JPS6024006A - Vertical magnetic record medium - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、垂直磁気記録媒体に関する。[Detailed description of the invention] Background of the invention Technical field The present invention relates to perpendicular magnetic recording media.
先行技術とその問題点
従来の面内磁化を用いる磁気記録方式に対し、より高密
度の記録が可能な方式として、垂直磁化を用いる磁気記
録方式の開発が活発に行われている。Prior Art and Its Problems In contrast to the conventional magnetic recording method using in-plane magnetization, a magnetic recording method using perpendicular magnetization is being actively developed as a method capable of higher density recording.
このような垂直磁化方式の媒体の磁性膜は、媒体の面内
方向に対して垂直方向に磁化容易軸をもち、この垂直方
向の残留磁化 Ｍｒ（１）が、面内方向の残留磁化 Ｍ
ｒ（ｚ）よりも大きいことが必要である。The magnetic film of such a perpendicular magnetization medium has an axis of easy magnetization perpendicular to the in-plane direction of the medium, and the residual magnetization Mr(1) in the perpendicular direction is equal to the residual magnetization M in the in-plane direction.
It needs to be larger than r(z).
従来、このような磁性膜としては、コバルトを主成分と
し、これにクロム、マンガン、ルテニウム、オスミウム
、／ヘナジウム、レニウム等の１種または２種以上を添
加したスパッタ膜が知られ−（いる。Conventionally, as such a magnetic film, a sputtered film containing cobalt as a main component and adding one or more of chromium, manganese, ruthenium, osmium, /henadium, rhenium, etc. is known.
これらの磁性膜は、ｈＣｐ相のＣ＠が面垂直方向に配向
して、磁化容易軸が形成されるものである。In these magnetic films, C@ in the hCp phase is oriented in a direction perpendicular to the surface, forming an axis of easy magnetization.
しかし、これら従来の磁性膜のＸ線回折スペクＩ・ルの
面垂直方向のＣ軸分散ロッキングカーブを測定すると、
その半値巾Δ０５０か大きく、ｃ ’Ｉ：ｂ分散が大き
い。However, when measuring the C-axis dispersion rocking curve in the direction perpendicular to the plane of the X-ray diffraction spectra of these conventional magnetic films,
Its half width Δ050 is large, and the c'I:b variance is large.
このためＭｒ（土）／Ｍｒ（ｚ）の値も小さいものとな
り、その向上が望まれている。Therefore, the value of Mr(Sat)/Mr(z) also becomes small, and improvement thereof is desired.
このような欠点を解消するため、スパッタ条件を改良し
て、これによって△θ５０や Ｍｒ（土）／Ｍｒ（１）
等を改良する技術も種々提案されている。In order to eliminate these drawbacks, we improved the sputtering conditions, which improved △θ50 and Mr(Sat)/Mr(1).
Various techniques have also been proposed to improve the above.
しかし、これら従来の改良技術も未だ不十分なものでし
かない。However, these conventional improvement techniques are still insufficient.
１１ 発明の１」的
本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、コバルト系磁性膜の面垂直方向の
Ｃ軸分散を小さくし、Ｍｒ（±）／Ｍｒ（ｚ）等の垂直
磁化特性を向上することにある。11 Invention 1 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its main purpose is to reduce the C-axis dispersion in the direction perpendicular to the plane of the cobalt-based magnetic film, and to reduce Mr(±)/Mr. The objective is to improve perpendicular magnetization characteristics such as (z).
このような目的は、Ｆ記の本発明によって達成される。Such object is achieved by the present invention in Section F.
すなわち第１の発明は、
コバルトと、リンと、／ヘナシウムとからなる磁性ｊ模
を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体である。That is, the first invention is a perpendicular magnetic recording medium characterized by having a magnetic layer composed of cobalt, phosphorus, and/or henasium.
また第２の発明は。Also, the second invention is.
コパルＩ・と、リンと、バナジウムと、クロムとからな
る磁性膜を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体で
ある。This is a perpendicular magnetic recording medium characterized by having a magnetic film made of copal I, phosphorus, vanadium, and chromium.
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明するや
本発明の磁性ＩＩＱは、コバルトと、リンと、バナジウ
ムとからなる。(2) Specific Structure of the Invention The specific structure of the present invention will be explained in detail below. The magnetic IIQ of the present invention is composed of cobalt, phosphorus, and vanadium.
この場合、コバルト含有量は、７０〜８５ｗｔ％、牛ν
に７１〜８５ｗｔ％であることが好ましい。 これは、
８５ｗｔ％をこえると、垂直配向か恵・くなるからであ
り、７０ｗｔ％未満となると、飽和磁化が著しく減少す
るからである。In this case, the cobalt content is 70-85 wt%,
It is preferably 71 to 85 wt%. this is,
This is because if the content exceeds 85 wt%, the perpendicular orientation becomes poor, and if it becomes less than 70 wt%, the saturation magnetization decreases significantly.
なお、コバルト含有量が７２〜８５ｗｔ％となると、よ
り好ましい結果をうる。In addition, when the cobalt content is 72 to 85 wt%, more preferable results can be obtained.
一方、リン含有量は、１〜ｌｏｗｔ％であることか好ま
しい。 これは、１０ｗｔ％をこえると、飽和磁化が著
しく減少し、ｌ賛ｔ％未満となると、垂直配向の効果が
小さくなるからである。On the other hand, the phosphorus content is preferably 1 to lowt%. This is because when it exceeds 10 wt%, the saturation magnetization decreases significantly, and when it is less than 1 wt%, the effect of vertical alignment becomes small.
この場合、リン含有量が２〜８賛ｔ％となると、より好
ましい結果をうる。In this case, more favorable results can be obtained when the phosphorus content is 2 to 8 t%.
さらに、７へナジウム含有量は、１１−１９ｗｔ％、よ
り投了ましくは１３〜１７ｗｔ％であることが好ましい
。Further, the content of henadium 7 is preferably 11-19 wt%, more preferably 13-17 wt%.
このとき、垂直配向が向」ニする。At this time, the vertical alignment becomes ``direction''.
これらに加え、磁性膜中には、さらにクロムが含有され
ていてもよい。In addition to these, the magnetic film may further contain chromium.
このとき垂直配向が向上する。At this time, vertical alignment is improved.
このような場合には、コパル） ７０〜８５ｗｔ％、よ
り好ましくは７２〜８５ｗｔ％、リン１〜１０ｖｔ％、
より好ましくは２〜８ｖｔ％、バナジウム １１〜１’
９ｗｔ％、より好ましくは１２〜１８ｗｔ％、クロム５
〜１５ｗｔ％とすることが好ましい。In such a case, copal) 70 to 85 wt%, more preferably 72 to 85 wt%, phosphorus 1 to 10 vt%,
More preferably 2-8vt%, vanadium 11-1'
9wt%, more preferably 12-18wt%, chromium 5
It is preferable to set it as 15 wt%.
このような組成の磁性膜の厚さは、連列、０．５〜２ル
ｍ程度、好ましくは ０．５〜１ｐ、ｍ程度とされる。The thickness of the magnetic film having such a composition is approximately 0.5 to 2 μm, preferably approximately 0.5 to 1 μm.
そして、ｈｃｐ相の柱状粒子がらなり、粒子長手方向の
Ｃ軸は、面垂直方向（＋ＩＮ厚方向）を向く。The columnar particles of the hcp phase are formed, and the C axis in the longitudinal direction of the particles is oriented in the direction perpendicular to the surface (+IN thickness direction).
この場合、Ｃ軸のロッキングカーブの半値＋ｔｊΔθ５
０は７〜５゛０以下であり、面垂直方向のＣ＋ｌ！分散
はきわめて小さい。In this case, half value of C-axis rocking curve + tjΔθ5
0 is less than 7~5゛0, and C+l in the direction perpendicular to the surface! The variance is extremely small.
なお、柱状粒子の短径は、５００〜１０００に設けられ
る。In addition, the breadth of the columnar particles is set to 500 to 1000.
用いるノ、（体の材質には特に制限はなく、非磁性の樹
脂、ガラス、セラミクス等いずれであってもよい。 ま
た、その形状は、ディスク、ドラム、カード、シート、
テープ等いずれであってもよい。There are no particular restrictions on the material used for the body, and it may be made of non-magnetic resin, glass, ceramics, etc. The shape may be a disk, drum, card, sheet, etc.
Any tape or the like may be used.
なお、基体と磁性膜間には、非磁性の下地層を形成して
もよい。 また、磁性膜上には、上層を形成してもよい
。 さらには、基体矢面にも層を形成することもできる
。 そして、必要−に応し、他の硬質ないし軟質の磁性
層を積層することもできる。Note that a nonmagnetic underlayer may be formed between the base and the magnetic film. Further, an upper layer may be formed on the magnetic film. Furthermore, a layer can also be formed on the surface of the substrate. Further, other hard or soft magnetic layers may be laminated as required.
このような磁性層を形成するには、スパッタリング、真
空蒸着、イオンブレーティング等の気相被着技術を用い
ればよい。To form such a magnetic layer, a vapor phase deposition technique such as sputtering, vacuum evaporation, or ion blating may be used.
スパッタリングを用いる場合、ＲＦ 、 ＰＣ。When using sputtering, RF, PC.
マグネトロン等いずれのスパッタリングを用いてもよく
、ターゲットとしては、通常、対応する組成の合金を用
いる。Any sputtering method such as magnetron may be used, and the target is usually an alloy of a corresponding composition.
この場合、動作圧力は、５ Ｘ １０−３ 〜５×１０
−２Ｔｏｒｒ程度とし、基体温度を１５０−２５０″Ｃ
程度とすることが好ましい。 これにより、面垂直方向
のＣ軸分数が小さくなる。In this case, the operating pressure is between 5 x 10-3 and 5 x 10
-2 Torr, and the substrate temperature is 150-250″C.
It is preferable to set it as approximately. This reduces the C-axis fraction in the direction perpendicular to the surface.
また、垂直蒸着やイオンブレーティングを用いるとき、
動作圧力は５ Ｘ １０−３〜５ Ｘ １０−２Ｔｏｒ
ｒ、基体温度は１５０〜２００℃程度とすることが好ま
しい。Also, when using vertical deposition or ion brating,
Operating pressure is 5 x 10-3 to 5 x 10-2 Torr
r, the substrate temperature is preferably about 150 to 200°C.
ＩＶ 発明の具体的作用効果
本発明の垂直磁気記録媒体は、垂直磁化記録方式に用い
られ有用である。 また、きわめて高周波領域での面内
記録方式に用いることができる。IV. Specific effects of the invention The perpendicular magnetic recording medium of the invention is useful for use in perpendicular magnetization recording systems. Furthermore, it can be used for longitudinal recording in an extremely high frequency range.
本発明によれば、Ｘ線回折スペクトルのＣ軸のロッキン
グカーブの半値巾△θ５０がきわめて小さくなり、面垂
直方向のＣ軸分数がきわめて小さくなる。According to the present invention, the half width Δθ50 of the C-axis rocking curve of the X-ray diffraction spectrum becomes extremely small, and the C-axis fraction in the direction perpendicular to the surface becomes extremely small.
このため、Ｍｒ（土） ／Ｍ ｓ （１）等の特性がき
わめて高くなり、垂直磁化特性が格段と向上する。Therefore, the properties such as Mr(Sat)/Ms (1) become extremely high, and the perpendicular magnetization properties are significantly improved.
そして、第２の発明によれば、Ｃ軸の配向がさらに向上
する。According to the second invention, the orientation of the C-axis is further improved.
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。(2) Specific Examples of the Invention Hereinafter, specific examples of the present invention will be shown and the present invention will be explained in more detail.
実施例
基体として、２０ｇｍ厚のポリイミドを用い、この而」
−に、ＲＦスパッタリングにより、ド記表１に示される
組成の磁性膜を形成した。A 20 gm thick polyimide was used as the base material for the example.
- A magnetic film having the composition shown in Table 1 was formed by RF sputtering.
ターゲットとしては、対応する組成の合金を用い、動作
アルゴン圧力は５ Ｘ １０−３、基体温度は２００″
Ｃとした。 また、成膜速度は５０人／ｗｉｎ とした
。As a target, an alloy with the corresponding composition was used, the operating argon pressure was 5 X 10-3, and the substrate temperature was 200''.
It was set as C. Further, the film formation rate was set at 50 people/win.
これら磁性膜の、Ｘ線回折スペクトルのＣ軸のロンキン
グカーブの半値［口Δθ５ｏを測定した。The half value [Δθ5o] of the C-axis Ronking curve of the X-ray diffraction spectrum of these magnetic films was measured.
また、垂直方向と面内方向での残留磁化の比Ｍｒ（１）
／Ｍｒ（ｚ）を測定した。Also, the ratio of residual magnetization in the vertical direction and in the in-plane direction Mr (1)
/Mr(z) was measured.
これらの結果を表１に示す。These results are shown in Table 1.
表 １
Ｃ０８５Ｖ１５ ７ ２・５
Ｃｏ７９ｖ１５Ｐ６ ３ ３．５
ＣＯ７５Ｖ １５Ｆ ＋０ ４ ３°ＯＣｏ８４Ｖ、５
Ｆ、 ４ ２ 、８
Ｃｏ６６ｖ１５Ｐ１８ ５ ３．ｌ
ＣＯ７４Ｖ １５Ｐ ＩＩ ４ ２ °９Ｃｏ８４Ｖ、
ＩＰ、 ５ ２ 、９
ＣＣ７，Ｖ１８ＰＩＯ５３、０
ｃｏ８８ｖ８ Ｐ６ １ｏ ２．４
Ｃ０７４ｖｌｏＣｒ１ｏＰ６ ６ ２・９Ｃ０７２ｖ８
Ｃｒ１２Ｐ８ ６ ３．。Table 1 C085V15 7 2・5 Co79v15P6 3 3.5 CO75V 15F +0 4 3°OCo84V, 5
F, 4 2 , 8 Co66v15P18 5 3. l CO74V 15P II 4 2 °9Co84V,
IP, 5 2, 9 CC7, V18PIO53, 0 co88v8 P6 1o 2.4 C074vloCr1oP6 6 2・9C072v8
Cr12P8 6 3. .
表１に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −・
手続補正書印発）
昭和５９年 ４月２７日
１、事件の表示
昭和５８年特許願第１３２１２６号
２、発明の名称
垂直磁気記録媒体
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
任 所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名 称
（３０６） ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳
寛
４、代理人 〒ｉｏｉ
住 所 東京都千代田区岩木町３丁目２番２号千代田岩
本ビル４階
」
５、補正の対象
、補正の内容
１、明細書のｒ２、特許請求の範囲」の欄の記載を、別
紙のとおり補正する。Applicant TDC Co., Ltd. Agent Patent Attorney Yo Ishii -- Procedural amendment signed) April 27, 1980 1. Case description 1988 Patent Application No. 132126 2. Name of invention Perpendicular magnetic recording Media 3, Relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant's office 13-1 Nihonbashi-chome, Chuo-ku, Tokyo Name
(306) TDC Co., Ltd. Representative: Hiroshi Otoshi 4, Agent: ioi Address: 4th floor, Chiyoda Iwamoto Building, 3-2-2 Iwaki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 5. Subject of amendment, details of amendment 1. The statement in the section r2, "Claims" of the specification is amended as shown in the attached sheet.
２、明細書の「３、発明の詳細な説明１の欄の記載を、
下記のとおり補正する。2. The statement in column ``3. Detailed Description of the Invention 1'' of the specification,
Correct as shown below.
ｌ）第３ページ第１９行に１なものでしかない。」とあ
る後に、改行して下記の記載を挿入する。l) There is only one thing on the 3rd page, line 19. '', insert the following on a new line.
「また、耐食性が低く、垂直配向特性が劣化する。」
２）第４ページ第５行〜第６行に１を向上することＪと
あるを、ｒを向上し、耐食性を向上すること」と補正す
る。"Also, the corrosion resistance is low, and the vertical alignment properties are deteriorated." 2) On the 4th page, lines 5 to 6, 1 is to be improved. to correct.
３）第５ページ第６行〜第７行に１７０〜８５ｗｔ％、
特にｊとあるを削除する。3) 170 to 85 wt% in the 6th and 7th lines of the 5th page,
In particular, delete the j.
４）第６ページ第７行に「７０〜８５Ｊとあるを、ｆ７
１〜８５Ｊと補正する。4) On page 6, line 7, it says “70-85J, f7
Correct it to 1-85J.
５）第６ページ第９行〜第１０行に１バナジウム １１
−１９ｗｔ％」とあるを「゛バナジウムとクロムとの総
計 １１−１９ｗｔ％１と補正する。5) 1 vanadium on page 6, line 9 to line 10 11
-19wt%" is corrected to "total of vanadium and chromium 11-19wt%1.
６）第６ページ第１１行にｒ、クロム５〜１５ｗｔ％ｊ
とあるを削除する。6) r on page 6, line 11, chromium 5-15wt%j
Delete certain.
７）第６ページ第１２行に１が好ましい、」とある後に
、改行して下記の記載を挿入する。7) In the 12th line of the 6th page, after ``1 is preferable,'' insert a new line and insert the following statement.
ｒこの場合、クロム含有量は１５ｗｔ％以下、特に５〜
１５ｗｔ％が好ましい。」
８）第７ページ第８行の「てもよい。」と「また、」の
間に２下記の記載を挿入する。r In this case, the chromium content is below 15 wt%, especially between 5 and
15 wt% is preferred. 8) Insert the following statement between "mayo." and "also" on page 7, line 8.
ｒあるいは、場合によっては、基体は軟磁性をもつもの
であってもよい、ｊ
９）第７ページ第１１行に１非磁性」とあるを、ｒ高透
磁率を示す軟磁性、あるいは非磁性ｊと補正する。rAlternatively, depending on the case, the substrate may be soft magnetic. Correct it as j.
１０）第９ページ第２行にｒＭｓ（ｚ）Ｊとあるを、ｒ
Ｍ ｒ （１） Ｊと補正する。10) In the second line of page 9, write rMs(z)J,
Correct as M r (1) J.
１１）第９ページ第４行に「上する。」とある後に、改
行して下記の記載を挿入する。11) In the 4th line of the 9th page, after the text "Upload.", insert a new line and insert the following statement.
ｒさらに、耐食性もきわめて高い、１
１２）第１θページ第３行に「測定した。ｊとある後に
、改行して下記の記載を挿入する。r Furthermore, the corrosion resistance is also extremely high. 1 12) In the third line of the 1st theta page, after ``Measured.j'', insert a line break and insert the following description.
「さらに、４０℃、相対温度９５％にて５００時間保存
し、保存後のＭ ｒ （１） ／Ｍ ｒ（１）を測定し
て、劣化率（％）を算出し、保存性を評価した。」
１３）第１１ページの表１を別紙のとおり補正する。"Furthermore, it was stored for 500 hours at 40°C and a relative temperature of 95%, and M r (1) / M r (1) after storage was measured to calculate the deterioration rate (%) and evaluate the storage stability. 13) Table 1 on page 11 should be amended as shown in the attached sheet.
表 １
Ｃｏ Ｖ （比較） ７ ２．５ −２５．３５１５
Ｃｏ７８Ｖ、５Ｆ６３ ３．５ − １．ＩＣｏ Ｖ
Ｐ ４ ３．０ −４．２
？５１５１０
Ｃｏ８４Ｖ１５Ｆ、 ４ ２．８ − ５．３Ｃｏ７６
Ｖ１５Ｆ９５ ３．１ − ３．１Ｃｏ７４Ｖ１５Ｆ１
１４ ２．９ −１０．３Ｃ０８４Ｖ１４Ｐ２ ｓ ２
、９ − ２ 、 。Table 1 Co V (comparison) 7 2.5 -25.3515 Co78V, 5F63 3.5 - 1. ICoV
P 4 3.0 -4.2? 51510 Co84V15F, 4 2.8 - 5.3Co76
V15F95 3.1 - 3.1Co74V15F1
14 2.9 -10.3C084V14P2 s 2
,9-2,.
Ｃｏ７１Ｖ、、Ｐ２Ｏ３３，０−３，３Ｃｏ８６Ｖ、Ｐ
ＧＩ１ ２．４ − ５．６ＣｏＶｅｒＰ 、 ６ ２
．９ −２．１９５１０８
Ｃｏ７４Ｖ、 Ｃｒ、ｏＰ８６ ３−．０ − １．４
２、特許請求の範囲
１、 コバルトと、リンと、バナジウムとからなる磁性
膜を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。Co71V,,P2O33,0-3,3Co86V,P
GI1 2.4-5.6CoVerP, 6 2
．． 9-2.195108 Co74V, Cr, oP86 3-. 0-1.4
2. Claim 1. A perpendicular magnetic recording medium characterized by having a magnetic film made of cobalt, phosphorus, and vanadium.
２、−コバルト含有量が７１〜８５ｗｔ％、リン含有量
がｌ〜１ｏｕｔ％、バナジウム含有量が１１〜１９ｗｔ
％である特許請求の範囲第１項に記載の垂直磁気記録媒
体。2, - Cobalt content is 71-85 wt%, phosphorus content is 1-1 out%, vanadium content is 11-19 wt%
% of the perpendicular magnetic recording medium according to claim 1.
３、 コバルトと、リンと、バナジウムと、クロムとか
らなる磁性膜を有することを特徴とする垂直磁気記録媒
体。3. A perpendicular magnetic recording medium characterized by having a magnetic film made of cobalt, phosphorus, vanadium, and chromium.
４、 コバルト含有量が７１〜８５ｗｔ９６、リン含有
量が１〜８ｗｔ％、バナジウム含有量とクロム含有量の
総計が１１〜Ｊ９ｗｔ％である特許請求の範囲第３項に
記載の垂直磁気記録媒体。4. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 3, wherein the cobalt content is 71 to 85 wt96, the phosphorus content is 1 to 8 wt%, and the total vanadium content and chromium content is 11 to J9 wt%.
Claims (1)
膜を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２、 コバルト含有量が７１〜８５ｗｔ％、リン含イ」
量が１〜ｌｏｗｔ％、／ヘナジウム含有量が１１〜１９
１Ｉｔ％である特許請求の範囲第１項に記載の垂直磁気
記録媒体。 ３、 コバルトと、リンと、バナジウムと、クロムとか
らなる磁性＋１Ｑを有することを特徴とする垂直磁気記
録媒体。 ４、 コバルト含有量が７０〜８５ｗｔ％、リン含有量
が１〜８ｗｔ％、バナジウム含有量が１１〜１９ｗｔ％
、クロム含有量が５〜１５ｗｔ％である特許請求の範囲
第３項に記載の垂直磁気記録媒体。[Claims] 1. A perpendicular magnetic recording medium characterized by having a magnetic film made of cobalt, phosphorus, and vanadium. 2. Cobalt content is 71-85wt%, phosphorus content.
The amount is 1~lowt%, /henadium content is 11~19
1. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the perpendicular magnetic recording medium has a content of 1 It%. 3. A perpendicular magnetic recording medium characterized by having +1Q magnetism consisting of cobalt, phosphorus, vanadium, and chromium. 4. Cobalt content is 70-85 wt%, phosphorus content is 1-8 wt%, vanadium content is 11-19 wt%
4. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 3, wherein the chromium content is 5 to 15 wt%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132126A JPS6024006A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Vertical magnetic record medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132126A JPS6024006A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Vertical magnetic record medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024006A true JPS6024006A (en) | 1985-02-06 |
Family
ID=15074008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132126A Pending JPS6024006A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Vertical magnetic record medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024006A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334267A (en) * | 1992-08-03 | 1994-08-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Sputtering target for magnetic recording medium and method of producing the same |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58132126A patent/JPS6024006A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334267A (en) * | 1992-08-03 | 1994-08-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Sputtering target for magnetic recording medium and method of producing the same |
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