JPS60255946A - Novel nickel/indium alloy and use for manufacturing print distributing board - Google Patents

Novel nickel/indium alloy and use for manufacturing print distributing board

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JPS60255946A
JPS60255946A JP9354385A JP9354385A JPS60255946A JP S60255946 A JPS60255946 A JP S60255946A JP 9354385 A JP9354385 A JP 9354385A JP 9354385 A JP9354385 A JP 9354385A JP S60255946 A JPS60255946 A JP S60255946A
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JP
Japan
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indium
nickel
alloy
metal
acid
Prior art date
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Pending
Application number
JP9354385A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
ジヨージ・ジヨセフ・サミユエルス
ジヨセフ・マーチン・ガーマン
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Allied Corp
Original Assignee
Allied Chemical Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気デバイスの製造に有用な新規なはんだ付は
可能なニッケルおよびインジウムの合金。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is a novel solderable nickel and indium alloy useful in the manufacture of electrical devices.

ならびにこの種の合金製造に用いろ電気めっき浴に関す
る。本発明の他の観点は本発明のニッケル/インジウム
合金がエッチレジストとして、また銅回路上の保護被膜
として用いろ釣るプリント配線板に関するっ本発明のさ
らに他の観点は5回路部品がニッケル/インジウム合金
から構成されるプリント配線板その他の電気デバイスに
関″f′る。
It also relates to electroplating baths used in the production of this type of alloy. Another aspect of the present invention relates to printed wiring boards in which the nickel/indium alloy of the present invention is used as an etch resist and as a protective coating on copper circuitry. It relates to printed wiring boards and other electrical devices made of alloys.

本発明のさらに他の観点は、この種のプリント配線板の
製法、およびこO)方法により製造されたプリント配線
板に関する。本発明の他の観点は以下の詳細な説明およ
び特許請求の範囲から明らかになるであろ5っ プリント配線板は近代的エレクトロニクス工業により連
結デバイスとして広く用いられて(・る。
Still other aspects of the present invention relate to a method for manufacturing a printed wiring board of this type, and a printed wiring board manufactured by this method. Other aspects of the invention will become apparent from the following detailed description and claims.Printed wiring boards are widely used as interconnecting devices by the modern electronics industry.

この種の配線根域製造するためσ)先行技術による製造
法はサブトラクティブ法、アディティブ法またはセミア
ディティブ法として特色づけられる。
σ) Prior art manufacturing methods for producing this type of wiring root zone are characterized as subtractive, additive or semi-additive methods.

サブトラクティブ法によりプリント配線板乞作成するた
めの一般的技術は周知である。サブトラクティブ法の例
は米国特許第3,673,680号および第4.135
,988号各明細書に記載されている。
General techniques for producing printed wiring boards by subtractive methods are well known. Examples of subtractive methods are U.S. Patent Nos. 3,673,680 and 4.135.
, No. 988.

サブトラクティブ法の一変法においては、銅積層基根域
(iii宜な調製工程、たとえば洗浄ののち)保護用ホ
トレジスト層で被覆する。次いでホトレジスト層乞目的
とする回路パターンでマスクし。
In one variant of the subtractive method, the copper laminate base area (after optional preparation steps, eg cleaning) is coated with a protective photoresist layer. The photoresist layer is then masked with the desired circuit pattern.

紫外線源などのエネルギー源VCQ光する。紫外線が当
たった部位ではホトレジストが重合し、現1象液に不溶
性となる。未露光部分のホトレジストが現像液により洗
い去られると、あらかじめ選はれた回路パターンまたは
画g11.鴇域が現われる。次いで、未癲光部分のホト
レジストにより被覆されていたむき出しの鋼の上に、標
準的な電気めっき技術?用いて追加の銅を析出させ、続
いて同様に標準的な技術により厚さ約10〜約15ミク
ロンの60/40スズ/鉛合金のエッチレジスト’vt
iさせる。次いで残存するホトレジスト7除去する。
An energy source such as an ultraviolet source VCQ light. The photoresist polymerizes in the areas exposed to ultraviolet light and becomes insoluble in the imaging solution. When the unexposed areas of the photoresist are washed away by a developer, the preselected circuit pattern or image g11. The Toki area appears. Standard electroplating techniques then applied over the bare steel which was covered with photoresist in the unexposed areas. Additional copper is deposited using a 60/40 tin/lead alloy etch resist with a thickness of about 10 to about 15 microns, also using standard techniques.
Let me do it. Then, the remaining photoresist 7 is removed.

この時点で、鋼クラッド積層体の表面は、標準的エツチ
ング剤(たとえばアンモニア注鋼などのアルカリ性エツ
チング剤、および硫酸化水素などの酸性エツチング剤)
?用いてエツチングされたむき出しの銅の領域、および
保護用金属系エッチレジストによりエツチング剤から保
護された銅の領域からなる。エツチングののち、銅回路
乞覆っているスズ/鉛合金を再流動化して、はんだ付け
、に適した光輝のある均質な回路を得ろ。はんだ付けの
のちフラックスの残りを除去することができろ。
At this point, the surface of the steel clad laminate is etched using standard etching agents (e.g. alkaline etching agents such as ammonia pouring, and acidic etching agents such as hydrogen sulfide).
? and areas of copper that are protected from the etchant by a protective metal-based etch resist. After etching, the tin/lead alloy covering the copper circuit is reflowed to obtain a bright, homogeneous circuit suitable for soldering. Be able to remove the flux residue after soldering.

さらにプリント回路に孔あけしてこれにホール?施すこ
とができろ。孔あけは工程σ)いかなる段階でも、たと
えは銅積層体の最初の清浄処理の後に行われる。プリン
ト回路が一方側の銅回路と他方側の銅回路の間の電気接
点馨確立するめつぎスルーホール?備えた両面のものに
する場合、孔あけしたホールの内面乞嘴浄にし、@媒(
たとえはパラジウム/スズ触媒)で被覆し9次いで銅そ
の他の適切な導電性材料馨ホールの内面に無電解めっき
法により析出させる。さらに、追加の導電性材料馨第1
層の電気めっきした材料上に電気めつぎし、必要な゛底
流を運ぶのに十分な厚さの導電性材料?施す、各構成要
素?フローはんだ付は法により(たとえばウェーブはん
だ付は機?用いて)プリント配線板上に固定する場合、
はんだ?施すべきでない部分の鋼回路上にはんだマスク
乞プリントする。銅回路のホール上にスズ/鉛合金を電
気めっきする代わりK]はんだン施すべき部分の回路上
にのみ選択的にスズ/鉛合金?めっきすることができる
。この代替法はスズ/鉛合金により被覆さねてぃない部
分の回路上に異なるエッチレジストをプリントすること
?伴うものであり、これは位置合せその他の問題音生じ
る。
Furthermore, drill a hole in the printed circuit and make a hole in this? Be able to give. Drilling is carried out in step σ) at any stage, for example after the first cleaning treatment of the copper laminate. A through-hole where the printed circuit establishes electrical contact between the copper circuit on one side and the copper circuit on the other side? If you want to make a double-sided one with a hole, clean the inside of the drilled hole, and
For example, a palladium/tin catalyst) is then coated with copper or other suitable conductive material and deposited on the inner surface of the hole by electroless plating. In addition, additional conductive material
A layer of conductive material that is electroplated onto the material and is thick enough to carry the required undercurrent? Each component to be applied? When fixing on a printed wiring board using flow soldering (for example, wave soldering using a machine),
Solder? Print a solder mask on the steel circuit where it should not be applied. Instead of electroplating tin/lead alloy over the holes in the copper circuit, selectively apply tin/lead alloy only on the circuit where soldering is to be applied? Can be plated. An alternative to this is to print a different etch resist on the parts of the circuit that are not covered by the tin/lead alloy? This results in alignment and other problems.

プリント配線板ヲ製造するためのセミアディティブ法に
おいては、絶縁性基板にスルーホール?あけ1次いで一
般に貴金属イオンにきむ活性化浴液乞用いて基板および
スルーホールを活性化する。
In the semi-additive method for manufacturing printed wiring boards, through-holes are used in insulating substrates. 1. The substrate and through-holes are then activated using an activation bath, typically containing noble metal ions.

コレに次いで基板の上面および形成されたホールの壁に
@馨無電解めっきする。これは銅の無電解めっき液に浸
漬することにより達成される。次いで巣ルジストたと憂
−はホトレジストまたはスクリーン印刷可能なレジスト
ヲ、上記で形成された板に希望する回路パターンのネガ
増で施し、希望する回路パターンに対応する無を晴銅執
域?拠出させておく。次いで、こねりの島田した8部分
(ホール@を含む)の上部に鋼層馨電気めっきする。第
ルジスト馨除去し、この構造物乞しdらく鋼エツチング
剤に&漬し、これにより被覆されティない無電解鋼?除
去する。あるいは基板の電気めっき面に第2のエッチレ
ジスト(たとえば銀。
Next, electroless plating is applied to the upper surface of the substrate and the walls of the formed holes. This is accomplished by immersion in a copper electroless plating solution. Next, a photoresist or screen printable resist is applied to the board formed above with a negative version of the desired circuit pattern, and a blank corresponding to the desired circuit pattern is applied to the photoresist or screen printable resist. I'll let you contribute. Next, a steel layer is electroplated on the upper part of the 8 parts (including the hole) of the kneading. Is it possible to remove this structural material by soaking it in a steel etching agent and coating it with electroless steel? Remove. Alternatively, a second etch resist (eg, silver) is applied to the electroplated side of the substrate.

スズ、鉛または金)?電気めっきして、電気めっきされ
た銅の表面?第ルジストの除去前[仮覆し1次いで第ル
ジストヲ除去し、鋼乞エツチングする。第2エツチレジ
ストの土層にある鋼を1配線板上に目的回路化形成する
tin, lead or gold)? Electroplated and electroplated copper surface? Before the removal of the first lugist [temporarily covered, first remove the lugist, and perform steel etching. The steel in the second etch resist layer is formed into a desired circuit on one wiring board.

これら既知のサブトラクティブ法およびセミアディティ
ブ法によるプリント回路C%にめっきスルーホール?備
えたプリント回路)の製造はかなり複雑であり、多数の
異なる工程を伴い、銅回路のエツジ接点電域部分からス
ズ/鉛合金?除去するために、およびスズ/鉛合金?再
流勧化させるためにエネルギー?必要とし、また比奴的
高価である。さらにこれら既知の方法により製造された
プリント回路は、プリント回路に構成要素?フローはん
だ付けする間に、スズ/鉛合金(190℃という低い融
点?もつ)がはんだ付は操作の熱(通常は約26.0℃
)のもとではんだ付はマスク下において流ね出しやすく
、短絡を生じ、構成狭素が固定されたプリント回路の外
観?損うoT能性がある点で不満足である゛。
Plated through holes in printed circuit C% by these known subtractive and semi-additive methods? The manufacture of printed circuits (with printed circuits) is fairly complex and involves a number of different steps, from the edge contact areas of copper circuits to tin/lead alloys. and tin/lead alloys to remove? Energy to encourage reflow? It is also relatively expensive. Furthermore, printed circuits manufactured by these known methods are components of printed circuits? During flow soldering, the tin/lead alloy (which has a low melting point of 190°C) is soldered under the heat of the operation (usually around 26.0°C).
) Under the mask, soldering tends to bleed out, causing short circuits, and the appearance of printed circuits with fixed configuration elements? It is unsatisfactory in that it has the potential to damage OT performance.

本発明は“有効量”のインジウム?含有する新規なニッ
ケル/インジウム合金?提供する。本発明の合金は、一
般のスズ/鉛はんだをエッチレジストとして用いる場合
に1遇するプリント配線板を製造するための先行技術に
伴う多くσ)欠点?除去する。たとえは本発明の新規な
ニッケル/インジウム合金は各横取費素馨最終プリント
回路板にはんだ付けするのに用いもわろはんだ付は温度
よりも大幅に高い融点馨もつ。従ってスズ/珀はんだレ
ジストについて遭a−fる溶融または再Kt動化の問題
が除かれる。さらに、本発明のニッケル/インジウム合
金の他の利点は、こわが高い導電性をもち、はんだ付は
可能であるという点である。
Is the present invention an “effective amount” of indium? A new nickel/indium alloy? provide. The alloy of the present invention has many of the drawbacks associated with the prior art for producing printed wiring boards when using common tin/lead solders as etch resists. Remove. For example, the novel nickel/indium alloy of the present invention has a melting point that is significantly higher than the soldering temperature used to solder each component into a final printed circuit board. Thus, the problems of melting or re-Kt mobilization encountered with tin/tin solder resists are eliminated. Furthermore, another advantage of the nickel/indium alloy of the present invention is that it is highly conductive and can be soldered.

従って本発明の合金はエツチング後に配線板から除去す
る必要がなく、そσ)構造物の下層の銅回路を保護する
永久部品として残存することができろ。
Therefore, the alloy of the present invention does not need to be removed from the wiring board after etching and can remain as a permanent component to protect the underlying copper circuitry of the structure.

さらに本発明の新規なニッケル/インジウム合金は優れ
た耐食性および接点抵抗を示す。従ってこの合金乞プリ
ント回路その他σ)yt気デバイス用エツジ隈点領域に
おいて金2全体的Kまたは部分的に代替するものとして
使用することができろ。
Furthermore, the new nickel/indium alloy of the present invention exhibits excellent corrosion resistance and contact resistance. Therefore, this alloy could be used as a total or partial replacement for gold in the edge area for printed circuits and other devices.

本発明の他の観点は1本発明の新規なニッケル/インジ
ウム合金がその部品であるが、あるいはその構成に際し
てエッチレジストとして用いらねろプリント配線板に関
する。本発明σ)さらに他の観点は1本発明の新規な合
音ン使用することによりプリント配線板その他の電気デ
バイス乞製造する方法に関する。本発明0)さらに佃、
σ)951点は1本発明の新規なニッケル/インジウム
合金の電着に用いるための新規なかつ1虫特のめつき浴
に11−る。
Another aspect of the invention relates to printed wiring boards of which the novel nickel/indium alloys are a component or are used as etch resists in their construction. Still another aspect of the present invention relates to a method of manufacturing printed wiring boards and other electrical devices by using the novel combination of the present invention. Present invention 0) Furthermore, Tsukuda,
σ) 951 points are 11-1 for a new and unique plating bath for use in the electrodeposition of the novel nickel/indium alloy of the present invention.

本発明の方法および合金により、必要な工程数。The number of steps required by the method and alloy of the present invention.

これらの工程を実施するのに必要なプラントおよび装a
V節約することができ、結果的に床面積。
Plant and equipment necessary to carry out these processesa
V can be saved, resulting in floor space.

エネルギー、および金の使用量が節約され、外観が美的
により好ましく、かつ構成要素をフローはんだ付は法に
より固定した際(はんだ付はマスクの下で流れ出した溶
融金属により損われることのないプリント回路が提供さ
れろ。最後罠、ニッケル/インジウム合金はプリント回
路上にめっきされた場合にタッチ感受性表面、たとえば
タンチ式スイッチ?提供するのに好適である。
Energy and money usage are saved, the appearance is more aesthetically pleasing, and components are soldered by flow soldering (printed circuits that are not damaged by molten metal flowing under the mask). Finally, nickel/indium alloys are suitable for providing touch-sensitive surfaces, such as tantalum type switches, when plated onto printed circuits.

第1〜10図は本発明によりめっきスルーホール馨備え
たプリント配線板の製造におけろ逐次プロセス工程に対
応する一連の断片横断面図である。
1-10 are a series of fragmentary cross-sectional views corresponding to sequential process steps in the manufacture of printed wiring boards with plated through-holes in accordance with the present invention.

本発明に用いる新規なニッケル/インジウム合金は5有
効量”のインジウム2含む。ここで用いられろ1有効量
”のインジウムは合金をはんだ付は可能にするのに十分
な量である。このニッケル/インジウム合金はプリント
配線板製造中に再流動化しない融点tもち、プリント配
線板製造中に用いられろ一般の鋼エツチング剤に抵抗性
である。
The novel nickel/indium alloy used in the present invention contains 5" effective amount of indium 2. The 1" effective amount of indium used herein is sufficient to make the alloy solderable. This nickel/indium alloy has a melting point t that does not reflow during printed wiring board manufacturing and is resistant to common steel etching agents used during printed wiring board manufacturing.

一般にこれらの合金特性のすべてまたは一部は。Generally all or some of these alloy properties are.

合金が合金の約10重量%までのインジウム乞含有する
場合に達成できろ。本発明の好ましい実施態様において
は1合金は合金の重量に対しインジウム約0.1〜約1
0重量係馨含有し、特に好ましい実施態様においては合
金は合金の重量に対しインジウム約0.5〜約9mi%
Y含有する。これらの特に好ましい本発明の実施態様の
5ちでは合金の重量に対し約0.5〜約7夏量憾σ)イ
ンジウムを含有する合金がプリント配線板の製造に際し
てエッチレジストとして特に゛有用であり1合金重量の
約1〜約4重量%のインジウムを含有する合金が本発明
に最も好ましい。
This can be achieved when the alloy contains up to about 10% indium by weight of the alloy. In a preferred embodiment of the invention, the alloy contains about 0.1 to about 1 indium based on the weight of the alloy.
In a particularly preferred embodiment, the alloy contains from about 0.5 to about 9 mi% indium, based on the weight of the alloy.
Contains Y. In a fifth of these particularly preferred embodiments of the invention, alloys containing indium are particularly useful as etch resists in the manufacture of printed wiring boards. Alloys containing from about 1 to about 4 percent indium by weight of the alloy are most preferred for the present invention.

本発明σ)ニッケル/インジウム合金は一般の電増法を
用いてこれγ本発明のオ[規なめつき浴から好ましくは
導電性金属(たとえば銅)上に電着することにより製造
できる。有用な電増法にはノくレル(barrel ’
)めっき法が含まれる。“プリント回路ハンドブック”
 (C,F、クームス、 Tr、 、マツフグローヒル
−ブック壷カンパニー、ニューヨーり州ニューヨーク(
1979年)−〇プリント回路のデザイン、製造、構成
要素およびアセンブリー7(G、レオニタ、エレクトロ
ケミカル・バプリケーション社、エア、スコツトランド
(1981年)および1電気めっき工学ハンドブック″
(ケネス・グラハムm、ファン争ノストランド・ライン
ホールド社、ニューヨーク州ニューヨーク、1971年
)に詳述されたこれらの一般的電着法は電気めっき技術
の分野で周知であり、ここでは特に詳述しない。本発明
の新規な浴はpH,’it、流密度および温度の広範な
操作条件に関して比較的一定の合金チ馨与えるので特に
有用であるう 本発明の新規な合金の製造に使用できる本発明の新規な
浴は下記のものからなる。
The nickel/indium alloy of the present invention can be produced by electrodeposition of the nickel/indium alloy of the present invention from a regular plating bath, preferably onto a conductive metal (e.g. copper), using a conventional electromagnetic process. Barrel' is a useful method of increasing electricity.
) Includes plating methods. “Printed circuit handbook”
(C.F. Coombs, Tr., Matsuf Grow-Hill Book Urn Company, New York, NY)
1979) - Printed Circuit Design, Manufacture, Components and Assembly 7 (G. Leonita, Electrochemical Replication Ltd., Ayr, Scotland (1981) and 1 Electroplating Engineering Handbook''
(Kenneth Graham, Nostrand Reinhold, Inc., New York, NY, 1971), these general electrodeposition methods are well known in the field of electroplating technology and are specifically described here. do not. The novel baths of the present invention are particularly useful because they provide a relatively constant alloying strength over a wide range of operating conditions of pH, 'it, flow density, and temperature. The new bath consists of:

lal少なくとも約0.5 Mのニッケル陽イオンおよ
び少なくとも約0.001Mのインジウム陽イオン:+
bl約2.6Mまでのクロリドイオン:fcl浴のpH
Y約5以下に維持するのに十分な量の緩衝物質; (dビ有効量の”キレート化剤;ならびにtel水。
lal at least about 0.5 M nickel cations and at least about 0.001 M indium cations: +
Chloride ions up to about 2.6M bl: pH of the fcl bath
an amount of a buffering substance sufficient to maintain Y below about 5; an effective amount of a chelating agent; and water.

本発明の好ましい実施態様においては、浴中のニッケル
陽イオンおよびインジウム陽イオンの濃度はそれぞれ約
0.5〜約2.5M、および約0.001〜約1Mであ
る。本発明の特に好ましい実施態様においては、浴中の
ニッケル陽イオンおよ、びインジウム陽イオンの濃度は
それぞれ約0.5〜約2.0M、および約0.009〜
約0.1Mである。これらの特に好ましい実施態様のう
ち最も好ましいのは浴中のニッケル陽イオンおよびイン
ジウム陽イオンの濃度がそれぞれ約1〜約2M、および
約0.015−約0.06Mのものでおる。
In a preferred embodiment of the invention, the concentration of nickel cations and indium cations in the bath is about 0.5 to about 2.5M, and about 0.001 to about 1M, respectively. In particularly preferred embodiments of the invention, the concentration of nickel cations and indium cations in the bath is from about 0.5 to about 2.0M, and from about 0.009 to about 2.0M, respectively.
It is approximately 0.1M. The most preferred of these particularly preferred embodiments are those in which the concentration of nickel cations and indium cations in the bath is from about 1 to about 2M, and from about 0.015 to about 0.06M, respectively.

本発明の浴にはインジウム陽イオンをキレート化しうろ
キレート他剤1種または2種以上が含まわる。本発明の
実施に用いられるキレート化剤の型は広範に変えること
ができる。たとえば有用なキレート化剤には第2鉄(F
e”)yキレート化しうるキレート化剤が含まれる。こ
の種のキレート化剤の具体例はラミュナスJ、マテカイ
チスおよびアーサーE、マルテル、″インオーガニック
−ケミストリー”、1980.19,1646−165
1 :ウエスレイR,ハリスおよびアーサーE、マルテ
ル、′インオーガニック・ケミストリー″、15,71
5(1976):ならびKA、E、マルテルおよびR,
M。
The bath of the present invention contains one or more chelating agents that chelate indium cations and other agents. The type of chelating agent used in the practice of this invention can vary widely. For example, useful chelating agents include ferric iron (F
e")y chelating agents. Examples of such chelating agents include Ramunas J, Matekaitis and Arthur E, Martel, "Inorganic Chemistry", 1980.19, 1646-165.
1: Wesley R, Harris and Arthur E, Martel, 'Inorganic Chemistry', 15, 71
5 (1976): and KA, E., Martel and R.
M.

スミス、1クリテイカルOスタビリテイ・コンスタンツ
“、)’e(1)VC記載されたものであり、下記のも
のが含まれろ。アジピル、スベリル、セパシル、ドデカ
ンジオイル、グルコン酸、サッカリン酸、グリセリン酸
、ビシン、カテコール、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢
酸、((ヒドロキシエチル)イミノ)ジ酢酸、シクロヘ
キサンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペン
タ酢酸。
Smith, 1 Critical Stability Constance", )'e(1) VC, and include the following: adipyl, suberyl, cepacil, dodecanedioyl, gluconic acid, saccharic acid, glyceric acid, Bicine, catechol, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, ((hydroxyethyl)imino)diacetic acid, cyclohexanediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid.

サリサイクリック酸、クロモトロープ酸、ヒドロキサム
酸、N、N’−ビス(0−ヒドロキシベンジル)エチレ
ンジアミン−N、N’−ジ酢酸、エチレン1.2−ビス
(O−ヒドロキシ)フェニルグリシン、N−ヒドロキシ
ベンジルイミノジ酢酸、N−ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン−N、N、N’−トlJ6酸、N・N′−エチ
レンジアミンジ酢酸。
Salicyclic acid, chromotropic acid, hydroxamic acid, N,N'-bis(0-hydroxybenzyl)ethylenediamine-N,N'-diacetic acid, ethylene 1,2-bis(O-hydroxy)phenylglycine, N- Hydroxybenzyliminodiacetic acid, N-hydroxyethylethylenediamine-N,N,N'-triJ6 acid, N.N'-ethylenediaminediacetic acid.

N、N−エチレンジアミンジ酢酸、N、N−ビス(2−
アミノエチル)グリシン、N、N’−ジグリシルエチレ
ンジアミン−N’、 N’−テトラ酢酸、N−ヒドロキ
シエチルイミノジ酢酸、N−(2−ヒドロキシ−5−ス
ルホベンジル)エチレンジアミン−N、N’−ビス(メ
チレンホスホル)酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢
酸、テトラエチレンペンタミンへブタ酢酸、エチレンジ
アミン−、N、N’−ジアセテイツクーN・N′−ビス
(メチレンホスホン)酸、グリシンーN、N’−ビス(
メチレンホスホン)酸、エチレンジアミン−N 、 N
’−ビス(メチレンホスホン)酸、1−ヒドロキシクン
ー1,1−ジホスホン酸、2−(ヒドロキシベンジル)
イミノビス−(メチレンホスホン)酸、エチレンジアミ
ン−N、N、N’、N’−テトラキス(メチレンホスホ
ン)酸、およびN−(ホスホノメチル)イミノジ酢酸。
N,N-ethylenediaminediacetic acid, N,N-bis(2-
aminoethyl)glycine, N,N'-diglycylethylenediamine-N', N'-tetraacetic acid, N-hydroxyethyliminodiacetic acid, N-(2-hydroxy-5-sulfobenzyl)ethylenediamine-N,N'- Bis(methylenephosphonic) acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, tetraethylenepentaminehexaacetic acid, ethylenediamine-,N,N'-diacetate, N・N'-bis(methylenephosphonic) acid, glycine-N,N'-bis (
methylenephosphonic) acid, ethylenediamine-N, N
'-Bis(methylenephosphonic) acid, 1-hydroxycn-1,1-diphosphonic acid, 2-(hydroxybenzyl)
iminobis-(methylenephosphonic) acid, ethylenediamine-N,N,N',N'-tetrakis(methylenephosphonic) acid, and N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid.

本発明の実施に用いるための他の有用なキレート化剤に
は、1個もしくは2(1i5以上のカルボキシ官能基を
もつポリカルボンrIk(″カルボン酸″)、1個もし
くは2個以上σ)カルボキシ官能基および1個もしくは
2個以上σ)ヒドロキシ官能基ヲもつカルボンt11(
@ヒドロキシカルボン酸”)ならびに1個もしくは2個
以上のアミノ官能基および1個もしくは2個以上のカル
ボキシ官能基をもつカルボン酸(mアミノカルボン酸n
)%ならびにそれらの塩が含まれる。この種の材料の具
体例は下記のものである。クエン酸、マロン酸、酒石酸
、アジピン酸、フタル酸、シュウ酸、グルタル酸、イソ
フタル酸、マレイン酸、フマル酸、コハク酸、グリコー
ル酸、グリオキシル酸、グルタミン酸、グリセリン酸、
リンゴ酸、乳酸、ヒドロキシdl、マンデルll]ハI
Jン、アルギニン、アスパラギン酸、ピルビン酸、グル
タミン、ロイシン、リジン、スレオニン、イソロイシン
、バリンおよびアスパラギン。キレート化剤は拳独で用
いることができ、あるいはキレート化剤の組合せ馨用い
ろこともできる。たとえば攬均の蓋の比較的強いキレー
ト化剤たとえばエチレンジアミンテトラ酢酸ヶ1種々σ
)−1にの比較的弱いキレート化剤たとえはマロン酸、
クエン酸、リンゴ酸おまひ酒石@i檀または2棟以上と
組合わせて使用し、1電気的活性インジウム”の量、す
なわち電気めつきに用いられるインジウムの量を制@イ
ろことができろ。
Other useful chelating agents for use in the practice of this invention include polycarboxylic acids having one or two (1i5 or more) carboxy functional groups ("carboxylic acids"); Carvone t11 (with a functional group and one or more σ) hydroxy functional groups (
@Hydroxycarboxylic acid”) and carboxylic acids with one or more amino functional groups and one or more carboxy functional groups (maminocarboxylic acid n
)% as well as their salts. Specific examples of this type of material are as follows. Citric acid, malonic acid, tartaric acid, adipic acid, phthalic acid, oxalic acid, glutaric acid, isophthalic acid, maleic acid, fumaric acid, succinic acid, glycolic acid, glyoxylic acid, glutamic acid, glyceric acid,
malic acid, lactic acid, hydroxy dl, mandel ll]
John, arginine, aspartic acid, pyruvate, glutamine, leucine, lysine, threonine, isoleucine, valine and asparagine. Chelating agents can be used individually or combinations of chelating agents can be used. For example, a relatively strong chelating agent, such as ethylenediaminetetraacetic acid, has a variety of σ
)-1 is a relatively weak chelating agent, such as malonic acid,
When used in combination with citric acid, malic acid, tartar, or two or more, it is possible to control the amount of electrically active indium, that is, the amount of indium used in electroplating. reactor.

本発明の実施に用いらねろ好ましいキレート化剤は比較
的弱いキレート化剤、たとえはカルボン酸、たとえばマ
ロン酸および酒石酸:ヒドロキシカルボン酸、たとえば
クエン酸およびリンゴ酸。
Preferred chelating agents for use in the practice of this invention are relatively weak chelating agents, such as carboxylic acids such as malonic acid and tartaric acid; hydroxycarboxylic acids such as citric acid and malic acid.

ならびにこれらの酸の塩である。ヒドロキシカルボン酸
およびそわらの塩は使用するのvc特に好fシ<、クエ
ン酸、リンゴ酸およびそれら014 fJ”&も好まし
いう キレート化剤の使用は受容できろ特性γもつニッケル/
インジウム合金の鑞着のため、また合金中のインジウム
量、および有効を流密間の関数としてのインジウム量の
分散を側副するために重要である。いかなる理論によっ
ても拘束されることは望まないが、キレート化剤または
2M1以上のキレート化剤の組合せを適切に選ぶことに
より比較的広い操作期間にわたって比較的一定した埴で
めっきに用いられろ種類のインジウムの量?有効に制御
することができろと考えられろ。従ってこQ)種のキレ
ート化剤の使用によりめっき中のインジウムの悌を制御
イる手段が得られろっ “有効量”のキレート他剤1種または2種以上が浴に含
まれる。ここで用いられる1有効i”のキレート化剤と
は、電気的活性インジウム量?いかなる程度にも制御す
るのに有効な量である。キレート1ヒ剤の量は多数の因
子に応じて大@に変えろことができろ。これには用いら
ねろキレート化剤、希望する電気的活性インジウムの童
、めっき中の希望するインジウム濃度、電流密度、pH
などう−含まわるっ一般にキレート化剤の量は少なくと
も約0.001Mである。本発明の好ましい実施態様に
おいてキレート化剤の量は約0.001〜約2.6Mで
あり、特に好ましい実施態様においては約0.005〜
約1.6Mである。これらの特に好ましい実施態様のう
ち最も好ましいものは、浴中のキレート化Allの量が
約0.05〜約0.25Mである実施態様である、 本発明に用いられろめっき浴中に使用されろニッケルお
よびインジウムの陽イオンはいかなる供給源から誘導す
ることもできろ。本発明の好ましい実施態様においては
、ニッケルおよびインジウムの陽イオンはニッケルおよ
び/またはインジウムの塩化物、ニッケルまたはインジ
ウムQ)炭酸塩。
as well as salts of these acids. Hydroxycarboxylic acids and their salts are particularly preferred, citric acid, malic acid and the like are also preferred, and the use of chelating agents is acceptable.
It is important for the soldering of indium alloys and for controlling the amount of indium in the alloy and the dispersion of the amount of indium as a function of the effective flow density. Without wishing to be bound by any theory, it is believed that by properly selecting the chelating agent or combination of 2M1 or higher chelating agents, it is possible to achieve a relatively constant plating over a relatively wide period of operation. Amount of indium? Think of it as possible to control it effectively. Therefore, the use of Q) type of chelating agent provides a means to control the evolution of indium during plating. An "effective amount" of one or more chelating agents is included in the bath. As used herein, an effective chelating agent is an amount effective to control the amount of electroactive indium to any degree. The amount of chelating agent depends on a number of factors. This includes the specific chelating agent used, the desired electroactive indium concentration, the desired indium concentration, current density, and pH in the plating.
Generally, the amount of chelating agent included is at least about 0.001M. In preferred embodiments of the invention, the amount of chelating agent is from about 0.001 to about 2.6M, and in particularly preferred embodiments from about 0.005 to about 2.6M.
It is approximately 1.6M. The most preferred of these particularly preferred embodiments are those in which the amount of chelated All in the bath is from about 0.05 to about 0.25M. The nickel and indium cations can be derived from any source. In a preferred embodiment of the invention, the nickel and indium cations are nickel and/or indium chlorides, nickel or indium Q) carbonates.

スルファミノ酸の水浴件ニッケル塙および/またはイン
ジウム塩、ならびにヒドロキシカルボン酸、カルボン酸
、了ミノカルボン酸(メルカプト官能基?含まないもの
)、ならびに同様にキレート化剤として機能し5ろ酸の
ニッケルj亀および/またはインジウム塩から誘導さね
ろ、有用な水溶性Q)ニッケル塩およびインジウム塩σ
)具体例ハ1.クエン酸、アセト酢酸、グリオキシル酸
、ピルビン酸。
Nickel and/or indium salts of sulfamino acids, as well as hydroxycarboxylic acids, carboxylic acids, and aminocarboxylic acids (without mercapto functionality), as well as nickel and/or indium salts of sulfamino acids, which function as chelating agents. and/or derived from indium salts, useful water soluble Q) nickel salts and indium salts
) Specific example C1. Citric acid, acetoacetic acid, glyoxylic acid, pyruvic acid.

グリコール酸、マロン酸、ヒドロキサム酸、イミノジ酢
酸、サリチル酸、グリセリン酸、コハク酸。
Glycolic acid, malonic acid, hydroxamic acid, iminodiacetic acid, salicylic acid, glyceric acid, succinic acid.

リンコ酸、酒石酸、ヒドロキシ酪酸、アルギニン。Linchoic acid, tartaric acid, hydroxybutyric acid, arginine.

アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸。Aspartic acid, asparagine, glutamic acid.

グリセリン、グルタミン、ロイシン、リジン、スレオニ
ン、イソロイシン、バリンなどのニッケル塩およびイン
ジウム塩である。本発明の好ましい実施態様においては
、スルファミノ酸のニッケルおよびインジウム塩がニッ
ケル?インジウムの供給源として用いられ1本発明の特
に好ましい実施態様におい℃は、スルフアミン酸σ)ニ
ッケル塩およびインジウム塩がニッケルの供給源および
インジウムの供給源として用いられる。
Nickel and indium salts of glycerin, glutamine, leucine, lysine, threonine, isoleucine, valine, etc. In a preferred embodiment of the invention, the nickel and indium salts of sulfamino acids are nickel and indium salts. In a particularly preferred embodiment of the invention, a sulfamic acid σ) nickel salt and an indium salt are used as a source of nickel and as a source of indium.

浴中θ)クロリドイオンの濃度は0〜約2.6Mである
。クロリドイオンは浴の操作条件下で電着しないい−t
t−1かの金属塩から、あるいはニッケルおよび/また
はインジウム塩から得られる。この種の有用な金属塩の
具体例は塩化ナトリウムおまひ塩化カリウム、非金属塩
たとえば塩化アンモニウム、塩化ニッケルまたは塩化イ
ンジウムなどである。クロリドイオンは好ましくは塩化
インジウムおよび/またはニッケルから誘導され、順化
ニッケルが特に好ましいクロリドイオン源である。本発
明の好ましい実施態様においては浴中のクロリドイオン
の一度は約0.001〜約2.6Mであり。
The concentration of θ) chloride ions in the bath is from 0 to about 2.6M. Chloride ions are not electrodeposited under bath operating conditions.
t-1 or from nickel and/or indium salts. Examples of useful metal salts of this type are sodium chloride, potassium chloride, non-metallic salts such as ammonium chloride, nickel chloride or indium chloride. Chloride ions are preferably derived from indium chloride and/or nickel, with conditioned nickel being a particularly preferred source of chloride ions. In a preferred embodiment of the invention, the concentration of chloride ion in the bath is from about 0.001 to about 2.6M.

特に好ましい実施態様においては浴中のクロリドイオン
の濃度は約0.005〜約1.6Mである。これらの特
に好ましい実施態様において最も好ましいものは、浴中
のクロリドイオンの濃度が約0.05〜約0.25Mで
ある実施態様である。
In particularly preferred embodiments, the concentration of chloride ions in the bath is from about 0.005 to about 1.6M. Most preferred of these particularly preferred embodiments are those in which the concentration of chloride ion in the bath is from about 0.05 to about 0.25M.

本発明のめつき浴は通常は約5以下、好ましくは約1.
4〜約540.最も好ましくは約2.5〜約6.6のp
HYもつ。めっき浴のpHは緩衝物質Q)使用により希
望するpH1c維持することができろ。
The plating baths of the present invention are typically less than about 5, preferably about 1.
4 to about 540. Most preferably a p of about 2.5 to about 6.6
HY motsu. The pH of the plating bath can be maintained at the desired pH 1c by using a buffer substance Q).

用いられる緩衝物質の型は希望1ろpHに応じて広範に
変えろことができる。たとえは、pHYホウe/などの
物質の使用により好ましいpH範囲に維持するか、また
は塩基性物質、たとえば水酸化アンモニウム、炭酸ニッ
ケル5水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、トリエタ
ノールアミン、ピリジン、炭酸ナトリウムなどの添加に
より調整することができる。カルボン酸、アミノカルボ
ン酸もしくはヒドロキシカルボン酸またはそれらの塩が
キレート化剤である場合、これらQ)暇の使用によりp
H’a=調整することもできろ。本発明Q)特に好まし
い実施態様に用いられる個々のpI−Jは用いられる個
々の緩衝物質に依存するであろう。たとえVよヒドロキ
シカルボン酸たとえばクエン酸が選けれた緩衝物質およ
びキレート化剤である場合、pH乞約1.4〜約4.7
.好ましくは約1.8〜約6.8に維持するのに十分な
物質?使用する。ヒドロキシカルボン酸?緩衝物質およ
びキレート化剤として用いる本発明の特に好ましい実施
態様においてはpI−1は約2.0〜約2.8であり、
ヒドロキシカルボン酸?緩衝物質およびキレート化剤と
して用いろ本発明の最も好ましい実施態様においては、
 pHは約2.1〜約2.7であってよい。他方、pH
が約1.5〜約6.5の範囲に維持されるならばホウ酸
が選はれた緩衝物質である場合に最良の結果が得られる
ことが実験によって示されたつホウ酸が選ぐれた緩衝物
質である本発明の好ましい実施態様においてはpHは約
2.0〜約6.0であってよく、特に好ましい実施態様
においてはpHは約2.5〜約6.0であってよいつホ
ウ酸が選ばれた緩#物質である本発明の最も好ましい実
施態様においては。
The type of buffer material used can vary widely depending on the desired pH. Examples include maintaining the preferred pH range by the use of substances such as pH oxide, or by the use of basic substances such as ammonium hydroxide, nickel carbonate, sodium pentahydroxide, triethylamine, triethanolamine, pyridine, sodium carbonate, etc. It can be adjusted by addition. When carboxylic acids, aminocarboxylic acids or hydroxycarboxylic acids or their salts are chelating agents, the use of these Q)
You can also adjust H'a. Invention Q) The particular pI-J used in particularly preferred embodiments will depend on the particular buffer substance used. Even if a hydroxycarboxylic acid such as citric acid is the buffer and chelating agent of choice, the pH range is between about 1.4 and about 4.7.
.. Preferably enough material to maintain the range from about 1.8 to about 6.8? use. Hydroxycarboxylic acid? In particularly preferred embodiments of the invention for use as buffering substances and chelating agents, the pI-1 is from about 2.0 to about 2.8;
Hydroxycarboxylic acid? In the most preferred embodiment of the invention, used as a buffering substance and a chelating agent,
The pH may be from about 2.1 to about 2.7. On the other hand, pH
Boric acid was chosen because experiments have shown that the best results are obtained when boric acid is the buffer material of choice if is maintained in the range of about 1.5 to about 6.5. In preferred embodiments of the invention, the buffering material may have a pH of from about 2.0 to about 6.0, and in particularly preferred embodiments the pH may range from about 2.5 to about 6.0. In the most preferred embodiment of the invention, boric acid is the loose material of choice.

pHは約2.8〜約6.0であってよい。The pH may be from about 2.8 to about 6.0.

本発明の好ましい実施態様においては、ニッケル/イン
ジウム合金t′新規なニッケル/インジウム合金および
これンプリント配線板0)製造に使用する方法”と題す
る出願中の米国特許出願第605.352号明細書(1
984年4月60日出願)に記載の浴から電着する。本
発明[おけろ好ましい浴においては、カルボン酸、ヒド
ロキシカルボン酸およびそれらQ)塩よりなる群から選
はハるキレート化剤および緩衝剤の組合せ音使用する。
In a preferred embodiment of the present invention, a nickel/indium alloy t'Novel nickel/indium alloy and method for its use in the manufacture of printed wiring boards'' is disclosed in pending U.S. Patent Application No. 605.352. (1
(filed April 60, 1984). In preferred baths of the present invention, a combination of chelating agents and buffering agents selected from the group consisting of carboxylic acids, hydroxycarboxylic acids and their salts is used.

一般にこの種の好ましい浴は下記Q)0のからなる。In general, preferred baths of this type consist of Q)0 below.

lal少なくとも約0.9Mのニッケル陽イオンおよび
少なくとも約0.001Mのインジウム陽イオン;lb
l約2.6Mまでのクロリドイオン:Ielカルボン酸
、ヒドロキシカルボン酸およびそれらの塩よりなる群か
ら選ばれ6緩(#i物質およびキレート化剤の組合せ約
0.25〜約1.6M:ならびに fd+水。
lal at least about 0.9M nickel cations and at least about 0.001M indium cations; lb
l up to about 2.6M chloride ion: Iel selected from the group consisting of carboxylic acids, hydroxycarboxylic acids, and salts thereof; and fd+water.

本発明の実施に科いられる特に有効なめつぎ蔭は下記の
ものからなる。
Particularly useful mating shades for implementing the invention consist of the following:

fal約0.9〜約2.0Mのニッケルイオン:tbl
約0.4〜約2.5Mのクロリドイオン;tel約0.
004−約0.05Mのインジウムイオン:fdlカル
ボン酸、ヒドロキシカルボ/酸およびそれらの塩よりな
る群から選けれる緩衝剤・およびキレート化剤の組合せ
(奉独または他のキレート化剤との組合せ)約0.2〜
約1M:ならびにtel水。
fal about 0.9 to about 2.0M nickel ion: tbl
About 0.4 to about 2.5M chloride ion; tel about 0.
004 - about 0.05M indium ion: a combination of buffering agents and chelating agents selected from the group consisting of fdl carboxylic acids, hydroxycarbo/acids and their salts (in combination with delicacies or other chelating agents) ) approx. 0.2~
Approximately 1M: as well as tel water.

本発明の浴はめつき浴と共に、またはめつき浴中に含有
された状態で普通に用いられる他の任意成分?含有して
もよい。たとえば本発明のめつき浴には表向のピッチン
グを少なくするための化合物、たとえばアルキルスルホ
ン酸塩などが1種丈たは2種以上含有されていてもよい
。本シロ明における浴に含有されていてもよい他の任意
物質はインジウムのためのデキストロース型安定剤であ
る。
What other optional ingredients are the baths of the invention commonly used with or contained in plating baths? May be contained. For example, the plating bath of the present invention may contain one or more compounds for reducing surface pitting, such as alkyl sulfonates. Another optional substance that may be included in the bath in the present invention is a dextrose type stabilizer for the indium.

さらに他の合金改質剤、たとえば1着された合金の内部
応力おまひ外観などの合金特性に彰2#を与えるサッカ
リンおよびフナリンなどが浴中に含有されていてもよい
Additionally, other alloy modifiers may be included in the bath, such as saccharin and funarin, which impart an improvement in alloy properties such as the internal stress-induced appearance of the coated alloy.

電着処理中にめっき浴は普通は約10〜約80℃の温度
に保持される。本発明の好ましい実施態様においては電
着温度は約20〜約65℃であり、本発明の特に好まし
い実施態様においては電着温度は約65〜約65℃であ
る。本発明のWに好ましい実施態様のうち最も好ましい
ものは、電着温度が約55〜約55℃である実施態様で
ある。
During the electrodeposition process, the plating bath is normally maintained at a temperature of about 10 to about 80°C. In preferred embodiments of the invention, the electrodeposition temperature is from about 20°C to about 65°C, and in particularly preferred embodiments of the invention, the electrodeposition temperature is from about 65°C to about 65°C. Among the preferred embodiments for W of the present invention, the most preferred are those in which the electrodeposition temperature is about 55 to about 55°C.

電着処理において電流密度は広範に変えることができる
。しかし本発明の大部分の実施態様において、i流密度
は通常は約1〜約200 mA/cm2の範囲に維持さ
れろ。本発明の好ましい実施り様においては電流密度は
約5〜約100mAム であり、特に好ましい実施態様
においては約10〜約60mA/m である。これらの
符に好ましい実施態様のうち最も好ましいものは、vL
流慴度が約20〜約40 mA/cIn である実施態
様である。
The current density in the electrodeposition process can be varied within a wide range. However, in most embodiments of the invention, the i-current density will typically be maintained in the range of about 1 to about 200 mA/cm2. In preferred embodiments of the invention, the current density is from about 5 to about 100 mA/m, and in particularly preferred embodiments from about 10 to about 60 mA/m. The most preferred embodiment of these codes is vL
In embodiments, the current sensitivity is between about 20 and about 40 mA/cIn.

電着工程は希望する量のニッケル/インジウム合金を電
着するのに十分な期間性われる。当業者に明らかなよう
に、電着時間は多数の因子に応じて広範に変わるであろ
う。これには希望する電着層の厚さ、電流密度5浴温5
めっき法その他当業者に既知の因子が含まれるが、これ
らに゛限定されろものではない。代表的なめつき時間は
数分から数時間以上である。
The electrodeposition process is allowed to last for a period of time sufficient to deposit the desired amount of nickel/indium alloy. As will be apparent to those skilled in the art, electrodeposition times will vary widely depending on a number of factors. This includes the desired electrodeposition layer thickness, current density, bath temperature, and
These include, but are not limited to, plating methods and other factors known to those skilled in the art. Typical plating times range from several minutes to several hours or more.

上記のニッケル/インジウム合金は本発明方法において
プリント配線板、!!気デバイスにおける電気回路、電
気コネクター、チップキャリア、スイッチなどの電気瘉
点憐域σ)構成に特に有用である。たとえは上記ニッケ
ル/インジウム合金をサブトラクティブ法およびセミア
ディティブ法によるプリント配線板σ)製造に際してエ
ッチレジストとして使用できる。サブトラクティブ法に
よりプリント配線根音作成する一般的な技術は当技術分
野できわめて良く知らねているので、ここでは詳述しな
いっサブトラクティブ法の例は米国特許第3.673,
680号および第4,155,988号一本発明は、(
a)銅クラツド基板の1または2以上の表thl?ホト
レジスト材料の被膜で被覆し:(b)ホトレジスト材料
χあらかじめ定められた回路デザインlXIIigI!
でマスクし;(C)該ホトレジスト材料をエネルギー源
VCQ光して、1または2以上の表面の目的回路画家上
にエツチング剤に対して感受性のレジスト層部分?占え
、該表面σ)残部に該エツチング剤に対して抵抗性のレ
ジスト層部分?与え:(d)エツチング剤に対して感受
性σ)ホトレジスト部分?除去して目的とする露光され
たパターン乞もつむき出しの銅表面?与え: tel@
気めっきされた鋼上にエッチレジストを電気めっきし;
(f)残存する部分のホトレジストを板から除去して銅
クラツドの一部?露出させ:そしてIgl工程tg+の
ホトレジスト下にあった露出した鋼クラツドゲエッチン
グにより除去し、一方金属系エッチレジスト下にある銅
クラツドは除去せず、これにより板が金属系エッチレジ
ストで被覆された銅回路?もつことよりなる型のプリン
ト配線板製造のためσ)サブトラクティブ法における改
良法乞提供するものであり、改良点が合金の少なくとも
約0.1重量係のインジウム?i&有スるニッケル/イ
ンジウム合金Q)金属系エッチレジストからなる。
The above nickel/indium alloy is used in the method of the present invention for printed wiring boards,! ! It is particularly useful for electrical circuits, electrical connectors, chip carriers, switches, etc. in electrical devices. For example, the nickel/indium alloy described above can be used as an etch resist in the production of printed wiring boards σ) by subtractive and semi-additive methods. The general technique of creating printed wire roots by subtractive methods is very well known in the art and will not be discussed in detail here.An example of subtractive methods is provided by U.S. Pat.
No. 680 and No. 4,155,988 The present invention is based on (
a) One or more surfaces thl? of a copper clad substrate? coated with a coating of photoresist material: (b) photoresist material χ predetermined circuit design lXIIigI!
(C) masking the photoresist material with energy source VCQ light to mask one or more surfaces of the resist layer sensitive to the etching agent on the intended circuit artist; Presumably, the rest of the surface σ) is a resist layer portion that is resistant to the etching agent? Given: (d) Sensitivity to etching agent σ) Photoresist part? Do you want to remove exposed patterns from bare copper surfaces? Give: tel@
electroplating an etch resist on the plated steel;
(f) Remove the remaining photoresist from the plate to form part of the copper cladding? Exposure: The exposed steel cladding under the photoresist in the Igl step tg+ is then removed by etching, while the copper cladding under the metal-based etch resist is not removed, so that the plate is coated with the metal-based etch resist. Copper circuit? An improvement in the subtractive process for the production of printed wiring boards of the type consisting of having at least about 0.1% by weight of the alloy is provided. nickel/indium alloy Q) Made of metal-based etch resist.

また本発明は (31絶縁材料からなる基板の少なくとも1表面上に金
属めっき?無電解めっきし; fbl該金嬉めっきの一部に保護材料?施して金属めっ
き表面に目的回路パターンを与え;fcl目的回路パタ
ーンに貧属めつき’a”11着し;+dl該パターンに
金属系エッチレジストを電着し;(el金属めっきされ
た該基板から保護材料ン除去し:そして tflエッチレジストで被覆されていない部分の金属ク
ラッドのすべてまたは一部から金属をエツチングして、
七〇)少なくとも1表囲上に目的とする金属回路パター
ン馨有する板を与えろ 工程からなる型σ)セミアディティブ法Vこおける改良
法を提供するも0)でちり、改良点は・合金の約10重
量係までのインジウムを含有するニッケル/インジウム
合金の金属系エッチレジストから゛なる。
The present invention also provides (31) metal plating or electroless plating on at least one surface of a substrate made of an insulating material; Electrodeposit a metal etch resist on the target circuit pattern; electrodeposit a metal etch resist on the pattern; remove protective material from the metal-plated substrate; Etching metal from all or part of the metal cladding in areas that are not
70) Providing an improvement method in the semi-additive process consisting of a process of providing a plate having a desired metal circuit pattern on at least one surface area 0) Dust, the improvements are: - Approx. It consists of a metallic etch resist of a nickel/indium alloy containing up to 10 parts by weight of indium.

上記σ)セミアディティブ法においては、、Jig板?
通常金属銅で電気めっきする。しかし基板?ニッケルで
めっきし、そして工程Cで電気めっきによす回路パター
ンにニッケル/インジウム合金wMねることもできろ。
In the above σ) semi-additive method, Jig board?
Usually electroplated with copper metal. But the board? It is also possible to plate with nickel and then apply a nickel/indium alloy to the circuit pattern to be electroplated in step C.

回路パターンの形成に際して用いられるニッケル/イン
ジウム合金は合金の全重量に対して約0.1〜約95重
量憾のインジウムを含有し、好ましくは合金の全11k
に対して約5〜約20恵量チのインジウム?含有するで
あろう。
The nickel/indium alloy used in forming the circuit pattern contains from about 0.1 to about 95% by weight of indium based on the total weight of the alloy, preferably about 11k of indium based on the total weight of the alloy.
About 5 to about 20 units of indium? It will contain.

エッチレジストとして用いろ場合、上記合金は回路?エ
ツチング剤から採掘1−るのに必要な厚さにまで析出さ
れるであろう。一般に゛電着j―の厚さはエツチング剤
のエツチング力および当業者゛に知られている他の因子
に依存するであろう、電着層の平均厚さが少なくとも約
0.1ミル(0,0002546n)である場合に良好
な結果が得られろことが認められた5本発明σ)好まし
い実施態様VCおいては′電着)−〇)厚さは少なくと
も約0.2ミル(0,000508cIn)であり、特
に好ましい実施態様においては少な(とも約0.6ミル
(0,000762crn)でちる。
If used as an etch resist, will the above alloy be used for circuits? The etching agent will be deposited to the required thickness for mining. Generally, the thickness of the electrodeposited layer will depend on the etching power of the etching agent and other factors known to those skilled in the art; , 0002546n) 5) Preferred Embodiments In VC, the thickness is at least about 0.2 mil (0,002546n). 000508 cIn), and in particularly preferred embodiments as low as about 0.6 mil (0,000762 crn).

こねらの特に好ましい実施態様の5ちで最も好ましいも
のは、電着した合金が少なくとも約0.4ミル(0,0
0102α)の厚さである実施態僚である。
Five particularly preferred embodiments and the most preferred embodiments of koneira provide that the electrodeposited alloy is at least about 0.4 mil (0.4 mil).
0102α).

本発明をより詳細に記述するために以下の特定の例を示
す。
The following specific examples are provided to describe the invention in more detail.

実施例1 一般的処理 規格化された市販のスルフアミノ酸ニッケル(Ni(S
O3NH2)2)溶液(2,55Mスルフアミノ酸ニッ
ケル)ya−脱イオン水または蒸留水で一部希釈し、浴
の残りの成分が溶解しやすいようにした。
Example 1 General Processing Standardized commercially available sulfamino acid nickel (Ni(S)
O3NH2)2) Solution (2,55M Nickel Sulfamino Acid) ya - Partially diluted with deionized or distilled water to facilitate dissolution of remaining components of the bath.

塩化ニッケル?ホウ酸、り゛エン酸、クエン酸ジアンモ
ニウムまたはクエン酸とクエン酸ジアンモニウムと共に
添加した。次いでpHYスルフアミ°ン酸、炭酸ニッケ
ルと水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムもしくは塩酸の混合物の添加により、希望する作
業浴のpHよりもわずかIc高(調整した。次いでスル
フアミノ酸インジウム(I n (S O3NH2)3
)を水化塩として添加したのち、痕跡量の湿潤剤(ラウ
リル硫酸す) IJウム)を添加した5次いで浴を蒸留
水または脱゛イオン水の添加により11の容積となし、
使用可能な状態となった。以上の処理により各種のめつ
き浴ン調製した。その物理的パラメーターを下記の表I
に示す。
Nickel chloride? Boric acid, phosphoric acid, diammonium citrate, or citric acid and diammonium citrate were added together. The pH of the working bath was then adjusted to just above the desired working bath pH by the addition of a mixture of sulfamic acid, nickel carbonate and ammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide or hydrochloric acid. I n (S O3NH2)3
) was added as a hydrated salt, followed by trace amounts of a wetting agent (lauryl sulfate), then the bath was made up to a volume of 11 by addition of distilled or deionized water,
It is now available for use. Various plating baths were prepared by the above treatment. Its physical parameters are given in Table I below.
Shown below.

H117>メっき浴?用いて各種のニッケル/インジウ
ム合金?基板VC@気めっきした。これらの実lIlに
用いた装置はヒーター、PARを源、循環ボンダおよび
流量計ビ備えたハル()lull) セルから成ってい
た。試料ンダブルで10α2σ)n出した鋼ストリップ
および1オンス(約28.3P)の鋼積層体にめっきし
た。各実験につき合計600クーロンを導通した。
H117> Plating bath? Use various nickel/indium alloys? Substrate VC @ air plated. The equipment used in these experiments consisted of a Hull cell equipped with a heater, a PAR source, a circulating bonder, and a flow meter. Samples were plated on double-plated steel strips and 1 oz. (approximately 28.3 P) steel laminates. A total of 600 coulombs were conducted for each experiment.

これらの電気めっき実験および得られたニッケル/イン
ジウム合金?評価し、下記に従って等級?定めた。
These electroplating experiments and the resulting nickel/indium alloy? Evaluate and grade according to below? Established.

1、めっきの外観−6人が外観を判定した。1. Appearance of plating - 6 people judged the appearance.

2、メっき組成−X縁螢光?用いて各めっきにおけるニ
ッケルの蚤およびインジウムの俤¥得た。
2. Plating composition - X-edge fluorescence? The nickel flea and indium weight were obtained for each plating.

分析はめつき上の3か所(上方6分の1.中央。The analysis was performed at three locations on the plating (upper one-sixth, center).

および下方6分の1)におい゛て行われ、平均?求めた
。組成の変化も示す。
and the lower one-sixth), and the average? I asked for it. Changes in composition are also shown.

6、はんだ付は適性−接触角−この測定はフラックス処
理しためつき面にはんだボールン乗せ。
6. Suitability for soldering - Contact angle - For this measurement, place the solder ball on the flux-treated surface.

加熱したのちはんだと合金面の隈触角?測定することに
より行われた。
Kuma antennae on the solder and alloy surface after heating? This was done by measuring.

4、耐エツチング性−耐エツチング性は合金めっきが6
5℃の200t/lベルオキソ硫酸アンモニウム溶液に
より10分後に不利な影替を受けたか否かの合格/不合
格測定として判定された。
4. Etching resistance - Etching resistance of alloy plating is 6.
It was judged as a pass/fail measurement whether there was an adverse shadow displacement after 10 minutes with a 200 t/l ammonium peroxosulfate solution at 5°C.

こ引らの実験の操作パラメーターおよびホウ酸系からの
゛を着により得られたニッケル/インジウム合金Q)評
価の結果乞下記の表Oに、クエン酸および/またはクエ
ン酸ジアンモニウム系からの電着により得らねたニッケ
ル/インジウム合金の評価の結果を表−に示す。
The operating parameters of these experiments and the results of the evaluation of the nickel/indium alloys obtained by deposition from the boric acid system are summarized in Table O below. Table 1 shows the results of evaluation of the nickel/indium alloy obtained by deposition.

表U ホウ酸系 1 75 60 合格 2 25 50 合格 5 50 45 合格 4 25 60 合格 5 2569 合格 6 75 60 合格 7 75 50 合格 8 25 50 合格 9 75 50 合格 10 50 45 合格 表 lI(続) ホウ酸系 * 浴 はんだ付は適性 めっき組成 めっきA (Ftc
@角) *Ni 4Il 外観1 16° 98.2 
1.8 灰色、艶消2 .17’ 98.0 2.0 
灰色、艶消6 14° 97.7 2.3 灰色、艶消
4 <4 94.2 5.8 灰色、艶消5 4 98
.1 1.9 灰色、艶消6 8 97.95 0.0
5 灰色、艶消7 16 98.0 2.0 灰色、N
m8 15 98.9 1.2 灰色、艶消9 17 
98.7 1.5 灰色5艷消10 15 98.5 
1.7 灰色、艶消*めつきは1べて艶消の灰色であっ
たが、その外観は炙黒色から黒灰色まで変化した。
Table U Boric acid system 1 75 60 Pass 2 25 50 Pass 5 50 45 Pass 4 25 60 Pass 5 2569 Pass 6 75 60 Pass 7 75 50 Pass 8 25 50 Pass 9 75 50 Pass 10 50 45 Pass table lI (continued) Hou Acid-based* bath Suitable for soldering Plating composition Plating A (Ftc
@Angle) *Ni 4Il Appearance 1 16° 98.2
1.8 Gray, matte 2. 17' 98.0 2.0
Gray, matte 6 14° 97.7 2.3 Gray, matte 4 <4 94.2 5.8 Gray, matte 5 4 98
.. 1 1.9 Gray, matte 6 8 97.95 0.0
5 Gray, matte 7 16 98.0 2.0 Gray, N
m8 15 98.9 1.2 Gray, matte 9 17
98.7 1.5 Gray 5 10 15 98.5
1.7 Gray, Matte*The plating was all matte gray, but its appearance varied from burnt black to blackish gray.

表− クエン酸および/またはクエン酸ジプンモニウム系電流
密度 浴温 耐エツチング性 13 50 20 合格 14 75 20 不合格 。
Table - Current density based on citric acid and/or dipmonium citrate Bath temperature Etching resistance 13 50 20 Pass 14 75 20 Fail.

15 75 20 合格 169720 合格 17.7520 合格 18 60 20 合格 19 40 20 不合格 20 25 20 不合格 21 10 20 不合格 22 5 20 不合格 24 75 20 合格 25 75 、20 *不合格 26 75 20 *不合格 27 50− 20 不合格 28 75 20 *不合格 *、不合格は′電着罠おける応力破損によるものでちる
15 75 20 Pass 169720 Pass 17.7520 Pass 18 60 20 Pass 19 40 20 Fail 20 25 20 Fail 21 10 20 Fail 22 5 20 Fail 24 75 20 Pass 25 75 , 20 *Fail 26 75 20 *Fail Pass 27 50- 20 Fail 28 75 20 *Fail*, failure is due to stress damage in the electrodeposition trap.

表 ■ (続) 1415° 30’ 85.7 14.5 明かるい金
属光沢1515°60° 94.2 5B 明かるい金
属光沢1615°60° 95.2 4.8 明かるい
金属光沢17 15’30° 95.7 4.5 明か
るい金属光沢 1815° 60° 93.1 6.9
 明かるい金属光沢19 − − 92.1 7.9 
明かるい金属光沢20 − −、90.3 9.7 明
かろい金属光沢21 − − 82,0 18.0 明
かるい金属光沢22 − − 80.4 19.6 明
かるい金属光沢2415° 20.−60° 99.2
 0.8 明かるい金属光沢25 − − 98.3 
1.2 明かるい金属光沢26 −、− 98.5 1
.5 明かるい金属光沢27−−−−−− 明かるい金
属光沢 28 − − 994 0.6 明かるい金属光沢1°
゛γムコ社により商品名°アムコ(AMCO)220−
55’で製造および1IIi[売されている合成有機酸
フラックス。
Table ■ (continued) 1415° 30' 85.7 14.5 Bright metallic luster 1515°60° 94.2 5B Bright metallic luster 1615°60° 95.2 4.8 Bright metallic luster 17 15'30° 95.7 4.5 Bright metallic luster 1815° 60° 93.1 6.9
Bright metallic luster 19 - - 92.1 7.9
Bright metallic luster 20 - -, 90.3 9.7 Bright metallic luster 21 - - 82,0 18.0 Bright metallic luster 22 - - 80.4 19.6 Bright metallic luster 2415° 20. -60° 99.2
0.8 Bright metallic luster 25 - - 98.3
1.2 Bright metallic luster 26 -, - 98.5 1
.. 5 Bright metallic luster 27 --- Bright metallic luster 28 --- 994 0.6 Bright metallic luster 1°
Product name: AMCO 220- by γMUCO
Synthetic organic acid flux manufactured by 55' and sold by 1IIIi.

2°アムコ社により゛アムコ600”0)If1品名で
製造および版元されているロジン系フラックス。
2°A rosin-based flux manufactured and published by Amco under the product name Amco 600”0)If1.

実施例2 ホウ酸系およびクエン酸系χ含0浴から′鑞着した合金
のインジウム組成に対するpl+および゛成流の影#乞
判定するために一連の実験2行った。ホウ酸系と共に用
いた浴組Wt(1t)および操作パラメーター?下記の
表IVK示す。
EXAMPLE 2 A series of experiments 2 was conducted to determine the effect of PL+ and I flow on the indium composition of alloys soldered from boric acid-based and citric acid-based x-containing baths. Bath set Wt (1t) and operating parameters used with boric acid system? Table IVK below shows.

辰 ■ 浴パラメーター 量 Ialホウ酸 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ 5511blスルフアミノ酸ニツケル・・・・・・
・・・・・・・・・・・ 520dtel N化ニッケ
ル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・−・・・・・・・・ 15Pldlスルフア
ミン酸インジウム・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ 6?te+ラウリル硫酸ナトリウム・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ 0.05y−Igl温度 ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ 室温ないし45℃クエン酸系に関
する実験に用いた浴組成(1t)および操作パラメータ
ー2下記の表■に示す。
Tatsu ■ Bath parameters Amount Ial boric acid ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・5511bl sulfamino acid nickel・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ 520dtel Nickel Nide・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・-・・・・・・・・・・・・ 15Pldl Indium Sulfamate・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・6? te+sodium lauryl sulfate...
・・・・・・・・・・・・ 0.05y-Igl temperature ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...... Bath composition (1 t) and operating parameters 2 used in the experiments regarding the citric acid system at room temperature to 45° C. are shown in Table 2 below.

表■ 低 高 ialクエン酸 15.5P 465’fb1.X ル
ア 7ミン酸ニツケ# 520m1 520m1[cl
クエン酸ジアンモニウム 24.77− 74yfd+
塩化ニツケル 15y−155’letスルフアミノ酸
インジウム 6P 6?Tf+ラウリル硫酸ナトリウム
 0.015’ 0.01(gl温度 40°C40℃ 実施例1の方法?用いて6系17’) p l(および
遁流密度を変化させ1合金のインジウム組成?評価した
。ホウ酸系についての結果χ下記の表■に、クエン酸系
で得た結果ン下記の表VllvC示す。
Table ■ Low High ial citric acid 15.5P 465'fb1. X Lua 7 Minic Acid Nitsuke # 520m1 520m1 [cl
Diammonium citrate 24.77- 74yfd+
Nickel chloride 15y-155'let sulfamino acid indium 6P 6? Tf+sodium lauryl sulfate 0.015' 0.01 (gl temperature 40°C 40°C 6 series 17' using the method of Example 1) p l (and the indium composition of alloy 1 was evaluated by changing the fugitive flow density. The results for the boric acid system are shown in Table 1 below, and the results obtained for the citric acid system are shown in Table VllvC below.

表■ ホウ酸系 10 6.6 (6,L)15.915.8 ) 2.
9 5.220 5.7 3.6 2.5 4.’26
0 3.1 2.7 1.0 2.655 2.5 −
 0.8 − 40 2.5 − 1.6 2.1 45 − 1.9 − − 5G 2.1 − 0.8 (2,1/1.7)60 
− 1.6 − − 1、 周囲温度で導電。
Table ■ Boric acid type 10 6.6 (6, L) 15.915.8) 2.
9 5.220 5.7 3.6 2.5 4. '26
0 3.1 2.7 1.0 2.655 2.5 -
0.8 - 40 2.5 - 1.6 2.1 45 - 1.9 - - 5G 2.1 - 0.8 (2,1/1.7) 60
- 1.6 - - 1. Conductive at ambient temperature.

2、45℃で導電。2. Conductive at 45℃.

表四 クエン酸系 65 4.1−1.へ王8 12 − 口440−2゜
41.8 − 0.7 − 45− − − 1.1 − 0.5 50 2.5 1.9 1.7 −0.555 − −
 − o′?307. −65 1.7 − 1.5 
− 0.57υ −−−−0,6− 75、−−−1,0−− 801,45,4−−−− )35−−−−0.5− 901.2−− − − − − 95 − − − − 0.6 98 − 1.7 − 1.6 11.6 −*低りエ
ン酸浴 冥施例6 図面を参照すると1m1〜10図は加工用基材に始まっ
て最終製品で終わるプリント配線板製造の製造に本発明
のニッケル/インジウム合金を使用するためσ〕本発明
の好ましい実施態様に従ったプロセス工程の順序乞示す
。最終製品は銅回路。
Table 4 Citric acid system 65 4.1-1. King 8 12 - Mouth 440-2゜41.8 - 0.7 - 45- - - 1.1 - 0.5 50 2.5 1.9 1.7 -0.555 - -
-o′? 307. -65 1.7 - 1.5
− 0.57υ −−−−0,6− 75,−−1,0−− 801,45,4−−−− )35−−−−0.5− 901.2−− − − − − 95 - - - - 0.6 98 - 1.7 - 1.6 11.6 -* Low enoic acid bathing Example 6 Referring to the drawings, 1m1 to 10 diagrams start from the base material for processing to the final product. Figure 1 shows the sequence of process steps according to a preferred embodiment of the present invention for use of the nickel/indium alloy of the present invention in the production of printed wiring board manufacturing. The final product is a copper circuit.

めっきスルーホール、および本発明のニッケル/インジ
ウム合金が全体的または部分的な金の代替品である。場
合罠より合エツジ接点懺域馨備えた両面プリント配線板
である。
Plated through-holes and the nickel/indium alloy of the present invention are total or partial gold replacements. It is a double-sided printed wiring board with a contact area that covers both edges.

出発基材ン第1図に示す、これは市販の積層板10から
なる。板10は非導電性材料5たとえばガラス截維強化
エポキシ樹脂または熱可塑性材料よりなる基板12から
構成されろ。基板12にはその反対側の各面にきわめて
薄い鋼クラッドまたはフィルム14および16が積層さ
れているう銅フィルム14および16は約0.0035
6−の厚さをもち、一方基板は約0.157−の厚さχ
もつ。
The starting substrate, shown in FIG. 1, consists of a commercially available laminate 10. The plate 10 may consist of a substrate 12 of a non-conductive material 5, such as a glass fiber reinforced epoxy resin or a thermoplastic material. The substrate 12 has a very thin steel cladding or film 14 and 16 laminated on each opposite side thereof.
6-6, while the substrate has a thickness of approximately 0.157-
Motsu.

めっきスルーホールが公費とされるあらかじめ定められ
た位ttに積層板10馨貫通してホールないしは開01
8馨形成する。ホール1Bは第2図に示され、たとえば
テープ制−ボール盤で穴あけすることにより形成できる
。板10v穴あけ作業中、アルミニウムまたはペーパー
フェノール系の入口および出口材料により支持′f7)
こともできる。
A plated through hole is inserted through the laminate plate 10 at a predetermined location (tt) which is a public expense, and then a hole or opening is made.
8 formations. Hole 1B is shown in FIG. 2 and can be formed, for example, by drilling with a tape drill press. Plate 10V supported by aluminum or paper phenolic inlet and outlet materials during drilling operations'f7)
You can also do that.

穴あけののち積層板10を清浄にする。After drilling, the laminate 10 is cleaned.

最初に積層板全体、および穴あけしたホール18におけ
る基板12の露出表面馨増感することが望ましい。これ
は板10γ適切な触媒、たとえば塩化スズパラジウムに
浸漬することにより行うことができる。
It is desirable to first sensitize the entire laminate and the exposed surfaces of the substrate 12 at the drilled holes 18. This can be done by soaking the plate 10γ in a suitable catalyst, for example tin palladium chloride.

次いで銅の薄いフィルムまたは層19ゲ一般の無電解め
っき法により板10にめっきする。これはたとえは厚さ
約0.0O0254onσ)フィルム?生じる無電解鋼
めっきにより行うことができろ。層19も第6図に示す
ようにホール18の表面ン覆う。
A thin film or layer 19 of copper is then plated onto the plate 10 by conventional electroless plating techniques. Is this an example of a film with a thickness of approximately 0.0O0254onσ? This can be done by electroless steel plating. Layer 19 also covers the surface of hole 18, as shown in FIG.

板100両面の目的回路1ii1+像’に一般法のいず
れによって施すこともできる。しかし好まし7くは乾燥
塗膜ホトレジストゲ施し1次いでjlI元および現像す
る。その後まず板10を清浄にする。これはサンダー罠
より、あるいは截維剛もおよび軽石を備えたブラシによ
り行うことができる。次いで板10?脱イオン水または
蒸留水でリンスし、tp過圧縮空気により乾燥すること
ができろ。
The target circuit 1ii1+image' on both sides of the board 100 can be applied by any of the conventional methods. Preferably, however, the dry coated photoresist is applied and then developed. After that, the board 10 is first cleaned. This can be done with a sander trap or with a brush equipped with a pumice stone and a pumice stone. Next is board 10? Rinse with deionized or distilled water and dry with TP overcompressed air.

乾珠塗模ホトレジスト層20および22馨板10の反対
側の各面に施す。適切なホトレジスト材料0)例はデュ
ポンリストy (Dupont R15ton 218
R(登録商(1)である。ホトレジスト層はレジストお
よび根音ラミネータに導通ずることにより施すことがで
きる。これは用いるラミネータの型に応じて104.5
〜124℃の温度で行うことができる。ホトレジスト層
20および22の厚さは希望するめつき回路の厚さによ
り定められる。普通はホトレジスト層20および22は
希望するめつき回路の厚さよりも若干厚く、約0.00
0762cm厚くてよい。たとえば厚さ約0.0058
1onのめつき回路馨得ろためには、ホトレジスト層2
0および22は約0.0[]4’57cMの厚さをもつ
べきである。
Dry beads coated pattern photoresist layers 20 and 22 are applied to each opposite side of the board 10. An example of a suitable photoresist material is Dupont R15ton 218
R (Registered Trademark (1)). The photoresist layer can be applied by contacting the resist and a root laminator. This may vary depending on the type of laminator used.
It can be carried out at a temperature of ~124°C. The thickness of photoresist layers 20 and 22 is determined by the desired thickness of the plated circuit. Typically, photoresist layers 20 and 22 are slightly thicker than the desired plated circuit thickness, approximately 0.00
It's 0762cm thick and good. For example, the thickness is about 0.0058
In order to obtain a 1-on plating circuit, a photoresist layer 2 is required.
0 and 22 should have a thickness of approximately 0.0[]4'57 cM.

こうして施されたまたは積層されたホトレジスト層20
および22?次いで適切なマスクゲ介して写真真先する
つ次いでホ)L/シスト層20および22を現像する。
Photoresist layer 20 thus applied or laminated
and 22? Then, the L/cyst layers 20 and 22 are developed one after another through a suitable masking mask.

これにまり現1象液に感受性の非重合領域24が除去さ
れるであろう。ホトレジスト層20および22上の領域
はめつきされろ回路領域およびホール18σ)表面に一
致する。そこでホトレジスト層20および22は重合領
域26を有する。これはエツチング剤に対して抵抗性で
あり、第4図に示すようにホトレジスト層20および2
2の他の領域すべて?覆う。ホトレジスト1620およ
び22に77.97 kPa(水銀)またはそれ以上の
真空中で約1礪分間、光源により露光することができる
。路光ののち放圧し、ホトレジスト層20および22馨
宿温において少なくとも60分間常態化する。次いでホ
トレジスト層20および22馨適切な自動現I#機中で
現曽−fろことができる。
This will remove the unpolymerized regions 24 that are sensitive to the liquid. The areas on photoresist layers 20 and 22 correspond to the surface of the plated circuit area and holes 18σ). There, photoresist layers 20 and 22 have overlapping regions 26. It is resistant to etching agents and, as shown in FIG.
All other areas of 2? cover. Photoresists 1620 and 22 can be exposed with a light source for about 1 minute in a vacuum of 77.97 kPa (mercury) or greater. After exposure, the pressure is released and the photoresist layers 20 and 22 are allowed to stand at the same temperature for at least 60 minutes. The photoresist layers 20 and 22 can then be photoresisted in a suitable automatic photoresist machine.

第5図は現1象液忙対して感受性σ)非重合領域24が
除かれたのちρ板1′0乞示す。これはたとえば板の両
1N[1にホールないしは開018および希望する回路
隊?廃出メせろ適切な現1#液(浸漬することによって
行うことができる。
FIG. 5 shows the ρ plate 1'0 after the non-polymerized region 24 has been removed. This is, for example, the hole or opening 018 on both sides of the board 1N [1] and the desired circuit group? Discharge can be done by soaking in a suitable liquid (1#).

次いで板10に銅を電着しくパターンめっき)。Next, pattern plating is performed by electrodepositing copper on the plate 10).

これにより回路像および穴あけされたホールの内面に希
望する厚さの銅暑付与する。これはすべて常法により行
われる。たとえばピロホスフェートまたは酸性鋼処理?
用いてホール180表面に0.00254oy+の最小
鋼めっき30(第7図)および約0.00381cPn
の銅回路62ン得ろことができろ。回路めっき32は第
7図に示されろようVC重合したホトレジスト26の壁
の境界内に収容サレる。
This provides the desired thickness of copper on the circuit image and the inner surface of the drilled hole. All this is done in conventional manner. For example pyrophosphate or acid steel treatment?
A minimum steel plating of 0.00254oy+ (Fig. 7) and approximately 0.00381cPn is applied to the surface of the hole 180 using
You can get 62 copper circuits. Circuit plating 32 is contained within the confines of the wall of VC polymerized photoresist 26 as shown in FIG.

銅の電気めっき工程ののち電気めっきパターンめっき浴
から取出した時点で板104ドラグアウ) (14(d
ragout bath ) 中で水洗し、水でリンス
し、たとえばI MA 5ACu−56(商標)中で約
1〜2分間、約20〜25℃でやけ防止処理ヶ施し。
After the copper electroplating process, when the electroplating pattern is removed from the plating bath, the plate 104 drag out) (14(d
ragout bath), rinsed with water and anti-stain treatment, for example in IMA 5ACu-56™ for about 1-2 minutes at about 20-25°C.

水でリンスし、乾燥させるっ露出した銅層6oおよび6
2?次いでミクロエツチング用酸清浄浴中で約20〜2
5℃におい、で約2分間洗浄し、板1゜乞水中で約1分
間、脱イオン水中で約25分間リンスする。露出した鋼
層6oおよび52Y次いで適切な金属エッチレジスト、
合金の全重量に対し約0.3〜約10重量%のインジウ
ム、好ましくは合金の全重量に対し約1〜5電量チのイ
ンジウムを含有するニッケル/インジウム合金で笑m例
1に記載した一般法?用いて電気めっきする。用いたパ
ネル電気めっき浴および操作パラメーター?下記の表1
1yr示ず。
Rinse with water and dry the exposed copper layers 6o and 6.
2? Then, in a micro-etching acid cleaning bath, about 20 to 2
Wash at 5° C. for about 2 minutes, and rinse the plate in 1° cold water for about 1 minute and in deionized water for about 25 minutes. exposed steel layers 6o and 52Y then a suitable metal etch resist;
A nickel/indium alloy containing from about 0.3% to about 10% by weight of indium based on the total weight of the alloy, preferably from about 1 to 5 coulometric indium based on the total weight of the alloy, as described in Example 1. Law? electroplating using What panel electroplating bath and operating parameters were used? Table 1 below
1yr not shown.

表 vl (atクエン酸 0.2M tblスルファミン酸ニッケ/’ 1.5M1clクエ
ン酸ジアンモニウム 0.4M+dR化ニッケル 0.
063M (elスルファミン酸インジウム 0.0089Mば)
ラウリル硫酸ナトリウム 0.0004Mfgl温度 
45−48℃ [hlpH2,5 (il電流密度 35 melon2 電気めっき浴から取出した時点で板10?ドラグ丁ウド
浴中で約10秒間、医いで熱湯浴中で約1分間水洗し、
水中でリンスし、乾燥させる。次いで板10ンアルカリ
性溶剤ストリッピング剤〔たとえばロバートソンズ(R
obertsons )B P −118〕の第1浴に
約60〜70℃で約10分間アルカリ性の溶剤ストリッ
ピング剤の第2浴に約60〜70℃で約5分間浸漬し、
板を約50”Cの熱アルカリ性溶剤ストリッピングブラ
シ機に導通して第9図に示すようにホトレジスト26’
r除去する。次いで板10ン常法によりアンモニア性エ
ツチング剤〔たとえばマクデルミド(Mac De r
 m id )9151)Y用いて約45℃でエツチン
グし、ニッケル/インジウムエッチレジストにより被覆
されていない板10の積載から鋼?除去する。エツチン
グ剤をその正常な操作限界内に保持し、過剰エツチング
を避けるよう圧注意する。過剰エツチングにより、エツ
チングに際してエッチレジストとして作用するニッケル
/インジウム合金のスライバーが破損してプリント配線
に混入する可能性を生じる程度Kまで鋼層60および6
2の4がアンダーカットされろことがある。エツチング
ののち板10’に水中でリンスし、乾燥させ、エツジ優
点慎域のみ?めっきするためにマスキングする。
Table vl (at citric acid 0.2M tbl nickel sulfamate/' 1.5M 1cl diammonium citrate 0.4M+dR nickel 0.
063M (el indium sulfamate 0.0089M)
Sodium lauryl sulfate 0.0004Mfgl temperature
45-48℃ [hlpH2,5 (il current density 35 melon2) When taken out from the electroplating bath, the plate was washed in a hot water bath for about 10 seconds, then washed in a boiling water bath for about 1 minute.
Rinse in water and dry. Then apply a 10-ton alkaline solvent stripping agent (e.g. Robertson's®
bertsons) BP-118] for about 10 minutes at about 60-70°C, and a second bath of an alkaline solvent stripping agent for about 5 minutes at about 60-70°C;
The plate is passed through a hot alkaline solvent stripping brush machine at about 50"C to remove the photoresist 26' as shown in FIG.
rRemove. Next, 10 plates of an ammonia-based etching agent [for example, MacDermid
m id ) 9151) Y from the stack of plates 10 etched at about 45° C. and not covered by a nickel/indium etch resist. Remove. Care is taken to keep the etchant within its normal operating limits and avoid over-etching. Over-etching may cause the steel layers 60 and 6 to break to such an extent that the nickel/indium alloy sliver that acts as an etch resist during etching may break and become incorporated into the printed wiring.
The 4 of 2 may be undercut. After etching, rinse the plate 10' in water, dry it, and remove only the edge area. Masking for plating.

エツジ電気接点66は、槃にエツジ電気接点66のl/
A450および62馨一般の電気めっき法によりニッケ
ル/インジウム合金で必要な厚さ九までめっきすること
によって得られるうあるいは本発明者らの出願でおる“
電気デバイスの電気娶点饋域の製造に用いられる新規な
ニッケル/インジウム合金”と題する米国特許第605
,435号明細書(1984年4月50日出願)VC記
載されるように好ましくは合金の全重量に対し約5〜約
20重量%馨含有−fるニッケル/インジウム合金2層
60および52VC必要な厚さ九までめっきしてエツジ
接点56?形成するか、あるいはエツジ電気接点66は
、まずエラ1)FIe点領域σ)銅W160および52
ヲ上記のようにニッケル/インジウム合金でめっきして
エツジ電気接点領域66の層60および62の厚さを増
し1次いで金でめっきすることによっても傅らねる。
The edge electrical contact 66 is connected to the l/
A450 and 62 can be obtained by plating up to the required thickness with nickel/indium alloy by a general electroplating method or as described in the present inventor's application.
US Pat. No. 605 entitled "Novel Nickel/Indium Alloys Used in the Fabrication of Electrical Point Areas of Electrical Devices"
, No. 435 (filed April 50, 1984) VC preferably contains about 5 to about 20% by weight based on the total weight of the alloy - two layers of nickel/indium alloy 60 and 52 VC Plated to a thickness of 9 and edge contacts 56? Alternatively, the edge electrical contacts 66 are first formed on the gills 1) FIe point area σ) copper W160 and 52
This can also be accomplished by increasing the thickness of layers 60 and 62 of edge electrical contact area 66 by plating with a nickel/indium alloy as described above and then plating with gold.

備えたプリント回路のエツジ捩点憤域に金?全く用いな
いかまたはより少食用いれはよいので、賃金属音節約す
ることができる。
Money in the edge of a printed circuit with a twist point? You can save money by not using it at all or by eating less of it.

めつきスルーホールを備えた最終プリン)IF線板を第
10図に示す。これは常法により製造されるプリント配
線板と同様に作用することができ。
The final IF wire plate with plated through holes is shown in FIG. This can function similarly to printed wiring boards manufactured by conventional methods.

たとえはこれ罠フローはんだ付は法によりはんだマスク
を施し、構成敷素ン固定することができろ。
For example, in flow soldering, it is possible to apply a solder mask and fix the component base.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

lA1〜10図は有効量のインジウムを含有するニッケ
ル/インジウム合金によって金が全体的または部分的に
代替されためつぎスルーホール’に有するプリント配線
板の製造における逐次プロセス工徨に対応する一連の断
片横断面図である。 10 :積層板: 12:基・板: 14.16:鋼フ
ィルム: 18:ホール: 19:銅フィルム: 20
・22:ホトレジスト層: 24:非重合領域(ホトレ
ジスト層): 26:m合領域(ホトレジスト層): 
60・62:鋼めつき;66:エツジ電気接点 時計出願人 アライド・コーポレーション(外5名) FIG、6 FIG、7 FIG、8 トIG、10 第1頁の続き ■Int、CI、’ 識別記号 庁内 HO5K 3106 6 優先権主張 6198岬3月268[相]米国(US)
@71849
Figures lA1-10 are a series of fragments corresponding to a sequential process technique in the manufacture of printed wiring boards having through holes' in which gold is wholly or partially replaced by a nickel/indium alloy containing an effective amount of indium. FIG. 10: Laminate: 12: Substrate/board: 14.16: Steel film: 18: Hole: 19: Copper film: 20
・22: Photoresist layer: 24: Non-polymerized region (photoresist layer): 26: Mated region (photoresist layer):
60, 62: Steel plating; 66: Edge electric contact clock Applicant: Allied Corporation (5 others) FIG, 6 FIG, 7 FIG, 8 IG, 10 Continued from page 1 ■ Int, CI, ' Identification symbol Internal HO5K 3106 6 Priority claim 6198 Cape March 268 [phase] United States (US)
@71849

Claims (1)

【特許請求の範囲】 fil 有効量のインジウムからなる新規なニッケル/
インジウム合金。 f21 fal少なくとも約0,5Mのニッケル陽イオ
ンおよび少な(とも0.001Mのインジウム陽イオン
;+bl約2.6Mまでのクロリドイオン:Iclホウ
酸、ヒドロキシカルボン酸およびそれらのヒドロキシカ
ルボン酸の塩よりなる群から選ばれる緩衝物質約0.2
5〜1.6 M :ならびにtdl水 かうなる、約5以下のpHを有する新規なニッケル/イ
ンジウム合金電着用水性浴。 +31 fat少なくとも約0.5 Mのニッケル陽イ
オンおよび少なくともo、ooi・Mのインジウム陽イ
オン:+bl約2.6 M 1でのクロリドイオン:t
el浴のpH乞約5以下の値に保持するのに十分な童の
緩衝物質: ldl有効量のキレート化剤1種または2111以上;
ならびに let水 かうなる、約5以下のpH馨有する新規なニッケル/イ
ンジウム合金電着用水性浴。 (4)緩衝物質が約04〜0.7Mのホウ酸である。 特許請求の範囲第2項に記載の浴。 (5)キレート化剤がカルボン酸、ヒドロキシカルボン
酸およびそれらの塩よりなる群から選ばれ。 該キレート化剤が緩衝物質として作用する5%許請求の
範囲第6項に記載の袷。 (6) キレート化剤がヒドロキシカルボン酸またはそ
れらの塩である。特許請求の範囲第5項に記載の浴。 f71 fat少なくとも約0.5Mのニッケル陽イオ
ンおよび少なくとも0.001 Mのインジウム陽イオ
ン;tbl約2.6Mまでのクロリドイオン:fcl浴
のpHY約5以下に保持するのに十分な量の緩衝物質; ldl有効量のキレート化剤1橿または2檀以上;なら
びに tel水 からなろ、5以下OpH馨有するめっき浴から電場によ
り製造された本質的にインジウムおよびニッケルよりな
る合金。 (8)水性めっき浴が ial 約0.9〜2Mのニッケル陽イオン;lbl約
0.04〜2.5Mのクロリドイオン;let約0.0
04−0.05 Mのスルフアミン酸インジウム; tdlヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸およびアミ
ノカルボン酸ならびにそれらの塩よりなる群から選は引
る約0,25〜1.6Mのキレート仕舞1橿または2撞
以上であって、該キレート化剤が緩衝物質として作用す
るもの;ならびにlet水 からなろ、特許請求の範囲1iKZ項に記載の合金。 191 1al金属クラツド基板の1または2以上の表
面?ホトレジストの被膜で被覆し: lblホトレジスト乞あらかじめ定められた回路デザイ
ン画像でマスクし: tel該ホトレジストをエネルギー源に露光して。 1または2以上の表面の目的回路−(象上にエツチング
剤に対して感受性のレジスト層部分ケ与え、該表面の残
部に該エツチング剤に対して抵抗性のレジスト層部分?
与え; +dlエツチング剤に対して感受性のホトレジスト部分
を除去して金属クラッドの表面に目的回路−IJI!を
与え: let目的目的回路画像域金属系エッチレジスト気めっ
きし: tf+ホトレジストの残部ヲ板から除去して金属クラッ
ドの一部馨真出させ:そして Ig+處出した金属クラッドを板から除去して金属エッ
チレジストで被覆さまた金属回路乞有する板に与える ことよりなり、改良点が合金の全重量に対し約10重量
%までQ)インジウム?含有するはんだ付は可能なニッ
ケル/インジウム合金から構成さねる金属系エッチレジ
ストからなる。金属クラッド基板からプリント配線根域
製造する方法。 θOfat絶縁材料からなる基板の少なくとも1表面上
に金属めっき無電解めっきし; fbl該金属めっきの一部に保護材料乞施して金属めっ
き表面に目的回路パターン馨与え;lcl目的回路バタ
ーyFC,金属めっきを電気めっきし; (dl目的回路画1象に金属系エッチレジストを電気め
っきし: let金属めっきされた該基板から保護材料を除去し:
そして lf+保護材料で被覆された金属クラッド部分から金x
”<分別エツチングして、その少なくとも1表面に目的
金属回路パターン乞有する板を与える工程からなり、改
良点が合金の重量に対し少なくとも約0.1!t%のイ
ンジウム?宮むニッケル/インジウム合金の金属系エッ
チレジストからなる5改良されたプリント配線板製造法
[Scope of Claims] fil A novel nickel/fil consisting of an effective amount of indium
Indium alloy. f21 fal at least about 0.5M nickel cations and less (both 0.001M indium cations; +bl up to about 2.6M chloride ions: Icl consisting of boric acid, hydroxycarboxylic acids and salts of these hydroxycarboxylic acids) a buffer substance selected from the group approximately 0.2
A novel nickel/indium alloy electrodeposition aqueous bath having a pH of about 5 or less, comprising: 5-1.6 M: as well as TDL water. +31 fat at least about 0.5 M nickel cations and at least o,ooi·M indium cations: +bl about 2.6 M chloride ions at 1:t
a buffering substance sufficient to maintain the pH of the EL bath at a value of about 5 or less: an effective amount of one or more chelating agents;
and let water, a novel nickel/indium alloy electrodeposition aqueous bath having a pH of about 5 or less. (4) The buffer substance is about 0.4-0.7M boric acid. A bath according to claim 2. (5) The chelating agent is selected from the group consisting of carboxylic acids, hydroxycarboxylic acids, and salts thereof. 7. The linen according to claim 6, wherein the chelating agent acts as a buffer substance. (6) The chelating agent is a hydroxycarboxylic acid or a salt thereof. A bath according to claim 5. f71 fat at least about 0.5 M nickel cations and at least 0.001 M indium cations; tbl up to about 2.6 M chloride ions: an amount of buffering material sufficient to maintain the pH of the fcl bath below about 5. an alloy consisting essentially of indium and nickel produced by an electric field from a plating bath having an OpH of less than 5; an effective amount of chelating agent or more; and tel water. (8) When the aqueous plating bath is ial about 0.9-2M nickel cations; lbl about 0.04-2.5M chloride ions; let about 0.0
04-0.05 M indium sulfamate; about 0.25-1.6 M chelate from the group consisting of tdl hydroxycarboxylic acids, dicarboxylic acids and aminocarboxylic acids and their salts 1 or 2 drops An alloy according to claim 1iKZ, wherein the chelating agent acts as a buffer substance; and let water. 191 One or more surfaces of a 1al metal clad substrate? Coating with a film of photoresist: masking the photoresist with a predetermined circuit design image; exposing the photoresist to an energy source; A target circuit on one or more surfaces - providing a portion of the resist layer sensitive to the etching agent on the surface and a portion of the resist layer resistant to the etching agent on the remainder of the surface?
Provide; remove the photoresist portions sensitive to the +dl etchant and attach the desired circuit to the surface of the metal cladding - IJI! Give: Let the desired circuit image area metal etch resist plating: Remove the remaining tf+ photoresist from the board to reveal some of the metal cladding: and remove the exposed metal cladding from the board. Q) Indium is coated with a metal etch resist and provides an improvement of up to about 10% by weight based on the total weight of the alloy. The solder-containing material consists of a metal-based etch resist composed of a possible nickel/indium alloy. A method for manufacturing printed wiring roots from metal clad substrates. θOfat electroless metal plating on at least one surface of the substrate made of an insulating material; fbl applying a protective material to a part of the metal plating to give a desired circuit pattern to the metal plating surface; lcl purpose circuit butter yFC, metal plating Electroplating; (dl Electroplating a metal-based etch resist on the target circuit diagram 1; let removing the protective material from the metal-plated substrate:
and gold x from the metal clad part covered with lf+ protective material.
a nickel/indium alloy having an indium content of at least about 0.1 t% by weight of the alloy; 5. An improved method for manufacturing printed wiring boards comprising metal-based etch resists.
JP9354385A 1984-04-30 1985-04-30 Novel nickel/indium alloy and use for manufacturing print distributing board Pending JPS60255946A (en)

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US60535284A 1984-04-30 1984-04-30
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006213842A (en) * 2005-02-04 2006-08-17 Bridgestone Corp Antioxidant-containing wet masterbatch and method for producing the same, and rubber composition using the same and tire

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP4620481B2 (en) * 2005-02-04 2011-01-26 株式会社ブリヂストン Anti-aging agent-containing wet masterbatch, method for producing the same, and rubber composition and tire using the same

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