JPS60232690A - High frequency heating device - Google Patents

High frequency heating device

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JPS60232690A
JPS60232690A JP8875284A JP8875284A JPS60232690A JP S60232690 A JPS60232690 A JP S60232690A JP 8875284 A JP8875284 A JP 8875284A JP 8875284 A JP8875284 A JP 8875284A JP S60232690 A JPS60232690 A JP S60232690A
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JP
Japan
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meat probe
voltage
temperature sensor
probe
meat
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JP8875284A
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藤井 康照
晃久 高野
均 栗田
大嶋 孝正
大塚 昭徳
古林 叔子
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波加熱器に於ける食品加熱温度の直接的
検知手段としての温度センサー所謂ミートプローブを用
いた、食品温度の検出回路に関す、るもので、絶縁皮膜
の形成による上記ミートプローブのりセプタクル部での
接触抵抗の増加にともなう検知温度誤差の低減構成に係
わるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a food temperature detection circuit using a temperature sensor, so-called meat probe, as a means for directly detecting food heating temperature in a high frequency heater. The present invention relates to a configuration for reducing a detected temperature error caused by an increase in contact resistance at the meat probe glue receptacle portion due to the formation of an insulating film.

従来例の構成とその問題点 従来、上記ミートプローブを利用した高周波加熱調理器
は、第1図に示すように、食品回転載置台−3に牛肉等
の被加熱物−9を載置し、該被加熱物−9の温度を検出
するための温度センサーとしてのミートプローブ−7を
該食品−9に挿入して調理をおこなうのである。このミ
ートプローブの片端は加熱室−2の天井部に設けられた
回転リセプタクル−8に取付けられ、該リセプタクル−
8内の電極(接触片)を介して、食品からの温度情報を
制御部に伝えるものである。
Configuration of conventional example and its problems Conventionally, as shown in FIG. 1, in a high-frequency cooking device using the above-mentioned meat probe, an object to be heated such as beef 9 is placed on a food rotating table 3. A meat probe 7 serving as a temperature sensor for detecting the temperature of the object to be heated 9 is inserted into the food 9 for cooking. One end of this meat probe is attached to a rotating receptacle 8 provided on the ceiling of the heating chamber 2, and the receptacle
Temperature information from the food is transmitted to the control unit via the electrode (contact piece) in 8.

ところで、加熱調理中の食品は回転載置台−3により回
転しながら、食品の周囲から均等に加熱される。食品の
回転に伴ない、食品に挿入されているミートプローブ−
7にも当然ながら回転力が加わる。この回転力によるミ
ートプローブのねじれ、さらには、脱落と言うことを防
ぐため、前記、リセプタクル−8内では、ミートプロー
ブ−7の両端子とりセプタクルー8の電極片(接触子)
とは摺動可能な構成となっている。第2図に、該リセプ
タクル8に、ミートプローブ−7を挿入した状態での断
面図を示し、その構造について説明する。ミートプロー
ブ−7の先端部は温度センサーの両端それぞれに接続さ
れた電極部10、および11を有し、それぞれ対応する
りセプタクルー8側に設けられた接触子12及び13と
に電気的接触を保つわけである。そして、接触子12.
13からリード線14を介して温度センサーが制御回路
に接続されるわけである。この時、接触子12゜13と
ミートプローブ−7の電極部10.11との接圧は出来
る限り小さく設定する方が、ミートプローブ−7の回転
がスムーズに行なわれるのである。
By the way, the food being cooked is heated evenly from the periphery of the food while being rotated by the rotary mounting table-3. Meat probe inserted into food as food rotates.
Of course, rotational force is also applied to 7. In order to prevent the meat probe from twisting or even falling off due to this rotational force, in the receptacle 8, both terminals of the meat probe 7 are connected to the electrode pieces (contactors) of the septa crew 8.
It has a structure that allows it to slide. FIG. 2 shows a sectional view of the meat probe 7 inserted into the receptacle 8, and its structure will be described. The tip of the meat probe 7 has electrode parts 10 and 11 connected to both ends of the temperature sensor, respectively, and maintains electrical contact with contacts 12 and 13 provided on the corresponding septa crew 8 side, respectively. That's why. And contactor 12.
The temperature sensor is connected from 13 to the control circuit via a lead wire 14. At this time, it is better to set the contact pressure between the contactor 12.degree. 13 and the electrode portion 10.11 of the meat probe 7 as small as possible so that the meat probe 7 can rotate smoothly.

次に、第3図に制御回路の従来例を示す。IC1−15
は、その内部にA/Di換機能を有した 1チツプマイ
クロコンビユニタ(以下、マイコンと略す)である。ミ
ートプローブ−7の先端部に設けられた温度センサー1
6と、分圧抵抗−17とで、分圧回路を構成し、その分
圧電圧をアナログデータとして、IC1−15のルΦポ
ートに入力している。
Next, FIG. 3 shows a conventional example of a control circuit. IC1-15
is a one-chip microcombi unit (hereinafter abbreviated as microcomputer) that has an A/Di conversion function inside. Temperature sensor 1 installed at the tip of meat probe-7
6 and the voltage dividing resistor -17 constitute a voltage dividing circuit, and the divided voltage is inputted as analog data to the Φ port of the IC1-15.

では、以上の様な従来例に於ける問題点について次に述
べる。既に述べた様に、食品の回転によるミートプロー
ブのねじれ等を防ぐためには、ミートプローブ−11を
リセプタクルの接触子12゜13との接圧を小さくしな
ければならない。ところが、接圧を小さくすると、接点
間での絶縁皮膜の形成がされ易くなり、温度センサーの
情報を正しく検知できなくなるだけでなく、ミートプロ
ーブが正しく挿入されているにもかかわらず、接触抵抗
の増加により、ミートプローブが引き抜かれたと誤判断
し、調理をその時点で中断するという不具合に到ること
がある。
Next, problems in the conventional example as described above will be described. As already mentioned, in order to prevent the meat probe from twisting due to rotation of the food product, the contact pressure between the meat probe 11 and the contacts 12 and 13 of the receptacle must be reduced. However, if the contact pressure is reduced, an insulating film is likely to form between the contacts, which not only makes it impossible to correctly detect the information from the temperature sensor, but also causes the contact resistance to increase even though the meat probe is inserted correctly. This may lead to a problem where it is mistakenly determined that the meat probe has been pulled out, and cooking is interrupted at that point.

発明の目的 そこで、本発明は上記の従来の欠点を解消するもので、
リセプタクルとミートプローブとの接圧が小さくても、
正しく温度センサーからの情報を検知できる高周波加熱
調理装置を提供するものである。
OBJECT OF THE INVENTION Therefore, the present invention solves the above-mentioned conventional drawbacks.
Even if the contact pressure between the receptacle and the meat probe is small,
An object of the present invention is to provide a high frequency cooking device that can accurately detect information from a temperature sensor.

発明の構成 前記の目的を達成するため、本発明の温度センサー回路
は、定期的に温度センサーに高電圧を印加するためのス
イッチ手段を有したもので、高電圧を印加することで、
接触部に生成した絶縁皮膜を破かいし、正しい温度セン
サーからの情報を入力するものである。
Structure of the Invention In order to achieve the above object, the temperature sensor circuit of the present invention has a switch means for periodically applying a high voltage to the temperature sensor, and by applying the high voltage,
It breaks the insulating film that forms on the contact area and inputs the correct information from the temperature sensor.

実施例の説明 以下、本発明の一実施例について図面に基づいて説明す
る。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第4図に於て、温度センサからの信号を入力するマイコ
ンのんΦポートには、温度センサー抵抗Rthと分圧回
路を形成する基準電圧(Vve f 、 ) に接続さ
れた分圧抵抗R1とともに、トランジスタQ1のコレク
タが接続されている。このトランジスタQ1のエミッタ
は一18V電源に接続しており、マイコンの出力ポート
R8からの信号がハイレベル(+9.V)になるとこの
トランジスタQ1は導通状態になり、その為A/I)ポ
ートは強制的に一18vへ引き下げられることになる。
In Figure 4, the microcontroller's nonΦ port that inputs the signal from the temperature sensor has a voltage dividing resistor R1 connected to the temperature sensor resistor Rth and a reference voltage (Vve f, ) forming a voltage dividing circuit. , the collectors of transistor Q1 are connected. The emitter of this transistor Q1 is connected to the -18V power supply, and when the signal from the output port R8 of the microcontroller becomes high level (+9.V), this transistor Q1 becomes conductive, so that the A/I) port The voltage will be forced down to -18v.

そして、この結果、温度センサーRthの両端及び図面
上には記していないが、リセプタクルの接触子とミート
プローブとの間に存在する接触抵抗には、9v+18V
=27Vの高電圧が印加されることになり、該接触抵抗
の増加要因である絶縁皮膜を打破ることができるのであ
る。ところで、該トランジスタQ1が非導通状態の場合
は、マイコンのA/I)ポートは一18Vラインからは
分離され、温度センサーの抵抗Rthと、分圧抵抗R1
とで決まる+9vから+4vまでの温度情報となる電圧
レベルとなっている。
As a result, although it is not shown on the drawing and at both ends of the temperature sensor Rth, the contact resistance existing between the contact of the receptacle and the meat probe has a voltage of 9V+18V.
A high voltage of 27 V is applied, which makes it possible to break through the insulating film, which is the cause of the increase in contact resistance. By the way, when the transistor Q1 is in a non-conducting state, the A/I) port of the microcomputer is separated from the -18V line, and the resistance Rth of the temperature sensor and the voltage dividing resistor R1
The voltage level is determined as temperature information from +9v to +4v.

従って、この温度情報をマイコンが取り゛込むタイミン
グは、少なくとも前記トランジスタQ1が非導通状態の
時でなければならない。
Therefore, the timing at which the microcomputer takes in this temperature information must be at least when the transistor Q1 is in a non-conducting state.

第5図は、これらのタイミングの一例を示したものであ
る。まず、第5図f、lは、マイコンのR8ポートの出
力信号で、+9Vになっている時が、前記トランジスタ
Q1が導通しているのである。
FIG. 5 shows an example of these timings. First, Fig. 5 f and l are the output signals of the R8 port of the microcomputer, and when the voltage is +9V, the transistor Q1 is conductive.

次に、第5図(blは、マイコンがA/I)ポートの値
を取り込みその内部でルΦ変換処理を行なうタイミング
を示したもので、前記R8が+9vとなる少なくとも1
m5ec以上前に、その処理を行なっている。次に第5
図(c)は、マイコンのルΦポートの電圧レベル、言い
換えれば、ミードブローラとりセプタクルの接触子との
絶縁皮膜に印加される電位を示しており、同図[alの
R8のハイレベルに同期して、高電圧が印加されるので
ある。そして、同図(d)が、温度センサーを流れる電
流を示したもので、温度センサー抵抗が30Kfの場合
のものである。第6図、センサー抵抗一温度特性のグラ
フより、センサー抵抗30Krのときの温度は約40℃
である。温度が上昇し、その抵抗値がIKrのオーダー
になると、まだ絶縁皮膜による悪影響の発生度合いは少
なくなるが、前記センサー抵抗が30Krより大きくな
ればな1程、通常の電圧(9V−4V=5V)では絶縁
皮膜を打ち破ることが困難となる。従って、定期的に、
んΦ変換処理を行なわないタイミングで、該絶縁皮膜に
高電圧を印加し、それを打ち破る事が必要なのである。
Next, FIG. 5 (bl) shows the timing at which the microcomputer takes in the value of the A/I port and performs the Le Φ conversion process internally.
The process was performed more than m5ec ago. Next, the fifth
Figure (c) shows the voltage level of the Φ port of the microcontroller, in other words, the potential applied to the insulating film between the mead roller and the contact of the receptacle. Then, a high voltage is applied. FIG. 4(d) shows the current flowing through the temperature sensor when the temperature sensor resistance is 30Kf. From Figure 6, a graph of sensor resistance vs. temperature characteristics, when the sensor resistance is 30 Kr, the temperature is approximately 40°C.
It is. As the temperature rises and the resistance value reaches the order of IKr, the degree of adverse effects caused by the insulating film will still decrease. ), it becomes difficult to break through the insulation film. Therefore, regularly
It is necessary to apply a high voltage to the insulating film at a timing when the Φ conversion process is not performed to break the voltage.

一方、この高電圧を印加する時間が長ずきると、温度セ
ンサー素子の自己発熱の影響が無視できなくなるため、
前記R8ポートのハイレベル時間は、温度センサー自身
の平均自己発熱が10mW以下になる様に設定している
。また、A/I)読込みタイミングも、R8ポートがロ
ーレベル(−1aV)になってから、充分な時間をおい
て、このルΦポートの電圧レベルが安定するのを待って
取り込んでいる。
On the other hand, if this high voltage is applied for a long time, the effect of self-heating of the temperature sensor element cannot be ignored.
The high level time of the R8 port is set so that the average self-heating of the temperature sensor itself is 10 mW or less. Further, the A/I) read timing is also set after the R8 port becomes low level (-1aV) and after waiting for the voltage level of the R8 port to stabilize after a sufficient period of time.

さらに、R8ポートは他のキースキャン信号等と兼用す
るシステム構成も考えられる。
Furthermore, a system configuration in which the R8 port is also used for other key scan signals, etc. is also conceivable.

発明の効果 以下、本発明の効果について述べる。第1に、ミートプ
ローブとりセプタクルの接触子との間の接圧が小さくて
も、高電位を印加することで、その間に生成された絶縁
皮膜を打ち破り、電気的導通状態をとり戻せるため、ミ
ートプローブはスムーズにリセプタクル内で回転摺動で
き、回転載置合方式の高周波加熱装置で過去よくあった
、ミートプローブのねじれ、あるいは、脱落といった事
がなくなる。それとともに、接圧が小さくても良いと言
うことは、接触子自身の小形化にもなり、リセプタクル
のコストダウンが実現できる。
Effects of the invention The effects of the invention will be described below. First, even if the contact pressure between the meat probe and the contact of the receptacle is small, by applying a high potential, the insulating film formed between them can be broken and electrical continuity can be restored. The probe can rotate and slide smoothly within the receptacle, eliminating the possibility of the meat probe twisting or falling off, which was common in the past with rotary mounting type high-frequency heating devices. At the same time, since the contact pressure can be small, the contactor itself can be made smaller, and the cost of the receptacle can be reduced.

第2に、前記絶縁皮膜を打ち破るために、常時高電界を
印加していては、温度センサーの自己発熱により、正し
い温度情報を得ることができない。
Second, if a high electric field is constantly applied to break the insulating film, accurate temperature information cannot be obtained due to self-heating of the temperature sensor.

従って、本願の如く、定期的にパルス状の高電界を印加
することで、前記温度センサーの自己発熱の影響を最小
限にとどめる事ができるのである。
Therefore, by periodically applying a pulsed high electric field as in the present application, the influence of self-heating of the temperature sensor can be minimized.

そして、最後に、前記高電界の印加をパルス状にする事
で、回路系で消費される電力は節約され、電源回路のコ
ストダウンもはかれるのである。
Finally, by applying the high electric field in a pulsed manner, the power consumed by the circuit system can be saved, and the cost of the power supply circuit can also be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は回転式ミートプローブ付の高周波加熱装置の外
観図、第2図は回転式ミートプローブのりセプタクル装
着状態説明図、第3図は従来の高周波加熱装置の制御回
路説明図、第4図は本発明の一実施例である温度センサ
ー回路部の回路図、第5図は第4図の温度センサー回路
の各部及び機能の動作説明図、第6図は温度センサーの
抵抗一温度特性図である。 3・・・・・・回転載置台、7・・・・・・ミートプロ
ーブ、8・・・・・・リセプタクル、10.11・・・
・・・ミートプローブ端子部、12.13・・・・・・
リセプタクル接触子、16・・・・・・温度センサー、
17・・・・・・分圧抵抗、19・・・・・・トランジ
スタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第4図 第5図 tL+−V灼”1 ↑ ↑
Figure 1 is an external view of a high-frequency heating device with a rotary meat probe, Figure 2 is an explanatory diagram of the rotary meat probe with a glue receptacle installed, Figure 3 is an explanatory diagram of the control circuit of a conventional high-frequency heating device, and Figure 4 5 is a circuit diagram of a temperature sensor circuit section which is an embodiment of the present invention, FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation of each part and function of the temperature sensor circuit of FIG. 4, and FIG. 6 is a resistance-temperature characteristic diagram of the temperature sensor. be. 3... Rotating mounting table, 7... Meat probe, 8... Receptacle, 10.11...
...Meat probe terminal section, 12.13...
Receptacle contact, 16...Temperature sensor,
17...Voltage dividing resistor, 19...Transistor. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
Figure 2 Figure 4 Figure 5 tL+-V”1 ↑ ↑

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 食品を収納する加熱室と、前記加熱室へ高周波電力を供
給する高周波発振器と、前記食品の内部の温度を検知す
るミートプローブと前記ミートプローブからの情報をへ
変換する回路と、調理を制御する制御部と、前記ん■変
換時に該ミートプローブに印加される電圧とは異なる第
2の電圧源と、前記第2の電圧源の電圧を上記ミートプ
ローブに印加するスイッチ手段およびその制御手段とを
有し、前記第2の電圧源の電圧を定期的に短時間、前記
ミートプローブに印加する構成とした高周波加熱装置。
A heating chamber for storing food, a high-frequency oscillator for supplying high-frequency power to the heating chamber, a meat probe for detecting the internal temperature of the food, a circuit for converting information from the meat probe, and a circuit for controlling cooking. a control unit, a second voltage source different from the voltage applied to the meat probe during conversion, a switch means for applying the voltage of the second voltage source to the meat probe, and a control means thereof; A high-frequency heating device comprising: a high-frequency heating device configured to periodically apply a voltage from the second voltage source to the meat probe for a short period of time.
JP8875284A 1984-05-02 1984-05-02 High frequency heating device Granted JPS60232690A (en)

Priority Applications (1)

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JP8875284A JPS60232690A (en) 1984-05-02 1984-05-02 High frequency heating device

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JPS6361752B2 JPS6361752B2 (en) 1988-11-30

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