JPS6022521B2 - マイクロ波帯のストリツプライン用減衰器 - Google Patents
マイクロ波帯のストリツプライン用減衰器Info
- Publication number
- JPS6022521B2 JPS6022521B2 JP54161196A JP16119679A JPS6022521B2 JP S6022521 B2 JPS6022521 B2 JP S6022521B2 JP 54161196 A JP54161196 A JP 54161196A JP 16119679 A JP16119679 A JP 16119679A JP S6022521 B2 JPS6022521 B2 JP S6022521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- attenuator
- resistive film
- electrode
- pattern
- microwave band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロ波帯の信号の伝播線路であるマイク
ロストリップラインに実装して、良好な特性を示す減衰
器を提供せんとするものである。
ロストリップラインに実装して、良好な特性を示す減衰
器を提供せんとするものである。
第１図は、減衰器の使用態様を示す図である。図におい
て、１は裏面側にアース導体が一様に被着されたアルミ
ナからなる誘電体基体、２及び３は一様な幅の導電層が
この基板１の表面側に被着されて構成されるマイクロス
トリップライン、４はこの基板の表面側から裏面側のア
ース導体に接続されるように導電層が形成されてなるア
ースパッドである。また、点線で囲んだ部分５は減衰器
の基板を示し、斜線で示す部分は減衰器６を構成する抵
抗膜パターンで、この例ではＴ字形パターンとされる。
て、１は裏面側にアース導体が一様に被着されたアルミ
ナからなる誘電体基体、２及び３は一様な幅の導電層が
この基板１の表面側に被着されて構成されるマイクロス
トリップライン、４はこの基板の表面側から裏面側のア
ース導体に接続されるように導電層が形成されてなるア
ースパッドである。また、点線で囲んだ部分５は減衰器
の基板を示し、斜線で示す部分は減衰器６を構成する抵
抗膜パターンで、この例ではＴ字形パターンとされる。
このＴ字形のパターンの減衰器６は次のようにして作製
される。
される。
すなわち、第２図は減衰器の作製プロセスの一例を示す
もので、先ず、同図Ａで斜線で示すように、例えばニッ
ケルクロム（Ｎｉ一Ｃｒ）からなる高い抵抗を有し、抵
抗率の一様な抵抗膜７が、基板８に蒸着される。
もので、先ず、同図Ａで斜線で示すように、例えばニッ
ケルクロム（Ｎｉ一Ｃｒ）からなる高い抵抗を有し、抵
抗率の一様な抵抗膜７が、基板８に蒸着される。
次に、同図Ｂに示すように、この抵抗膜７がＴ字形にパ
ターンニングされる。
ターンニングされる。
このＴ字形にパターンニングされた抵抗膜７の上に、同
図Ｃで斜線で示すようにホトレジストによる保護膜９が
コーティングされる。そして、この保護膜９は、同図Ｄ
に示すように、抵抗膜７のＴ字形パターンの各先端部が
麓呈するようにパターンニングされる。そして、このよ
うにパターンニングされたものの上に例えばニッケルか
らなる電極金属層１０が黍着され、さらに、この電極金
属層１０が同図Ｆに示すようにパターンニングされて、
３つの電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃが形成される。こう
して形成された減衰器の電極１０ａがマイクロストリッ
プライン２に、電極１０ｂがライン３に、亀極１０ｃが
アースパッド４に、それぞれ各電極に半田１２等が着け
られて接続されて、マイクロストリップラインに実装さ
れる。
図Ｃで斜線で示すようにホトレジストによる保護膜９が
コーティングされる。そして、この保護膜９は、同図Ｄ
に示すように、抵抗膜７のＴ字形パターンの各先端部が
麓呈するようにパターンニングされる。そして、このよ
うにパターンニングされたものの上に例えばニッケルか
らなる電極金属層１０が黍着され、さらに、この電極金
属層１０が同図Ｆに示すようにパターンニングされて、
３つの電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃが形成される。こう
して形成された減衰器の電極１０ａがマイクロストリッ
プライン２に、電極１０ｂがライン３に、亀極１０ｃが
アースパッド４に、それぞれ各電極に半田１２等が着け
られて接続されて、マイクロストリップラインに実装さ
れる。
なお、この第２図の方法では電極金属層１０を抵抗膜７
に蒸着する工程があるが、この黍着は、温度が高い状態
で行うため、異種金属である電極金属（Ｎｉ）１０と抵
抗膜（Ｎｉ−Ｃｒ）７間に化学変化（マィグレーション
）が生じ、ニッケルが抵抗膜であるニッケルクロムの方
へ入り込んで抵抗分布を変化させてしまう可能性があり
、減衰器としての抵抗値の制御が困難になる欠点がある
。
に蒸着する工程があるが、この黍着は、温度が高い状態
で行うため、異種金属である電極金属（Ｎｉ）１０と抵
抗膜（Ｎｉ−Ｃｒ）７間に化学変化（マィグレーション
）が生じ、ニッケルが抵抗膜であるニッケルクロムの方
へ入り込んで抵抗分布を変化させてしまう可能性があり
、減衰器としての抵抗値の制御が困難になる欠点がある
。
また、この第２図の方法で作製された減衰器の電極部分
の断面は第３図に示すようなものとなっており、その等
価回路は第４図に示すようなものとなる。すなわち、電
極金属層１０のパターンニングをするときに、抵抗膜７
に化学変化を生じさせないようにするため保護膜９部分
をも蔽うようにしている。ところが、このようにすると
、第４図の等価回路にも示すように、抵抗膜７と電極金
属層１０間に容量１１を生じ、減衰器の特性して好まし
くない。これらの欠点は、次に述べるような方法により
除去できる。
の断面は第３図に示すようなものとなっており、その等
価回路は第４図に示すようなものとなる。すなわち、電
極金属層１０のパターンニングをするときに、抵抗膜７
に化学変化を生じさせないようにするため保護膜９部分
をも蔽うようにしている。ところが、このようにすると
、第４図の等価回路にも示すように、抵抗膜７と電極金
属層１０間に容量１１を生じ、減衰器の特性して好まし
くない。これらの欠点は、次に述べるような方法により
除去できる。
すなわち、この方法は、第５図Ａに示すように基板に抵
抗膜７を蒸着するのは前述の方法と同じであるが、次の
工程であるパターンニングをするときに、同図Ｂに示す
ように電極部分１１ａ，１１ｂ，１１ｃも含めてパター
ンニングする。
抗膜７を蒸着するのは前述の方法と同じであるが、次の
工程であるパターンニングをするときに、同図Ｂに示す
ように電極部分１１ａ，１１ｂ，１１ｃも含めてパター
ンニングする。
そして、これに同図Ｃに示すように保護膜９をコープイ
ングし、同図Ｄに示すように電極部分１１ａ，１１ｂ，
１１ｃを除くＴ字形部分のみに保護膜９が残留するよう
にパターンニングする。こうしてＴ字形パターンの減衰
器が形成される。
ングし、同図Ｄに示すように電極部分１１ａ，１１ｂ，
１１ｃを除くＴ字形部分のみに保護膜９が残留するよう
にパターンニングする。こうしてＴ字形パターンの減衰
器が形成される。
そして、抵抗膜７が露呈して形成される電極に半田等を
着けて、マイクロストリップライン等と接続する。
着けて、マイクロストリップライン等と接続する。
この場合、抵抗膜７の表面に酸化膜が生ずるときなどの
場合には、フラツクス等を使用すればよい。
場合には、フラツクス等を使用すればよい。
この方法により形成した減衰器の電極部分の断面は第６
図に示すようになる。
図に示すようになる。
つまり、半田１２が抵抗膜７に着けられるだけで、電極
金属は用いないので、第２図の方法で生ずる欠点が回避
できる。なお、減衰器としての抵抗膜のパターンとして
は、第７図に示すようなものも従来用いられている。
金属は用いないので、第２図の方法で生ずる欠点が回避
できる。なお、減衰器としての抵抗膜のパターンとして
は、第７図に示すようなものも従来用いられている。
この図で、１３ａ，１３ｂ，１３ｃは抵抗膜７に対し、
設けられる電極部分との接続部である。ところで、減衰
器として広い周波数帯にわたって良好な特性を得るため
には、等価回路で表わしたとき、第８図に示すように、
２つの電極間に２個の抵抗１４及び１５が直列に接続さ
れ、これら抵抗１４及び１５の接続点と、もう１つの電
極との間に抵抗１６が接続されたものとなっていること
が望ましい。
設けられる電極部分との接続部である。ところで、減衰
器として広い周波数帯にわたって良好な特性を得るため
には、等価回路で表わしたとき、第８図に示すように、
２つの電極間に２個の抵抗１４及び１５が直列に接続さ
れ、これら抵抗１４及び１５の接続点と、もう１つの電
極との間に抵抗１６が接続されたものとなっていること
が望ましい。
つまり、リアクタンス分がなく、純粋の抵抗分のみで表
わされることが望ましい。ここで、減衰器の添字ａを付
した電極に電圧を加え、他の２つの電極を接地した場合
に、前述したＴ字形パターンの減衰器及び第７図のパタ
ーンの減衰器の等電位線の分布を描いてみると、第１０
図及び第１１図に示すようになる。実際の使用状態では
、添字ｂを付した電極の電位も零竃位ではなく、有限な
値を持つので、事情は異なるが、添字ａを付した電極か
ら添付ｃを付した電極へ向けての等電位線の分布は、実
際の使用状態の特徴をほぼ表わしていると考えられる。
わされることが望ましい。ここで、減衰器の添字ａを付
した電極に電圧を加え、他の２つの電極を接地した場合
に、前述したＴ字形パターンの減衰器及び第７図のパタ
ーンの減衰器の等電位線の分布を描いてみると、第１０
図及び第１１図に示すようになる。実際の使用状態では
、添字ｂを付した電極の電位も零竃位ではなく、有限な
値を持つので、事情は異なるが、添字ａを付した電極か
ら添付ｃを付した電極へ向けての等電位線の分布は、実
際の使用状態の特徴をほぼ表わしていると考えられる。
ここで、抵抗膜７が一様な抵抗率をもっていることから
、等電位線の間隔が詰んでいる所は、電流密度が高くな
っていることを示す。すなわち、築中して電流が流れる
ということは、それだけその部分の自己インダクタンス
が増えるということを意味している。したがって、Ｔ字
形のパターンにおいては、Ｔ字の横木と縦木の交叉する
部分に余分なりアクタンス分が発生するのである。また
、第７図のパターンの場合にも同様に、電極１３ａの、
Ｔ字パターンでいえば横木と縦木の交叉する部分に余分
なりアクタンス分が発生する。この発明は、この点にか
んがみ、余分なりアクタンス分を持たないように抵抗膜
／ぐ夕−ンを形成した減衰器を提供せんとするものであ
る。すなわち、以上述べたことから、余分なりアクタン
ス分を持たない抵抗膜パターンは、等電位線を描いたと
き、等電位線の間隔がどこでも一様であることが必要十
分条件である。
、等電位線の間隔が詰んでいる所は、電流密度が高くな
っていることを示す。すなわち、築中して電流が流れる
ということは、それだけその部分の自己インダクタンス
が増えるということを意味している。したがって、Ｔ字
形のパターンにおいては、Ｔ字の横木と縦木の交叉する
部分に余分なりアクタンス分が発生するのである。また
、第７図のパターンの場合にも同様に、電極１３ａの、
Ｔ字パターンでいえば横木と縦木の交叉する部分に余分
なりアクタンス分が発生する。この発明は、この点にか
んがみ、余分なりアクタンス分を持たないように抵抗膜
／ぐ夕−ンを形成した減衰器を提供せんとするものであ
る。すなわち、以上述べたことから、余分なりアクタン
ス分を持たない抵抗膜パターンは、等電位線を描いたと
き、等電位線の間隔がどこでも一様であることが必要十
分条件である。
この発明では、前述した各抵抗膜パターンではＴ字の横
木と縦木の交叉する部分で余分なりアクタンス分が発生
する点に着目し、第９図に示すように抵抗膜１７による
パターンにＴ字の藤木と縦木の交叉する部分に付加部分
１８，１８′が設けられたパターン形状とするものであ
る。
木と縦木の交叉する部分で余分なりアクタンス分が発生
する点に着目し、第９図に示すように抵抗膜１７による
パターンにＴ字の藤木と縦木の交叉する部分に付加部分
１８，１８′が設けられたパターン形状とするものであ
る。
このようにすれば、前述と同様にしてこのパターンの減
衰器の等電位線を求めてみると、第１２図に示すような
ものとなり、等電位線の間隔がほぼ一様に分布するよう
になる。
衰器の等電位線を求めてみると、第１２図に示すような
ものとなり、等電位線の間隔がほぼ一様に分布するよう
になる。
したがって、Ｔ字の積木と縦木の交叉する部分に生じる
リァクタンス分は減少し、減衰器として特性の良好なも
のが得られる。なお、図で斜線を付して示す１９ａ，１
９ｂ，１９ｃは第５図の方法でパターンを形成する場合
に電極となる抵抗膜部である。
リァクタンス分は減少し、減衰器として特性の良好なも
のが得られる。なお、図で斜線を付して示す１９ａ，１
９ｂ，１９ｃは第５図の方法でパターンを形成する場合
に電極となる抵抗膜部である。
ところで、この減衰器としては反射が少ないものである
ことも、良好な特性としての条件であるが、この第９図
の抵抗膜パターンは、例えば第１図のＴ字形抵抗膜パタ
ーンよりも、この反射が少ないという点でも優れている
ということが実験的に証明された。すなわち、減衰器を
第１図のようにマイクロストリップラインに対して接続
し、ライン２側から高周波（ＳＨＦ）信号を供給した場
合に、ライン２側に戻ってくる信号分を測定してみると
、従釆のＴ字形のものでは第１３図に示すようにリタ−
ンロスは約ＩＷＢ程度であるが、この発明のものでは、
第１４図図に示すようにリターンロスは約２戊旧となる
ものである。以上のようにして、この発明によれば、抵
抗膜パターンの形状を工夫することにより、良好な特性
の減衰器が実現できるものである。
ことも、良好な特性としての条件であるが、この第９図
の抵抗膜パターンは、例えば第１図のＴ字形抵抗膜パタ
ーンよりも、この反射が少ないという点でも優れている
ということが実験的に証明された。すなわち、減衰器を
第１図のようにマイクロストリップラインに対して接続
し、ライン２側から高周波（ＳＨＦ）信号を供給した場
合に、ライン２側に戻ってくる信号分を測定してみると
、従釆のＴ字形のものでは第１３図に示すようにリタ−
ンロスは約ＩＷＢ程度であるが、この発明のものでは、
第１４図図に示すようにリターンロスは約２戊旧となる
ものである。以上のようにして、この発明によれば、抵
抗膜パターンの形状を工夫することにより、良好な特性
の減衰器が実現できるものである。
第１図はマイクロストリップラインに対し減衰器を接続
した状態を示す図、第２図は減衰器の作製プロセスの一
例を示す図、第３図及び第４図はその欠点を説明するた
めの図、第５図は減衰器の作製プロセスの他の例を示す
図、第６図は作製した減衰器の電極付近の断面図、第７
図は従釆の減衰器の抵抗膜パターンの一例を示す図、第
８図は減衰器の等価回路図、第９図はこの発明による減
衰器の抵抗膜パターンの一例を示す図、第１０図〜第１
２図は各抵抗膜パターンの等電位線の分布状態を示す図
、第１３図は従来の減衰器の反射特性を示す図、第１４
図はこの発明による減衰器の反射特性を示す図である。 ２及び３はマイクロストリップライン、１７は抵抗膜、
１８，１８′は付加部分である。第１図 第３図 第４図 第６図 第２図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図
した状態を示す図、第２図は減衰器の作製プロセスの一
例を示す図、第３図及び第４図はその欠点を説明するた
めの図、第５図は減衰器の作製プロセスの他の例を示す
図、第６図は作製した減衰器の電極付近の断面図、第７
図は従釆の減衰器の抵抗膜パターンの一例を示す図、第
８図は減衰器の等価回路図、第９図はこの発明による減
衰器の抵抗膜パターンの一例を示す図、第１０図〜第１
２図は各抵抗膜パターンの等電位線の分布状態を示す図
、第１３図は従来の減衰器の反射特性を示す図、第１４
図はこの発明による減衰器の反射特性を示す図である。 ２及び３はマイクロストリップライン、１７は抵抗膜、
１８，１８′は付加部分である。第１図 第３図 第４図 第６図 第２図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図
Claims (1)
- １ 一様な抵抗率を有する抵抗膜がＴ字形で、かつ、こ
のＴ字形の横木と縦木の交わる部分に付加部分が設けら
れたパターンとされたマイクロ波帯のストリツプライン
用減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54161196A JPS6022521B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | マイクロ波帯のストリツプライン用減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54161196A JPS6022521B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | マイクロ波帯のストリツプライン用減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5684001A JPS5684001A (en) | 1981-07-09 |
| JPS6022521B2 true JPS6022521B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=15730404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54161196A Expired JPS6022521B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | マイクロ波帯のストリツプライン用減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022521B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670723A (en) * | 1985-03-18 | 1987-06-02 | Tektronix, Inc. | Broad band, thin film attenuator and method for construction thereof |
| US5986516A (en) * | 1997-12-29 | 1999-11-16 | Emc Technology Llc | Chip attenuator having a capacitor therein |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140034A (ja) * | 1974-04-25 | 1975-11-10 |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP54161196A patent/JPS6022521B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140034A (ja) * | 1974-04-25 | 1975-11-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5684001A (en) | 1981-07-09 |
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