JPS6022499B2 - Wafer processing equipment - Google Patents

Wafer processing equipment

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JPS6022499B2
JPS6022499B2 JP16933379A JP16933379A JPS6022499B2 JP S6022499 B2 JPS6022499 B2 JP S6022499B2 JP 16933379 A JP16933379 A JP 16933379A JP 16933379 A JP16933379 A JP 16933379A JP S6022499 B2 JPS6022499 B2 JP S6022499B2
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JP
Japan
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wafer
processing
wafers
spinner
cleaning
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JP16933379A
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Japanese (ja)
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JPS5694642A (en
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進 南光
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6022499B2 publication Critical patent/JPS6022499B2/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造に用いる半導体薄板(ウェハ
)の主面を清浄化等を行なうウェハ処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer processing apparatus for cleaning the main surface of a semiconductor thin plate (wafer) used in the manufacture of semiconductor devices.

半導体装置の製造において、ウヱハに部分的に不純物原
子を拡散させたり、その表面に部分的に絶縁膜、配線膜
等を形成するウェハ処理工程がある。このウヱハ処理工
程では部分的処理が必要なことから、処理前に、ウェハ
の主面をホトレジスト膜で部分的にマスキングする。す
なわち、ウェハ主面全域にホトレジストを塗布した後、
このホトレジストを部分感光させ、現像によって感光部
分あるいは非感光部分を除去することによってこのマス
クは形成される。ところで、ボジテイブなホトレジスト
はネガティブなホトレジストに較べて低分子構造のため
、ウェハとの接着挫く密着性)が悪く、ウヱハから剥離
し易い欠点がある。
In the manufacture of semiconductor devices, there is a wafer processing step in which impurity atoms are partially diffused into the wafer and an insulating film, wiring film, etc. are partially formed on the surface of the wafer. Since this wafer processing step requires partial processing, the main surface of the wafer is partially masked with a photoresist film before processing. In other words, after coating the entire main surface of the wafer with photoresist,
The mask is formed by partially exposing the photoresist and removing the exposed or non-exposed areas by development. By the way, since positive photoresists have a lower molecular structure than negative photoresists, they have poor adhesion with wafers and have the disadvantage of being easily peeled off from the wafer.

このようなホトレジストの剥離はマスキングが不正確と
なることから、適正な処理がなされず、歩留の低下を釆
たしてしまつo前記ホトレジストの剥離を防止するため
に、ホトレジスト塗布前にはウヱハの主面を純水で洗浄
し、主面を清浄化する方法が一般に採用されている。
Such peeling of the photoresist results in inaccurate masking, which prevents proper processing and reduces yield. In order to prevent the photoresist from peeling off, before applying the photoresist A commonly used method is to clean the main surface of the wafer by washing it with pure water.

また、洗浄後にはウェハを加熱乾燥して主面の水分を除
去している。しかし、このような乾燥によってもウェハ
主面には水分(水酸基)が残留し、ホトレジストの接着
性を低下させてしまうことが判明した。そこで、従釆、
乾燥後にゥェハ主面に水分(水酸基)を分解させて蒸発
させてしまうような作用をする処理ガス(たとえば、ヘ
キサメチルGシラザンガス)を噴き付けてゥェハの清浄
化を図る技術が開発されている。ところで、この処理ガ
ス噴き付けは従釆第1図に示すような装置を用いて行な
っている。
After cleaning, the wafer is heated and dried to remove moisture from the main surface. However, it has been found that even with such drying, moisture (hydroxyl groups) remains on the main surface of the wafer, reducing the adhesion of the photoresist. Therefore, the subordinate
A technique has been developed to clean the wafer by spraying a processing gas (for example, hexamethyl G silazane gas) on the main surface of the wafer after drying to decompose and evaporate water (hydroxyl groups). Incidentally, this process gas spraying is performed using a device as shown in FIG.

すなわち、熱風循環炉1内にウェハを収容したカートリ
ッジ2を入れるとともに、この熱風循環炉1内に導管3
を介してムキサメチルGシラザンを含む窒素ガスを導入
する。前記導管3の一端は供給ガス室4の上部に接続さ
れる。また、供孫舎ガス室4内にはへキサメチルGシラ
ザン液(処理液)5が入れられ、この処理液5中に供給
管6の一端が差しZ込まれ、供給管6の一端からは窒素
ガスが噴き出される。この結果、処理液5中を気泡とな
って上昇する窒素ガス中にはへキサメチルGシラザンが
含まれることになり、この処理ガスを含んだ窒素ガスは
導管3を経て熱風循環炉1内に入る。しかし、このよう
な装置ではつぎのような欠点がある。{11 循環炉と
はいえ、処理ガスが室内全域に亘つて均一に分散される
ことは極めて困難であり、均一な処理ができない難点が
ある。
That is, a cartridge 2 containing a wafer is placed in a hot air circulation furnace 1, and a conduit 3 is inserted into the hot air circulation furnace 1.
Nitrogen gas containing muxamethyl G silazane is introduced through the reactor. One end of the conduit 3 is connected to the upper part of the supply gas chamber 4 . In addition, a hexamethyl G silazane solution (processing liquid) 5 is placed in the Tosonsha gas chamber 4, one end of a supply pipe 6 is inserted into this processing liquid 5, and nitrogen is supplied from one end of the supply pipe 6. Gas is blown out. As a result, the nitrogen gas rising in the form of bubbles in the processing liquid 5 contains hexamethyl G silazane, and the nitrogen gas containing this processing gas enters the hot air circulation furnace 1 through the conduit 3. . However, such a device has the following drawbacks. {11 Although it is a circulation furnace, it is extremely difficult to uniformly disperse the processing gas throughout the room, and there is a drawback that uniform processing cannot be performed.

‘2) 処理完了後は熱風循環炉のドアを開けてからカ
ートリッジを取り出し、再び新たなカートリッジを入れ
て処理を行なうバッチ処理のため、カートリッジの交換
のたびに炉内の雰囲気(温度、処理ガス濃度、分布)が
こわされる。
'2) After processing is completed, the door of the hot air circulation furnace is opened, the cartridge is removed, a new cartridge is inserted, and processing is started again. Because this is a batch process, the atmosphere inside the furnace (temperature, processing gas, etc.) is changed each time the cartridge is replaced. concentration, distribution) are destroyed.

このため、処理時間が長くなり、作業性が低くなる。糊
ゥェハの洗浄、乾燥浄化を一連の作業と見た場合、ゥ
ェハの移し換え等に手間暇が多く掛る。
Therefore, processing time becomes longer and workability becomes lower. If cleaning, drying and purifying the glue wafer is viewed as a series of operations, it takes a lot of time and effort to transfer the wafer.

したがって、本発明の目的はゥェハの清浄度等の処理度
を向上させるとともに清浄度の均一化を図り、かつ自動
化を採用することによって工数の低減を図ることにある
Therefore, an object of the present invention is to improve the processing efficiency such as the cleanliness of wafers, to make the cleanliness uniform, and to reduce the number of man-hours by employing automation.

以下実施例により本発明を詳細に説明する。第2図およ
び第3図は本発明の−実施例によるウェハ清浄装置の梶
棚略を示す正面図および平面図である。
The present invention will be explained in detail below with reference to Examples. FIG. 2 and FIG. 3 are a front view and a plan view showing the outline of a basket shelf of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

これらの図でもわかるように、このウエハ清浄装置は左
から右に亘つてローディング機構7、移算製機構8、洗
浄機構9、乾燥機構10、浄化機構1 1、アンローダ
機構12が順次並んでいる。つぎに前記各機構について
説明する。
As can be seen from these figures, this wafer cleaning apparatus has a loading mechanism 7, a transfer mechanism 8, a cleaning mechanism 9, a drying mechanism 10, a cleaning mechanism 11, and an unloader mechanism 12 arranged in order from left to right. . Next, each of the above mechanisms will be explained.

ローデイング機構7はウェハ13を積み重ねるように収
容するカートリッジ14を教壇するテーブル15と、こ
のテーブル15の後方に配設され、テーブル15に載層
されたカートリッジ14のウヱハ18を突き出して前方
に送り出すプッシャ16からなる。またテーブル15は
テーブル15を支える支柱17に設けられた雄ねじを利
用して上下に移動する。したがって、テーブル15が1
ピッチずつ下降する毎にブツシヤ16によってカートリ
ッジ14内のウヱハ13は1枚ずつ押し出され、移襖機
構8に移る。移の摸擬機8は長く2又に廷在するフィン
ガー部18を有する平坦な移動板19からなり、前記ロ
ーディング機構7から送り込まれて来たウェハ13は移
動板19のフィンガー部の付け根、すなわちU字溝20
の溝底綾上に載る(これをローダ側戦直部21と呼ぶ。
The loading mechanism 7 includes a table 15 that holds cartridges 14 that accommodate wafers 13 in a stacked manner, and a pusher that is disposed behind the table 15 and pushes out the wafers 18 of the cartridges 14 stacked on the table 15 and sends them forward. Consists of 16. Further, the table 15 is moved up and down using a male screw provided on a support 17 that supports the table 15. Therefore, table 15 is 1
The wafers 13 in the cartridge 14 are pushed out one by one by the pusher 16 each time the wafers 13 are lowered by pitches, and transferred to the transfer mechanism 8. The transfer simulator 8 consists of a flat moving plate 19 having a long bifurcated finger portion 18, and the wafer 13 fed from the loading mechanism 7 is placed at the base of the finger portion of the moving plate 19, i.e. U-shaped groove 20
(This is called the loader side direct part 21.)

)。また、フィンガー部18の先端部にはウェハ13を
戦層するスピンナ側教層部22が設けられ、この間のピ
ッチは一定、aとなっている。また、この移動板19は
第2図の矢印群で示すように1ピッチa前進した後、b
だけ上昇し、再び1ピッチ前進する。その後、bだけ下
降した後、2ピッチ2a後退してローディング機構7か
らゥェハ13を受け取る状態(ゥェハ受取状態)になる
。洗浄機構9は移動板19がウェハ受取状態の際、スピ
ンナ側敷暦部22からaだけ離れた前進側に位置するモ
ータ23によって回転するスピンナ(回転円板)24と
、このスピンナ24の上方に位置し、洗浄時下降して回
転する半径方向に延びる円柱状のブラシ25および純水
を送る洗浄液供V給管26とからなっている。
). Further, a spinner-side layer portion 22 for layering the wafer 13 is provided at the tip of the finger portion 18, and the pitch therebetween is constant a. Also, as shown by the arrow group in FIG.
and then move forward one pitch again. Thereafter, after descending by b, it retreats by 2 pitches 2a and enters a state in which it receives the wafer 13 from the loading mechanism 7 (wafer receiving state). When the movable plate 19 is in the wafer receiving state, the cleaning mechanism 9 includes a spinner (rotating disk) 24 rotated by a motor 23 located on the forward side a distance a from the spinner side calendar section 22, and a spinner (rotating disk) 24 located above the spinner 24. It consists of a radially extending cylindrical brush 25 that is positioned and rotates while descending during cleaning, and a cleaning liquid supply pipe 26 that supplies pure water.

また、スピンナ24のウェハ戦簿面には図示しないが真
空吸着用の吸着孔謙羊が設けられ、スピンナ24上に戦
遣されたウェハ13を真空吸着保持するようになってい
る。また、スピンナ24の直径は移換機構8のフィンガ
ー部18の2本のフィンガ27,28間の間隔よりも小
さく形成され、移動板19の昇降時にフィンガ27,2
8がスピンナ24に当綾することがないようになってい
る。乾燥機構10は中央に沿つ延びる赤外線ランプから
なるヒータ29を内蔵した乾燥炉30と、この乾燥炉3
0の下部を貫通して延在するベルトコンベア31とから
なっている。
Although not shown, a suction hole for vacuum suction is provided on the wafer holding surface of the spinner 24, so that the wafer 13 sent onto the spinner 24 is held by vacuum suction. Further, the diameter of the spinner 24 is formed smaller than the interval between the two fingers 27 and 28 of the finger portion 18 of the transfer mechanism 8, and when the moving plate 19 is raised and lowered, the fingers 27 and 28 are
8 does not hit the spinner 24. The drying mechanism 10 includes a drying oven 30 including a heater 29 consisting of an infrared lamp extending along the center;
0 and a belt conveyor 31 extending through the lower part of the belt.

また、ベルトコンベア31のスピンナ側端はスピンナ2
4の位置から略aだけ離れる位置に臨み、移動板19の
スピンナ側戦贋部22に戦層されて運ばれてくるウェハ
13を受けるようになっている。このため、ベルトコン
ベア31と移動板19とが干渉しないように、ベルトコ
ンベア31の幅はスピンナと同様にフィンガー27,2
8間隔よりも狭くなっている。浄化機構11はベルトコ
ンベア31の終端に臨み、ベルトコンベア31によって
運ばれてきたウェハ13を戦鷹する戦層テーブル32と
、載直テーブル32上に浄化用の処理ガスを噴射する噴
射管33と、噴射管33の先端に傘状に配設され処理ガ
スの流れを規定するガイド34と、ガイド34の周緑か
ら流出する処理ガス(たとえば、ヘキサチメルGシラザ
ン:このガスは臭く衛生上も回収しないと良くない。
Further, the spinner side end of the belt conveyor 31 is connected to the spinner 2
The wafer 13 is located at a position approximately a distance away from the position 4, and receives the wafer 13 carried on the spinner side counterfeit portion 22 of the moving plate 19 in a stacked manner. Therefore, in order to prevent interference between the belt conveyor 31 and the movable plate 19, the width of the belt conveyor 31 is set so that the fingers 27 and 2, like the spinner, do not interfere with each other.
It is narrower than the 8-space. The purification mechanism 11 is located at the end of the belt conveyor 31 and includes a layer table 32 for cleaning the wafers 13 carried by the belt conveyor 31, and an injection pipe 33 for injecting processing gas for purification onto the loading table 32. , a guide 34 arranged in an umbrella shape at the tip of the injection pipe 33 to regulate the flow of the processing gas, and a processing gas flowing out from the green surrounding the guide 34 (for example, hexathymel G silazane: this gas smells and should not be recovered for sanitary reasons). That's not good.

)を回収するためのフード35,排気孔36を有する回
収筒37からなっている。また、前記載層テーブル32
はその上面からガス(窒素等)を噴出する傾斜した噴出
孔38を2列にウェハの移送方向に沿って有し、ベルト
コンベア31から送られてきたウェハ13をその流れる
ガスによってアンローダ機構12側に移送するようにな
っている。また、載暦テーブル32には2本のストッパ
39,40が設けられ、通常は載層テーブル32の上面
よりも下方に位置しているが、載層テーブル32上にウ
ェハ13が送られてくると上昇してその先端部でウェハ
13の前進端を押さえ、進行を停止させる。また、乾燥
炉30および浄化機構11はカバー41で被われるとと
もに、このカバー41は内部が空洞となり、冷却水42
を流して冷却するようになっている。また、カバー41
には排気孔43が設けられ、浄化機構1 1内の熱気お
よびガスを排気するようになつている。アンローダ機構
12はゥェハ13を積み重ねるように収容するカートリ
ッジ44を戦層するテーブル45からなり、テーブル4
5は外周面に雌ねじを設けた支柱46によって支えられ
ている。
) and a collection cylinder 37 having an exhaust hole 36. In addition, the layer table 32
has two rows of inclined ejection holes 38 that eject gas (nitrogen, etc.) from its upper surface along the wafer transfer direction, and uses the flowing gas to direct the wafers 13 sent from the belt conveyor 31 to the unloader mechanism 12 side. It is designed to be transferred to The loading table 32 is also provided with two stoppers 39 and 40, which are normally located below the upper surface of the loading table 32, but the wafer 13 is fed onto the loading table 32. The wafer 13 rises and presses the advancing end of the wafer 13 with its tip, stopping its advancement. Further, the drying oven 30 and the purification mechanism 11 are covered with a cover 41, and the inside of this cover 41 is hollow, and the cooling water 42 is covered with a cover 41.
It is designed to be cooled by flowing water. In addition, the cover 41
An exhaust hole 43 is provided in the purification mechanism 11 to exhaust hot air and gas inside the purification mechanism 11. The unloader mechanism 12 includes a table 45 that holds cartridges 44 that accommodate the wafers 13 in a stacked manner.
5 is supported by a column 46 having a female thread on its outer circumferential surface.

そして、この雄ねじを利用してテーブル45は昇降する
。この結果、テーブル45は1ピッチずつ下降し、カー
トリッジ44の下段から上段に向けて順次清浄化したウ
ェハ13を収容する。つぎに、ウェハの清浄化作業につ
いて説明する。
The table 45 is moved up and down using this male screw. As a result, the table 45 moves down one pitch at a time, and sequentially stores the cleaned wafers 13 from the lower stage of the cartridge 44 toward the upper stage. Next, wafer cleaning work will be explained.

ローディング機構7におけるカートリッジ14内のウェ
ハ13はプッシャ16によって移動機構8のローダ側戦
層部21上に押し出される。
The wafer 13 in the cartridge 14 in the loading mechanism 7 is pushed onto the loader side layer part 21 of the moving mechanism 8 by the pusher 16.

すると、移動機構8の移動板19は1ピッチa前進し、
フィンガー部18をスピンナ24の真下に位置させ、そ
の後、bだけ上昇し、フィンガー部18のスピンナ側教
贋部22上にスピンナ24上に載るブラシ25によって
純水で洗浄化されたウェハ13を受け取り持ち上げる。
この際、洗浄作業をするブラシ25および純水を供給す
る洗浄液供給管26は共に上昇して移動板19と衝突し
ないようになっている。つぎに、洗浄前後のウェハ13
をそれぞれ有する移動板19′は再び1ピッチa前進し
た後、bだけ下降し、スピンナ側戦層部22上の洗浄を
終了したウェハ13をベルトコンベア31の始端上に載
せるとともに、ローダ側敷贋部21上のウェハ13をス
ピンナ24上に載せ、2ピッチ2a後退して最初の位置
に戻り、次のローディング機構7から送られてくるウェ
ハ13の受け取りに備える。
Then, the moving plate 19 of the moving mechanism 8 moves forward by 1 pitch a,
The finger section 18 is positioned directly below the spinner 24, and then raised by a distance b, and receives the wafer 13 cleaned with pure water by the brush 25 placed on the spinner 24 on the spinner-side copying section 22 of the finger section 18. lift.
At this time, the brush 25 that performs the cleaning operation and the cleaning liquid supply pipe 26 that supplies pure water both rise to avoid colliding with the movable plate 19. Next, the wafer 13 before and after cleaning
The movable plate 19', which has each of The wafer 13 on the section 21 is placed on the spinner 24, and the spinner 24 moves backward two pitches 2a to return to the initial position in preparation for receiving the next wafer 13 sent from the loading mechanism 7.

一方、洗浄機構9にあっては、ブラシ25および洗浄液
供給管26が下降し、洗浄液供聯合管26から純水をウ
ェハ13上に噴き出すとともにブラシ25を回転させて
ウェハ13の上面をこすって洗浄する。
On the other hand, in the cleaning mechanism 9, the brush 25 and the cleaning liquid supply pipe 26 are lowered, and pure water is spouted onto the wafer 13 from the cleaning liquid supply pipe 26, and the brush 25 is rotated to scrub the upper surface of the wafer 13 for cleaning. do.

この際、スピンナ24上のウェハ13はスピンナ24に
真空吸着保持され、かつモータ24の回動によって回転
し、効果的な洗浄が成される。一定時間洗浄されるとブ
ラシ25と洗浄液供聯合管26は共に上昇し、その後、
スピンナ24は回転を停止する。他方、ベルトコンベア
31に載せられた水気を帯びたウェハ13はベルトコン
ベア31によって乾燥炉30内に運ばれ、ヒータ29に
よって移動しながら乾燥される。
At this time, the wafer 13 on the spinner 24 is held by the spinner 24 by vacuum suction and rotated by the rotation of the motor 24, thereby achieving effective cleaning. After being cleaned for a certain period of time, both the brush 25 and the cleaning liquid supply pipe 26 rise, and then,
The spinner 24 stops rotating. On the other hand, the wet wafer 13 placed on the belt conveyor 31 is carried into the drying oven 30 by the belt conveyor 31, and is dried while being moved by the heater 29.

そして、ベルトコンベア31の終端から浄化機構11の
戦贋テーブル32上に送り出されたウェハ13は、載層
テーブル32上を噴出孔38から流れ出るガスによって
移動し、戦魔テーブル32上に一時的に突出するストツ
パ39,40によって定位層に停止する。また、この状
態でウェハ13の真上に位置する噴射管33からはウェ
ハ13に向かって処理ガス(たとえばへキサメチルGシ
ラザン)を噴き付け、ウェハ13の表面に付着する水分
(水酸基)を分解し蒸発させる。蒸発した汚れた処理ガ
スはフード35に案内されて排気孔36から外部に排気
される。一方時間処理ガスを受けると、載暦テーブル3
2上に突出していたストッパ39,40は下降するため
、ウヱハ13は噴出孔38から噴出されるガス(窒素等
)によって移動アナローダ機構12のカートリッジ44
内に入る。のような実施例の装置によればつぎのような
効果を得ることができる。
The wafer 13 sent from the end of the belt conveyor 31 onto the counterfeit table 32 of the purification mechanism 11 is moved on the stacking table 32 by the gas flowing out from the jet hole 38, and is temporarily placed on the counterfeit table 32. It is stopped at the stereotactic layer by protruding stoppers 39, 40. In addition, in this state, a processing gas (for example, hexamethyl G silazane) is sprayed toward the wafer 13 from the injection pipe 33 located directly above the wafer 13 to decompose moisture (hydroxyl groups) adhering to the surface of the wafer 13. Evaporate. The evaporated dirty processing gas is guided to the hood 35 and exhausted to the outside from the exhaust hole 36. On the other hand, when receiving time processing gas, the calendar table 3
The stoppers 39 and 40 protruding from above 2 are lowered, and the wafer 13 is moved by the gas (nitrogen, etc.) ejected from the ejection hole 38 to move the cartridge 44 of the analog loader mechanism 12.
Go inside. According to the apparatus of the embodiment, the following effects can be obtained.

(1ー ウェハの洗浄、乾燥、浄化の一連の作業は自動
化されるため、その処理状態は略一定となり品質が安定
するとともに、作業性(生産性)が向上する。
(1- Since the series of wafer cleaning, drying, and purification operations are automated, the processing conditions are almost constant, quality is stable, and workability (productivity) is improved.

■ ウェハは1枚ずつ処理され、かつ処理面全域に百つ
て各処理がなされているため、ウェハの浄化度は従来に
比べて高くなる。
(2) Since wafers are processed one by one and each process is performed over the entire processing surface, the degree of wafer purification is higher than in the past.

‘3} 乾燥機構、浄化機構にあってはその処理雰囲気
内を薄いウヱハが通過する構造であり、かつその出入口
は薄い出入口となっているため、処理雰囲気はゥェハの
出入によって大きく変動することはなく、従釆のバッチ
処理のようなウェハの出入後の処理雰囲気後の調整に大
〈の時間を設けるようなことは不必要となり、工数が短
かくなる。
'3} The drying mechanism and purification mechanism have a structure in which a thin wafer passes through the processing atmosphere, and the entrances and exits are thin, so the processing atmosphere does not change significantly due to the entry and exit of the wafer. This eliminates the need for a large amount of time to adjust the processing atmosphere after loading and unloading wafers, as in secondary batch processing, and reduces the number of man-hours.

なお、本発明は前記実施例に限定されず、ウェハなどの
彼処理体の種々の処理を行なう処理装置に適用できるも
のである。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be applied to processing apparatuses that perform various types of processing on processing objects such as wafers.

以上のように、本発明のウェハ処理装置によれば、ウヱ
ハの清浄度などの処理度を高めることができるとともに
、品質の安定化を図ることができ、かつ工数を低減でき
ることから製造コストを軽減できる。
As described above, according to the wafer processing apparatus of the present invention, it is possible to improve the processing level such as the cleanliness of the wafer, stabilize the quality, and reduce the manufacturing cost by reducing the number of man-hours. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従釆のウェハ清浄装置の外観を示す斜視図、第
2図は本発明の一実施例であるウェハ清浄装置の概略を
示す一部を断面とした正面図、第3図は同じく平面図で
ある。 1・・・・・・熱風循環炉、2・・・カートリッジ、3
・・・・・・導管、4・・・・・・供給ガス室、5・・
・・・・処理液、6・…・・供V給管、7・・・・・・
ローディング機構、8・・・・・・移f剣機構、9…・
・・洗浄機構、10・・・・・・乾燥機構、1 1…・
・・総イ○額穣、12・・・・・・アンローダ機構、1
3・・・・・・ウエハ、14……カートリッジ、15…
…テーブル、16・・・・・・ブッシャ、17・・・・
・・支柱、18・・・・・・フィンガー部、19……移
動板、20……U字溝、21・・…・ローダ側戦層部、
22・・・・・・スピンナ側敷層部、23・・…・モー
タ、24・・・・・・スピンナ、25・・・・・・ブラ
シ、26・・・・・・洗浄液供給管、27,28……フ
ィンガ、29……ヒータ、30……乾燥炉、31・・・
・・・ベルトコンベア、32・・・・・・載層テーブル
、33・・・・・・噴射管、34・・・・・・ガイド、
36・・・・・・フード、36・・・・・・排気孔、3
7・・・・・・回収筒、38・・・・・・噴出孔、39
,40・・・・・・ストッパ、41・・・・・・カバー
、42・・・・・・冷却水、43・・・・・・排気孔、
44……カートリッジ、45……テーブル、46・・・
・・・支柱。 第1図 第2図 第3図
Fig. 1 is a perspective view showing the external appearance of a subordinate wafer cleaning device, Fig. 2 is a partially sectional front view schematically showing a wafer cleaning device which is an embodiment of the present invention, and Fig. 3 is the same. FIG. 1...Hot air circulation furnace, 2...Cartridge, 3
... Conduit, 4 ... Supply gas chamber, 5 ...
...Processing liquid, 6... Supply V supply pipe, 7...
Loading mechanism, 8... Transfer sword mechanism, 9...
...Washing mechanism, 10...Drying mechanism, 1 1...
・・Total amount, 12・・・・Unloader mechanism, 1
3...Wafer, 14...Cartridge, 15...
...Table, 16...Busha, 17...
...Strut, 18...Finger part, 19...Moving plate, 20...U-shaped groove, 21...Loader side battle layer part,
22...Spinner side bed layer part, 23...Motor, 24...Spinner, 25...Brush, 26...Cleaning liquid supply pipe, 27 , 28...finger, 29...heater, 30...drying oven, 31...
... Belt conveyor, 32 ... Layering table, 33 ... Injection pipe, 34 ... Guide,
36...Hood, 36...Exhaust hole, 3
7...Recovery tube, 38...Blowout hole, 39
, 40...Stopper, 41...Cover, 42...Cooling water, 43...Exhaust hole,
44...cartridge, 45...table, 46...
...Strut. Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 カートリツジに収容した複数のウエハを順次1枚ず
つ送り出すローデイング機構と、前記ローデイング機構
によつて送り出された複数のウエハを順次1枚ずつカー
トリツジに収容するアンローデイング機構と、前記ロー
デイング機構と前記アンローデイング機構との間に設け
られた、ウエハ表面を水洗いするウエハ表面水洗処理部
及びウエハを加熱乾燥するウエハ乾燥部及びウエハ表面
の水分を蒸発させる処理ガスを噴射する処理ガス噴射部
の複数の処理部を有する処理機構と、前記ローデイング
機構と前記アンローデイング機構との間に設けられ、前
記処理機構の処理部から処理部へウエハを移送するウエ
ハ移送機構とを備え上記ウエハ表面水洗処理部はウエハ
を1枚ずつ載せる回転テーブルとこのテーブル上に載置
されたウエハ表面をこするブラシとを有し、上記ウエハ
乾燥部はウエハを1枚ずつ前進させるウエハ送り部とウ
エハの前進方向に沿つて廷びるヒーターとを有し、上記
処理ガス噴射部はウエハを1枚ずつ載せるテーブルとこ
のテーブル上を覆うフードとこのフード内からテーブル
上のウエハに処理ガスを噴射する処理ガス噴射管とを有
していることを特徴とするホトレジスト塗布前ウエハ処
理装置。
1: a loading mechanism that sequentially delivers a plurality of wafers accommodated in a cartridge one by one; an unloading mechanism that sequentially accommodates a plurality of wafers delivered by the loading mechanism into a cartridge one by one; and the loading mechanism and the unloading mechanism. A wafer surface washing processing unit that washes the wafer surface with water, a wafer drying unit that heats and dries the wafer, and a processing gas injection unit that injects a processing gas that evaporates water on the wafer surface, which are installed between the wafer surface and the wafer surface. The wafer surface washing processing section includes a processing mechanism having a processing section, and a wafer transfer mechanism that is provided between the loading mechanism and the unloading mechanism and transfers the wafer from the processing section of the processing mechanism to the processing section. The wafer drying section has a rotary table on which the wafers are placed one by one, and a brush that scrubs the surface of the wafers placed on this table. The processing gas injection unit has a table on which wafers are placed one by one, a hood that covers the table, and a processing gas injection pipe that injects processing gas from inside the hood to the wafers on the table. A wafer processing device before photoresist coating, which is characterized by:
JP16933379A 1979-12-27 1979-12-27 Wafer processing equipment Expired JPS6022499B2 (en)

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