JPS60255974A - 複数のターゲツトリングを有するスパツタコーテイング源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はターゲット部剃を有するスパッタコーティング
源でおって、そこから薄いフィルムの蒸着のために物質
が飛ばされるものに関する。とりわけ、本発明はマグネ
トロンスパッタコーティング源に関する。

従来の技術 マグネトロンスパッタコーティング源は、真空チェンバ
内でガスの部分的真空部分にプラズマを造るために電子
をトラップする配列のスパッタターゲットのスパッタリ
ング表面上で交差する電場及び磁場を利用する供給源で
ある。電子はガス原子に衝撃して正に帯電したガスイオ
ンを形成する。

正に帯電したイオンは負に帯電したターゲットに引き寄
せられ、ターゲットの粒子をはじき飛ばす。

初期のマグネトロンスパッタコーティング装置において
は、基板の全域に一様な厚さのコーティングと、良い段
階の有効範囲を得るために、コーティングの間様々な方
向に基板を動かすことが慣例でおった。Ｊ！に最近では
、コーティングの間、基板が静止状態で保持される正常
所在コーティングのための装置が発達してきた。

また、しだいに大きくなる基板や異なる形状の基板をコ
ーティングする必要がふえている。本発明はこれらの必
要性を満たすための手段を提供するＯ 更に、ターゲットが浸食されるに従って蒸着率が変化す
る仁とが示されていた。この問題の解決法は一般譲渡さ
れた米国特許第４．１６６．７８３号である”Ｄｅｐｏ
ｓ　ｉ　ｔ　ｔｏｎ凡ａｔｅ　Ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ　
ｂｙ　（ｋｔｒ９ｕｔｅｒ０ｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　Ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇ　８ｙｓｔｅｍｓ’　で説明している
ように、ターゲットに供給される出力をターゲットのス
パッタリング操作中変化させることであった。別の出力
供給源は一般譲渡された、１９８３年１２月２７日に出
願された出願番号第０６１５６４，７７６号であり発明
者ドナルド・アール・ボーイズとロバート・エム・スミ
スの同時係属出願に説明され、参考によって具体化され
ている。前記係属出願はまた磁場の強さがスパッタ過程
に影１１１’ｃ及はすことを認めており、磁場を発生さ
せるために電磁石を利用し、このような磁場の強さは制
御可能となっている。

発明の目的 本発明の目的は、ターゲット手段上に復数の浸食領域？
有し、異った実施例において異った基板の形状及び大き
さの全域に所望の断面の蒸着の厚さを提供することであ
る。

発明の概要 好適実施例において、中心軸のまわりに互いに外へ向っ
て環状のターゲットが鎗かれている。磁場発生装置は環
状通路のまわりの各ターゲット上に輪郭を取る磁場を確
立するために提供される。

各ターゲットはそれ自身の独立した磁場発生手段を有し
、該手段は独立に制御可能な出力源を有し、それによっ
て各ターゲット上の磁場の強さが独立に制御可能となっ
ている。ターゲットは互いに電気的に分離されてお９、
各ターゲットは独立に制御可能な電源を有し、それによ
って各ターゲットへの電力は独立に制御されている。

好適実施例 第１図のスパッタコーティング源２は、中央アノード構
造物３、リング形中間アノード構造物４及び外側リング
形７ノード構造物５とから成る。

各７ノード構造物の間には内側リング形ターゲット６及
び外側リング形ターゲット７が在る。ターゲットの上部
表面は、そこからターゲット物質がはじき飛ばされる表
面である。ターゲット６及び７を支持するためのカソー
ド構造物を形成し、また、ターゲットの上部（スパッタ
）表面に亘る磁場を提供するための手段は、内側シリン
ダー１０、第１外側シリンダー１１、第２外側シリンダ
ー１２及び第３外側シリンダー１３から成る。シリンダ
ー１０−１３の各上端部に取り付けられているのは、そ
れぞれリング形磁極片ｉ　ｏ’、１１′、１２′及び１
３′である。代りに、磁極片はそれらの各々のシリンダ
ーに完全に形成されてもよい。明らかに示されるように
、第１図はスパッタ源の左半分を示しているに過ぎない
。右半分は左半分の鏡像であると理解されるべきである
。

シリンダー１０−１３及び磁極片ＩＣ；−１３′は全て
、軟鉄のような強磁性体でおる。部材１０、］　０’及
び１１，１１’によって形成される磁気回路はその底部
でリング形基板１６によって閉じられている。部材１２
．１２′、１３及び１イによって形成される磁気回路は
その底部でリング形基板１７によって閉じられている。

内部ターゲット６のための磁気回路は内部リング形電磁
石コイル２０によって付勢され、そのコイルには２本の
導、！３２１が提供されており、そのうちの１本は第１
図に示され、他の１本はコイル２０によって形成された
円周のまわ５に置きかえられている。同様に外部ターゲ
ット７のための磁気回路は導線２３が提供されたリング
形電磁石コイル２２によって付勢される。ターゲット６
（はじき飛ばされる物質から成る）は内側クランピング
リング２６によって、分離リング形ガスケット２５に対
して適切に保持され、密閉されている。また、外側クラ
ンピングリング２７は円上に置かれた螺子（図示せず）
のような手段によって各々磁極片１０′及び１１′に取
り付けられている。同様にまた、ターゲット７は内側ク
ランピングリング２９によって、分離リング形ガスケン
ト２８に対して適切に保持され、密閉されている。また
、外部クランピングリング３０は螺子（図示せず）によ
って各々磁極片１２′及び１３に取り付けられている。

クランピングリンク２６．２７．２９及び３０は非強磁
性の物質で作られている。磁極片１０′、１１′及び１
２′、１３′は、ターゲット６及び７の上に磁場の輪郭
のフリンギング（ｆｒｉｎｇｉｎｇ）　ｔ−引き起し、
それは１ｈ３１によって略示的に一般的な意味に示され
ている。磁場の輪郭３１は個々のターゲットの各上端の
上で、閉じ丸環状の通路のまわシに伸びている。

中央アノード３はリング形状で放射状に伸び、クランプ
リング２６と重なる上部リム３２ｔ−有するカップ形部
材である。７ノードカツプ３は螺子３４によって非磁性
の中央ボス）２１３に取り付けられている。ボスト３３
は周辺下部フランジ部分３Ｑ−ｉし、そのフランジ部分
は環状に配列され九螺子（そのうちの１つが３７で示さ
れている）によってリング形部材３６に取り付けられて
いる。

部材３６は電気的に絶縁性の物質で作られている。

絶縁体３６は環状に配列され良さら螺子３８によって非
磁性のリング形フランジ３９に取り付けられており、そ
のフランジ３９は溶接又はその他の方法でシリンダー１
０に取シ付けられている。ポスト３３の下方の空間は大
気圧になっているが、一方、ポストの上方の空間は真空
チェンバの内部に出ており、ガスケット４１及び４２に
よって装置の密閉した状態が提供される。導線４４がボ
スト３３の下部に取り付けられている。

内部ターゲット６は（例えば溶接によって）シリンダー
１０の外壁及びシリンダー１１の内壁に取り付けられ、
また、密閉された環状の非磁性ブロック４６＃Ｃよって
冷却される。ブロック４６は、円形に間隔を置かれ又は
連続する環状ノズル手段４８に接続された塊状通路４７
を有し、前記ノズル手段４８はターゲット６の下部表面
に向けて冷却液を出す。１つ又はそれ以上の放出管４９
は、ブロック４６の上方の空間から冷却液を取り除く。

入って来る冷却液は注入管（図示せず）によって塊状チ
ェンバ４７内に導入される。注入管は放出管４９からそ
の周囲に離されている。同様な方法で外側ターゲット７
はノズル手段４８′に接続された環状通路４ｉｒｇ有す
る環状ブロック４６′によって冷却される。ブロック４
６′の場合は、１つ又はそれ以上の冷却液注入管（その
うちの１つが５０で示されている）が通路４ｆに冷却液
を出す。ブロック４ｄはまた、管４９のような１つ又は
それ以上の放出管が提供され、ブロック４６にけ管５０
のような１つ又はそれ以上の注入管が提供されることが
理解されるであろう。

アノード４は断面Ｕ字形で各々クランプリング２７及び
２９に重なり放射状に伸びるリップ部分５２及び５３を
有するリング形構造物である。アノード４のための支持
構造物は、シリンダー１１の外側に溶接された非磁性リ
ング形フランジ５４と、シリンダー１２の内壁に溶接さ
れた非磁性リング形フランジ５５と、非磁性スペーサリ
ング５６及び゛電気的に絶縁されたリング５７とから成
り、それらは全て円状に間をおけて置かれた複数のボル
トによっていっしょに保持されておｐｌそのボルトの１
つが５８で示されている。ボルト５８は絶縁スリーブ５
９及び絶縁ワッシャー６０によってシリンダー１１及び
１２から′電気的に分離されている。密閉状態を維持す
るためにリング形ガスケットが６１．６２．６３．６４
及び６５に与えられている。

このように、ここまで記載してきた供給源構造物は、記
載したスパッタコーティング源構造物を受けるアパーチ
ャが備えられた！７（ｌ有する真空チェンバの内側に向
うターゲット６及び７が支持されるのに適している０ス
パツタコーテイング源構造物は、環状の非磁性フランジ
７１によって壁７０に取り付けられており、そのフラン
ジ７１はシリンダー１３の外壁、電気的に絶縁されたリ
ング形部材７２及び電気的に絶縁され、円状に関ｔ６け
て置かれた複数のクランプに溶接されており、その１つ
が螺子７４によって壁７０に取り付けられ、７３によっ
て示されている。外部アノード５は複数の円状に配置さ
れた螺子７６（第１図及び第３図を参照）Ｋよってチェ
ンバ壁７０の内側表向上に取り付けられている。アノー
ド５はクランプリング３０に重なる円状リム部分７７を
有する。アノード３．４及び５の位置及び構造は、クラ
ンプリングからのスパッタリングを防ぐためにアノード
の形状がクランプリング２６．２７．２９及び３０の上
１＆うようなものであることを示すべきである。

第１図に示されたスパッタコーティング装置は、磁性体
でコーティングされるべき磁気ディスク基板のような環
状基板をコーティングするために特別に設計されている
。このよう々基板８０け第２図にその断面が示されてお
り、コーティングされるべき円状の固体外部部分８１と
中心孔８２を有する。基板８０はスパッタリング中、支
持手段８５によってターゲット６及び７から離された位
置でスパッタコーティング源の中心軸に垂直な方向に向
けられて不動に保持されている。支持手段８５はリング
８６の形式でもよく、リング８６はディスク８０の周囲
に間をあけて配置した複数の変形可能なスプリングクリ
ップ全支持し、このようなりリップの１つが８７で示さ
れている。基板が磁性体でコーティングされるときは、
ターゲット６及び７は盾望の磁性体で作られることが理
解されるであろう。

本発明の重要な見地は、各ターゲットが互いに電気的に
絶縁されており、各ターゲットのためのプラズマへの電
力が独立に制御できるということである。特に第１図を
参照すると、制御可能なプラズマ電源９０は強磁性回路
を介してターゲット６に接続され、また、アノード３の
ための導ｍ４４にも接続されている。第２の独立に制御
可能なプラズマ電源９４はターゲット７のための強磁性
回路を介してターゲット７に接続され、また、アノード
４のための導＠９５Ｖｃも接続されている。電源９０及
び９４け、７ノードに関して負電位にターゲットに働く
。好適にはチェンバ壁７０及びアノードが皆ゼロ′醒位
であることである。ターゲットは互いに絶縁されており
、独立に制御ｂ」能な電源によって独立に駆動されるの
で、各ターゲットのためのプラズマへの電源は制御でき
る。ンラズマ出力における増減は、各プラズマのもとて
のターゲットからのスパッタリング率の各増加又は減少
を引き起こす。このような制御はターゲットに対する等
しい蒸着率又は、１つのターゲットと別のターゲットの
異なる蒸着率を得ること全可能にし、どちらも初期スパ
ッタリング及びターゲットの浸食の全域にわたって可能
である。

更に各ターゲラ）＝に制御するために独立に制御可能な
磁気回路を有することもまた重要なことである。再び第
１図を参照すると、制御可能な電源９６が導１１９７に
よって内部電磁石コイル２０の１つの導＠２１に接続さ
れており、導線９８によってコイル２０のために周囲に
置き換えられた他の導線２１（図示せず）に接続さｔて
いる。第２の制御可能電源９９は同様に導線１００及び
１０１によって外部電磁石コイル２２のための導線２３
（１本だけ示しである）に接続される。コイル２０及び
２２は独立に制御可能な電源によって独立に駆動される
ので、ターゲット上の磁場は互いに等しく又は異なるよ
うに制御可能で、どちらもスパッタリングの初期及びタ
ーゲットの浸食の全域にわたり可能でおる。磁場の強さ
の増加は概してスパッタリングが現われるターゲット表
面の浸食部分を細くする傾向がある。同様に、磁場の強
さの減少は、概してターゲットの浸食部分を広くする。

浸食幅におけるこのような変化は、個々のターゲットの
各々により基板の与えられた部分上で蒸着された物質の
厚さの縦断面に影響を及ぼす。このような個々の磁場に
対する独立した制御可能性は、独立プラズマ電源９０及
び９４によって提供された制御に付随して、更にスパッ
タリングに影響を与える選択制御パラメータを提供する
。

ターゲット６及び７のようなターゲットからのスパッタ
リングは磁場の輪郭３１のもとの浸食領域内で起こシ、
はじき飛ばされた物質の蒸着は浸食領域の中心のライン
で最大でｓｂ、この中心の両側で外に向って減少するこ
とは当業者には明らかで６ろう。第２図を参照すると、
ディスク８０の固体部分８１上の蒸着はターゲット６か
らの蒸着とターゲット７からの蒸着の組合わせでおるこ
とが理解されよう。部分８１の右側の蒸着は王にターゲ
ット６からでめり、部分８１の左側の蒸着は主にターゲ
ット７からでおる。部分８１の中心に接近した領域では
、蒸着は双方のターゲットからほとんど同じで、双方の
ターゲットからの蒸着率は等しいと仮定する。従って、
部分８１の幅にわたる実際の蒸着の厚さは、ターゲット
６とターゲット７とからの蒸着の組合わせになる。

磁場及びターゲット６と７のプラズマのための電力は独
立に制御されるので、最も効果的にコーティングする目
的の九めに１つのターゲットからのスパッタリングを他
のものに関して制御できるという点で最大限度の融通性
が提供される。前記の最も効果的なコーティングとは固
体基板部分８１にわたって実質的に一様か、おる程度の
所望する非一様性の度合全書ることである。捷た、各タ
ーゲットがそれ自身の２つの独立した磁石装置を有する
ということは、１つのターゲラ）ｋ他のターゲットに関
してより高い又は低す高さに買くことを比較的容易なこ
とにしている。どのような状態においても、基板部分８
１に亘って得られる特別な厚さの断面は、ターゲット６
と７との間隔、各ターゲット上の浸食領域の幅、（いく
らかでもあれば）ターゲットの高さ、ターゲットと基板
との間隔及び各電源９０，９４．９６と９９の制御の関
数である。特別に所望されたコーティングの断面金最も
効果的にするためのこれらの様々なパラメータの構成は
、実験及び／又は良く知られているはじき飛ばされた粒
子の軌道パターン及びチェンバ内に与えられたガスの圧
力に対する蒸着率に基いたコンピュータ計算によって得
られる。また、独立した磁気及びプラズマ電源？もつ１
つ又はそれ以上の付加的環状ターゲットはディスク基板
を収容するために放射状にターゲット７の外側へ置いて
もよいと理解すべきでおる。前記ディスク基板は実質的
にディスク８０の固体部分８１よりも幅の広い固体塊状
部分を有ブる。

第４図は本宛弘の別の実施例の略示断面図であり、特に
、円形半導体ウェーハ１０５のような固体基板のコーテ
ィングに過したものである。第４図のスパッタコーティ
ング＄１０６は、中央リンク形ターケット１０７、中間
リング形ターゲット１０８及び外側リング形ターケント
１０９から成る。ターゲット１０７は内側シリンダー１
１０及びとシ巻きシリンダー１１１の上に取り付けられ
ており、前記２つのシリンダーはどちらもリング形ベー
スグレート１１２の上に取り付けられている。ターケラ
）１０８はシリンダー１１３及び１１４上に取り付けら
れておシ、どちらのシリンダーもリング形ベースプレー
ト１１５上に取り付けられている。ターゲット１０９け
シリンダー１１６及び１１フ上に取り付けられており、
どちらのシリンダーもベースプレー）１１８上に取シ付
けられている。第１図の実施例の場合のように、全ての
シリンダー及びベースプレートは強磁性体物質で作られ
ている。ターゲット１０７のためのシリンダー１１０及
び１１１はリング形電磁石コイル１２０によって磁気的
に付勢されており、そのコイル１２０はコイル電源に接
続するだめの導線１２１及び１２２ｔ−有する。ターゲ
ット１０８のためのシリンダー１１３及び１１４は電磁
石コイル１２３によって磁気的に付勢されており、その
コイル１２３はコイル電源に接続するための導線１２４
及び１２５（ｉ−有する。ターゲット１０９のためのシ
リンダー１１６及び１１７は電磁石コイル１２６によっ
て磁気的に付勢されており、そのコイル１２６はコイル
電源に接続するための導線１２７及び１２８金有する。

明らかに冷却手段とアノードシールドは第１図に対して
記載したと同様な方法で第４図にも組み込むことができ
る。また、第１図のものと同様に、ターゲット１０７．
１０８及び１０９は互いに電気的に独立でワシ、独立に
制御可能なコイル電源と独立に制御可能なプラズマ電源
がターゲットの各々に提供されてもよいことが理解され
るべきである。特に第４図は、ターゲットの相対高さが
異なる（ターゲット１０８はターゲット１０７よりも低
く、ターゲット１０９はターゲット１０７よりも高い）
ときの可能性の点での本発明の融通性を示しているＯこ
のような異なる属さは蒸着パターンの付加的制御全提す
る。なぜならばこのようなノくターンはターゲットと基
板との間隔の関数だからである。

プラズマ電源及びコイル電源はｄ、ｃ、’電源であると
して示されてきたが、どちらか一方が又は双方とも交流
電源であってもよい。好適にけコイル電源はａ、　ｃ、
でありプラズマ電源はｒ、　ｆ、である。また、前記の
プラズマ及びコイル電源に関するＢｏｙｓ及びＳｍ１ｔ
ｈの出願における教示は本発明において使用される独立
した電源の制御における使用に適用できることが理解さ
れるべきでおる。

プラズマ領域の最大の独立性及び個別性を得るために、
近接したターゲットのための磁極に近接した１つのター
ゲットのための磁極は同じ極性でおるべきことが知られ
るべきである。例えば第１図において、磁極片１１’及
び１２′を形成する磁極は文字Ｎ及びＳで示されている
ように同じ極性金有するべきである。

基板、磁極片及びターゲットスパッタ表面はこの記載中
食て円形でめると記載されているが、矩形又は楕円形の
よう女他の形状を用いることが可能であると理解される
べきである。また、第１図における中央アノード３は省
略されてもよく、また、ターゲット６はリング形の代シ
にソリッドディスクでもよいことが理解されるべきであ
る。この配列はまた２つのターゲットのための独立した
プラズマ及び独立したコイル電＠を保持できるだろう。

更に、わる状況においてはターゲット表面上の個々の浸
食領域にかかる磁場だけを低刈に制御することで十分で
あろう。このような状況において、独立リング形ターゲ
ットは外部アノードのみを使用する単一のディスク形タ
ークットとじて作られてもよい。このようが配列におい
ては、独立に間隔’ｔｔかれた浸食領域はまた個々の磁
極片の間の磁場の下に置かれ、このような磁場は独立に
制御可能となる。しかし、このような配列は独立したプ
ラズマの各々に対する電力の独立した制御を可能にする
という有力な付加的制御特徴を失う。別の態様は独立タ
ーゲット及び独立して制御可能なプラズマ電源金利用す
るであろうが、例えは永久磁石の使用によって磁場の独
立した制御を省略することができる。しかし、更び同じ
制御上の重度の損失を伴う。

本発明のいくつかの特徴的な実施例が記載され図示され
てきたが、特別に１示され記載された実施例の細部にお
ける変史が、添付した特許請求の範囲に限定された本発
明の真の精神及びその範囲から逸脱することなく行うこ
とが出来ることは明らかなことである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従った円形スパッタ源の左半分の断面
図である。 第２図は第１図の上部部分及びそれとコーティングのた
めにスパッタ源によって不動の位ｆｌｌＫ＆かれた環状
磁気ディスク基板の左半分との関係を示す。 第３図は第１図のスパッタ源の減縮した全平面図を示す
。 第４図は本発明の別の実施例の略示町面図でわるＯ 主要符号の説明 ２−−コーティング源 ３−一中央アノード構造物 ６−一内側リング形ターゲツト ７．１０９−一外側すング形ターゲット１０’、　１１
’、　ｓ２′、　１ａ’−一磁極片２０、２２．１２０
．１２３．１２６一−電磁石コイル８０−−基板 ８２−一中心孔 ９０、９４−−プラズマ電源

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　プラズマがターゲット表面から粒子をスパッタリ
   ングするためのガスイオンを発生させる装置に利用する
   スパッタコーティング装置であって、前記装置はスパッ
   タコーティング源から成り、該スパッタコーティング源
   は、ａ）第１環状磁極片と、 ｂ）該第１磁極片のまわシで外側へ間隔をあけられた第
   ２環状磁極片と、 Ｃ）該第２磁極片のまわりで外側へ間隔をあけられた第
   ３環状磁極片と、 ｄ）該第３磁極片のまわりで外側へ間隔をあけられた第
   ４環状磁極片と、 ｅ）スパッタされる物質から成る表面を有し、前記第１
   及び第２磁極片の間でそれらに近接して置かれた第１環
   状ターゲツトと、ｆ）スパッタされる物質から成る表面
   を有し、前記第１環状ターゲツトのまわシで外側へ間隔
   をあけられた第２環状ターゲツトであって、前記第３及
   び第４磁極片の間でそれらに近接して置かれた第２環状
   ターゲツト、を形成し、前記第１及び第２ターゲツトの
   どちらの表面も同じ方向を向いているように形成する手
   段を有するところの装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置でおって、 前記ターゲットの前記スパッタ表面から間隔をあけられ
   、中心孔が前記第１塊状磁極片の中心と同心に置かれた
   環状基板と組合わさった装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であって、 前記基板が同じ大きさであって、その環状固体部分の外
   縁が前記第２環状基板の内縁と外縁との間で一直線にな
   っておシ、その環状固体部分の内縁が前記第１環状ター
   ゲツトの内縁と外縁との間で一直線になっているところ
   の装置。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された装置であって、 前記基板及び前記ターゲットは全て円状であり、該ター
   ゲットが磁性体を含むところの装置。 ５、　％許請求の範囲第１項に記載された装置でおって
   、 更に、前記第２及び第３磁極の間に置かれ、前記第２磁
   極に重なる第１環状部分と前記餓３磁極に重なる第２環
   状部分を有する７ノードを有するアノード手段から成る
   ところの装置。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された装置であって、 更に、前記第４磁極に重なる環状部分を有する７ノード
   から成るところの装置。 ７、特許請求の範囲第６項に記載された装置であって、 更に、前記第１環状磁極内圧置かれ、前記第１磁極に重
   なる環状部分を有するアノード手段から成るところの装
   置。 ８、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって、 更に、前記ターゲットを互いに電気的に独立させる絶縁
   手段から球るところの装置。 ９、　特許請求の範囲第８項に記載された装置であって
   、 更に、前記第１ターゲツトのための制御可能なプラズマ
   電源と前記第２ターゲツトのための独立制御可能なプラ
   ズマ電源とから成るところの装置。 １０、％許請求の範囲第１項に記載場れた装置であって
   、 前記第２磁極の極性が前す上第３磁極の極性と同じでお
   るところの装置。 １１、特許請求の範囲第１項に記載された装置で６って
   、 前記磁極形成手段が前記第１及び第２磁極のための電磁
   石コイルと前記第３及び第４磁極のための独立電磁石コ
   イルを有し、更に、前記コイルの１つのための制御可能
   な電源と前記コイルの他のコイルのための独立制御可能
   な電源から成るところの装置。 １２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって
   、 前記ターゲットのスパッタ表面が異なる平面内にあると
   ころの装置。 １３、プラズマがターゲット表面から粒子をスパッタリ
   ングするためのガスイオンを発生させる装置に利用する
   スパッタコーティング装置であって、該装置はスパッタ
   コーティング源から成や、該スパッタコーティング源は
   、ａ）前記内側環状浸食部分と該内側環状浸食部分から
   間隔をあけてとシ囲んでいる外側環状浸食部分とを有す
   るターゲット手段と、ｂ）前記内側環状浸食部分にかか
   る第１組の磁場輪郭と前記外側環状浸食部分にかかる第
   ２組の磁場輪郭を提供するための磁石手段、 と金有し、該磁石手段は前記内側環状浸食部分にかかる
   磁場を形成するための１絹の２つの環状磁極と前記外側
   環状浸食部分にかかる磁場を形成するための独立した１
   組の２つの環状磁極金有し、前記磁気手段は、前記磁場
   輪郭の第１及び第２組が互いに間隔をあけられており、
   前記第１と第２組の磁場輪郭の闇の前記ターゲット手段
   上に磁場輪郭のない場所が形成されるところの装置。 １４、％−許蛸求の範囲第１３項に記載された装置であ
   って、 前記ターゲット手段が更に、前記外側塊状浸食部分のま
   わりに間隔をあけて置かれた第３環状浸食部分とから成
   り、前記磁気手段が更に、前記第３環状浸食部分にかか
   る磁場を形成する２つの環状磁極から成るところの装置
   。 １５、％許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   て、 前記ターゲットのスパッタ表面が異なる平面内にあると
   ころの装置。 １６、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   て、 前記ターゲット手段が前記第１浸食部分を有する第１タ
   ーゲツトと、該第１ターケツトから間隔をあけられ、前
   記第２浸食部分を有する第２ターゲツトとから成る装置
   。 １７、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   て、 前記ターゲット手段が前記第１浸食部分を有する第１タ
   ーゲツトと、該第１ターゲツトから電気的に絶縁され、
   前記第２浸食部分を有する第２ターゲツトを有し、また
   更に、前記第１ターゲツトのための制御可能なプラズマ
   電源と、前記第２ターゲツトのための独立に制御可能な
   プラズマ電源とから成る装置。 １８、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   て、 前記磁気手段が前記磁極の組の１つのための電磁石コイ
   ルと前記磁極の他の組のための独立した電磁石コイルと
   を有し、また更に、前記コイルの１つのための制御可能
   な電源と前記コイルの他のコイルのための独立制御可能
   な電源とから成るところの装置。 １９、スパッタコーティング装置であって、基板上にタ
   ーゲット物質を蒸着するためにターゲット表面から粒子
   をスパッタリングするためのガスイオンをプラズマが発
   生させる装置に用いられ、前記装置は単一の電源を有し
   、該電源が、 ａ）第１ターゲツトと、 ｂ）該第１ターゲツトから間隔をおいた第２ターゲツト
   と、 Ｃ）前記第１ターゲツトｆ覆う１組の磁場輪郭と前記第
   ２ターケツトヲ扱う別の組の磁場輪郭であって、電子を
   閉じ込め、前記第１ターゲツト上に局限されたプラズマ
   領域全形成し、前記第２ターゲツト上に別の局限された
   プラズマ領域を形成するところの磁場輪郭を発生させる
   ための手段、 とから成る電源から成るところの装置。 ２０、スパッタコーティング装置であって、基板上にタ
   ーゲット物質を蒸着するためにプラズマがターゲット表
   面から粒子をスパッタリングするためのガスイオンを発
   生させる装置に用いられ、前記装置は単一の電源を有し
   、該電源が、 ａ）第１及び第２ターゲツトであって、該ターゲットの
   各々は表面を有し、そこから前記ターゲットから間隔を
   おいて基板に向って一般的方向に物質がスパッタし、前
   記ターゲットのスパッタ表面は前記一般的方向に沿って
   互いに間隔をおかれているところのターゲットと、 ｂ）前記ターゲットの１つの上に磁場を形成する手段と
   、 Ｃ）前記ターゲットの他のものの上に独立磁場を形成す
   る手段、 とから成る装置。 ２１、スパッタコーティング装置であって、プラズマが
   ターゲット表面から粒子をスパッタリングするためのガ
   スイオンを発生させる装置に用いられる装置で、 ａ）複数の概して同心円の塊状ターゲットであって、各
   ターゲットが基板上にスパッタされる物質の表面を有す
   るところのターゲットと、 ｂ）前記ターゲットの各々のスパッタ表面を個別に覆う
   複数の磁場を提供するだめの手段と、 Ｃ）前記ターゲットから間隔をあけた７ノ一ド手段でお
   って、前記ターゲットが互いに、また、前記アノード手
   段から電気的に絶縁されているところのアノード手段と
   、 ｄ）前記ターゲットの数と等しい数の複数のプラズマ電
   源手段と、 ｅ）各プラズマ電源手段を前記ターゲットの各々の１つ
   と接続し、また、前記アノード手段と接続し、それによ
   って、各ターゲットに供給される電源が、他の各ターゲ
   ットに供給される電源と異なることが可能であるところ
   の手段、 とから成る装置。 ２２、スパッタコーティングの方法でおって、基板上に
   ターゲット物質を蒸着するため罠、プラズマがターゲッ
   ト表面から粒子をスパッタリングするためのガスを発生
   させる方法であｐ１該方法は、 ａ）第１ターゲツト上に第１プラズマを形成する工程で
   あって゛、前記第１ターゲツト上の位置に前記第１プラ
   ズマを閉じ込めるための第１磁気装置を用いるところの
   工程と、ｂ）第２ターゲツト上に第２プラメマを形成す
   る工程であって、前記第２ターゲツト上の位ｆＫ前記第
   ２プラズマを閉じ込めるための第２磁気装置を用い、前
   記第２ターゲツトが前記第１ターゲツトのまわりに間隔
   ｔＳけて置かれているところの工程と、Ｃ）前記第１ブ
   ラズ１に第１の制御可能な電源により電力を提供する工
   程と、 ｄ）前記第２プラズマに第２の制御可能な電源により電
   力を提供する工程と、 Ｃ）前記両方のターゲットからスパッタされた物質でコ
   ーティングするための前記ターゲットに近接して基板を
   置く工程、 とから成る方法。 ２３、’Ｉ’Ｉ許梢求の範囲＃！２２項に記載された方
   法によってコーティングされた基板。