JPS60261293A - ハイドロホン - Google Patents
ハイドロホンInfo
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- JPS60261293A JPS60261293A JP60116327A JP11632785A JPS60261293A JP S60261293 A JPS60261293 A JP S60261293A JP 60116327 A JP60116327 A JP 60116327A JP 11632785 A JP11632785 A JP 11632785A JP S60261293 A JPS60261293 A JP S60261293A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S310/00—Electrical generator or motor structure
- Y10S310/80—Piezoelectric polymers, e.g. PVDF
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
この発明は平らな圧電性基体を備えたハイドロホンに関
する。
する。
[従来の技術]
平らな圧電性基体の中に圧電能動領域を有する複数の受
波素子が直線上に配置され、基体の円上面側にはそれぞ
れ金属の電極及び電気接続導線のパターンがこれら圧電
能動領域に伺設され、基体の電気的能動領域はフィルム
の厚さの方向に分極されていると共に、基体のモ面側の
面にはごく僅かの広がりを有する。
波素子が直線上に配置され、基体の円上面側にはそれぞ
れ金属の電極及び電気接続導線のパターンがこれら圧電
能動領域に伺設され、基体の電気的能動領域はフィルム
の厚さの方向に分極されていると共に、基体のモ面側の
面にはごく僅かの広がりを有する。
小形のハイドロホンは公知であり、音波伝搬媒体の中の
超音波音場の測定のために用いられる。
超音波音場の測定のために用いられる。
基体としてポリフッ化ビニリデンP V、D F する
いはフッ化ビニリデンとテトラフルオルエチレン又はト
リフルオルエチレンとの共重合体から成り例えば約25
p、mの厚さを有する膜が用いられ、この膜は振動板と
して二つの金属リングの間に張って固定できる。その中
心点には圧電能動領域が存在し、この領域は電極を備え
ると共に受波素子を形成する。フィルムは更に同軸ケー
ブルの端末上に張って固定することもでき、約1mmの
大きさを有するその圧電能動領域はほぼ針の先端上に配
置されている。この針構造により約6.3X10−I’
V/Paの感度が得られる(「ウルトラソニックス(I
lltrasonics ) J 、 1981年6月
、第213ページないし第216ページ)。しかしなが
らたった一つの受波素子しか内蔵しないかかるゾンデを
用いて比較的広い範囲の超音波音場を走査するためには
比較的長時間を必要とする。
いはフッ化ビニリデンとテトラフルオルエチレン又はト
リフルオルエチレンとの共重合体から成り例えば約25
p、mの厚さを有する膜が用いられ、この膜は振動板と
して二つの金属リングの間に張って固定できる。その中
心点には圧電能動領域が存在し、この領域は電極を備え
ると共に受波素子を形成する。フィルムは更に同軸ケー
ブルの端末上に張って固定することもでき、約1mmの
大きさを有するその圧電能動領域はほぼ針の先端上に配
置されている。この針構造により約6.3X10−I’
V/Paの感度が得られる(「ウルトラソニックス(I
lltrasonics ) J 、 1981年6月
、第213ページないし第216ページ)。しかしなが
らたった一つの受波素子しか内蔵しないかかるゾンデを
用いて比較的広い範囲の超音波音場を走査するためには
比較的長時間を必要とする。
基体として用いられたポリフッ化ビニリデンPVDFか
ら成るフィルムには多数の圧電能動領域の直線配置が既
に設けられており、この能動領域には一般に金属から成
る電極とリード線のパターンが付設されている。このパ
ターンはフィルムの丙子面上に蒸着により固定されてい
る。受波素子は約2mmの直径と約8pFのキャパシタ
ンスを有する。増幅器は長さ約30cmのケーブルに接
続されている。かかる装置により約3.2×1O−6V
/Paの感度が得られる([米国音響学会誌(J、Ac
coust、Soc、A、m、) J 、第61巻、補
遺第1号、1977年春季、第17ページ及び第18ペ
ージ)。
ら成るフィルムには多数の圧電能動領域の直線配置が既
に設けられており、この能動領域には一般に金属から成
る電極とリード線のパターンが付設されている。このパ
ターンはフィルムの丙子面上に蒸着により固定されてい
る。受波素子は約2mmの直径と約8pFのキャパシタ
ンスを有する。増幅器は長さ約30cmのケーブルに接
続されている。かかる装置により約3.2×1O−6V
/Paの感度が得られる([米国音響学会誌(J、Ac
coust、Soc、A、m、) J 、第61巻、補
遺第1号、1977年春季、第17ページ及び第18ペ
ージ)。
金属電極のポリマーフィルムへの接着性が悪いために、
受波素子の大きさを任意に設定できない。更に各受波素
子に電子式増幅素子特に電界効果トランジスタが付設さ
れているときにだけ感度を高めることができ、この増幅
素子は受波素子のすぐそばに配置されなければならない
。比較的遠くに離して置かれた増幅器の接続は受波素子
の導線キャパシタンスCLにより負荷されて、受波素子
のキャパシタンスをCtまた受波器出力電圧をUE と
したとき次式による電圧Uまで低下される。
受波素子の大きさを任意に設定できない。更に各受波素
子に電子式増幅素子特に電界効果トランジスタが付設さ
れているときにだけ感度を高めることができ、この増幅
素子は受波素子のすぐそばに配置されなければならない
。比較的遠くに離して置かれた増幅器の接続は受波素子
の導線キャパシタンスCLにより負荷されて、受波素子
のキャパシタンスをCtまた受波器出力電圧をUE と
したとき次式による電圧Uまで低下される。
同軸ケーブルは例えば約1pF/cmのキャパシタンス
を持っているので、例えば30cmの導体の場合には受
波器電圧の低下はC[/30PF倍になる。これに対し
て増幅器の出力端においてはインピーダンスが既に変化
しており、そして導線を増幅器の他の部分に導くことが
できる。従って多数の受波素子が相互に密接して配置さ
れているときには、従属する増幅器もまたほぼ同じ格子
寸法で配置しなければならない。
を持っているので、例えば30cmの導体の場合には受
波器電圧の低下はC[/30PF倍になる。これに対し
て増幅器の出力端においてはインピーダンスが既に変化
しており、そして導線を増幅器の他の部分に導くことが
できる。従って多数の受波素子が相互に密接して配置さ
れているときには、従属する増幅器もまたほぼ同じ格子
寸法で配置しなければならない。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明は、かかる既知の小形ハイドロホンを改良し、
特に広い範囲の未知の超音波音場をも短い時間で且つ簡
単に測定できるハイドロホンを提供することを目的とす
る。更にこの発明は、有用性と感度とを高めることをも
目的とするものである。
特に広い範囲の未知の超音波音場をも短い時間で且つ簡
単に測定できるハイドロホンを提供することを目的とす
る。更にこの発明は、有用性と感度とを高めることをも
目的とするものである。
音波伝搬媒体から超音波振動を録音するための複数の変
換素子を備えた既知の超音波変換装置は、基体としてポ
リフッ化ビニリデンPVDFから成るフィルムを有する
。この基体はその−・つの平面側に、各変換素子を形成
するあらかじめ定められた圧電能動領域の中に、それぞ
れ導電性材料から成る−・つの電極を備えている。この
フィルムはこの領域の中においてだけその厚さの方向に
分極され、且つこの領域は一平面側のその電極と共に基
体の上に配置されている。超音波変換装置のこのモノリ
シック構造は高感度を有する広帯域の受波アレーを形成
する(ドイツ連邦共和国特許出願公開第3149732
号明細書)。
換素子を備えた既知の超音波変換装置は、基体としてポ
リフッ化ビニリデンPVDFから成るフィルムを有する
。この基体はその−・つの平面側に、各変換素子を形成
するあらかじめ定められた圧電能動領域の中に、それぞ
れ導電性材料から成る−・つの電極を備えている。この
フィルムはこの領域の中においてだけその厚さの方向に
分極され、且つこの領域は一平面側のその電極と共に基
体の上に配置されている。超音波変換装置のこのモノリ
シック構造は高感度を有する広帯域の受波アレーを形成
する(ドイツ連邦共和国特許出願公開第3149732
号明細書)。
支持体のL面トに固定される、例えば蒸着される、のを
良しとする電極の厚さは一般に数gmを著しく超過する
ことは無く、Igmより非常に小さいのが有利である。
良しとする電極の厚さは一般に数gmを著しく超過する
ことは無く、Igmより非常に小さいのが有利である。
従って従属する電気接続導線もこの厚さを著しく超過す
ることは許されない。接続導線は比較的簡単な方法で同
一の作業工程において電極と共に、例えば写真平版プロ
セスの中で製作される。しかしながら、この導線を支持
体の表面部分上に配置された電気素子に接続しようとし
、この表面部分が上面と稜を形成するときには、この接
続導線を支持体の稜を巡って導くことは困難である。こ
の場合には上面と側面との稜に隣接する表面部分に、こ
の稜に垂直に延びる溝を設けること5ができる。この溝
の中では表面の少なくとも一部分が金属化層を備え、こ
の金属化層を用いて電極と上記の電気素子との間の導線
接続が例えばはんだ付けにより作られる(ドイツ連邦共
和国特許出願公開第324fli681号明細書)。
ることは許されない。接続導線は比較的簡単な方法で同
一の作業工程において電極と共に、例えば写真平版プロ
セスの中で製作される。しかしながら、この導線を支持
体の表面部分上に配置された電気素子に接続しようとし
、この表面部分が上面と稜を形成するときには、この接
続導線を支持体の稜を巡って導くことは困難である。こ
の場合には上面と側面との稜に隣接する表面部分に、こ
の稜に垂直に延びる溝を設けること5ができる。この溝
の中では表面の少なくとも一部分が金属化層を備え、こ
の金属化層を用いて電極と上記の電気素子との間の導線
接続が例えばはんだ付けにより作られる(ドイツ連邦共
和国特許出願公開第324fli681号明細書)。
[問題点を解決するための手段]
この発明は超音波変換装置のこの公知の構成特徴を使用
すると共に、特許請求の範囲第1項の特徴に基づき構成
される。基体の平面側の面−Lでの受波素子の大きさは
一般に1mmより小さく、且つその間隔は0.1mmを
著しく超えない値に制限される。従属する増幅器、好ま
しくは混成増幅器の大きさもまたこの寸法を著しく超過
することはないので、これらの事から1mmより小さい
直線配置の格子寸法が得られる。このハイドロホンは少
なくとも1O−5V/Paの感度を有する。
すると共に、特許請求の範囲第1項の特徴に基づき構成
される。基体の平面側の面−Lでの受波素子の大きさは
一般に1mmより小さく、且つその間隔は0.1mmを
著しく超えない値に制限される。従属する増幅器、好ま
しくは混成増幅器の大きさもまたこの寸法を著しく超過
することはないので、これらの事から1mmより小さい
直線配置の格子寸法が得られる。このハイドロホンは少
なくとも1O−5V/Paの感度を有する。
超音波音場の測定のためには受波素子の直線配置に対し
直角な方向に1回だけ移動すれば十分である。ハイドロ
ホンの特別な実施態様において、支持体の始端又は終端
から最初及び最後の受波素子までの距離はそれぞれ受波
素子相互の間隔のほぼ半分に過ぎない。従って多数のモ
ジュールを受波素子の直線配列方向に、同一の格子寸法
を有する共通の構造ユニットとなるように、相前後して
配置することが可能であり、このユニットを用いて更に
広範囲の超音波音場をも短い時間で測定できる。
直角な方向に1回だけ移動すれば十分である。ハイドロ
ホンの特別な実施態様において、支持体の始端又は終端
から最初及び最後の受波素子までの距離はそれぞれ受波
素子相互の間隔のほぼ半分に過ぎない。従って多数のモ
ジュールを受波素子の直線配列方向に、同一の格子寸法
を有する共通の構造ユニットとなるように、相前後して
配置することが可能であり、このユニットを用いて更に
広範囲の超音波音場をも短い時間で測定できる。
このハイドロホンの更に別の実施態様は特許請求の範囲
第2項以下に記載されている。
第2項以下に記載されている。
[実施例]
この発明に基づくハイドr:I示ンの諸実施例を示す図
面を参照しながら、この発明を更に詳細に説明する。
面を参照しながら、この発明を更に詳細に説明する。
第1図に示す実施例においては、受波素子10は基体2
の図において破線で示した圧電能動領域3から形成され
、この領域3には基体の」二側のモ面側に電極4が、ま
たその下側の平面側には電極5が付設されており、電極
5は支持体16の上に固定されている。電極5は高誘電
率を有する非導電性の接着層6を介して、基体2の圧電
能動領域3に容量的に結合されている。下側の電極5は
電気接続導線11を備えている。受波素子10の直線配
置の中で隣接する受波素子については、接続導線12が
図に示されている。支持体16の−L面15は傾斜した
二つの側面17および18により側力な画成され、これ
ら側面は上面15と共にそれぞれ稜22および23を形
成する。これら稜22と23は接続導線11および12
の範囲においてそれぞれ−っの溝24および25を備え
、これら溝は稜22および23に対し垂直に延びると共
に、その内部の表面はそれぞれ少なくとも部分的に図に
示されていない金属化層をtljえている。
の図において破線で示した圧電能動領域3から形成され
、この領域3には基体の」二側のモ面側に電極4が、ま
たその下側の平面側には電極5が付設されており、電極
5は支持体16の上に固定されている。電極5は高誘電
率を有する非導電性の接着層6を介して、基体2の圧電
能動領域3に容量的に結合されている。下側の電極5は
電気接続導線11を備えている。受波素子10の直線配
置の中で隣接する受波素子については、接続導線12が
図に示されている。支持体16の−L面15は傾斜した
二つの側面17および18により側力な画成され、これ
ら側面は上面15と共にそれぞれ稜22および23を形
成する。これら稜22と23は接続導線11および12
の範囲においてそれぞれ−っの溝24および25を備え
、これら溝は稜22および23に対し垂直に延びると共
に、その内部の表面はそれぞれ少なくとも部分的に図に
示されていない金属化層をtljえている。
溝24の中の金属化層は例えば、受波素子1oに従属し
且つ基板33のにに配置されている増幅器32のための
接続導線26の、好ましくははんだ伺けのだめの電気的
接続部としての役を果たす。
且つ基板33のにに配置されている増幅器32のための
接続導線26の、好ましくははんだ伺けのだめの電気的
接続部としての役を果たす。
図に示されていない隣接する受波素子については、従属
する接続導線27と、同様に基板37、−L:に配置さ
れた増幅器36とが図の中に示されている。
する接続導線27と、同様に基板37、−L:に配置さ
れた増幅器36とが図の中に示されている。
受波素子10の基体2は重合体、好ましくはポリフッ化
ビニリデンPVDFあるいはフッ化ビニリデンとテトラ
フルオルエチレン又はトリフルオルエチレンとの共重合
体のシートから成り、その厚さは例えば約25/7.m
で、このシートはその圧電能動領域3の中ではその厚さ
の方向に分極されている。イ]設された電極4と5は金
属から成り、その厚さは好ましくは数kmを超えず、特
にlpmより著しく小さくすることができる。電極とし
てはクロム/銀又はクロム/金の二重層が適しており、
これらの層では例えば厚さ約20nmのクロム層は接着
媒体としての役を果たし、このクロム層の上に例えば0
.2pLmの銀層が析出される。電極5は、一つの共通
な作業口[程において、従属する接続導線11と共に支
持体16の上に特に蒸着又はスパッタリングにより設け
ることができる。電極5は接着層6により面接的に基体
2に固定されており、この接着層6は、高誘電率を有す
る電気絶縁材料から成り、好ましくは接着剤層又はパテ
層とするのがよい。支持体16(いわば背当て)は好ま
しくは高い音響インピーダンスを有する材料から成るこ
とができる。いわゆる固い背当てとしてのこの実施例に
は例えばセラミック、好ましくはアルミナAl2O3が
適しており、その音響インピーダンスは約40X10L
kg/m2sである。更に14 X 106kg/m2
sの音響インピーダンスを有するガラス又は石英も適し
ている。支持体16として、超音波自身を吸収し且つ例
えばゴムから成る軟らかい背当てを用いることもできる
。受信された超音波信号は約I MHzないし少なくと
も10MHzの周波数帯域において変換素子10の中で
能動領域3の下側のモ面側から電極5に容量的に伝送さ
れ、且つ接続導線11と26を経て従属する増幅器32
に供給される。
ビニリデンPVDFあるいはフッ化ビニリデンとテトラ
フルオルエチレン又はトリフルオルエチレンとの共重合
体のシートから成り、その厚さは例えば約25/7.m
で、このシートはその圧電能動領域3の中ではその厚さ
の方向に分極されている。イ]設された電極4と5は金
属から成り、その厚さは好ましくは数kmを超えず、特
にlpmより著しく小さくすることができる。電極とし
てはクロム/銀又はクロム/金の二重層が適しており、
これらの層では例えば厚さ約20nmのクロム層は接着
媒体としての役を果たし、このクロム層の上に例えば0
.2pLmの銀層が析出される。電極5は、一つの共通
な作業口[程において、従属する接続導線11と共に支
持体16の上に特に蒸着又はスパッタリングにより設け
ることができる。電極5は接着層6により面接的に基体
2に固定されており、この接着層6は、高誘電率を有す
る電気絶縁材料から成り、好ましくは接着剤層又はパテ
層とするのがよい。支持体16(いわば背当て)は好ま
しくは高い音響インピーダンスを有する材料から成るこ
とができる。いわゆる固い背当てとしてのこの実施例に
は例えばセラミック、好ましくはアルミナAl2O3が
適しており、その音響インピーダンスは約40X10L
kg/m2sである。更に14 X 106kg/m2
sの音響インピーダンスを有するガラス又は石英も適し
ている。支持体16として、超音波自身を吸収し且つ例
えばゴムから成る軟らかい背当てを用いることもできる
。受信された超音波信号は約I MHzないし少なくと
も10MHzの周波数帯域において変換素子10の中で
能動領域3の下側のモ面側から電極5に容量的に伝送さ
れ、且つ接続導線11と26を経て従属する増幅器32
に供給される。
増幅器32としては基板33、好ましくは薄膜基板−し
に゛配置された混成増幅器が適している。この混成増幅
器はへテロ構造を有する。抵抗は好ましくは薄膜技術に
より形成することがでさ−4、一方付属のトランジスタ
はトランジスタチップとして接着され、その導電接続部
はポンディングされる。
に゛配置された混成増幅器が適している。この混成増幅
器はへテロ構造を有する。抵抗は好ましくは薄膜技術に
より形成することがでさ−4、一方付属のトランジスタ
はトランジスタチップとして接着され、その導電接続部
はポンディングされる。
受波素子lOは超音波結合媒体38を介してカバーフィ
ルム39に結合され、このカバーフィルムは例えば重合
体から成ることができると共に室の前側の閉鎖壁として
の役を果たし、この室の中に図示の構成ユニットが配置
されている。
ルム39に結合され、このカバーフィルムは例えば重合
体から成ることができると共に室の前側の閉鎖壁として
の役を果たし、この室の中に図示の構成ユニットが配置
されている。
第2図の斜視図に示すように図の中で破線により示した
多数の受波素子10のために、共通の基体2め−Lの平
iI′41側りにはすべての受波素子lO1こ対し共通
な電極4が設けられている。接着層6を有する基体2は
明瞭に示すために下側の電極5からある距離を置いて図
示されており、電極5は図には詳細に示していない例え
ば16個の受波素子10を有するモジュールの直線の延
長方向に相前後して配列されている。例えば長さl=0
、8mm、幅b=0.7mm、電極5の間隔a−0,
1mm及び受波素flOの格子寸法を0.8mmとすれ
ば、モジュールの全体の長さLは約12mmとなる。そ
れにより例えば2 MHzの周波数において受波素子1
0のキャパシタンスCfは約1.6pFとなる。
多数の受波素子10のために、共通の基体2め−Lの平
iI′41側りにはすべての受波素子lO1こ対し共通
な電極4が設けられている。接着層6を有する基体2は
明瞭に示すために下側の電極5からある距離を置いて図
示されており、電極5は図には詳細に示していない例え
ば16個の受波素子10を有するモジュールの直線の延
長方向に相前後して配列されている。例えば長さl=0
、8mm、幅b=0.7mm、電極5の間隔a−0,
1mm及び受波素flOの格子寸法を0.8mmとすれ
ば、モジュールの全体の長さLは約12mmとなる。そ
れにより例えば2 MHzの周波数において受波素子1
0のキャパシタンスCfは約1.6pFとなる。
ハイドロホンの特に有利な実施例においては、受波素子
10に従属する増幅器32又は36はそれぞれ交1に支
持体16の側面17又は18上に配置されている。接続
導線11と26から構成され溝22の中で金属化層の助
けを借りて相互に結合されている電極5と従属する増幅
器32との間の電気的導線接続部は、非常に短く例えば
たった約1mmとすることかでき更にすべての受波素子
ioに対し同一である。受波素/−10と増幅器32又
は36とから成るこのシステムの感度は従って均一で■
つ非常に高い。混成増幅器の例えば約2pFの小さい固
有キャパシタンスと例えば約100にΩの高い入力イン
ピーダンス並びに約20倍の増幅率と約1.6mmの小
さいチャネル幅並びに約15MHzの広い帯域幅と約8
nV/rHzの少ない雑音により、16個の受波素子1
0と257pmの厚さの基体2とを有する/\イドロホ
ンにおいて約10−5v/Paの感度が得られる。
10に従属する増幅器32又は36はそれぞれ交1に支
持体16の側面17又は18上に配置されている。接続
導線11と26から構成され溝22の中で金属化層の助
けを借りて相互に結合されている電極5と従属する増幅
器32との間の電気的導線接続部は、非常に短く例えば
たった約1mmとすることかでき更にすべての受波素子
ioに対し同一である。受波素/−10と増幅器32又
は36とから成るこのシステムの感度は従って均一で■
つ非常に高い。混成増幅器の例えば約2pFの小さい固
有キャパシタンスと例えば約100にΩの高い入力イン
ピーダンス並びに約20倍の増幅率と約1.6mmの小
さいチャネル幅並びに約15MHzの広い帯域幅と約8
nV/rHzの少ない雑音により、16個の受波素子1
0と257pmの厚さの基体2とを有する/\イドロホ
ンにおいて約10−5v/Paの感度が得られる。
増幅器32は基板33の表面上の金属化領域42の助け
を借りて信号導線43を備え、この信号導線は増幅器3
2の別の構成素子に導くことができる。
を借りて信号導線43を備え、この信号導線は増幅器3
2の別の構成素子に導くことができる。
第3図に示す実施例においては多数の受波素子10を有
するモジュールが室40の中に配置されており、この室
はその正面側をカバーフィルム39により閉鎖されてお
り、このカバーフィルムは、支持体16七に配置された
受波素子lOに超音波結合媒体38を介して結合されて
いる。支持体16は固い背当てから成り、その受波素子
lOと反対の端部には吸収体46を備えており、この吸
収体は例えばアルミナ粉末から成る充填剤を内蔵するエ
ポキシ樹脂から成ることができる。支持体16の中に侵
入した超音波の、吸収体46と支持体16との間の境界
面から反射される部分が減少するように、支持体16の
端末はとがって形成されている。室40の壁は一般に金
属から成る。
するモジュールが室40の中に配置されており、この室
はその正面側をカバーフィルム39により閉鎖されてお
り、このカバーフィルムは、支持体16七に配置された
受波素子lOに超音波結合媒体38を介して結合されて
いる。支持体16は固い背当てから成り、その受波素子
lOと反対の端部には吸収体46を備えており、この吸
収体は例えばアルミナ粉末から成る充填剤を内蔵するエ
ポキシ樹脂から成ることができる。支持体16の中に侵
入した超音波の、吸収体46と支持体16との間の境界
面から反射される部分が減少するように、支持体16の
端末はとがって形成されている。室40の壁は一般に金
属から成る。
カバーフィルム39は高強度で水の浸透しない材料から
成る。カバーフィルムは例えば厚さ約254mのポリエ
チ1/ン又はポリウレタン又はポリイミドから成ること
ができる。
成る。カバーフィルムは例えば厚さ約254mのポリエ
チ1/ン又はポリウレタン又はポリイミドから成ること
ができる。
ハイドロホンの特に有利な実施例においては、カバーフ
ィルム39はシールドのために役立つ金属被覆保護層4
1を備えている。受波素子lOとそれに従属する増幅器
32と36と簡単化のために図示されていないそれらの
電気接続導線の外に、室40は増幅器32と36の各系
列のためにこれら増幅器32と36に付属する構成素子
例えti Ws、 抗及びキャパシタを内蔵することが
でき、これらの構成素子は図においては簡単化のために
共通な構成部品として示され符号52.56が付けられ
ている。これら構成部品52と56は、それぞれすべて
の増幅器32.36に対し共通なマルチプレクサ44.
45と共に、符号を付していないプリント配線板上に配
置されており、マルチプレク、すの出力信号は共通な信
号導線48を用いて導き出すことができる。信号導線4
8は好ましくは多重ケーブルとして構成することができ
、この多重ケーブルはハイドロホンのすべての部品のた
めの電流供給ばかりでなくアドレス指示をも含んでいる
。
ィルム39はシールドのために役立つ金属被覆保護層4
1を備えている。受波素子lOとそれに従属する増幅器
32と36と簡単化のために図示されていないそれらの
電気接続導線の外に、室40は増幅器32と36の各系
列のためにこれら増幅器32と36に付属する構成素子
例えti Ws、 抗及びキャパシタを内蔵することが
でき、これらの構成素子は図においては簡単化のために
共通な構成部品として示され符号52.56が付けられ
ている。これら構成部品52と56は、それぞれすべて
の増幅器32.36に対し共通なマルチプレクサ44.
45と共に、符号を付していないプリント配線板上に配
置されており、マルチプレク、すの出力信号は共通な信
号導線48を用いて導き出すことができる。信号導線4
8は好ましくは多重ケーブルとして構成することができ
、この多重ケーブルはハイドロホンのすべての部品のた
めの電流供給ばかりでなくアドレス指示をも含んでいる
。
超音波結合媒体38は受波素子10とカバーフィルム3
9との間に空気層ができるのを防ぐという役目だけを持
っている。超音波結合媒体38として例えば含水性のゲ
ル又はシリコングリースから成る層が適しており、この
層の厚さは一般にGgmを著しく超えず例えば5gmと
することができる。
9との間に空気層ができるのを防ぐという役目だけを持
っている。超音波結合媒体38として例えば含水性のゲ
ル又はシリコングリースから成る層が適しており、この
層の厚さは一般にGgmを著しく超えず例えば5gmと
することができる。
第4図に示すハイドロホンの実施例においては、受波素
子10の基体2は室40のための力/ヘーフィルムとし
て用いられている。接着層6は同時に支持体16上に固
定された電極5のための電気的結合媒体を構成する。こ
の実施例においては、金属のカバー4が同時に受波素子
10のための接地電極としての役を果たす。
子10の基体2は室40のための力/ヘーフィルムとし
て用いられている。接着層6は同時に支持体16上に固
定された電極5のための電気的結合媒体を構成する。こ
の実施例においては、金属のカバー4が同時に受波素子
10のための接地電極としての役を果たす。
第1図はこの発明に基づくハイドロホンの実施例1の部
分断面図、第2図は第1図に示すハイドロホンの部分斜
視図、第3図は実施例2の断面図、第4図は実施例3の
部分断面図である。 2・・・基本体、3・・・圧電能動領域、4.5・・・
電極、 6−・・接着層、lO・−・受波素子、11.
12−・・電気接続導線(リード線)、15・・会−1
−面、16・・・支持体、17.18・・会側面、22
、23・・拳稜、 24,25・・・溝、 26 、
27・・・リード線、32.36・・・増幅器、33.
37・・・基板、38・・・超音波結合媒体、39・I
III力/<−7(ルム、40−−・室、 41・・・
保護層、42・・・吸収体、44.46@・・マルチプ
レクサ。 FIG 1 7′ FIG 3 40 FIG 4
分断面図、第2図は第1図に示すハイドロホンの部分斜
視図、第3図は実施例2の断面図、第4図は実施例3の
部分断面図である。 2・・・基本体、3・・・圧電能動領域、4.5・・・
電極、 6−・・接着層、lO・−・受波素子、11.
12−・・電気接続導線(リード線)、15・・会−1
−面、16・・・支持体、17.18・・会側面、22
、23・・拳稜、 24,25・・・溝、 26 、
27・・・リード線、32.36・・・増幅器、33.
37・・・基板、38・・・超音波結合媒体、39・I
III力/<−7(ルム、40−−・室、 41・・・
保護層、42・・・吸収体、44.46@・・マルチプ
レクサ。 FIG 1 7′ FIG 3 40 FIG 4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L)平らな圧電性基体(2)を備え、この基体の中には
圧電能動領域(3)を有する複数の受波素子(’10)
が直線上に配置され、基体の円上面側にはそれぞれ金属
の電極(4゜5)及び電気接続導線(11,12)のパ
ターンがこれら圧電能動領域に付設されているハイドロ
ホンにおいて、基体(2)の一平面側の電極(5)が機
械的な支持体(16)の平らな−E面(15)の−Lに
配置されると共に、非導電性で電気的な結合媒体として
の役を果たす共通の接着層(6)を介して基体(2)の
従属する能動領域(3)に容に的に結合されており、ま
た受波素子(10)に各一つの増幅器(32,36)が
付設されており、これら増幅器(32,26)が少なく
ともほぼ長さの等しいリード線(11,26又は12.
27)により支持体(16)の側面(17又は18)の
少なくとも一つに固定されると共に、支持体(16)の
−ヒ面(15)及び側面(17又は18)の稜(22又
は23)に隣接する表面領域が、接続導線(11又は1
2)の伺近においてそれぞれ稜(22,23)に垂直に
延びる各一つの溝(24又は25)を備えており、また
この溝(24,25)の内部の表面の少なくとも一部分
が金属化層を備え、この金属化層が従属する受波素子(
10)の電極(5)にばかりでなく従属する増幅器(3
2又は36)にも結合されていることを特徴とするハイ
ドロホン。 2)受波素子(io)の同一の格子寸法を有する複数の
モジュールが設けられ、これらモジュールをタンデム配
置した際にも格子寸法が維持されるように、これらモジ
ュールの受波素子(io)の始端と終端が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のハイド
ロホン。 3)混成増幅器(32)が用いられていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項又は第2項記載のハイドロホ
ン。 4)複ゲートMO3FETが混成増幅器(32,36)
の能動素子として用いられていることを特徴とする特許
請求の範囲第3項記載のハイドロホン。 5)複ゲー1− M OS F E Tがそのブリーダ
抵抗と共に共通の基板(33又は37)上に配置されて
おり、この基板が支持体(16)の側面(17又は18
)上に固定されていることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載のハイドロホン。 6)薄膜基板が用いられていることを特徴とする特許請
求の範囲第5項記載のハイドロホン。 7)音波伝搬媒体の音響インピーダンスより著しく高い
音響インピータンスを有する固い背当てが支持体(16
)として用いられ、この支持体の基体(2)と反対側の
表面」−に吸収体(42)が配置されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに
記載のハイドロホン。 8)音波伝搬媒体と少なくともほぼ同じ音響インピーダ
ンスを有する軟らかい背当てが支持体(16)として用
いられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第7項のいずれかに記載のハイドロホン。 9)電源及び少なくとも一つのマルチプレクサ(44,
46)を内蔵する室(40)の中に配置されることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第8項のいずれか
に記載のハイドロホン。 10) 室(40)の前側がカバーフィルム(39)に
より閉鎖され、このフィルムの厚さが測定すべき超音波
音場の波長より著しく小さいことを特徴とする特許請求
の範囲第9項記載のハイドロホン。 11)カバーフィルム(39)と受波素子(10)との
間に超音波結合媒体(38〕が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第10項記載のハイドロホン。 12)カバーフィルム(39)、がその受波素子(10
)と反対側の平面側上に導電性材料から成る保護層(4
1)を備えていることを特・ 徴とする特許請求の範囲
第10項又は第11項記載のハイドロホン。 13)受波素子(10)の基体(2)がカバーフィルム
として用いられていることを特徴とする特許請求の範囲
第10項記載のハイドロホン。 14)基体(2)が支持体(16)と反対側のその平面
側上に金属化層を備え、この金属化層が電極(4)を形
成すると共に受波素子(lO)のための共通な接地電極
として用いられていることを特徴とする特許請求の範囲
第13項記載のハイドロホン。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3420273 | 1984-05-30 | ||
DE3420273.0 | 1984-05-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60261293A true JPS60261293A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=6237290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60116327A Pending JPS60261293A (ja) | 1984-05-30 | 1985-05-29 | ハイドロホン |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4755708A (ja) |
EP (1) | EP0166180B1 (ja) |
JP (1) | JPS60261293A (ja) |
DE (1) | DE3568093D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2635247B1 (fr) * | 1988-08-05 | 1990-10-19 | Thomson Csf | Transducteur piezoelectrique pour generer des ondes de volume |
FR2664119B1 (fr) * | 1990-06-29 | 1993-06-11 | Inst Francais Du Petrole | Systeme integre de reception d'ondes acoustiques de grande longueur. |
GB9126082D0 (en) * | 1991-12-06 | 1992-02-05 | Nat Res Dev | Acoustic non-destructive testing |
US5744898A (en) * | 1992-05-14 | 1998-04-28 | Duke University | Ultrasound transducer array with transmitter/receiver integrated circuitry |
US5329496A (en) * | 1992-10-16 | 1994-07-12 | Duke University | Two-dimensional array ultrasonic transducers |
US5311095A (en) * | 1992-05-14 | 1994-05-10 | Duke University | Ultrasonic transducer array |
EP0772891A4 (en) * | 1994-07-22 | 1999-11-03 | Loral Infrared & Imaging Syst | NETWORK FOR ULTRASONIC IMAGING |
GB9502999D0 (en) * | 1995-02-16 | 1995-04-05 | Precision Acoustics Ltd | Ultrasound detector |
US5855049A (en) * | 1996-10-28 | 1999-01-05 | Microsound Systems, Inc. | Method of producing an ultrasound transducer |
CN107075940A (zh) | 2014-11-17 | 2017-08-18 | 哈里伯顿能源服务公司 | 无内部引线的水听器 |
CN107876919A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-04-06 | 北京海纳川汽车部件股份有限公司 | 活塞的制造方法以及活塞 |
EP4034307A4 (en) * | 2019-09-23 | 2023-10-11 | Fujifilm Sonosite, Inc. | MEMBRANE HYDROPHONE FOR HIGH-FREQUENCY ULTRASOUND AND METHOD OF MANUFACTURING |
CN113405645B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-09-27 | 哈尔滨工程大学 | 一种基于活塞的耐静水压光纤水听器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1530783A (en) * | 1976-01-30 | 1978-11-01 | Emi Ltd | Ultra-sonic pickup device |
JPS5825450B2 (ja) * | 1978-11-15 | 1983-05-27 | 三菱油化株式会社 | 生体用トランスジユ−サ |
DE3069001D1 (en) * | 1979-05-16 | 1984-09-27 | Toray Industries | Piezoelectric vibration transducer |
IT1162336B (it) * | 1979-06-22 | 1987-03-25 | Consiglio Nazionale Ricerche | Procedimento per la realizzazione di trasduttori ultraacustici a cortina di linee o a matrice di punti e trasduttori ottenuti |
FR2485857B1 (fr) * | 1980-06-25 | 1986-05-02 | Commissariat Energie Atomique | Sonde ultrasonore multi-elements et son procede de fabrication |
US4517665A (en) * | 1980-11-24 | 1985-05-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Acoustically transparent hydrophone probe |
DE3149732A1 (de) * | 1981-12-15 | 1983-07-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ultraschallwandleranordnung |
FR2531298B1 (fr) * | 1982-07-30 | 1986-06-27 | Thomson Csf | Transducteur du type demi-onde a element actif en polymere piezoelectrique |
DE3246661A1 (de) * | 1982-12-16 | 1984-06-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von um eine aussenkante fuehrenden elektrischen anschlussleitungen |
US4555953A (en) * | 1984-04-16 | 1985-12-03 | Paolo Dario | Composite, multifunctional tactile sensor |
-
1985
- 1985-05-17 EP EP85106107A patent/EP0166180B1/de not_active Expired
- 1985-05-17 DE DE8585106107T patent/DE3568093D1/de not_active Expired
- 1985-05-23 US US06/737,319 patent/US4755708A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-29 JP JP60116327A patent/JPS60261293A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3568093D1 (en) | 1989-03-09 |
US4755708A (en) | 1988-07-05 |
EP0166180B1 (de) | 1989-02-01 |
EP0166180A1 (de) | 1986-01-02 |
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