・・・・・・偏向磁場、ａ・・・・・・イオ
ンビームの偏向角、ど．・・．・・イオンビームの偏向
磁場出射角。 弟ー図髪４図 菊ｓ図 黍５図 第２図 第３図 菊了図 弟８図 弟ｑ図
図は従来の他の大電流イオン打込機の系統図、第３図は
第２図の要部側面図、第４図は本発明の一実施例である
イオン打込機の系統図、第５図は第４図の要都側面図、
第６図〜第９図は偏向タ磁場とイオンビームの断面積と
の関係を説明する図である。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……質量分離
用電磁石、４・・・・・・スリット、５・・…・ゥェハ
、６・・…・中性粒子、９，１０・・・・・・回転円盤
、１０ １・・・・・・偏向磁場、ａ・・・・・・イオ
ンビームの偏向角、ど．・・．・・イオンビームの偏向
磁場出射角。 弟ー図髪４図 菊ｓ図 黍５図 第２図 第３図 菊了図 弟８図 弟ｑ図
Claims (1)
- １ 加速したイオンビームが入射する質量分離用電磁石
と、この質量分離用電磁石によって選択された特定イオ
ン種のみを通過させるスリツトと、このスリツトを出射
したイオンビームを偏向走査して回転円盤上に設置した
複数個のウエハの表面に打込むごとく構成したイオン打
込機において、上記質量分離用電磁石と上記スリツトと
の間に上記質量分離用電磁石による偏向方向と垂直な方
向に上記イオンビームを偏向走査する偏向磁場を設け、
この偏向磁場の磁極の出口端面を上記イオンビームの通
過方向に沿った磁極幅に等しい寸法の曲率半径の凸面に
形成し、かつ、併設した上記回転円盤の一方のイオン打
込みを終了したときは、上記偏向磁場の極性を反転させ
て他方の上記回転円盤上の上記ウエハにイオン打込みを
行うごとく構成したことを特徴とするイオン打込機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8915680A JPS602747B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | イオン打込機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8915680A JPS602747B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | イオン打込機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715349A JPS5715349A (en) | 1982-01-26 |
| JPS602747B2 true JPS602747B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=13962976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8915680A Expired JPS602747B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | イオン打込機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602747B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329037U (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-25 |
-
1980
- 1980-07-02 JP JP8915680A patent/JPS602747B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329037U (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715349A (en) | 1982-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4276477A (en) | Focusing apparatus for uniform application of charged particle beam | |
| TWI391977B (zh) | 使用離子束之照射系統、增進照射準確度之方法及校正射束軌跡偏差之方法 | |
| US5751002A (en) | Ion implantation apparatus | |
| US5126575A (en) | Method and apparatus for broad beam ion implantation | |
| US20030066976A1 (en) | Apparatus to decelrate and control ion beams to improve the total quality of ion implantation | |
| EP1046183B1 (en) | Ion implantation device arranged to select neutral ions from the ion beam and methode | |
| JP4665233B2 (ja) | イオンビームのための静電式平行化レンズ | |
| EP1981060B1 (en) | Ion implantation apparatus and method of converging/shaping ion beam used therefor | |
| US5099130A (en) | Apparatus and methods relating to scanning ion beams | |
| US7511288B2 (en) | Ion implantation device | |
| US7135677B2 (en) | Beam guiding arrangement, imaging method, electron microscopy system and electron lithography system | |
| US6897457B1 (en) | Apparatus and method for monitoring and tuning an ion beam in ion implantation apparatus | |
| US4839523A (en) | Ion implantation apparatus for semiconductor manufacture | |
| EP0165772B1 (en) | Charged particle sources | |
| JPH11354064A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS602747B2 (ja) | イオン打込機 | |
| US3696261A (en) | Cathode ray tube with plural beams for each color element | |
| JP2012523092A (ja) | イオン注入システムで用いる電極用終端 | |
| JP3474082B2 (ja) | 電子線装置 | |
| US3883771A (en) | Collinear electron gun system including accelerating grid having greater effective thickness for off axis beams | |
| Keller | Beam scanning-electrostatic | |
| JP2003331764A (ja) | エネルギーフィルタ | |
| JPH10112275A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2856518B2 (ja) | Ｅ×ｂ型エネルギーフィルタ | |
| JPH0448543A (ja) | 半導体基板イオン注入装置 |