JPS60251685A - 半導体レ−ザ−の非直線性補償装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−の非直線性補償装置Info
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- JPS60251685A JPS60251685A JP10768984A JP10768984A JPS60251685A JP S60251685 A JPS60251685 A JP S60251685A JP 10768984 A JP10768984 A JP 10768984A JP 10768984 A JP10768984 A JP 10768984A JP S60251685 A JPS60251685 A JP S60251685A
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- frequency
- signal
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- component
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06213—Amplitude modulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は半導体レーザーの直接変調に関わる２、１′
もので、変調時の非直線性を補償し、特に複数局゛波数
成分からなる変調入力信号の複数周波数成分による相互
変調成分を除去する補償装置に関わるものである。
もので、変調時の非直線性を補償し、特に複数局゛波数
成分からなる変調入力信号の複数周波数成分による相互
変調成分を除去する補償装置に関わるものである。
（従来技術と問題点）
従来、半導体レーザーの直接変調における非直線性を補
償する目的で、ブリディストーション法、フィードバッ
ク法などの手段が講じられてきた。
償する目的で、ブリディストーション法、フィードバッ
ク法などの手段が講じられてきた。
ブリディストーション法とは、半導体レーザー変ｌ・・
調時の微分振幅特性および微分位相特性の非直線性と逆
の非直線性を持つように、ターイオードの非直肪性を用
いて入力信号を歪ませて、変調の非直線性を補償するも
のである◇この方法では、非直線性勿折線近似している
ので、多数のダイオード・・を用いて、これらの動作点
を精密に調整しなけれはならない欠点があった。
調時の微分振幅特性および微分位相特性の非直線性と逆
の非直線性を持つように、ターイオードの非直肪性を用
いて入力信号を歪ませて、変調の非直線性を補償するも
のである◇この方法では、非直線性勿折線近似している
ので、多数のダイオード・・を用いて、これらの動作点
を精密に調整しなけれはならない欠点があった。
第２図はブリディストーション回路の特性を自動的に設
定することを試みた回路である◎変調信号１に発振器９
からのパイロット信号（ｆｐ） ”４１ 、・・°成器
４で加え、半導体レーザーダイオード２の出゛力を直接
変調する。出力光はその一部を受光回路８で電気信号に
変換する。変換された電気信号中のパイロット信号（ｆ
ｐ）の２次、８次高調波成分（２ｆｐ、８ｆｐ）が、発
振器９から直接導出したバイー′ロット信号の２次、８
次高調波成分（５，６）で乗算器７によりそれぞれ同期
検波される形になシ（１２０回路部動作）、それぞれ検
波出力を取出し、積分器１０を経由した信号で、ブリデ
ィストーション回路部１１における２次高調波、８次高
調波１°゛のプリディストーションレベルを制御してい
る。
定することを試みた回路である◎変調信号１に発振器９
からのパイロット信号（ｆｐ） ”４１ 、・・°成器
４で加え、半導体レーザーダイオード２の出゛力を直接
変調する。出力光はその一部を受光回路８で電気信号に
変換する。変換された電気信号中のパイロット信号（ｆ
ｐ）の２次、８次高調波成分（２ｆｐ、８ｆｐ）が、発
振器９から直接導出したバイー′ロット信号の２次、８
次高調波成分（５，６）で乗算器７によりそれぞれ同期
検波される形になシ（１２０回路部動作）、それぞれ検
波出力を取出し、積分器１０を経由した信号で、ブリデ
ィストーション回路部１１における２次高調波、８次高
調波１°゛のプリディストーションレベルを制御してい
る。
この方法は回路の構成が複雑になる欠点があった〇
一部フイードバック法は、レーザーダイオードの出力光
の一部を分岐して受光素子に加え、得ら゛れた電気信号
を入力に帰還して補償を行なうものであるＯこの方法で
は帰還回路の応答速度によυ使用可能な周波数の上限が
制約されるので、変調信号の周波数が高い場合は使用で
きない欠点があった０ （発明の要点） 本発明は、従来の欠点を除去し、簡単な構成で為レーザ
ーダイオード直接変調時の非直線性歪や特に相互変調歪
を改善することを目的とするもので゛・ある。すなわち
本発明の半導体レーザーの非直線性補償装置は、半導体
レーザーに複数周波数成分からなる変調入力信号を印加
して直接変調光出力を得るにらたシ、当該半導体レーザ
ーにレーザー発振動作と々るバイアス電流と正弦波の補
償用信１０号とを加え、前記補償用信号の周波数を前記
半導体レーザーの緩和振動周波数と前記変調入力信号の
周波数との差もしくは和の周波数の近傍に設定するとと
もに、前記補償用信号のレベルおよび周波数を調整して
、所要帯域内の前記複数周波教戒１分による相互変調成
分を除去することを特徴とするものである。
の一部を分岐して受光素子に加え、得ら゛れた電気信号
を入力に帰還して補償を行なうものであるＯこの方法で
は帰還回路の応答速度によυ使用可能な周波数の上限が
制約されるので、変調信号の周波数が高い場合は使用で
きない欠点があった０ （発明の要点） 本発明は、従来の欠点を除去し、簡単な構成で為レーザ
ーダイオード直接変調時の非直線性歪や特に相互変調歪
を改善することを目的とするもので゛・ある。すなわち
本発明の半導体レーザーの非直線性補償装置は、半導体
レーザーに複数周波数成分からなる変調入力信号を印加
して直接変調光出力を得るにらたシ、当該半導体レーザ
ーにレーザー発振動作と々るバイアス電流と正弦波の補
償用信１０号とを加え、前記補償用信号の周波数を前記
半導体レーザーの緩和振動周波数と前記変調入力信号の
周波数との差もしくは和の周波数の近傍に設定するとと
もに、前記補償用信号のレベルおよび周波数を調整して
、所要帯域内の前記複数周波教戒１分による相互変調成
分を除去することを特徴とするものである。
（本発明にいたる原理の説明）
第１図（ａ）は本発明の原理的構成を示した図で、・・
・°１は変調する信号を発生する信号源、９は補償用゛
の信号を発生する信号源、４は１と９の信号源出力を合
成する合成回路、２は半導体レーザー、８は半導体レー
ザーの光出力を外部に導びく光ケーブルである。
・°１は変調する信号を発生する信号源、９は補償用゛
の信号を発生する信号源、４は１と９の信号源出力を合
成する合成回路、２は半導体レーザー、８は半導体レー
ザーの光出力を外部に導びく光ケーブルである。
以下に本発明による半導体レーザー直接変調時の相互変
調ひずみの補償効果について説明する０まず、周波数ｆ
工、１２の２波の変調信号で半導体レーザーを直接変調
した場合を考える。このとき半導体レーザー内部の光子
の密度には、周波数１“１ｆ１．ｆ２で変化する成分が
発生するが、さらに半導体レーザーの非直線性のため、
周波数ｍｆ□十ｎｆ２（ｍ、 ｎは整数）で変化する成
分も同時に発生するＯこのため・光出力には多数の周波
数成分が含まれるが、とくに、周波数２１−ｆ、げ）と
２ｆ２−ｆ工。
調ひずみの補償効果について説明する０まず、周波数ｆ
工、１２の２波の変調信号で半導体レーザーを直接変調
した場合を考える。このとき半導体レーザー内部の光子
の密度には、周波数１“１ｆ１．ｆ２で変化する成分が
発生するが、さらに半導体レーザーの非直線性のため、
周波数ｍｆ□十ｎｆ２（ｍ、 ｎは整数）で変化する成
分も同時に発生するＯこのため・光出力には多数の周波
数成分が含まれるが、とくに、周波数２１−ｆ、げ）と
２ｆ２−ｆ工。
１ ２ ８
げ）の成分は、第１図（ｂ）のように希望する変調信号
ｆ、 ＋、 ｆ、に接近した周波数になるので、通信に
妨害を与える原因になっている０これらの成分の振幅は
、ｆｆ成分の振幅の８茨積に比例するた１．２ め８次の相互変調ひずみ成分と呼ばれる。
ｆ、 ＋、 ｆ、に接近した周波数になるので、通信に
妨害を与える原因になっている０これらの成分の振幅は
、ｆｆ成分の振幅の８茨積に比例するた１．２ め８次の相互変調ひずみ成分と呼ばれる。
次に周波数ｆの補償用信号１５を重畳した場合゛を考え
る。このとき、半導体レーザー内部の光子の密度には、
周波数’１． ｆｌ！、’Ｐで変化する成分とともに、
ｆ、±ｆ、ｊｐ±ｆ、 ｆＰ’ｒ： ｆ８． ｆ、±ｆ
４で変化する成分１６．１７が発生する。
る。このとき、半導体レーザー内部の光子の密度には、
周波数’１． ｆｌ！、’Ｐで変化する成分とともに、
ｆ、±ｆ、ｊｐ±ｆ、 ｆＰ’ｒ： ｆ８． ｆ、±ｆ
４で変化する成分１６．１７が発生する。
ここで、ｆＰの上側の成分１６がレーザーダイオードの
緩和振動周波数ｆｒの付近になるようにｆ。
緩和振動周波数ｆｒの付近になるようにｆ。
１５を設定し、補償用信号の入力を充分に加えるとＳ第
１図（Ｃ）のように上側の成分の振幅は非常に大きくな
る〇 ところで、光子の密度が変化する周波数成分に第１図（
ｄ）の実線のようにｆ、 １５ 、 ｆ、 十ｆ１．ｆ
、十ｆ。
１図（Ｃ）のように上側の成分の振幅は非常に大きくな
る〇 ところで、光子の密度が変化する周波数成分に第１図（
ｄ）の実線のようにｆ、 １５ 、 ｆ、 十ｆ１．ｆ
、十ｆ。
ｆ、＋ｆ、ｆＰ＋ｆ、１６の成分があるときは、半導体
レーザー内部の非直線性のために、第１図（ｄ）点線の
ようにｆ、ｆ、ｆ、 ｆ４，１８の成分が発生する０し
たがって、補償用信号を加えたときの８次ひずみ成分は
、補償用信号がないときの第１図（ｂ）の成分１４に、
補償用信号を加えたために発生する第１図（ｄ）の点線
の成分１８が加わったものになる。
レーザー内部の非直線性のために、第１図（ｄ）点線の
ようにｆ、ｆ、ｆ、 ｆ４，１８の成分が発生する０し
たがって、補償用信号を加えたときの８次ひずみ成分は
、補償用信号がないときの第１図（ｂ）の成分１４に、
補償用信号を加えたために発生する第１図（ｄ）の点線
の成分１８が加わったものになる。
ところで、第１図（（１）の点線の成分１８の位相と、
第。
第。
１図中）の実線の成分１４と唾には位相差があり、２つ
の位相差は後述のようにｆ、によって変化する。そこで
、２つの位相差が１８０°になるようにｆＰを選び、２
つの成分の振幅が等しくなるように補償用信号の入力レ
ベルを設定すれば３次相互変調ひずみを打ち消すことが
できる。
の位相差は後述のようにｆ、によって変化する。そこで
、２つの位相差が１８０°になるようにｆＰを選び、２
つの成分の振幅が等しくなるように補償用信号の入力レ
ベルを設定すれば３次相互変調ひずみを打ち消すことが
できる。
なお、ｆＰ＋ｆ８． ｆ、十ｆ、成分の振幅は補償用信
号の入力の８乗にほぼ比例して増大するが、ｆ。
号の入力の８乗にほぼ比例して増大するが、ｆ。
＋ｆ、ｆ、＋ｆ２成分の振幅は補償用信号の入力に比例
して増大する。このため、８次相互変調ひずみが打ち消
されるときの補償用信号の入力においては、ｆ、＋ｆ、
ｆＰ＋ｆ２の成分は、ｆ□ ｆ２を打ち消す程太きく
になく、位相差も１８０°からずれているので、希望す
る変調信号が補償用信号によって受ける影響は小さい。
して増大する。このため、８次相互変調ひずみが打ち消
されるときの補償用信号の入力においては、ｆ、＋ｆ、
ｆＰ＋ｆ２の成分は、ｆ□ ｆ２を打ち消す程太きく
になく、位相差も１８０°からずれているので、希望す
る変調信号が補償用信号によって受ける影響は小さい。
以上ではｆＰ＋ ｆ、が緩和振動周波数の近傍にある場
合について説明したが、ｆ、、−ｆよが緩和振動周波数
の近傍にある場合も同様の補償効果が生じる。
合について説明したが、ｆ、、−ｆよが緩和振動周波数
の近傍にある場合も同様の補償効果が生じる。
また、ｆ、の高調波の上下にできる側帯波が緩和振動周
波数の近傍にある場合も補償効果が生じることがめる〇 なお第８図は半導体レーザーダイオードに変調信号を印
加したときの変調信号周波数に対する光出力振幅および
位相特性を一般的に示したものである０特に緩和振動周
波数ｆｘ近傍では光出力が増大するとともに変調周波数
に応じて大幅に位相が変化する性質があり、第１図（ｄ
）で述べた打消信号の位相はこの性質を利用し補償用信
号ｆＰの周波数の調整によって打消しに適した角度とな
るよう（（シている。
波数の近傍にある場合も補償効果が生じることがめる〇 なお第８図は半導体レーザーダイオードに変調信号を印
加したときの変調信号周波数に対する光出力振幅および
位相特性を一般的に示したものである０特に緩和振動周
波数ｆｘ近傍では光出力が増大するとともに変調周波数
に応じて大幅に位相が変化する性質があり、第１図（ｄ
）で述べた打消信号の位相はこの性質を利用し補償用信
号ｆＰの周波数の調整によって打消しに適した角度とな
るよう（（シている。
（実 験 例 ）
次に、実験結果について説明する。第４図は、変調信号
の周波数とレベルを一定にしておき（ｆ −１，００Ｇ
Ｈ２（−１０ｄＢｍ）、 ｆ、＝１．０１ＧＨｚ（−１
０ｄＢｍ）か最適の周波数に選んだ補償用信号（ｆＰ＝
１．７３ ＧＨｚ ）の入力レベルを変化させたとき
の８次相互変調出力を測定したものである（バイアス電
流：工ｔｈ＋６ｍＡ）。補償用信号の入力レベルを大き
くするにつれ、８次相互変調出力が小さくなシ約−８ｄ
Ｂｍの入力で最小になシ、その後再び増加すること、最
適の入力レベルでは３０ ｄＢ以上の改善量が得られる
こと、入力レベルが最適値から±１（ｉＢ変化しても２
０ｄＢ以上の改善量が得られることがわかる（図の破線
は補償用信号のないときの出力）。
の周波数とレベルを一定にしておき（ｆ −１，００Ｇ
Ｈ２（−１０ｄＢｍ）、 ｆ、＝１．０１ＧＨｚ（−１
０ｄＢｍ）か最適の周波数に選んだ補償用信号（ｆＰ＝
１．７３ ＧＨｚ ）の入力レベルを変化させたとき
の８次相互変調出力を測定したものである（バイアス電
流：工ｔｈ＋６ｍＡ）。補償用信号の入力レベルを大き
くするにつれ、８次相互変調出力が小さくなシ約−８ｄ
Ｂｍの入力で最小になシ、その後再び増加すること、最
適の入力レベルでは３０ ｄＢ以上の改善量が得られる
こと、入力レベルが最適値から±１（ｉＢ変化しても２
０ｄＢ以上の改善量が得られることがわかる（図の破線
は補償用信号のないときの出力）。
第５図は、変調信号の周波数とレベルを一定にしておき
〜（ｆｚ＝１．００ ＧＨｚ （Ｎｏ ｄ１３ｍ ）、
ｆ２＝ １．０１ＧＨ２（−１０ｄＢｍ ） ）、補償
用信号の入力レベルを最適にして周波数を変化させたと
きの８次相互変調歪の改善量を測定したものである（バ
イアス電流： Ｉｔ’ｈ ＋６１１１Ａ ） ０周波数
が最適値の場合Ｆ３ ｎ ｄＢ以上の改善量が得られて
いるが、最適値から１５％変化しても２０ｄＢ以上の改
善量が得られていることがわかる。
〜（ｆｚ＝１．００ ＧＨｚ （Ｎｏ ｄ１３ｍ ）、
ｆ２＝ １．０１ＧＨ２（−１０ｄＢｍ ） ）、補償
用信号の入力レベルを最適にして周波数を変化させたと
きの８次相互変調歪の改善量を測定したものである（バ
イアス電流： Ｉｔ’ｈ ＋６１１１Ａ ） ０周波数
が最適値の場合Ｆ３ ｎ ｄＢ以上の改善量が得られて
いるが、最適値から１５％変化しても２０ｄＢ以上の改
善量が得られていることがわかる。
第６図は補償用信号の周波数（１，Ｉ ＧＨｚ ）とレ
ベル（−４（ＩＢｍ ）を一定にしておき（バイアス電
流二ｌｔｈ ＋６ｍＡ ） 、変調信号の周波数を変化
させたときの８次相互変調歪の改善量を測定したもので
ある。比帯域幅１０％以上の周波数範囲にわたって、２
０ ｄＢ以上の改善量が得られている。なお、改善量は
変調信号のレベルには依存しない。
ベル（−４（ＩＢｍ ）を一定にしておき（バイアス電
流二ｌｔｈ ＋６ｍＡ ） 、変調信号の周波数を変化
させたときの８次相互変調歪の改善量を測定したもので
ある。比帯域幅１０％以上の周波数範囲にわたって、２
０ ｄＢ以上の改善量が得られている。なお、改善量は
変調信号のレベルには依存しない。
以上の実験結果から本発明により半導体レーザーの直接
変調時における相互変調歪の補償が効果的に行なうこと
ができること、補償用周波数や補償用信号電力に高い安
定度が要求きれないこと、変調信号のレベルが変化して
も補償用信号電力を再調整する必要がないことがわかる
。
変調時における相互変調歪の補償が効果的に行なうこと
ができること、補償用周波数や補償用信号電力に高い安
定度が要求きれないこと、変調信号のレベルが変化して
も補償用信号電力を再調整する必要がないことがわかる
。
（発明の効果）
この発明を実施することにより、簡単な構成でへ半導体
レーザーダイオード直接変調時の非直線性歪や特に相互
変調歪を従来の補償装置よりも効率よく改善することが
できる。また従来の装置では、変調信号のレベルや周波
数が変化すると再調整する必要があったが、この発明を
実施することＫよシ再調整を行なわなくとも十分な補償
効果を得ることができる。
レーザーダイオード直接変調時の非直線性歪や特に相互
変調歪を従来の補償装置よりも効率よく改善することが
できる。また従来の装置では、変調信号のレベルや周波
数が変化すると再調整する必要があったが、この発明を
実施することＫよシ再調整を行なわなくとも十分な補償
効果を得ることができる。
第１図（ａ）は本発明の詳細な説明するための基本的構
成のブロック線囚、 第１図（ｔｉ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）はそれぞれ本
発明の詳細な説明するための変調スペクトル図、 第２図は従来のブリディストーション回路の特性を自動
的に設定することを試みた回路を示す図、第８図は半導
体レーザーダイオードの変調周波数対光出力振幅（ａｔ
ならびに光出力位相角特性中）を示す図・ 第４．５．６図は本発明を実施したときの実験結果を示
す図である。 １・・・変調信号入力端子 ２・・・レーザーダイオー
ド８・・・光ファイバ ４・・・合成器 ５・・・２次高調波発生器 ６・・・８次高調波発生器
７・・・乗算器 ８・・・受光回路 ９・・・発振器 ｌＯ・・・積分器 １１・・・ブリディストーション回路部１２・・・検波
回路部 １８・・・駆動回路１４・・・ｆ□ ｆ、 ｆ
８． ｆ、の信号群１５・・・補償用信号周波数ｆ。 １６・・・上側のアイドラ信号群 １７・・・下側のアイドラ信号群 １８・・・打消信号群。 特許出願人 日 本放送協会 第１図 （ａ） 第１図 ｆｌ液枚− Ｊｆｌ汲叛 −→− 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） ｔｔｕｔ浪牧− 第４図 オ出°イｆ用イＨ９刀（ｄＢｔｎ） −第５図 オｉ１イ實用イ自号贋ＵＬ４ダ（ｔｒＨｘノー第６図 太２゜ 舌 量 （ｔシＢ〕″ を
成のブロック線囚、 第１図（ｔｉ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）はそれぞれ本
発明の詳細な説明するための変調スペクトル図、 第２図は従来のブリディストーション回路の特性を自動
的に設定することを試みた回路を示す図、第８図は半導
体レーザーダイオードの変調周波数対光出力振幅（ａｔ
ならびに光出力位相角特性中）を示す図・ 第４．５．６図は本発明を実施したときの実験結果を示
す図である。 １・・・変調信号入力端子 ２・・・レーザーダイオー
ド８・・・光ファイバ ４・・・合成器 ５・・・２次高調波発生器 ６・・・８次高調波発生器
７・・・乗算器 ８・・・受光回路 ９・・・発振器 ｌＯ・・・積分器 １１・・・ブリディストーション回路部１２・・・検波
回路部 １８・・・駆動回路１４・・・ｆ□ ｆ、 ｆ
８． ｆ、の信号群１５・・・補償用信号周波数ｆ。 １６・・・上側のアイドラ信号群 １７・・・下側のアイドラ信号群 １８・・・打消信号群。 特許出願人 日 本放送協会 第１図 （ａ） 第１図 ｆｌ液枚− Ｊｆｌ汲叛 −→− 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） ｔｔｕｔ浪牧− 第４図 オ出°イｆ用イＨ９刀（ｄＢｔｎ） −第５図 オｉ１イ實用イ自号贋ＵＬ４ダ（ｔｒＨｘノー第６図 太２゜ 舌 量 （ｔシＢ〕″ を
Claims (1)
- １ 半導体レーザーに複数周波数成分からなる・変調入
力信号を印加して直接変調光出力を得るにあたシ、当該
半導体レーザーにレーザー発振動作となるバイアス電流
と正弦波の補償用信号とを刃口え、前記補償用信号の周
波数を前記半導体レーザーの緩和振動周波数と前記１・
・変調入力信号の周波数との差もし７くは和の周波数の
近傍に設定するとともに１前記補償用信号のレベルおよ
び周波数を調整して、所要帯域内の前記複数周波数成分
による相互変調成分を除去することを特徴とする半導体
レー゛ザーの非直線性補償装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10768984A JPS60251685A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体レ−ザ−の非直線性補償装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10768984A JPS60251685A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体レ−ザ−の非直線性補償装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251685A true JPS60251685A (ja) | 1985-12-12 |
| JPH0410751B2 JPH0410751B2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=14465467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10768984A Granted JPS60251685A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体レ−ザ−の非直線性補償装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251685A (ja) |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10768984A patent/JPS60251685A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410751B2 (ja) | 1992-02-26 |
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