JPS60245282A - バラクタダイオ−ド - Google Patents
バラクタダイオ−ドInfo
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- JPS60245282A JPS60245282A JP10067884A JP10067884A JPS60245282A JP S60245282 A JPS60245282 A JP S60245282A JP 10067884 A JP10067884 A JP 10067884A JP 10067884 A JP10067884 A JP 10067884A JP S60245282 A JPS60245282 A JP S60245282A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は同調用可変容量ダイオード（以降バラクタダ
イオードと略称する）に関する。 ２〔発明の技術的背
景とその問題点〕 近年、テレビ、ラジオ等には［電子チューナ」と称して
チューナ部バラクタダイオードが用いられている。これ
は、バリコンを回して容量を変える代りにバラクタダイ
オードのバイアス電圧を変え容量を変化させて同調をと
るという方式であり、機械的に摩耗することがないので
従来見られたような、バリコン、スイッチ等の接触不良
に伴う不具合、例えば雑音、不安定性、音や映像がでな
いなどが発生しない利点がある。
イオードと略称する）に関する。 ２〔発明の技術的背
景とその問題点〕 近年、テレビ、ラジオ等には［電子チューナ」と称して
チューナ部バラクタダイオードが用いられている。これ
は、バリコンを回して容量を変える代りにバラクタダイ
オードのバイアス電圧を変え容量を変化させて同調をと
るという方式であり、機械的に摩耗することがないので
従来見られたような、バリコン、スイッチ等の接触不良
に伴う不具合、例えば雑音、不安定性、音や映像がでな
いなどが発生しない利点がある。
第７図（ａ）には従来からよく知られたバラクタダイオ
ードの模式的な構造を示し、同図（ｂ）には容量−電圧
特性（以降Ｃ−Ｖ特性と称する）を示す６図における（
１０１’ｌ）はＮ生基板、（１０１２）は上記基板の一
方の主面側に形成された動作層、（１０１３）は上記動
作層上面の一部に設けられシゴットキ電極となるアノー
ド電極、（１０１４）は上記基板の他方の主面に形成さ
れたカソード電極、（１０１５）は上記動作層の露出部
を被覆する絶縁膜で一例の窒化けい素（Ｓ１３Ｎ４）で
形成されている。このようなバラクタダイオードの半導
体材料として通常寄生抵抗成分の小さ′いＧａＡｓが用
いられている。
ードの模式的な構造を示し、同図（ｂ）には容量−電圧
特性（以降Ｃ−Ｖ特性と称する）を示す６図における（
１０１’ｌ）はＮ生基板、（１０１２）は上記基板の一
方の主面側に形成された動作層、（１０１３）は上記動
作層上面の一部に設けられシゴットキ電極となるアノー
ド電極、（１０１４）は上記基板の他方の主面に形成さ
れたカソード電極、（１０１５）は上記動作層の露出部
を被覆する絶縁膜で一例の窒化けい素（Ｓ１３Ｎ４）で
形成されている。このようなバラクタダイオードの半導
体材料として通常寄生抵抗成分の小さ′いＧａＡｓが用
いられている。
近年、 ＧａＡｓ ＭＭ Ｉ Ｃ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉ
ｃ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＩ Ｃ）の開発が急速に進めら
れ、］、０Ｇｌ（ｚ帯の電圧制御型発振器（ＶＣＯ）も
報告されている。これについてＢｅｎｔ］、ｙ Ｎ、
５ｃｏｔｔ ｅｔ ａｌ、、“Ｘ−Ｂａｎｄ ＧａＡｓ
Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｄ ０ｓｃｉｌａｔｏｒ”、ｌ５ＳＣＣ８２，Ｔ
ＨＡＭ １１．４なる文献がある。これに示されている
バラクタダイオードの模式的な構造を第８図（、）に、
また、そのＣ−■特性を同図（ｂ）に示す。
ｃ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＩ Ｃ）の開発が急速に進めら
れ、］、０Ｇｌ（ｚ帯の電圧制御型発振器（ＶＣＯ）も
報告されている。これについてＢｅｎｔ］、ｙ Ｎ、
５ｃｏｔｔ ｅｔ ａｌ、、“Ｘ−Ｂａｎｄ ＧａＡｓ
Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｄ ０ｓｃｉｌａｔｏｒ”、ｌ５ＳＣＣ８２，Ｔ
ＨＡＭ １１．４なる文献がある。これに示されている
バラクタダイオードの模式的な構造を第８図（、）に、
また、そのＣ−■特性を同図（ｂ）に示す。
このバラクタダイオードを第７図に示したものと比較す
ると、構造的には横型になりＭＭＩＣに適した構造にな
っている。図における（１０２１）は半絶縁性基板、（
１０２２）は動作層（１０１２）に形成される空乏層端
面である。次にＣ−■特性につき各図（ｂ）によって比
較すると、第８図に示す構造の方が容量がある電圧から
急激に減少していることがわかる。Ｃ−Ｖ特性中の容量
の急激な減少は原理的にはＧａＡｓＦＥＴがピンチオフ
する時に容量が急に減少するのと同じことであり、空乏
層端面が動作層の最深部まで届いた時に空乏層端面の面
積が横方向のみとなり急激に小になるのが原因である。
ると、構造的には横型になりＭＭＩＣに適した構造にな
っている。図における（１０２１）は半絶縁性基板、（
１０２２）は動作層（１０１２）に形成される空乏層端
面である。次にＣ−■特性につき各図（ｂ）によって比
較すると、第８図に示す構造の方が容量がある電圧から
急激に減少していることがわかる。Ｃ−Ｖ特性中の容量
の急激な減少は原理的にはＧａＡｓＦＥＴがピンチオフ
する時に容量が急に減少するのと同じことであり、空乏
層端面が動作層の最深部まで届いた時に空乏層端面の面
積が横方向のみとなり急激に小になるのが原因である。
容量が急激に減少することにより実現できる容量範囲を
従来型よりかなり拡げることができるが。
従来型よりかなり拡げることができるが。
バイアス電圧に対して容量があまりに急に変化する個所
があり、容量のバイアス電圧に対する変化率が一定でな
く使いにくいという欠点があった。
があり、容量のバイアス電圧に対する変化率が一定でな
く使いにくいという欠点があった。
この発明は上記従来の欠点を除き、容量範囲が広くとれ
る上に容量のバイアス電圧に対する変化率が一定で使い
やすいように改良された横型バラクタダイオードの構造
を提供する。
る上に容量のバイアス電圧に対する変化率が一定で使い
やすいように改良された横型バラクタダイオードの構造
を提供する。
この発明は半絶縁性基板または半絶縁性基板上に高比抵
抗エピタキシヤル層を備えてなる半導体基体と、こ“の
半導体基体の上面に形成された低比抵抗動作層と、この
低比抵抗動作層上に設けられたアノード電極およびカソ
ード電極を有するバラクタダイオードにおいて、低比抵
抗動作層の層厚がアノード電極配設側からカソード電極
配設側に向って漸次大なるように形成されていることを
特徴とするバラクタダイオードであり、容量範囲が広く
とれるとともに容量がバイアス電圧に対して一定の変化
率で変化するようにした。
抗エピタキシヤル層を備えてなる半導体基体と、こ“の
半導体基体の上面に形成された低比抵抗動作層と、この
低比抵抗動作層上に設けられたアノード電極およびカソ
ード電極を有するバラクタダイオードにおいて、低比抵
抗動作層の層厚がアノード電極配設側からカソード電極
配設側に向って漸次大なるように形成されていることを
特徴とするバラクタダイオードであり、容量範囲が広く
とれるとともに容量がバイアス電圧に対して一定の変化
率で変化するようにした。
次に、この発明を実施例のＭＭＩＣにつき図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図（ａ）に−例の横型バラクタダイオードの構造を
模式的に示す。図中、 （３２）は例えば３回の選択的
イオン注入法によって半絶縁性基板（３１）に形成され
たろチップ状の動作層、（３４）はアノード電極で例え
ばショットキ電極となるアルミニウム層で、上記動作層
（３２）はその底面が片側にステップ状をなして漸次薄
く形成された部分の上面に形成されたもの、また、（３
３）はカソード電極で、例えばオーム性電極となるＡｕ
Ｇｅ層（Ｇｅが１２重量％を占める）で上記動作層（３
１）の層厚の大なる部位の上面に設けられたもの、（３
５）は半絶縁性基板の動作層が設けられている側の主面
上に上記電極配設部を除いて被着された絶縁膜で例えば
窒化けい素で形成されたものである。なお１図示の実施
例における動作層（３２）はカソード電極（３３）側で
厚く、アノード電極（３４）側へ底面が３段階のステッ
プで薄くなっている。
模式的に示す。図中、 （３２）は例えば３回の選択的
イオン注入法によって半絶縁性基板（３１）に形成され
たろチップ状の動作層、（３４）はアノード電極で例え
ばショットキ電極となるアルミニウム層で、上記動作層
（３２）はその底面が片側にステップ状をなして漸次薄
く形成された部分の上面に形成されたもの、また、（３
３）はカソード電極で、例えばオーム性電極となるＡｕ
Ｇｅ層（Ｇｅが１２重量％を占める）で上記動作層（３
１）の層厚の大なる部位の上面に設けられたもの、（３
５）は半絶縁性基板の動作層が設けられている側の主面
上に上記電極配設部を除いて被着された絶縁膜で例えば
窒化けい素で形成されたものである。なお１図示の実施
例における動作層（３２）はカソード電極（３３）側で
厚く、アノード電極（３４）側へ底面が３段階のステッ
プで薄くなっている。
次に、第１図（ｂ）はアノード電極に逆バイアスを印加
した場合のＣ−Ｖ特性図を示し、やや波打ってはいるが
バイアス電圧の変化に対し広範囲にわたって比較的一定
に近い変化率をもって変化していることが示されている
。これは従来のものが容量があるバイアス電圧から急激
に減少するのと顕著に異なっており、これにつき第２図
を参照しながら原理を説明する。すなわち、アノードに
除徐にバイアスしていくと始めは破線で示される空乏層
が動作層全体に拡がった（Ａ）の状態になる。
した場合のＣ−Ｖ特性図を示し、やや波打ってはいるが
バイアス電圧の変化に対し広範囲にわたって比較的一定
に近い変化率をもって変化していることが示されている
。これは従来のものが容量があるバイアス電圧から急激
に減少するのと顕著に異なっており、これにつき第２図
を参照しながら原理を説明する。すなわち、アノードに
除徐にバイアスしていくと始めは破線で示される空乏層
が動作層全体に拡がった（Ａ）の状態になる。
ついで、空乏層端面が第１番目のステップ（３２１）に
達した（Ｂ）の状態の時、空乏層の端面の面積がこのス
テップ（３２１）の分だけ減少し、第１回目の容量の比
較的急な減少が起こる。以下、同様の原理によって空乏
層端が第２ステツプ（３２２）に達しく（Ｃ）の状態）
、さらに第３ステツプ（３２３）に達する毎に容量が比
較的急に減少し、全体としてＣ−Ｖ特性は上記ステップ
毎に比較的一定に近い変化率で広い可変容量範囲をもつ
バラクタダイオードを実現できるわけである。
達した（Ｂ）の状態の時、空乏層の端面の面積がこのス
テップ（３２１）の分だけ減少し、第１回目の容量の比
較的急な減少が起こる。以下、同様の原理によって空乏
層端が第２ステツプ（３２２）に達しく（Ｃ）の状態）
、さらに第３ステツプ（３２３）に達する毎に容量が比
較的急に減少し、全体としてＣ−Ｖ特性は上記ステップ
毎に比較的一定に近い変化率で広い可変容量範囲をもつ
バラクタダイオードを実現できるわけである。
成上においては動作層のステップが３段の場合を例示し
たが、段数を増せばＣ−■特性の波打ちが微小になり容
量の変化率も一定に近づく。ここで極限状態として動作
層のステップ数が無限、すなわち、動作層の底面がテー
パ状になった場合について第３図（ａ）を参照して定量
的に説明する。
たが、段数を増せばＣ−■特性の波打ちが微小になり容
量の変化率も一定に近づく。ここで極限状態として動作
層のステップ数が無限、すなわち、動作層の底面がテー
パ状になった場合について第３図（ａ）を参照して定量
的に説明する。
横方向に拡がった空乏層端面の容量分は小さく、かつ一
定の値Ｃｓとし、空乏層の縦方向への伸びをｄ、動作層
の厚さをＤとする。電極の面積Ｓおよび空乏層端の面積
Ｓ′との関係は次式で与えられる。
定の値Ｃｓとし、空乏層の縦方向への伸びをｄ、動作層
の厚さをＤとする。電極の面積Ｓおよび空乏層端の面積
Ｓ′との関係は次式で与えられる。
Ｓ’ Ｄ−ｄ
Ｄ
誘電率をＥとすればダイオードの全容量Ｃは次式％式％
上式の計算結果の一例を第３図（ｂ）に示す。図中にプ
ロットされた実線と破線は夫々をこの発明にかかる第１
図（ａ）の構造と、従来の第８図（ａ）の構造のものの
Ｃ−ｙ特性を示している。これによってみてもこの発明
の場合は広範囲にわたって容量変化率が一定に近いこと
が明らかである。さらに、テーパの形状を連続した斜面
（断面図で直線状）でなく、種々の形状とすることによ
り所望のＣ−■特性を得ることができる。その簡単な例
を第４図に示す。同図の（ａ）に示す各種の形状Ａ、Ｂ
。
ロットされた実線と破線は夫々をこの発明にかかる第１
図（ａ）の構造と、従来の第８図（ａ）の構造のものの
Ｃ−ｙ特性を示している。これによってみてもこの発明
の場合は広範囲にわたって容量変化率が一定に近いこと
が明らかである。さらに、テーパの形状を連続した斜面
（断面図で直線状）でなく、種々の形状とすることによ
り所望のＣ−■特性を得ることができる。その簡単な例
を第４図に示す。同図の（ａ）に示す各種の形状Ａ、Ｂ
。
Ｃにより各々のＣ−Ｖ特性は（ｂ）図にＡ’ 、Ｂ’
。
。
Ｃ′で示すようになる。
上記説明された原理に基づく一例の横型バラクタダイオ
ードの構造を第５図（ａ）に模式的に断面図示し、また
、そのＣ−Ｖ特性を同図（ｂ）に示−す。
ードの構造を第５図（ａ）に模式的に断面図示し、また
、そのＣ−Ｖ特性を同図（ｂ）に示−す。
図において、（５２）は連続した斜面（断面図で直線状
）（５２１）部を有する動作層で、例えば５〜６回以上
の選択的イオン注入により形成されるもの、（３３）は
動作層の厚い側の上面に設けられたカソード電極、（３
４）は動作層の上記斜面部によって薄く形成された側の
上面に設けられたアノード電極、（３５）は上記電極配
設部を除く上面に形成された絶縁膜て例えば窒化けい素
（Ｓｉ３Ｎ４）でなるものである。成上の構造により、
Ｃ−Ｂ特性は同図（ｂ）にみられるようにほとんど直線
、すなわち、容量のバイアス電圧に対する変化率が広範
囲にわたってほぼ一定になっている。
）（５２１）部を有する動作層で、例えば５〜６回以上
の選択的イオン注入により形成されるもの、（３３）は
動作層の厚い側の上面に設けられたカソード電極、（３
４）は動作層の上記斜面部によって薄く形成された側の
上面に設けられたアノード電極、（３５）は上記電極配
設部を除く上面に形成された絶縁膜て例えば窒化けい素
（Ｓｉ３Ｎ４）でなるものである。成上の構造により、
Ｃ−Ｂ特性は同図（ｂ）にみられるようにほとんど直線
、すなわち、容量のバイアス電圧に対する変化率が広範
囲にわたってほぼ一定になっている。
上記動作層の形成方法は５〜６回以上の選択的イオン注
入法を例示したが、アノード電極の面積。
入法を例示したが、アノード電極の面積。
形状によってはさらに多数回のイオン注入を施して良い
結果が得られた。
結果が得られた。
次に、イオン注入を施したのちイオン種の活性化をはか
るために高温でのアニールが施されるが、これにより注
入された不純物（イオン種）が少し拡散し、ステップ部
がなめらかな形状となり斜面に近づくという効果がある
ので有限回数のイオン注入で目的を達しうる。
るために高温でのアニールが施されるが、これにより注
入された不純物（イオン種）が少し拡散し、ステップ部
がなめらかな形状となり斜面に近づくという効果がある
ので有限回数のイオン注入で目的を達しうる。
また、上記動作層の形成方法としてテーパの形状、また
はこれに近いステップ形状をしたマスクを設け、これに
よってイオン注入を施すようにしてもよい。すなわち、
第６図に示すように、動作層（５２）の下面を斜面（５
２１）に形成する予定域の」上面に窒化けい素（Ｓｉ３
Ｎ、）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）のマスク層（１０）
を形成してイオン注入を施せば１回のイオン注入で達成
できる。なお、上記マスク層（１０）は複数回のステッ
プエッチによって成型される。
はこれに近いステップ形状をしたマスクを設け、これに
よってイオン注入を施すようにしてもよい。すなわち、
第６図に示すように、動作層（５２）の下面を斜面（５
２１）に形成する予定域の」上面に窒化けい素（Ｓｉ３
Ｎ、）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）のマスク層（１０）
を形成してイオン注入を施せば１回のイオン注入で達成
できる。なお、上記マスク層（１０）は複数回のステッ
プエッチによって成型される。
成上の各実施例は個別半導体素子について説明したが、
複数個の能動素子、例えばＦＥＴ、および複数個の受動
素子を含む半導体集積回路、例えばＭＭＩＣにも適用で
きる。店だ、基板材料としてＧａＡｓを想定して説明し
たが、他の半導体、例えばＩｎＰ、 Ｉｒ＋ＧａＡｓ、
ＧａＡ］、Ａｓ等でもよい。さらに、カソード電極は
オーム性電極として説明したが、アノード電極と同じ金
属、例えばアルミニウムを用いてもショットキ接合の順
方向電圧分の約０．８Ｖを考慮すれば適用できる。また
、アノード電極はショットキ電極として説明したが、ア
ノ−１〜電極の下にＰ−領域を設けＰＮ接合としてもよ
い。
複数個の能動素子、例えばＦＥＴ、および複数個の受動
素子を含む半導体集積回路、例えばＭＭＩＣにも適用で
きる。店だ、基板材料としてＧａＡｓを想定して説明し
たが、他の半導体、例えばＩｎＰ、 Ｉｒ＋ＧａＡｓ、
ＧａＡ］、Ａｓ等でもよい。さらに、カソード電極は
オーム性電極として説明したが、アノード電極と同じ金
属、例えばアルミニウムを用いてもショットキ接合の順
方向電圧分の約０．８Ｖを考慮すれば適用できる。また
、アノード電極はショットキ電極として説明したが、ア
ノ−１〜電極の下にＰ−領域を設けＰＮ接合としてもよ
い。
また、基板は半絶縁性基板を想定して説明したが、゛ト
絶３縁性基板イにバッファ層と称される高比抵抗エピタ
キシヤル層を有する基板を用いてもよい。
絶３縁性基板イにバッファ層と称される高比抵抗エピタ
キシヤル層を有する基板を用いてもよい。
以上述べたようにこの発明によれば、ＭＭＩＣ等の半導
体集積回路に特に適する容量範囲が広くとれ、しかも容
量がバイアス電圧に対して一定の変化率で変化する顕著
な特性を備えた横型バラクタダイオードを提供すること
ができる。
体集積回路に特に適する容量範囲が広くとれ、しかも容
量がバイアス電圧に対して一定の変化率で変化する顕著
な特性を備えた横型バラクタダイオードを提供すること
ができる。
第１図（ａ）はこの発明の１実施例の横型バラクタダイ
オードの模式的構造を示す断面図、同図（ｂ）は（ａ）
の横型バラクタダイオードのＣ−■特性を示す線−１第
２図および第３図はいずれもＣ−Ｖ特性を説明するため
の図、第４図は動作層の形状とＣ−Ｖ特性との相関を説
明するための図、第５図（ａ）は別の１実施例の・横型
バラクタダイオードの模式的構造を示す断面図、同図（
ｂ）は図（ａ）の横型バラクタダイオードのＣ−■特性
を示す線図、第６図はこの発明にかかる動作層の形成法
を説明するための断面図、第７図（、）は従来のバラク
タダイオードの模式的構造を示す断面図、同図（ｂ）は
図（ａ）のバラクタダイオードのＣ−■特性を示す線図
、第８図（、）および（ｂ）は従来の横型ダイオードに
つき第７図（ａ）および（ｂ）に準じて夫々を示す断面
図および線図である。 ３１−−−一半絶縁性基板 ３２、４２．５２−−−一動作層 ３３−−−−カソード電極 ３４−−−−アノード電極
３５−−−一絶縁膜 ３２１、３２２．３２３・・・−一一一動作層の第１．
２．３ステップ５２１−−−一動作層の斜面部 １０−−−−イオン注入のマスク層 代理人 弁理人 井 上 −男 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 （（１＞ ’ ｔｂ） 第 ８ 図 （ａン （ｂ） ７／−ｒ叡珈→（Ｖλ
オードの模式的構造を示す断面図、同図（ｂ）は（ａ）
の横型バラクタダイオードのＣ−■特性を示す線−１第
２図および第３図はいずれもＣ−Ｖ特性を説明するため
の図、第４図は動作層の形状とＣ−Ｖ特性との相関を説
明するための図、第５図（ａ）は別の１実施例の・横型
バラクタダイオードの模式的構造を示す断面図、同図（
ｂ）は図（ａ）の横型バラクタダイオードのＣ−■特性
を示す線図、第６図はこの発明にかかる動作層の形成法
を説明するための断面図、第７図（、）は従来のバラク
タダイオードの模式的構造を示す断面図、同図（ｂ）は
図（ａ）のバラクタダイオードのＣ−■特性を示す線図
、第８図（、）および（ｂ）は従来の横型ダイオードに
つき第７図（ａ）および（ｂ）に準じて夫々を示す断面
図および線図である。 ３１−−−一半絶縁性基板 ３２、４２．５２−−−一動作層 ３３−−−−カソード電極 ３４−−−−アノード電極
３５−−−一絶縁膜 ３２１、３２２．３２３・・・−一一一動作層の第１．
２．３ステップ５２１−−−一動作層の斜面部 １０−−−−イオン注入のマスク層 代理人 弁理人 井 上 −男 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 （（１＞ ’ ｔｂ） 第 ８ 図 （ａン （ｂ） ７／−ｒ叡珈→（Ｖλ
Claims (1)
- 半絶縁性基板または半絶縁性基板上に高比抵抗エピタキ
シヤル層を備えてなる半導体基体と、この半導体基体の
上面に形成された低比抵抗動作層と、この低比抵抗、動
作層上に設けられたアノード電極およびカソード電極を
有するバラクタダイオードにおいて、前記低比抵抗動作
層は、その層厚がアノード電極配設側からカソード電極
配設側に向って漸次大なるように形成されていることを
特徴とするバラクタダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067884A JPS60245282A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | バラクタダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067884A JPS60245282A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | バラクタダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245282A true JPS60245282A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14280408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10067884A Pending JPS60245282A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | バラクタダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245282A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903086A (en) * | 1988-01-19 | 1990-02-20 | E-Systems, Inc. | Varactor tuning diode with inversion layer |
| US5506442A (en) * | 1993-11-25 | 1996-04-09 | Nec Corporation | Variable-capacitance device and semiconductor integrated circuit device having such variable-capacitance device |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10067884A patent/JPS60245282A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903086A (en) * | 1988-01-19 | 1990-02-20 | E-Systems, Inc. | Varactor tuning diode with inversion layer |
| US5506442A (en) * | 1993-11-25 | 1996-04-09 | Nec Corporation | Variable-capacitance device and semiconductor integrated circuit device having such variable-capacitance device |
| US5627402A (en) * | 1993-11-25 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Variable-capacitance device and semiconductor integrated circuit device having such variable-capacitance device |
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